JPS6018519A - エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物Info
- Publication number
- JPS6018519A JPS6018519A JP12527883A JP12527883A JPS6018519A JP S6018519 A JPS6018519 A JP S6018519A JP 12527883 A JP12527883 A JP 12527883A JP 12527883 A JP12527883 A JP 12527883A JP S6018519 A JPS6018519 A JP S6018519A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- epoxy
- component
- less
- novolac
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- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は、半導体素子などの電子部品の封止用に適し
たエポキシ樹脂組成物に関する。
たエポキシ樹脂組成物に関する。
エポキシ樹脂組成物によって封止された半導体素子の耐
湿信頼性、特にアルミニウム(AI)腐食寿命を向上さ
せる手段として、エポキシ樹脂組成物の低透湿化、リー
ドフレームと樹脂組成物(バルク)の界面における接着
力の向上、および樹脂中に含まれる不純物イオンの低減
等が考えられており、MC(マイクロコンピュータ−)
メーカーの鋭意研究により、年々半導体素子の^l腐食
寿命が向上している。しかし、ガラス、金属、セラミッ
ク等による封止、いわゆるハーメチック封止された半導
体素子に比べ、まだまだ信頼性が劣る。
湿信頼性、特にアルミニウム(AI)腐食寿命を向上さ
せる手段として、エポキシ樹脂組成物の低透湿化、リー
ドフレームと樹脂組成物(バルク)の界面における接着
力の向上、および樹脂中に含まれる不純物イオンの低減
等が考えられており、MC(マイクロコンピュータ−)
メーカーの鋭意研究により、年々半導体素子の^l腐食
寿命が向上している。しかし、ガラス、金属、セラミッ
ク等による封止、いわゆるハーメチック封止された半導
体素子に比べ、まだまだ信頼性が劣る。
この発明は、このような事情に鑑みなされたもので、耐
湿信頼性の高いエポキシ樹脂組成物を提供することを目
的としている。
湿信頼性の高いエポキシ樹脂組成物を提供することを目
的としている。
前記のような目的を達成するため、この発明は、加水分
解性塩素の含有量が400ppm以下でエポキシ当量が
210以下のノボラック型エポキシ樹脂を主成分とし、
架橋剤として、フリーフェノール量が0.1重量%以下
のノボラック型フェノール樹脂を、前記ノボラック型エ
ポキシ樹脂のエポキシ基に対し水酸基が0.6〜1.3
当量となるよう含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成
物をその要旨としている。
解性塩素の含有量が400ppm以下でエポキシ当量が
210以下のノボラック型エポキシ樹脂を主成分とし、
架橋剤として、フリーフェノール量が0.1重量%以下
のノボラック型フェノール樹脂を、前記ノボラック型エ
ポキシ樹脂のエポキシ基に対し水酸基が0.6〜1.3
当量となるよう含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成
物をその要旨としている。
以下に、この発明の詳細な説明する。
主成分となるノボラック型エポキシ樹脂としては、加水
分解性塩素の含有量が400ppm以下でエポキシ当量
が210以下のものを使用する。加水分解性塩素は、ノ
ボラック型エポキシ樹脂を準備する過程で不可避的に入
ってくるものである。これは、極限まで減少させること
が好ましいのであるが、そうすれば歩留りが悪くなった
り、処理費用がかさむ等の不利益が伴う。しかし、40
0ppm以下程度であれば、このような不利益もな(、
加水分解性塩素による害を防ぐことができるようになる
このノボラック型エポキシ樹脂に、架橋剤としてフリー
フェノール量が0.1重量%以下のノボラック型フェノ
ール樹脂を、エポキシ樹脂のエポキシ基に対して水酸基
が0.6〜1.3当量(エポキシ基と水酸基の比が0.
6〜1.3)となるよう加える。そうすると、目的とす
るエポキシ樹脂組成物(封止用成形材料)が得られる。
分解性塩素の含有量が400ppm以下でエポキシ当量
が210以下のものを使用する。加水分解性塩素は、ノ
ボラック型エポキシ樹脂を準備する過程で不可避的に入
ってくるものである。これは、極限まで減少させること
が好ましいのであるが、そうすれば歩留りが悪くなった
り、処理費用がかさむ等の不利益が伴う。しかし、40
0ppm以下程度であれば、このような不利益もな(、
加水分解性塩素による害を防ぐことができるようになる
このノボラック型エポキシ樹脂に、架橋剤としてフリー
フェノール量が0.1重量%以下のノボラック型フェノ
ール樹脂を、エポキシ樹脂のエポキシ基に対して水酸基
が0.6〜1.3当量(エポキシ基と水酸基の比が0.
