JPS60180050A - イオン照射装置 - Google Patents
イオン照射装置Info
- Publication number
- JPS60180050A JPS60180050A JP59034774A JP3477484A JPS60180050A JP S60180050 A JPS60180050 A JP S60180050A JP 59034774 A JP59034774 A JP 59034774A JP 3477484 A JP3477484 A JP 3477484A JP S60180050 A JPS60180050 A JP S60180050A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- ions
- magnetic field
- sample
- cathode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子顕微鏡に使用して最適なイオン照射装置に
関する。
関する。
ンの注入を行いながら、その様子を電子顕微鏡で観察す
ることが行われている。この場合、該試料は磁場中に配
置されており、イオン発生部を出用したイオンは該磁場
によってその軌道が曲げられる。そのため、イオンが正
確に試料に照射されるように、イオン発生部からのイオ
ンの出射方向を該軌道の曲げを考慮して定めな（プれば
ならない。
ることが行われている。この場合、該試料は磁場中に配
置されており、イオン発生部を出用したイオンは該磁場
によってその軌道が曲げられる。そのため、イオンが正
確に試料に照射されるように、イオン発生部からのイオ
ンの出射方向を該軌道の曲げを考慮して定めな（プれば
ならない。
しかしながら、該出射方向を正確に定めたとしても、該
試料が配置されている磁場の強さが変えられると、その
強さに応じて該イオンの軌道も変化し、正確に試わ１の
検鏡部分にイオンを照射づ−ることができなくなる。
試料が配置されている磁場の強さが変えられると、その
強さに応じて該イオンの軌道も変化し、正確に試わ１の
検鏡部分にイオンを照射づ−ることができなくなる。
本発明は上述した点に鑑みてなされたもので、試料の配
置されている磁場の強さが変えられても、正確に目標位
置にイオンを照射することの可能なイオン照射装置を提
供する。
置されている磁場の強さが変えられても、正確に目標位
置にイオンを照射することの可能なイオン照射装置を提
供する。
本発明に基づくイオン照射装置は、イオン発生部からの
イオンを磁場中に配置されたターゲットに照射する装置
において、該イオン発生部と該ターゲットの間にイオン
偏向手段を設け、該イオン偏向手段によるイオンの偏向
角を該磁場の強さに応じて変化させるようにした点に特
徴を有している。
イオンを磁場中に配置されたターゲットに照射する装置
において、該イオン発生部と該ターゲットの間にイオン
偏向手段を設け、該イオン偏向手段によるイオンの偏向
角を該磁場の強さに応じて変化させるようにした点に特
徴を有している。
以下、本発明の実施例を添附図面に基づいて詳述する。
図中１は電子顕微鏡の対物レンズヨーク、２はレンズコ
イルであり、該コイル２には励磁電源３から励磁電流が
供給される。４は該対物レンズ磁場中に配置されている
試料であり、５は該試料にイオンを照射するためのイオ
ン銃である。該イオン銃５は高圧電源６から正の高電圧
が印加されている中空陽極７と該陽極７の外側に配置さ
れた接地電位の陰極８から成るイオン発生部、偏向電源
９から偏向電圧が供給される静電偏向板１０．中性粒子
遮蔽板１１および該陰極８．静電偏向板１０、中性粒子
遮蔽板１１等を覆う如く配置されている磁気シールドケ
ース１２より成っている。該陽極７．陰極８および磁気
シールドケースは透磁率の高い材料で形成されている。
イルであり、該コイル２には励磁電源３から励磁電流が
供給される。４は該対物レンズ磁場中に配置されている
試料であり、５は該試料にイオンを照射するためのイオ
ン銃である。該イオン銃５は高圧電源６から正の高電圧
が印加されている中空陽極７と該陽極７の外側に配置さ
れた接地電位の陰極８から成るイオン発生部、偏向電源
９から偏向電圧が供給される静電偏向板１０．中性粒子
遮蔽板１１および該陰極８．静電偏向板１０、中性粒子
遮蔽板１１等を覆う如く配置されている磁気シールドケ
ース１２より成っている。該陽極７．陰極８および磁気
シールドケースは透磁率の高い材料で形成されている。
尚、偏向板１０は２枚の偏向電極より構成されており、
正確には図面に垂直な方向にイオンを偏向するように配
