JPS60179991A - 磁気バブルメモリ装置 - Google Patents
磁気バブルメモリ装置Info
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- JPS60179991A JPS60179991A JP59035133A JP3513384A JPS60179991A JP S60179991 A JPS60179991 A JP S60179991A JP 59035133 A JP59035133 A JP 59035133A JP 3513384 A JP3513384 A JP 3513384A JP S60179991 A JPS60179991 A JP S60179991A
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- Japan
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- magnetic
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- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
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- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
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- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
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- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
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- Semiconductor Memories (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は磁気バブルメモリ装置（以下単に「バブルメモ
リ」とも略記）に関し、特にバイアス磁界を温度に関し
て補正して広い動作保証温度範囲を実現可能とするバイ
アス磁界補正手段を具えたパッケージ構造に関するもの
である。
リ」とも略記）に関し、特にバイアス磁界を温度に関し
て補正して広い動作保証温度範囲を実現可能とするバイ
アス磁界補正手段を具えたパッケージ構造に関するもの
である。
技術の背景
バブルメモリは可動部分のない固冗ファイルメモリを実
現するものとして期待されている。近年。
現するものとして期待されている。近年。
バブルメモリの用途が広がるにつれ、その信頼性の高さ
及び振動や衝撃に対する強さが注目され。
及び振動や衝撃に対する強さが注目され。
航空機搭載用メモリとしての適用が図られている。
この場合、飛行機が成層圏を飛行するようなときは例え
は−５５℃といった低温になシ、このような低温でも安
定に動作することが要求される。しかしながら、後述す
るように従来のバブルメモリはこのような低温では安定
な動作を保祉できず。
は−５５℃といった低温になシ、このような低温でも安
定に動作することが要求される。しかしながら、後述す
るように従来のバブルメモリはこのような低温では安定
な動作を保祉できず。
その対策が要望されていた。
従来技術と問題点
以下、従来技術につき図面の第１図から第６図を参照し
て説明する。第１図及び第２図は従来のバブルメモリパ
ッケージの一例の構造を示すそれぞれ一部破断分解斜視
図及び要部側面図である。
て説明する。第１図及び第２図は従来のバブルメモリパ
ッケージの一例の構造を示すそれぞれ一部破断分解斜視
図及び要部側面図である。
これらの図中、符号ＰＡはパッケージ全体を示し。
パッケージＰＡはバブルメモリ素子（以下「メモリ素子
」と略記）１．このメモリ素子１を搭載するプリント基
板２．メそり素子１内の磁気ノくプル（以下単に「バブ
ル」とも略記）の維持のだめのバイアス磁界Ｉ（Ｂを飴
生す′る永久磁石３及び４゜パブ／Ｉ’ｍ動用の面内回
転磁界ＨＤを発生するだめのコイル５．及び以上の敦素
を外部磁界から維新する磁気シールドケース６から構成
されている。
」と略記）１．このメモリ素子１を搭載するプリント基
板２．メそり素子１内の磁気ノくプル（以下単に「バブ
ル」とも略記）の維持のだめのバイアス磁界Ｉ（Ｂを飴
