JPS60179956A - 光学記録媒体 - Google Patents
光学記録媒体Info
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- JPS60179956A JPS60179956A JP59036433A JP3643384A JPS60179956A JP S60179956 A JPS60179956 A JP S60179956A JP 59036433 A JP59036433 A JP 59036433A JP 3643384 A JP3643384 A JP 3643384A JP S60179956 A JPS60179956 A JP S60179956A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
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-
- G—PHYSICS
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- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
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- G11B2007/25715—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing oxygen
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光、熱等を用いて高速かつ高密度に光学的な情
報を記録、再生できる光学記録媒体に関するもので、特
に、記録媒体層の耐湿性を向上させるだめの保護層に関
するものである。
報を記録、再生できる光学記録媒体に関するもので、特
に、記録媒体層の耐湿性を向上させるだめの保護層に関
するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、半導体レーザの技術発展に伴ない、レーザ光線を
利用して高密度、高速な情報の記録、再生を行なうこと
が釉々試みられてしる。光学的な変化を利用する記録部
材としてはテルルＴｅを初めとするカルコゲン化物、ま
たは酸化物系材料がある。これらの材料は光学的な変化
を情報として取り出す際には有用な材料ではあるが、長
期間の保存性を考えた場合、必ずしも充分な材料ではな
い。−ｒなわち、カルコゲン化物は、非晶質であるため
、熱的に結晶となって劣化しやすいこと、また、湿度の
影響によって酸化されやすいなどの欠点があった。こう
した欠点に対し、基材をガラスで構成し、外気を遮断す
る構成にしたものや、アクリル基板を用いた場合は、記
録膜の両面にＳ １０２などの無機質の防湿膜を施した
ものなどが試みられる。こうした保護層は、それぞれ一
長一短があシ、例えばＳ ｚ ０２膜はスパッター法で
蒸着しなければならないことから、量産性に欠けること
、ＳｉＯ２膜自身、ピンホールの多い膜が形成されやす
いことなどの理由から経済的に見合う有効な保護層を設
けることは困難であった。
利用して高密度、高速な情報の記録、再生を行なうこと
が釉々試みられてしる。光学的な変化を利用する記録部
材としてはテルルＴｅを初めとするカルコゲン化物、ま
たは酸化物系材料がある。これらの材料は光学的な変化
を情報として取り出す際には有用な材料ではあるが、長
期間の保存性を考えた場合、必ずしも充分な材料ではな
い。−ｒなわち、カルコゲン化物は、非晶質であるため
、熱的に結晶となって劣化しやすいこと、また、湿度の
影響によって酸化されやすいなどの欠点があった。こう
した欠点に対し、基材をガラスで構成し、外気を遮断す
る構成にしたものや、アクリル基板を用いた場合は、記
録膜の両面にＳ １０２などの無機質の防湿膜を施した
ものなどが試みられる。こうした保護層は、それぞれ一
長一短があシ、例えばＳ ｚ ０２膜はスパッター法で
蒸着しなければならないことから、量産性に欠けること
、ＳｉＯ２膜自身、ピンホールの多い膜が形成されやす
いことなどの理由から経済的に見合う有効な保護層を設
