JPS60178654A - サ−デイツプのリ−ドの酸化被膜の除去方法 - Google Patents
サ−デイツプのリ−ドの酸化被膜の除去方法Info
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセラミノクパッケージエa(ザーデーrツブ)
の完成品のリードのめつき工程の前処理法の改善に関す
るものである。
の完成品のリードのめつき工程の前処理法の改善に関す
るものである。
一般にセラミック又は樹脂パッケージされた工Cは半田
(=Jけ性をイ」与するために最終的に外部に出ている
リードに錫又は半田めっきが施される。
(=Jけ性をイ」与するために最終的に外部に出ている
リードに錫又は半田めっきが施される。
セラミックパッケージ品は樹脂パッケージに比べて耐久
性、耐熱性、気密性に優れ信頼性が高いため比較的高精
度、高信頼性が要求される用途に使われている。
性、耐熱性、気密性に優れ信頼性が高いため比較的高精
度、高信頼性が要求される用途に使われている。
セラミックパッケージエCはアルミナ基板(ベース)に
ニッケルー鉄合金(42アロイ)、二ツケルーコバル)
−i(コバール)製のり−)’ ヲ(”J’ LJ、そ
の後シリクンチップ付け、ワイヤボンディング後に低融
点ガラスを用いて他のアルミナ基板(キャップ)で封着
したものである。
ニッケルー鉄合金(42アロイ)、二ツケルーコバル)
−i(コバール)製のり−)’ ヲ(”J’ LJ、そ
の後シリクンチップ付け、ワイヤボンディング後に低融
点ガラスを用いて他のアルミナ基板(キャップ)で封着
したものである。
このサーディツプに使用される低融点ガラスは、(1)
金属、セラミックやガラスになじみやすい。
金属、セラミックやガラスになじみやすい。
(2)気体を通さない。(3)電気絶縁性に優れている
。
。
(4)不燃性で耐熱性等に優れている。などの特徴を有
するためセラミックバラ・ゲージ用として広く使われて
いる。
するためセラミックバラ・ゲージ用として広く使われて
いる。
封着用低融点ガラスは通常フリットと称し、非晶質ガラ
スとフィシ(耐火性結晶粉末)から成る。
スとフィシ(耐火性結晶粉末)から成る。
該フリットはビヒクルを加えペースト状にしてアルミナ
基板の封着面に印刷される。
基板の封着面に印刷される。
ビヒクルとしては例えばニトロセルローズ、アクリルK
Km 脂等をブチルカルピトールアセテート、テルピ
ネオール樹脂等に1〜10重量%溶解させたものが用い
られる。
Km 脂等をブチルカルピトールアセテート、テルピ
ネオール樹脂等に1〜10重量%溶解させたものが用い
られる。
このようにフリットが印刷されたアルミナ基板はフリッ
トを充分1ffi Nするためにグレージングと呼ばれ
る空気中での仮焼が行なわれる。
トを充分1ffi Nするためにグレージングと呼ばれ
る空気中での仮焼が行なわれる。
グレージング後のサーディツプのパッケージ]二稈とし
ては先に述べたようにリードfぼけ、シリコンヂンブ伺
け、ワイヤボンディング、アルミナキャップとベースの
封着が行なわれ、最終的に外部に出ているリードに錫又
は半田めっきが行なわれる。
ては先に述べたようにリードfぼけ、シリコンヂンブ伺
け、ワイヤボンディング、アルミナキャップとベースの
封着が行なわれ、最終的に外部に出ているリードに錫又
は半田めっきが行なわれる。
前述のパッケージング時のリードイ1けは次に行なわれ
る封着温度より30〜50C高い4.50〜5(IOc
でl〜2分行なうのが普通である。
る封着温度より30〜50C高い4.50〜5(IOc
でl〜2分行なうのが普通である。
その後4・00〜7I・50tZ”、10分間で封着を
行なう。
行なう。
このように封着した後、外部に出ているリードに錫又は
半Elめつきを行なう場合、リード表面は加熱処理によ
り、強固な酸化被膜が形成されているため、めっきを施
す前に何らかの方法で酸化被膜を除去する必要がある。
半Elめつきを行なう場合、リード表面は加熱処理によ
り、強固な酸化被膜が形成されているため、めっきを施
す前に何らかの方法で酸化被膜を除去する必要がある。
つまり酸化被膜がリード表面に残存しているとめっきの
密着性やつきまわりが悪くなり、且つめつきムラやブッ
、ふくれが発生して半田伺は性低下の原因になり、また
外観も粗悪になる。
密着性やつきまわりが悪くなり、且つめつきムラやブッ
、ふくれが発生して半田伺は性低下の原因になり、また
外観も粗悪になる。
そこで、酸化被膜の除去方法としては従来、硫酸、硝酸
、塩酸等の鉱酸及びシュウ酸、酢酸、くえん酸等の有機
酸の単一溶液に温度、時間等の条件を変えて数回浸漬し
、化学的に溶解除去する方法がとられている。
、塩酸等の鉱酸及びシュウ酸、酢酸、くえん酸等の有機
酸の単一溶液に温度、時間等の条件を変えて数回浸漬し
、化学的に溶解除去する方法がとられている。
しかしこの方法によると、酸化被膜が除去され易い条件
では封着用フリットが酸で侵されやすいという欠点があ
り、錫又は半EIIめつきの前処理として充分満足でき
る方法ではない。
では封着用フリットが酸で侵されやすいという欠点があ
り、錫又は半EIIめつきの前処理として充分満足でき
る方法ではない。
この場合、フリットが酸に侵される傾向はその種類によ