生す′る永久磁石３及び４゜パブ／Ｉ’ｍ動用の面内回
転磁界ＨＤを発生するだめのコイル５．及び以上の敦素
を外部磁界から維新する磁気シールドケース６から構成
されている。
メモリ素子１ｉＬ基本的Ｖｒ−は例えはガドリニウム−
ガリウム・ガーネットの単結晶基板上に液相エピタキシ
ャル成長によりし性ガーネット等の磁性薄膜（バブル結
晶）を形成したものであり、バブル結晶内のバブルの有
無を２進法６゛ｊ報のそれぞれ１°′及び０°°に釣元
、させて悄龜を記憶する。
ガリウム・ガーネットの単結晶基板上に液相エピタキシ
ャル成長によりし性ガーネット等の磁性薄膜（バブル結
晶）を形成したものであり、バブル結晶内のバブルの有
無を２進法６゛ｊ報のそれぞれ１°′及び０°°に釣元
、させて悄龜を記憶する。
バブルはバブル結晶中に存在する泡状磁区であり。
適当な大きさのバイアス磁界が印加されている状態での
みイチ在可能である。バイアス磁界が成る大きさを越え
るとバブルは消滅し、また成る大きさ以下ではストライ
プ磁区となる。これらのバイアス磁界をそれぞれ消滅（
コラプス）＆界およびストリップアウト（またはストラ
イプアウト）磁界と称する。またメモリ素子ｌにはバブ
ル結晶上にバブルの発生、トランスファ、レズリケート
及び検出等の機能をする種々の機能部、史にはパーマロ
イ等の軟磁性体パターンあるいはイオン注入パターンに
よってバブル転送路が形成され１面内回転駆動磁界ＨＤ
の印加によってバブルは転送路によって転送され１機能
部に制御電流を印加することによってバブルが制御され
て情報の書込み及び読出しが行われる。
みイチ在可能である。バイアス磁界が成る大きさを越え
るとバブルは消滅し、また成る大きさ以下ではストライ
プ磁区となる。これらのバイアス磁界をそれぞれ消滅（
コラプス）＆界およびストリップアウト（またはストラ
イプアウト）磁界と称する。またメモリ素子ｌにはバブ
ル結晶上にバブルの発生、トランスファ、レズリケート
及び検出等の機能をする種々の機能部、史にはパーマロ
イ等の軟磁性体パターンあるいはイオン注入パターンに
よってバブル転送路が形成され１面内回転駆動磁界ＨＤ
の印加によってバブルは転送路によって転送され１機能
部に制御電流を印加することによってバブルが制御され
て情報の書込み及び読出しが行われる。
このようなバブルメモリ素子の動作特性は一般に駆動磁
界ＨＤに対するバイアス磁界ＨＢの動作マージンで評価
される。例えば第３図は２８ｍ バブル用のメモリ素子
の動作特性を示すものであシ。
界ＨＤに対するバイアス磁界ＨＢの動作マージンで評価
される。例えば第３図は２８ｍ バブル用のメモリ素子
の動作特性を示すものであシ。
横軸に駆動磁界ＨＤ、縦軸にバイアス磁界ＨＢを示しで
ある。図中、符号ＨＯは前述の消減磁界を示し、符号Ｈ
２は前述のストライプアウト磁界を示し、Ｈｏ とＨ２
との間の領域ＦＢがフリーバブル存在領域、つまりバブ
ル転送路等が形成されていない磁気バブル結晶中にバブ
ルが自由な状態で存在し得るバイアス磁界の範囲を示す
。一方１曲線りは動作マージン曲線であシ、この曲線で
囲まれた領域（特にハツチングをト１して明示）かメモ
リ素子の動作領域である。この動作領域の上限値Ｈ、／
は転送中のバブルが消滅するバイアス磁界の大きさ、ま
た下限値Ｈ２Ｆはバブルが転送路に沿っであるいは転送
路からそれてストリップアウトするバイアス磁界の大き
さを表わす。一般に動作領域はフリーバブル存在領域Ｆ
Ｒよりやや高い磁界領域となるが、動作領域の上限値Ｈ
０ｆ及び下限値Ｈ２′はフリーろクプル存在領域ＦＢ
よりやや高い磁界領域となるが、動作領域の上限値Ｈ８
′及び下限値Ｈ，Ｉはフリーバブル消減磁界Ｈ８に比例
することが知られている。
ある。図中、符号ＨＯは前述の消減磁界を示し、符号Ｈ
２は前述のストライプアウト磁界を示し、Ｈｏ とＨ２
との間の領域ＦＢがフリーバブル存在領域、つまりバブ
ル転送路等が形成されていない磁気バブル結晶中にバブ
ルが自由な状態で存在し得るバイアス磁界の範囲を示す
。一方１曲線りは動作マージン曲線であシ、この曲線で
囲まれた領域（特にハツチングをト１して明示）かメモ
リ素子の動作領域である。この動作領域の上限値Ｈ、／
は転送中のバブルが消滅するバイアス磁界の大きさ、ま
た下限値Ｈ２Ｆはバブルが転送路に沿っであるいは転送
路からそれてストリップアウトするバイアス磁界の大き
さを表わす。一般に動作領域はフリーバブル存在領域Ｆ
Ｒよりやや高い磁界領域となるが、動作領域の上限値Ｈ
０ｆ及び下限値Ｈ２′はフリーろクプル存在領域ＦＢ
よりやや高い磁界領域となるが、動作領域の上限値Ｈ８
′及び下限値Ｈ，Ｉはフリーバブル消減磁界Ｈ８に比例
することが知られている。
また、バブルメモリ素子の動作は温度に依存する。第４