けることは困難であった。
発明の目的
本発明は、上述した観点から発明されたもので金属又は
半金属酸化物と、この金属又は半金属酸化物を構成する
金属又は半金属元素とで保護層を構成することを特徴と
するもので、特に、光学記録媒体の耐湿性を向上させる
ことを目的とするものである。
半金属酸化物と、この金属又は半金属酸化物を構成する
金属又は半金属元素とで保護層を構成することを特徴と
するもので、特に、光学記録媒体の耐湿性を向上させる
ことを目的とするものである。
発明の構成
本発明の保護層は、金属又は半金属の酸化物（Ｍｅｎ）
と、これを構成する同種の金属又は半金属元素Ｍｅとで
、Ｍｅ−Ｍｅｎ系で構成されており、光学記録媒体層の
片面もしくは両面に施こすものである。本発明に用いる
ことが可能なＭ ｅ Ｏ−Ｍ ｅ系は、例えば、Ｔｅ０
２−Ｔｅ 、 Ｇｅｍ２−Ｇｏ 、 ５ｉｎ２−８ ｉ
、 Ｓ ｕｏ２−８ ｕ などであり、金属又は半金
属酸化物と同種の金属又は半金属元素とで構成される保
護層は、結晶質、非晶質を問わない。
と、これを構成する同種の金属又は半金属元素Ｍｅとで
、Ｍｅ−Ｍｅｎ系で構成されており、光学記録媒体層の
片面もしくは両面に施こすものである。本発明に用いる
ことが可能なＭ ｅ Ｏ−Ｍ ｅ系は、例えば、Ｔｅ０
２−Ｔｅ 、 Ｇｅｍ２−Ｇｏ 、 ５ｉｎ２−８ ｉ
、 Ｓ ｕｏ２−８ ｕ などであり、金属又は半金
属酸化物と同種の金属又は半金属元素とで構成される保
護層は、結晶質、非晶質を問わない。
実施例の説明
金属又は半金属酸化物と金属又は半金属元素とを蒸着し
た膜の状態は金属又は半金属酸化物の特性にもよるが全
体としてはＸ線回折では非晶質を呈している。、しかし
、これをさらに精密な分析を行なうと金属又は半金属元
素は２０人程度の集合体となっており、微結晶の集合体
とみなすこともできる。本発明の金属又は半金属酸化物
と金属又は半金属とで構成される保護層は、結晶、ある
いは非晶質状態どちらも使用可能である。すなわち、金
属又は半金属酸化物と金属又は半金属とで構成される粒
界は、互いの状態が、結晶、非晶質を問わず、”ビン止
め効果”を有する。結晶質で構成された場合は、この粒
界は、結晶成長を阻止し、非晶質の場合は、結晶化を阻
止する。これによシ、金属又は半金属酸化物−金属又は
半金属系で構成される保護層は、金属又は半金属、もし
くは金属又は半金属酸化物の単独よシも耐湿的に安定で
ある。
た膜の状態は金属又は半金属酸化物の特性にもよるが全
体としてはＸ線回折では非晶質を呈している。、しかし
、これをさらに精密な分析を行なうと金属又は半金属元
素は２０人程度の集合体となっており、微結晶の集合体
とみなすこともできる。本発明の金属又は半金属酸化物
と金属又は半金属とで構成される保護層は、結晶、ある
いは非晶質状態どちらも使用可能である。すなわち、金
属又は半金属酸化物と金属又は半金属とで構成される粒
界は、互いの状態が、結晶、非晶質を問わず、”ビン止
め効果”を有する。結晶質で構成された場合は、この粒
界は、結晶成長を阻止し、非晶質の場合は、結晶化を阻
止する。これによシ、金属又は半金属酸化物−金属又は
半金属系で構成される保護層は、金属又は半金属、もし
くは金属又は半金属酸化物の単独よシも耐湿的に安定で
ある。
さらに、本発明の特徴は、金属又は半金属酸化物と金属
又は半金属とで構成される金属又は半金属元素が同じで
あることを特徴とする。この理由は、もし異種金属又は
半金属で構成した場合、水分が存在すると、イオン化傾
向の違いにより、局部電池を構成し、腐食を促進するか
らであふ。したがって本発明の保護層は、金属又は半金
属酸化物と、これを構成する金属又は半金属元素とが同
じでなければならないことを特徴とする。
又は半金属とで構成される金属又は半金属元素が同じで
あることを特徴とする。この理由は、もし異種金属又は
半金属で構成した場合、水分が存在すると、イオン化傾
向の違いにより、局部電池を構成し、腐食を促進するか
らであふ。したがって本発明の保護層は、金属又は半金
属酸化物と、これを構成する金属又は半金属元素とが同
じでなければならないことを特徴とする。
上述した条件を満たす好ましい材料としては、ＴｅＯ２
−Ｔｅがある。Ｔ ｅ Ｏ２とＴｅは、いずれも単独で