6〜1.3)となるよう加える。そうすると、目的とす
るエポキシ樹脂組成物(封止用成形材料)が得られる。
このエポキシ樹脂組成物は耐湿信頼性が高く、これを用
いて半導体素子を封止するとAI腐食寿命が大幅に向上
する。これは、主成分となるエポキシ樹脂中の加水分解
性塩素を、標準が700〜11000ppであるのに対
して400ppm以下というように半分以下にすること
により、CI−が低減することと、エポキシ当量を21
0以下とすることにより、硬化時に架橋密度が上昇する
ことが大きな理由であると思われる。
いて半導体素子を封止するとAI腐食寿命が大幅に向上
する。これは、主成分となるエポキシ樹脂中の加水分解
性塩素を、標準が700〜11000ppであるのに対
して400ppm以下というように半分以下にすること
により、CI−が低減することと、エポキシ当量を21
0以下とすることにより、硬化時に架橋密度が上昇する
ことが大きな理由であると思われる。
なお、エポキシ樹脂組成物の性能を向上させるといった
ような目的のため、シリカ等の無機充填剤やカップリン
グ剤等が加えられることがある。
ような目的のため、シリカ等の無機充填剤やカップリン
グ剤等が加えられることがある。
前記加水分解性塩素の分析法としては、たとえば、試料
2.0gを30 m IIの1,4−ジオキサンで熔解
させたのち5mnのIN−KOHエタノール溶液を加え
、得られた溶液を30加熱したのち、硝酸銀で滴定する
という方法がある。
2.0gを30 m IIの1,4−ジオキサンで熔解
させたのち5mnのIN−KOHエタノール溶液を加え
、得られた溶液を30加熱したのち、硝酸銀で滴定する
という方法がある。
つぎに、実施例および比較例について説明するつぎのよ
うな原材料を配合して実施例および比較例1〜4のエポ
キシ樹脂組成物をつくった。ただし、いずれも、エポキ
シ基に対し、水酸基は0゜6〜1.3当量の範囲に入っ
ている。エポキシ樹脂のエポキシ当量と加水分解性塩素
の含有量、およびフェノール樹脂のフリーフェノール量
は第1表に示す。
うな原材料を配合して実施例および比較例1〜4のエポ
キシ樹脂組成物をつくった。ただし、いずれも、エポキ
シ基に対し、水酸基は0゜6〜1.3当量の範囲に入っ
ている。エポキシ樹脂のエポキシ当量と加水分解性塩素
の含有量、およびフェノール樹脂のフリーフェノール量
は第1表に示す。
ノボラック型エポキシ樹脂 100重量部ノボラック型
フェノール樹脂 50重量部2−メチルイミダゾール
1重量部 シリカ 320重量部 カップリング剤 1重量部 カーボンブラック 2重量部 ステアリン酸 1重量部 (以 下 余 白) 第1表 実施例および比較例1〜4のエポキシ樹脂組成物を使用
してアルミモデル素子を封止し、PCT(プレッシャー
クツカー テスト:133℃。
フェノール樹脂 50重量部2−メチルイミダゾール
1重量部 シリカ 320重量部 カップリング剤 1重量部 カーボンブラック 2重量部 ステアリン酸 1重量部 (以 下 余 白) 第1表 実施例および比較例1〜4のエポキシ樹脂組成物を使用
してアルミモデル素子を封止し、PCT(プレッシャー
クツカー テスト:133℃。
100%RH)による耐湿信頼性の試験を行った。
PCT累積不良の測定結果を第2表に示す。
(以 下 余 白)
第2表
比較例1〜4のものより耐湿信頼性が高いことがわかる
。
。
この発明にかかるエポキシ樹脂組成物は、前記のように
構成されているので、耐湿信頼性が高い代理人 弁理士
松 本 武 彦
構成されているので、耐湿信頼性が高い代理人 弁理士
松 本 武 彦
Claims (1)
- (1)加水分解性塩素の含有量が400ppm以下でエ
ポキシ当量が210以下のノボラック型エポキシ樹脂を
主成分とし、架橋剤として、フリーフェノール量が0.
1重量%以下のノボラック型フェノール樹脂を、前記ノ
ボラック型エポキシ樹脂のエポキシ基に対し水酸基が0
.6〜1.3当量となるよう含むことを特徴とするエポ
キシ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12527883A JPS6018519A (ja) | 1983-07-09 | 1983-07-09 | エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12527883A JPS6018519A (ja) | 1983-07-09 | 1983-07-09 | エポキシ樹脂組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6018519A true JPS6018519A (ja) | 1985-01-30 |
JPS6244013B2 JPS6244013B2 (ja) | 1987-09-17 |
Family
ID=14906112
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12527883A Granted JPS6018519A (ja) | 1983-07-09 | 1983-07-09 | エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6018519A (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5010897A (ja) * | 1973-06-04 | 1975-02-04 | ||
JPS54141569A (en) * | 1978-04-26 | 1979-11-02 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
JPS5610947A (en) * | 1979-07-10 | 1981-02-03 | Toshiba Corp | Semiconductor sealing resin composition |
JPS5626926A (en) * | 1979-08-10 | 1981-03-16 | Toshiba Corp | Epoxy resin molding material for sealing electronic part |
JPS5740962A (en) * | 1980-08-25 | 1982-03-06 | Toshiba Corp | Resin-sealed semiconductor device |
JPS5760779A (en) * | 1980-08-08 | 1982-04-12 | Thomson Brandt | Integrated interface circuit |
JPS582322A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-07 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
-
1983
- 1983-07-09 JP JP12527883A patent/JPS6018519A/ja active Granted
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5010897A (ja) * | 1973-06-04 | 1975-02-04 | ||
JPS54141569A (en) * | 1978-04-26 | 1979-11-02 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
JPS5610947A (en) * | 1979-07-10 | 1981-02-03 | Toshiba Corp | Semiconductor sealing resin composition |
JPS5626926A (en) * | 1979-08-10 | 1981-03-16 | Toshiba Corp | Epoxy resin molding material for sealing electronic part |
JPS5760779A (en) * | 1980-08-08 | 1982-04-12 | Thomson Brandt | Integrated interface circuit |
JPS5740962A (en) * | 1980-08-25 | 1982-03-06 | Toshiba Corp | Resin-sealed semiconductor device |
JPS582322A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-07 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6244013B2 (ja) | 1987-09-17 |
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