置されるが、説明の容易さのため、この偏向板１０は斜
めに描かれており、イオンも実際には紙面に垂直な方向
に偏向されるが、図面上では斜めに偏向されるように描
かれでいる。該陰極８に囲まれた空間は放電室となって
おり、その空間には、流路１３．調整弁１４を介してガ
ス源（図示せず）から、アルゴンガスの如き不活性ガス
が供給される。該イオン銃５内部に供給されるガスの一
部は流路１５．調整弁１６を介して排出され、その結果
、調整弁１４．ｊ６を適宜に調整することにより、該イ
オン銃内部の不活性ガスの圧力をイオン化に最適な圧力
とすることができる。１７は制御回路であり、該制御回
路１７は該励磁電源３と偏向電源９を制御する。尚、該
陽極７と陰極８とは絶縁体１８によって一体化されてい
る。
正確には図面に垂直な方向にイオンを偏向するように配
置されるが、説明の容易さのため、この偏向板１０は斜
めに描かれており、イオンも実際には紙面に垂直な方向
に偏向されるが、図面上では斜めに偏向されるように描
かれでいる。該陰極８に囲まれた空間は放電室となって
おり、その空間には、流路１３．調整弁１４を介してガ
ス源（図示せず）から、アルゴンガスの如き不活性ガス
が供給される。該イオン銃５内部に供給されるガスの一
部は流路１５．調整弁１６を介して排出され、その結果
、調整弁１４．ｊ６を適宜に調整することにより、該イ
オン銃内部の不活性ガスの圧力をイオン化に最適な圧力
とすることができる。１７は制御回路であり、該制御回
路１７は該励磁電源３と偏向電源９を制御する。尚、該
陽極７と陰極８とは絶縁体１８によって一体化されてい
る。
上述した如き構成において、試料４には図示していない
が、電子銃から発生した電子線が集束レンズによって集
束されて照射されており、該試料を通過した電子線は中
間レンズ、投影レンズ（図示せず）によって蛍光板ある
いはイメージインテンシファイア上に投影され、該蛍光
板上あるいは該イメージインテンシファイアに接続され
た陰極線管に試料像が表示される。ここで、ガス源から
のアルゴンガスを陰極８によって囲まれた放電室内部に
導入し、該陰極８と陽極７の間に高電圧を印加すれば、
放電により該アルゴンガスは電離イオン化し、該イオン
は陰極８の開口８ａを通過して取出される。該開口８ａ
を通過したイオンは、偏向板１０に印加される偏向電圧
に応じて偏向され、磁気シールドケース１２外部に進行
し、図面に平行な方向の対物レンズ磁場によって偏向さ
れた後、試料４に照射される。該試料４上のイオン照口
１点は、静電偏向板１０による電場と対物レンズ磁場と
によるイオンの偏向によって決定され、磁場が一定の場
合には該静電偏向板１０に印加する電圧を調整すること
により、実線Ａで示す如く、試料４の電子線照射点にイ
オンを正確に照射することが可能である。このように試
料にイオンを注目 ＋＋諭７閏轟柁ｎ小士二す一６ニユ
Ｉ５ ノ４ｂ詳人の様子を観察することができる。尚、
イオン化され加速されたガス粒子が他のガス粒子と衝突
し、その際の電荷交換によって中性粒子となったものは
、加速されたイオンと同方向に進行するが、該中性粒子
は静電偏向板１０によっては偏向を受りないため、直進
し、遮蔽板１１によって試料４方向への進行が阻止され
る。
が、電子銃から発生した電子線が集束レンズによって集
束されて照射されており、該試料を通過した電子線は中
間レンズ、投影レンズ（図示せず）によって蛍光板ある
いはイメージインテンシファイア上に投影され、該蛍光
板上あるいは該イメージインテンシファイアに接続され
た陰極線管に試料像が表示される。ここで、ガス源から
のアルゴンガスを陰極８によって囲まれた放電室内部に
導入し、該陰極８と陽極７の間に高電圧を印加すれば、
放電により該アルゴンガスは電離イオン化し、該イオン
は陰極８の開口８ａを通過して取出される。該開口８ａ
を通過したイオンは、偏向板１０に印加される偏向電圧
に応じて偏向され、磁気シールドケース１２外部に進行
し、図面に平行な方向の対物レンズ磁場によって偏向さ
れた後、試料４に照射される。該試料４上のイオン照口
１点は、静電偏向板１０による電場と対物レンズ磁場と
によるイオンの偏向によって決定され、磁場が一定の場
合には該静電偏向板１０に印加する電圧を調整すること
により、実線Ａで示す如く、試料４の電子線照射点にイ
オンを正確に照射することが可能である。このように試
料にイオンを注目 ＋＋諭７閏轟柁ｎ小士二す一６ニユ
Ｉ５ ノ４ｂ詳人の様子を観察することができる。尚、
イオン化され加速されたガス粒子が他のガス粒子と衝突
し、その際の電荷交換によって中性粒子となったものは
、加速されたイオンと同方向に進行するが、該中性粒子