図はフリーバブル消減磁界Ｈｏの温度依存性を示す。図
示の如＜ｎｏは温度Ｔの変化に対して非直線的に変化す
るが１例えは０℃から７０℃の範囲Ｏ平均変化率は−０
，２％／℃である。また第５図は駆動磁界Ｉ（Ｄ＝５０
０ｅでのメモリ素子の動作特性の温度依存性を示し、動
作領域の上限値Ｂ、ｆおよび下限値Ｈ２′は共に０℃か
ら７０℃の範囲で約−０，２％／Ｃの変化率を有する。
図はフリーバブル消減磁界Ｈｏの温度依存性を示す。図
示の如＜ｎｏは温度Ｔの変化に対して非直線的に変化す
るが１例えは０℃から７０℃の範囲Ｏ平均変化率は−０
，２％／℃である。また第５図は駆動磁界Ｉ（Ｄ＝５０
０ｅでのメモリ素子の動作特性の温度依存性を示し、動
作領域の上限値Ｂ、ｆおよび下限値Ｈ２′は共に０℃か
ら７０℃の範囲で約−０，２％／Ｃの変化率を有する。
一方。
永久磁石は例えば３ｒ フェライトまたは３３ａ フェ
ライト等を用いると、その発生磁界は温度に依存して−
０，２％ん の変ｆビ率で直線的に変化する。
ライト等を用いると、その発生磁界は温度に依存して−
０，２％ん の変ｆビ率で直線的に変化する。
従来はこのような温度特性の永久磁石３，４を用いて例
えば第５図に示すようなバイアス磁界）ｉＢを発生させ
るようにしである。第６図は第５図におけるバイアス磁
界ＨＢ と動作領域の上限値Ｈ６′および下限値Ｈ２′
との差△ａｎの温度依存性を示すものである。この図の
ハツチング部分が動作保証領域を示し、０℃から７０℃
の温度範囲で動作が保証されることがわかる。
えば第５図に示すようなバイアス磁界）ｉＢを発生させ
るようにしである。第６図は第５図におけるバイアス磁
界ＨＢ と動作領域の上限値Ｈ６′および下限値Ｈ２′
との差△ａｎの温度依存性を示すものである。この図の
ハツチング部分が動作保証領域を示し、０℃から７０℃
の温度範囲で動作が保証されることがわかる。
しかしかかる従来構造では前記の一５５℃といった低温
では動作が保証されず、このため装置全体を恒温箱に入
れてパッケージ尚辺温度が０℃以下にならないようにす
る等の対策を講する必要があった。
では動作が保証されず、このため装置全体を恒温箱に入
れてパッケージ尚辺温度が０℃以下にならないようにす
る等の対策を講する必要があった。
発明の目的
本発明は上記従来技術の問題点を解消すること。
すなわち保温筒の特別な対策を必要とせずに従来のそれ
より４広い温度範囲で安定な動作を保証し得るすぐれた
磁気バブルメモリ装置を提供することを目的とするもの
である。
より４広い温度範囲で安定な動作を保証し得るすぐれた
磁気バブルメモリ装置を提供することを目的とするもの
である。
発明の（１（ｈ叉
上記目的の実現にあたり、前記従来技術を鑑みれに、従
来の動作保証温度範囲が狭い原因はメモリＸ＜子の動作
特性と永久磁石によるバイアス磁界の温度依存性か相違
する点にある。すなわち、第５図に示す如くメモリ素子
動作領域の上限及び下限の温度依存性が非＠線的である
のに対して永久磁石によるバイアス磁ｙ１“−のそれが
直艦的であることに起因しｔおり、バイアス磁界の温度
依存性が直線的である限り、従来より広い動作保証温度
範囲を得ることは不可能である。
来の動作保証温度範囲が狭い原因はメモリＸ＜子の動作
特性と永久磁石によるバイアス磁界の温度依存性か相違
する点にある。すなわち、第５図に示す如くメモリ素子
動作領域の上限及び下限の温度依存性が非＠線的である
のに対して永久磁石によるバイアス磁ｙ１“−のそれが
直艦的であることに起因しｔおり、バイアス磁界の温度
依存性が直線的である限り、従来より広い動作保証温度
範囲を得ることは不可能である。
そこで本発明はメモリパックーシにバイアス磁界補正手
段を設け、バイアス磁界をその温胚依存性が広い温度範
囲にわたってメモリ素子の動作特性のそれとハハ近似す
る如く補正して広い動作保証領域を実現するものである
。
段を設け、バイアス磁界をその温胚依存性が広い温度範
囲にわたってメモリ素子の動作特性のそれとハハ近似す
る如く補正して広い動作保証領域を実現するものである
。
すなわち本発明は、磁気バブルメモリ素子の磁気バブル
を維持するためのバイアス磁界発生手段。
を維持するためのバイアス磁界発生手段。
該バイアス磁界発生手段の外側に設けられていて外部磁
界を遮断する磁気シールド、及び該磁気シールドの外側
に配設した前記バイアス磁界と逆方向の補正用磁界を発
生する補正用磁界発生手段を少なくとも具備した構成と
したものである。
界を遮断する磁気シールド、及び該磁気シールドの外側
に配設した前記バイアス磁界と逆方向の補正用磁界を発
生する補正用磁界発生手段を少なくとも具備した構成と
したものである。
発明の実施例
以下１本発明の実施例につき図面の第７図から第１４図