は上述した理由により、耐湿性に劣るが、両者を混在さ
せることにより耐湿性は飛躍的に向上する。Ｔｏ−Ｔｏ
ｏ２系層の製法としてはＴｅとＴｅＯ２を三原蒸着によ
シ蒸着するか、あるいは、Ｔ ｅ Ｏ２を予じめ還元金
属、例えばＡ４ 、 Ｃｕ 、 Ｚｎなどと熱処理する
ことにより、Ｔ ｅ Ｏ２の一部を還元してから蒸着す
ることによって得られる。
−Ｔｅがある。Ｔ ｅ Ｏ２とＴｅは、いずれも単独で
は上述した理由により、耐湿性に劣るが、両者を混在さ
せることにより耐湿性は飛躍的に向上する。Ｔｏ−Ｔｏ
ｏ２系層の製法としてはＴｅとＴｅＯ２を三原蒸着によ
シ蒸着するか、あるいは、Ｔ ｅ Ｏ２を予じめ還元金
属、例えばＡ４ 、 Ｃｕ 、 Ｚｎなどと熱処理する
ことにより、Ｔ ｅ Ｏ２の一部を還元してから蒸着す
ることによって得られる。
保護層として特にＴａＯ２−Ｔｅ系が望ましい理由は、
光学記録媒体層として、Ｔｏを一成分としだ材料が優れ
た材料であり、保護層として共通の材料を用いることに
より、同様な熱膨張率であること、化学的親和力に優れ
ていること、均一な膜が得られること、局部電池を構成
しないことなどが挙げられる。保護層として用いる金属
又は半金属酸化物−金属又は、半金属の原子数比（酸素
／金属又は半金属元素）は、オージェ電子分光法（ＡＥ
Ｓ ）によシ分析された値として１．２〜１．９内であ
ることが必要である。この範囲外にある場合は、いずれ
も”ビン止め効果”がなくな９耐湿性は悪くなる。また
、本発明に用いる保護層の特徴としては、保護層の光透
過率が光学記録媒体層の光透過率よりも大きいことが必
要である。すなわち金属又は半金属酸化物と金属又は半
金属とで構成した場合、光学濃度の大きい金属又は半金
属の添加量を減少させる必要が出てくる。本発明では、
この値として、１．２〜１．９に限定される。したがっ
て、本発明の酸素／金属又は半金属元素の原子数比は、
耐湿性、光学的特性により限定されているものである。
光学記録媒体層として、Ｔｏを一成分としだ材料が優れ
た材料であり、保護層として共通の材料を用いることに
より、同様な熱膨張率であること、化学的親和力に優れ
ていること、均一な膜が得られること、局部電池を構成
しないことなどが挙げられる。保護層として用いる金属
又は半金属酸化物−金属又は、半金属の原子数比（酸素
／金属又は半金属元素）は、オージェ電子分光法（ＡＥ
Ｓ ）によシ分析された値として１．２〜１．９内であ
ることが必要である。この範囲外にある場合は、いずれ
も”ビン止め効果”がなくな９耐湿性は悪くなる。また
、本発明に用いる保護層の特徴としては、保護層の光透
過率が光学記録媒体層の光透過率よりも大きいことが必
要である。すなわち金属又は半金属酸化物と金属又は半
金属とで構成した場合、光学濃度の大きい金属又は半金
属の添加量を減少させる必要が出てくる。本発明では、
この値として、１．２〜１．９に限定される。したがっ
て、本発明の酸素／金属又は半金属元素の原子数比は、
耐湿性、光学的特性により限定されているものである。
次に具体的な実施例を持って詳述する。
実施例１
厚さが１．０咽で、１８Ｘ１８．のアクリル基板の試験
片上に、保護層としてＴｅ−ＴｅＯ２系を蒸着した。Ｔ
ｅ ＴｅＯ２系の蒸着は、ＴｅとＴ ｅ Ｏ２の三原蒸
着を電子ビーム法により行なった。蒸着速度はＴｏが１
５ Ａ／Ｓ ｚ Ｔ ｅ ０２が２０Ａ／Ｓで、膜厚を
３０ＯＡとしだ。オージェ電子分光法による分析で、Ｏ
／Ｔ ｅは１．６であった。
片上に、保護層としてＴｅ−ＴｅＯ２系を蒸着した。Ｔ
ｅ ＴｅＯ２系の蒸着は、ＴｅとＴ ｅ Ｏ２の三原蒸
着を電子ビーム法により行なった。蒸着速度はＴｏが１
５ Ａ／Ｓ ｚ Ｔ ｅ ０２が２０Ａ／Ｓで、膜厚を
３０ＯＡとしだ。オージェ電子分光法による分析で、Ｏ
／Ｔ ｅは１．６であった。
この保護層の上に１Ｔｅ−Ｇｅ−５ｎ−０よりナル光学
記録媒体層を蒸着し、さらに保護層として、前述の同種
の材料を同条件で蒸着した。
記録媒体層を蒸着し、さらに保護層として、前述の同種
の材料を同条件で蒸着した。
耐湿特性の促進評価方法として、この試験片を７０°Ｃ
２９０％ＲＨの恒温恒湿中に放置し、前後の状態変化を
、ｓ３ｏｎｍの光の透過率変化より評価した。
２９０％ＲＨの恒温恒湿中に放置し、前後の状態変化を