は静電偏向板１０によっては偏向を受りないため、直進
し、遮蔽板１１によって試料４方向への進行が阻止され
る。
次に、観察倍率の変更等を行う場合、励磁電源３から目
的に応じた励磁電流が対物レンズコイル２に供給される
よう、該励磁電源３は制御回路１７によって制御される
。従って、試料４が配置されている空間の磁場の強さは
変化し、それに応じてイオン銃５を出射したイオンの軌
道は変化する。
的に応じた励磁電流が対物レンズコイル２に供給される
よう、該励磁電源３は制御回路１７によって制御される
。従って、試料４が配置されている空間の磁場の強さは
変化し、それに応じてイオン銃５を出射したイオンの軌
道は変化する。
この時、該制御回路１７は偏向電源９を制御し、例えば
、磁場がより強くされてイオンがより大きく曲げられる
ときには、該静電偏向板１０により高い偏向電圧を印加
し、図中点線Ｂで示す如く、該磁場によるイオンの曲げ
られる向きとは逆の向きに大きく該イオンを曲げるよう
にする。この結思一対物しンズ強度がどのように変化し
ても、常に試料４の電子線照射部分に正確にイオンを照
射することかできる。尚、上述した磁気シールドケース
１２を設けず、静電偏向板１０を対物レンズ磁場中に配
置するようにしても良いが、その場合には、磁場による
イオンの軌道の曲げを、対物レンズ磁場と静電偏向板に
よる電場が合成された電磁界によって補正しなければな
らず、この補正信号の作成等が複雑となり、正確な試料
へのイオンの照射が不可能となる。その点、この実施例
では静電偏向板１０を磁気シールドケース１２によって
囲まれた空間に配置しているため、該静Ｎ偏向板による
イオンの偏向は鉢物レンズ磁場の影響を受りずに行うこ
とができ、磁場によるイオンの曲げを補正するだめの偏
向信号の作成が容易となり、結果どして正確に試料にイ
オンを照射することができる。
、磁場がより強くされてイオンがより大きく曲げられる
ときには、該静電偏向板１０により高い偏向電圧を印加
し、図中点線Ｂで示す如く、該磁場によるイオンの曲げ
られる向きとは逆の向きに大きく該イオンを曲げるよう
にする。この結思一対物しンズ強度がどのように変化し
ても、常に試料４の電子線照射部分に正確にイオンを照
射することかできる。尚、上述した磁気シールドケース
１２を設けず、静電偏向板１０を対物レンズ磁場中に配
置するようにしても良いが、その場合には、磁場による
イオンの軌道の曲げを、対物レンズ磁場と静電偏向板に
よる電場が合成された電磁界によって補正しなければな
らず、この補正信号の作成等が複雑となり、正確な試料
へのイオンの照射が不可能となる。その点、この実施例
では静電偏向板１０を磁気シールドケース１２によって
囲まれた空間に配置しているため、該静Ｎ偏向板による
イオンの偏向は鉢物レンズ磁場の影響を受りずに行うこ
とができ、磁場によるイオンの曲げを補正するだめの偏
向信号の作成が容易となり、結果どして正確に試料にイ
オンを照射することができる。
以上詳述した如く、本発明は観察試料等のターゲットが
配置された磁場の強さに連動して、別個に設けられたイ
オン偏向手段により、予め磁場によるイオンの偏向の向
きとは逆の向きに該イオンを偏向しており、ターゲット
の目的位置に正確にイオンを照射することができる。尚
、本発明は、上述した実施例に限定されず、幾多の変形
が可能である。例えば、イオンの注入の様子を観察する
ために試料にイオンを照射したが、試料の表面をイオン
によって削りながら顕微鏡像を観察したり、オージェ電
子の分析を行ったりする場合にも本発明を使用すること
ができると共に、その他、磁場中のターゲラ１〜にイオ
ンを照射する場合全てに本発明を適用することができる
。又、イオンを発生させるだめの方式は電離イオン方式
に限定されず、他のイオン化の方式も使用することかで
きる。
配置された磁場の強さに連動して、別個に設けられたイ
オン偏向手段により、予め磁場によるイオンの偏向の向
きとは逆の向きに該イオンを偏向しており、ターゲット
の目的位置に正確にイオンを照射することができる。尚
、本発明は、上述した実施例に限定されず、幾多の変形
が可能である。例えば、イオンの注入の様子を観察する
ために試料にイオンを照射したが、試料の表面をイオン
によって削りながら顕微鏡像を観察したり、オージェ電
子の分析を行ったりする場合にも本発明を使用すること
ができると共に、その他、磁場中のターゲラ１〜にイオ
ンを照射する場合全てに本発明を適用することができる
。又、イオンを発生させるだめの方式は電離イオン方式
に限定されず、他のイオン化の方式も使用することかで
きる。
添附図面は本発明の一実施例を示１図である。