を参照して説明する。
を参照して説明する。
第７図は本発明によるバブルメモリパッケージの第１実
施例の側面図である。図中、符号ＰＡは第１図及び第２
図に示したパッケージと同じものを示す。そしてこのパ
ッケージＰＡの磁気シールドケース６の外側の止子に１
例えばパーマロイ等の軟磁性体からなる板１１．１２を
配置し、これらの板の両端部にそれぞれ永久磁石１３．
１４を介在配置した構造としである。永久磁石１３．１
４の極性を図で上側がＮ極、下側がＳ極となるようにす
ると、軟磁性体板１１．１２の間にバイアス磁界Ｈ，と
は逆向きの補正用磁界Ｈｃｏが生ずる。
施例の側面図である。図中、符号ＰＡは第１図及び第２
図に示したパッケージと同じものを示す。そしてこのパ
ッケージＰＡの磁気シールドケース６の外側の止子に１
例えばパーマロイ等の軟磁性体からなる板１１．１２を
配置し、これらの板の両端部にそれぞれ永久磁石１３．
１４を介在配置した構造としである。永久磁石１３．１
４の極性を図で上側がＮ極、下側がＳ極となるようにす
ると、軟磁性体板１１．１２の間にバイアス磁界Ｈ，と
は逆向きの補正用磁界Ｈｃｏが生ずる。
補正磁界発生用の永久磁石１３７１４としてＢａフェラ
イトあるいＩｄＳｒ７エライト叫を用いれば。
イトあるいＩｄＳｒ７エライト叫を用いれば。
補正用磁界）１ｃｏもまた−０．２％／″ＣＱ）変化率
で変化する。
で変化する。
一方、第７図はシールドケース６のシールドＩ持在を示
し１図から分かるように外部磁界が７００ｅを越えると
ケース内部の磁界が急激に変化する。
し１図から分かるように外部磁界が７００ｅを越えると
ケース内部の磁界が急激に変化する。
このことは、シールドケースが外部磁界７００８で飽和
し、７（１０ｅ を越える磁界成分をほとんど通過させ
ることを示している。
し、７（１０ｅ を越える磁界成分をほとんど通過させ
ることを示している。
従０：Ｃ，永久研石１３．１４による補正用磁界Ｈｃｏ
を２０°Ｃで７００ｅに設定すると、２０’Ｃ以下にお
けるＨ８０の値ならひにＨＣＯのシールドケース通過成
分によるバイアス磁界）ＩＲの抵減分−△）ｉは第１表
に示す如くとなる。
を２０°Ｃで７００ｅに設定すると、２０’Ｃ以下にお
けるＨ８０の値ならひにＨＣＯのシールドケース通過成
分によるバイアス磁界）ＩＲの抵減分−△）ｉは第１表
に示す如くとなる。
第１表
この結果、前記第５図と同様の第９図に示す如くバイア
ス磁界Ｈａは２０℃付近で折れ曲った折れ線状となる。
ス磁界Ｈａは２０℃付近で折れ曲った折れ線状となる。
図中のハツチング領域がＨＢの低減分−ΔＨＲであり、
直線ＨＢ’が補正されたバイアス磁界を示す。すなわち
１図から分るように一５５℃から２０℃の温度範Ｉにお
いてはバイアス磁界ＨＢ′の変化率が動作領域の上限値
Ｈｏ′および下限値Ｈ２′のそれとｆｌは近似すること
になる。
直線ＨＢ’が補正されたバイアス磁界を示す。すなわち
１図から分るように一５５℃から２０℃の温度範Ｉにお
いてはバイアス磁界ＨＢ′の変化率が動作領域の上限値
Ｈｏ′および下限値Ｈ２′のそれとｆｌは近似すること
になる。
尚、２０℃以上の温度では補正用磁界Ｉ知０はシールド
ケース６に吸収されて内部には１０ｅ 程鹿しか入り込
まないため、バイアス磁界ＨＢは本来の温度依存性にの
み依存して変化し、従って従来と変らぬ温度特性が得ら
れる。第１θ図は第９図に関して前記第６図と同手法で
もって動作保鉦領域（ハツチング部分）を示したもので
めシ、この図から分るように一５５℃以下から７０℃ま
での広い温度範囲で安定した動作が保糺されることにな
る。
ケース６に吸収されて内部には１０ｅ 程鹿しか入り込
まないため、バイアス磁界ＨＢは本来の温度依存性にの
み依存して変化し、従って従来と変らぬ温度特性が得ら
れる。第１θ図は第９図に関して前記第６図と同手法で
もって動作保鉦領域（ハツチング部分）を示したもので
めシ、この図から分るように一５５℃以下から７０℃ま
での広い温度範囲で安定した動作が保糺されることにな
る。
尚、シールドケース６は補正用磁界）１ｃｏにより飽和
されるとシールド機能を失うが、その外側にある軟磁性
体板１１．１２がシールド機能を有するため、外部磁界
を有効に遮断用能である。
されるとシールド機能を失うが、その外側にある軟磁性
体板１１．１２がシールド機能を有するため、外部磁界
を有効に遮断用能である。
第１１図から第’１４図は本発明の第２から第５の実施
例をそれぞれ示す。これらの実施例の基本的な構成及び
作用唸前記第１実施例と全く同じであシ、同一部分には
同一符号を示しである。
例をそれぞれ示す。これらの実施例の基本的な構成及び
作用唸前記第１実施例と全く同じであシ、同一部分には
同一符号を示しである。