、ｓ３ｏｎｍの光の透過率変化より評価した。
その結果を第１図に示す。図において縦軸は透過率変化
で初期値をＴｏ、経過日数後の透過率をＴｘとした場合
、１００ Ｘ （１−Ｔｏ／Ｔｘ ）で表わされた値で
ある。１は本発明の保護層を設けたもので、２は参考例
で、光学記録媒体層を同一にして、保護層を設けないも
のである。
で初期値をＴｏ、経過日数後の透過率をＴｘとした場合
、１００ Ｘ （１−Ｔｏ／Ｔｘ ）で表わされた値で
ある。１は本発明の保護層を設けたもので、２は参考例
で、光学記録媒体層を同一にして、保護層を設けないも
のである。
図より明らかな様に、保護層を設けた場合の耐湿性は良
好である。
好である。
実施例２
実施例１の条件で保護層をＴｅ ＴｅＯ２系とし、蒸着
速度を町変し、膜厚は３００Ａとした。評価方法は実施
例１と同様とし、１０日経過後の透過−率変化をプロッ
トした。結果を第２図に示す。
速度を町変し、膜厚は３００Ａとした。評価方法は実施
例１と同様とし、１０日経過後の透過−率変化をプロッ
トした。結果を第２図に示す。
図より明らかな様にＯ／Ｔ ｅの適性値は１．２〜１．
９であるっ 実施例３ 実施例１と同様の基材、条件で光学記録媒体層を設け、
保護層を５ｉｎ２−Ｓｉ系、Ｇｅｍ２−Ｃｉｅ系。
９であるっ 実施例３ 実施例１と同様の基材、条件で光学記録媒体層を設け、
保護層を５ｉｎ２−Ｓｉ系、Ｇｅｍ２−Ｃｉｅ系。
５ｎＯ２−８ｎ系でＯ／金属元素の値が１．８になる様
に蒸着した。実施例１と同様の評価方法で評価したとこ
ろ、Ｓ ｉ０２系は１０日後の透過率変化が、＋３％、
ＳｅＯ２系は＋６％、ＳｎＯ２系は一３％であった。
に蒸着した。実施例１と同様の評価方法で評価したとこ
ろ、Ｓ ｉ０２系は１０日後の透過率変化が、＋３％、
ＳｅＯ２系は＋６％、ＳｎＯ２系は一３％であった。
実施例４
実施例１においてＴｅ ＴｅＯ２の二掠蒸着の代りに、
Ｔ ｅ Ｏ２を予じめ１２ と混合し６７０°Ｃで熱処
理して蒸着用のペレットを作成した。このペレットを一
源蒸着で保護層を設けた。ＡＥＳに３１：る０／Ｔｅ値
は１．７であった。
Ｔ ｅ Ｏ２を予じめ１２ と混合し６７０°Ｃで熱処
理して蒸着用のペレットを作成した。このペレットを一
源蒸着で保護層を設けた。ＡＥＳに３１：る０／Ｔｅ値
は１．７であった。
この保護層を設けた試験片を評価したところ、１０日後
の透過率変化が＋１．０であった。
の透過率変化が＋１．０であった。
以上のように本発明が、耐湿性を向上させる理由として
は、次の様に考えられる。
は、次の様に考えられる。
１、金属又は半金属酸化物と金属又は半金部、の界面が
、互いの結晶成長のビン止め効果を果している。
、互いの結晶成長のビン止め効果を果している。
２、同種の金属又は半金属を用いているので局部電池を
形成しない。
形成しない。
発明の効果
以上のように、本発明の保護層は、カルコゲン化物ある
いは金属または半金属酸化物と金属または半金属元素よ
りなるものてあり、記録媒体層の耐湿性は著しく向上さ
せることができるものである。
いは金属または半金属酸化物と金属または半金属元素よ
りなるものてあり、記録媒体層の耐湿性は著しく向上さ
せることができるものである。
第１図は本発明による保護層の有無による記録媒体の透
過率の変化を示しだ図、第２図は保護層を形成する酸素
と金属との比と透過率の変化との関係を示す図である、
っ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 θ／Ｔｅ７） イ直
過率の変化を示しだ図、第２図は保護層を形成する酸素
と金属との比と透過率の変化との関係を示す図である、
っ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 θ／Ｔｅ７） イ直
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）記録媒体層の少なくとも一方の側に、金属または
半金属酸化物とその金属または半金属物を構成する同種
の金属または半金属元素とを含む保護層を設けたことを
特徴とする光学記録媒体。 （２）保護層を構成する金属又は半金属酸化物と金属又