１・・・対物レンズヨーク
２・・・レンズコイル ３・・・励磁電源４・・・試料
５・・・イオン銃 ６・・・高圧電源 ７・・・中空陽極 ８・・・陰極 ９・・・偏向電源 １０・・・静電偏向板 １１・・・遮蔽板１２・・・磁
気シールドケース １３．１５・・・ガス流路 １４．１６・・・調整弁 １７・・・制御回路 特許出願人 ｄ本電子株式会社 代理人 弁理士 井 島 藤 治 外１名
５・・・イオン銃 ６・・・高圧電源 ７・・・中空陽極 ８・・・陰極 ９・・・偏向電源 １０・・・静電偏向板 １１・・・遮蔽板１２・・・磁
気シールドケース １３．１５・・・ガス流路 １４．１６・・・調整弁 １７・・・制御回路 特許出願人 ｄ本電子株式会社 代理人 弁理士 井 島 藤 治 外１名
Claims (3)
- （１）イオン発生部からのイオンを磁場中に配置された
ターゲットに照射する装置において、該イオン発生部と
該ターゲラ１−の間にイオン偏向手段を設け、該イオン
偏向手段によるイオンの偏向角を該磁場の強さに応じて
変化させるようにしたイオン照射装置。 - （２）該イオン発生部から直進する中性粒子を遮蔽する
遮蔽板が設けられた特許請求の範囲第１項記載のイオン
照射装置。 - （３）該イオン偏向手段は磁気シールドケース内に配置
された特許請求の範囲第１項乃至第２項記載のイオン照
射装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59034774A JPS60180050A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | イオン照射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59034774A JPS60180050A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | イオン照射装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60180050A true JPS60180050A (ja) | 1985-09-13 |
| JPH0234429B2 JPH0234429B2 (ja) | 1990-08-03 |
Family
ID=12423641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59034774A Granted JPS60180050A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | イオン照射装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60180050A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63291348A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-29 | Jeol Ltd | 電子顕微鏡 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5934775A (ja) * | 1982-08-23 | 1984-02-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回転ヘツド型磁気録画再生装置 |
-
1984
- 1984-02-24 JP JP59034774A patent/JPS60180050A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5934775A (ja) * | 1982-08-23 | 1984-02-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回転ヘツド型磁気録画再生装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63291348A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-29 | Jeol Ltd | 電子顕微鏡 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0234429B2 (ja) | 1990-08-03 |
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