第１１図の第２実施例では、軟磁性体板１１゜１２の両
端部において小さな永久磁石１５．１６を回転可能に設
けてあり、それの角度を調整することによシ軟磁性体板
１１．１２間の補正用磁界、）ｌｃｏ（第７しＩ）の大
きさを適宜調整することができるようにしである。
端部において小さな永久磁石１５．１６を回転可能に設
けてあり、それの角度を調整することによシ軟磁性体板
１１．１２間の補正用磁界、）ｌｃｏ（第７しＩ）の大
きさを適宜調整することができるようにしである。
また第１２図の第３実施例では、軟磁性体板１１の両端
部に磁性体からなるネジ１７．１８を設け。
部に磁性体からなるネジ１７．１８を設け。
これらのネジを出し入れして上記同様に補正用磁界）１
ｃｏの大きさを適宜調斃可能としである。
ｃｏの大きさを適宜調斃可能としである。
第１３図の第４実施例では、シールドケース６と軟磁性
体板１１．１２との間にそれぞれ非磁性体のスペーサ１
９，２０（特にハツチングを付して明示）を介在させた
構造としである。これによシバイアス磁界ＨＢ と補正
用磁界Ｈｃｏとの望ましくない干渉を減少させることが
できる。スペーサ１９．２０の材料とし、では放熱性の
点からＡＩ。
体板１１．１２との間にそれぞれ非磁性体のスペーサ１
９，２０（特にハツチングを付して明示）を介在させた
構造としである。これによシバイアス磁界ＨＢ と補正
用磁界Ｈｃｏとの望ましくない干渉を減少させることが
できる。スペーサ１９．２０の材料とし、では放熱性の
点からＡＩ。
Ｃｕ、セラミック等の熱良導体がＷｉＬい。
更に第１４図の第５実施例では、軟磁性体板１１０表面
に放熱フィン２１を設けた構造としである。
に放熱フィン２１を設けた構造としである。
これによｐ軟磁性１ト板１１が放熱器としても機能し、
扁湿側の温度特性をも改善可能である。尚。
扁湿側の温度特性をも改善可能である。尚。
放熱フィン２１の代わりに軟磁性体板１１０表曲を凹凸
にしても良い。この場合、板の表面を直接凹凸に加工し
ても良いし、あるいは予め凹凸が形成された別の仮を取
り付けるようにすることもできる。
にしても良い。この場合、板の表面を直接凹凸に加工し
ても良いし、あるいは予め凹凸が形成された別の仮を取
り付けるようにすることもできる。
発明の効果
以上の如く１本発明によれは動作保ａ化温度鋤朋（の非
常に広い磁気バブルメモリ装置を実現でき。
常に広い磁気バブルメモリ装置を実現でき。
振動や衝撃に対する高い信頼性と相まつで非常に広汎な
用途への適用を図ることが可能となる。
用途への適用を図ることが可能となる。
４４、図面の簡単な説明
第１図から第６図は従来技術の説明図であり。
第１図及び第２図は磁気バブルメモリパッケージの一例
の構造を示す一部破断分解斜視図及び要部側面図、第３
図はメモリ素子の動作特性図、第４図はバブル結晶にお
けるフリーバブル消減磁界の温度特性図、第５図はメモ
リ素子及びバイアス磁界発生用永久磁石の温度特性図、
第６図はメモリパッケージの温度特性図である。
の構造を示す一部破断分解斜視図及び要部側面図、第３
図はメモリ素子の動作特性図、第４図はバブル結晶にお
けるフリーバブル消減磁界の温度特性図、第５図はメモ
リ素子及びバイアス磁界発生用永久磁石の温度特性図、
第６図はメモリパッケージの温度特性図である。
第７図から第１４図は本発明の実施例の欽、明図であり
、第７図は磁気バブルメモリパッケージの第１実施例の
側面図、第８図は磁気シールドケースのシールド特性図
、第９図はバイアス磁界の補正の説明図、第１０図はメ
モリパッケージの温度特性図、第］】図から第１４図は
磁気バブルメモリパッケージのそれぞれ第２．第３．第
４及び第５の実施例の側面図である。
、第７図は磁気バブルメモリパッケージの第１実施例の
側面図、第８図は磁気シールドケースのシールド特性図
、第９図はバイアス磁界の補正の説明図、第１０図はメ
モリパッケージの温度特性図、第］】図から第１４図は
磁気バブルメモリパッケージのそれぞれ第２．第３．第
４及び第５の実施例の側面図である。
ＰＡ・・・磁気バブルメモリパッケージ、１・・・磁気
ハ７−ルメ％ ＩＪ素子、２・・・プリン）基Ｌ３．４
・・・バイアス磁界発生用永久磁石、５・・・面内回転
磁界発生用コイル、６・・・磁気シールドケース、１１
゜１２・・・軟磁性体板、１３．１４・・・補正用磁界
発生用永久磁石、１５．１６・・・補正用磁界調整用永
久磁石、１７．１８・・・補正用磁界調整用ネジ、１９
゜２０・・・スペーサ、２１・・・放熱フィン。
ハ７−ルメ％ ＩＪ素子、２・・・プリン）基Ｌ３．４
・・・バイアス磁界発生用永久磁石、５・・・面内回転
磁界発生用コイル、６・・・磁気シールドケース、１１
゜１２・・・軟磁性体板、１３．１４・・・補正用磁界