は半金属がＴ ｅ Ｏ２とＴｅであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の光学記録媒体。 り３）金属又は半金属酸化物と金属又は半金属で構成さ
れる保護層の酸素と金属又は半金属元素の原子数の比（
酸素／金属元素）が１．２以上で１．９以下であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項一またけ第２項記載
の光学記録媒体。 （４）保護層の光透過率が記録媒体層の光透過率よりも
大きいことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第
２項記載の光学記録媒体。 （５）保護層を形成する金属または半金属元素が、記録
媒体層を形成する金属または半金属元素と少なくとも１
種以上共通していることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の光学記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59036433A JPS60179956A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59036433A JPS60179956A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 光学記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60179956A true JPS60179956A (ja) | 1985-09-13 |
Family
ID=12469676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59036433A Pending JPS60179956A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60179956A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62180538A (ja) * | 1986-02-04 | 1987-08-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスク |
| EP0231672A2 (en) * | 1986-01-29 | 1987-08-12 | Fujitsu Limited | Optical memory device and process for fabricating same |
| US4786538A (en) * | 1984-12-13 | 1988-11-22 | Kuraray Co., Ltd. | Optical recording medium formed of chalcogenide oxide and method for producing the same |
-
1984
- 1984-02-27 JP JP59036433A patent/JPS60179956A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4786538A (en) * | 1984-12-13 | 1988-11-22 | Kuraray Co., Ltd. | Optical recording medium formed of chalcogenide oxide and method for producing the same |
| EP0231672A2 (en) * | 1986-01-29 | 1987-08-12 | Fujitsu Limited | Optical memory device and process for fabricating same |
| JPS62180538A (ja) * | 1986-02-04 | 1987-08-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスク |
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