発生用永久磁石、１５．１６・・・補正用磁界調整用永
久磁石、１７．１８・・・補正用磁界調整用ネジ、１９
゜２０・・・スペーサ、２１・・・放熱フィン。
特許出願人
富士通株式会社
特許出願代理人
弁理士 青 木 朗
弁理士 西 舘 和 之
弁理士 内 １） 幸 男
弁理士 山 口 昭 ２
第１図
第３図
駆動磁界Ｈ□ （Ｏｅ）
温度Ｔ（”Ｃ）
■（’Ｃ）
第７図
１２
第８図
第１１図
Ａ
第１２図
１３
ｌｊ
手続補正書（包絡）
昭和５９年３月３０日
特許庁長官 若 杉 和 夫 殿
１、事件の表示
昭和５９年特許願第０３５１３３号
２、発明の名称
磁気バブルメモリ装置
３、 １ｉｌｉ正をする者
事件との関係 特許出願人
名称 （５２２） 富士通株式会社
４、代理人
（外３名）
５、補正の対象
明細書の「発明の詳細な説明」の欄
６、補正の内容
明細書第６頁第８行目から同第１０行目、「動作領域の
・・・となるが、」を全文削除する。
・・・となるが、」を全文削除する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、磁気バブルメモリ素子の磁気バブルを維持するため
のバイアス磁界発生手段、該バイアス磁界発生手段の外
側に設けられていて外部磁界を遮断する磁気シールド、
及び該磁気シールドの外側に配設した前記バイアス磁界
と逆方向の補正用磁界を発生する補正用磁界発生手段を
少なくとも具備したことを特徴とする磁気バブルメモリ
装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載の磁気バブルメモリ装置
において、前記補正用磁界発生手段は温度が低くなるに
つれて補正用磁界を強める仁とを特徴とする磁気バブル
メモリにも ３、特許請求の範囲第１項または第２項に記載の磁気バ
ブルメモリ装置において、前記補正用磁界の強さが所定
温度以下で前記磁気シールドのシールド限界を越えるこ
とを特徴とする磁気バブルメモリ装置。 ４、特許請求の範囲第１項から第３項までのいずれか１
項に記載の磁気バブルメモリ装置において、前記補正用
磁界の強さを調整する調整手段を具備することを特徴と
する磁気バブルメモリ装置。 ５、特許請求の範囲第１項から第４項までのいずれか１
項に記載の磁気バブルメモリ装置において、前記補正用
磁界発生手段と磁気シールドとの間に非磁性体からなる
スペーサを配設したことを特徴とする磁気バブルメモリ
装置。 ６、特許請求の範囲第１項から第５項までのいずれか１
項に記載の磁気バブルメモリ装置において、前記補正用
磁界発生手段が放熱部材を有することを特徴とする磁気
バブルメモリ装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59035133A JPS60179991A (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | 磁気バブルメモリ装置 |
| CA000474674A CA1239224A (en) | 1984-02-28 | 1985-02-19 | Magnetic bubble memory device |
| US06/703,984 US4731751A (en) | 1984-02-28 | 1985-02-21 | Magnetic bubble memory device |
| KR1019850001177A KR900008656B1 (ko) | 1984-02-28 | 1985-02-25 | 자기 버블 메모리장치(Magnetic bubble memory device) |
| EP85301268A EP0154487B1 (en) | 1984-02-28 | 1985-02-26 | Magnetic bubble memory device |
| DE8585301268T DE3584378D1 (de) | 1984-02-28 | 1985-02-26 | Magnetische blasenspeicheranordnung. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59035133A JPS60179991A (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | 磁気バブルメモリ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60179991A true JPS60179991A (ja) | 1985-09-13 |
| JPS6334558B2 JPS6334558B2 (ja) | 1988-07-11 |
Family
ID=12433420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59035133A Granted JPS60179991A (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | 磁気バブルメモリ装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4731751A (ja) |
| EP (1) | EP0154487B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60179991A (ja) |
| KR (1) | KR900008656B1 (ja) |
| CA (1) | CA1239224A (ja) |
| DE (1) | DE3584378D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6212987A (ja) * | 1985-07-09 | 1987-01-21 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ装置 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US3836896A (en) * | 1972-06-29 | 1974-09-17 | Ibm | Non-volatile magnetic domain device having binary valued bias field excitation |
| US3931618A (en) * | 1973-11-14 | 1976-01-06 | Hewlett-Packard Company | Housing structure and magnetic biasing for bubble memories |
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1984
- 1984-02-28 JP JP59035133A patent/JPS60179991A/ja active Granted
-
1985
- 1985-02-19 CA CA000474674A patent/CA1239224A/en not_active Expired
- 1985-02-21 US US06/703,984 patent/US4731751A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-02-25 KR KR1019850001177A patent/KR900008656B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1985-02-26 EP EP85301268A patent/EP0154487B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-02-26 DE DE8585301268T patent/DE3584378D1/de not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| JPS6212987A (ja) * | 1985-07-09 | 1987-01-21 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ装置 |
| JPH0219555B2 (ja) * | 1985-07-09 | 1990-05-02 | Fujitsu Ltd |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4731751A (en) | 1988-03-15 |
| KR850007150A (ko) | 1985-10-30 |
| KR900008656B1 (ko) | 1990-11-26 |
| JPS6334558B2 (ja) | 1988-07-11 |
| CA1239224A (en) | 1988-07-12 |
| EP0154487B1 (en) | 1991-10-16 |
| EP0154487A2 (en) | 1985-09-11 |
| DE3584378D1 (de) | 1991-11-21 |
| EP0154487A3 (en) | 1988-11-23 |
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