って異なり、高融点のものほど著しい為A高融点のフリ
ットを使用したサーディツプの酸化被膜を除去する場合
は充分な配慮が必要である。
って異なり、高融点のものほど著しい為A高融点のフリ
ットを使用したサーディツプの酸化被膜を除去する場合
は充分な配慮が必要である。
更に、錫又は半H」めつき時にはフリットに錫又は半E
f+が電析付着してリード間に伸びて絶縁性が失なわれ
るいわゆるブリッジ現象が起き易いという問題がある。
f+が電析付着してリード間に伸びて絶縁性が失なわれ
るいわゆるブリッジ現象が起き易いという問題がある。
本願発明者等は上記問題の解決を目的として独特の電解
的手段により該リード上の酸化被膜除去法を別途に出願
した。
的手段により該リード上の酸化被膜除去法を別途に出願
した。
この方法は適切な濃度の硫酸、硝酸、塩酸等の鉱酸ある
いはシュウ酸、酢酸、クエン酸等の有機酸に適正最の界
面活性剤を加えた電解液を用いて、加熱処理によってリ
ードに酸化被膜が形成したサーディツプを陰極、ステン
レス、黒鉛板等を陽極として適+1:、な電解条件を与
え、7リツトを侵さずにリード」、の酸化被膜を還元除
去する方法である。
いはシュウ酸、酢酸、クエン酸等の有機酸に適正最の界
面活性剤を加えた電解液を用いて、加熱処理によってリ
ードに酸化被膜が形成したサーディツプを陰極、ステン
レス、黒鉛板等を陽極として適+1:、な電解条件を与
え、7リツトを侵さずにリード」、の酸化被膜を還元除
去する方法である。
この方法は現在一般に広く行なわれている酸浸lJf法
に比してフリットを侵食することなく、酸化被膜を除去
でき工程短縮も可能であった。
に比してフリットを侵食することなく、酸化被膜を除去
でき工程短縮も可能であった。
本願発明者等は更に研究の結果、酸に侵食されやすい高
融点のフリットを使用したサーディツプのリード表面の
酸化破膜の除去に際して、上記の如き電解的手段と硫酸
−硝酸の混酸への浸漬を併用することにより、強固な酸
化被膜を完全に除去できることを見出し本発明に到達し
たものである。
融点のフリットを使用したサーディツプのリード表面の
酸化破膜の除去に際して、上記の如き電解的手段と硫酸
−硝酸の混酸への浸漬を併用することにより、強固な酸
化被膜を完全に除去できることを見出し本発明に到達し
たものである。
即ち本発明の方法は、サーディツプのリード表面の酸化
被膜を除去するに際し、第一工程において該サーディツ
プを陰極、ステンレス、黒鉛、白金被覆チタン等の不溶
性材料を陽極、硫酸、硝酸、塩酸等の鉱酸のうち一つを
電解液とし、陰極電流2′2 密度10A/dm 以下好ましくは2〜5 A/dm
z液温は室温〜70C好ましくは50 tZ’程度で短
時間(1分間程度)の電解を行なう。
被膜を除去するに際し、第一工程において該サーディツ
プを陰極、ステンレス、黒鉛、白金被覆チタン等の不溶
性材料を陽極、硫酸、硝酸、塩酸等の鉱酸のうち一つを
電解液とし、陰極電流2′2 密度10A/dm 以下好ましくは2〜5 A/dm
z液温は室温〜70C好ましくは50 tZ’程度で短
時間(1分間程度)の電解を行なう。
次に第二工程では、第一工程で処理されたサーディツプ
を、更に4・O〜eroo g/lの硫酸好ましくは3
70g/を以下と8〜4・20g/lの硝酸好ましくは
250g/l以下のものを使用して、好ましくは容量で
1対■の割合に混合した混酸水溶液に5〜20秒IjJ
程度室温で浸漬、水洗するというものである。
を、更に4・O〜eroo g/lの硫酸好ましくは3
70g/を以下と8〜4・20g/lの硝酸好ましくは
250g/l以下のものを使用して、好ましくは容量で
1対■の割合に混合した混酸水溶液に5〜20秒IjJ
程度室温で浸漬、水洗するというものである。
本発明の方法において、使用する陽極としては、電解液
として硫酸を使用する場合、取扱い易いステンレス板が
好ましい。又、電解液として使用する鉱酸の濃度は、酸
の種類によって異なり特定できないが、例えば硫酸の場
合10〜220 g/l X硝酸、塩酸は20〜100
g/lの範囲で使用Vることかできるが、何れも40
g7’を以下と薄い方が電解時にフリットの化学的侵
食を抑制するために好ましい。
として硫酸を使用する場合、取扱い易いステンレス板が
好ましい。又、電解液として使用する鉱酸の濃度は、酸
の種類によって異なり特定できないが、例えば硫酸の場
合10〜220 g/l X硝酸、塩酸は20〜100
g/lの範囲で使用Vることかできるが、何れも40
g7’を以下と薄い方が電解時にフリットの化学的侵
食を抑制するために好ましい。
次に1憔極電流密度をIOA/dm以下好ましくは2〜
5A/dm とし、電解液の温度を好ましくは50Cと
するのは、これ以下ではリード上の酸化被膜の除去に長
時間を要し、これ以上ではフリットの侵食が見られブリ
ッジ生成の原因となるからである。
5A/dm とし、電解液の温度を好ましくは50Cと
するのは、これ以下ではリード上の酸化被膜の除去に長
時間を要し、これ以上ではフリットの侵食が見られブリ
ッジ生成の原因となるからである。
第二工程に使用する硫酸及び硝酸よりなる混酸の濃度に
ついて、夫々硫酸はう、0〜600 g/を好ましくは
37(l g/を以下、硝酸は8〜4・20 g、/l
、好ましくは250 g//、以下のものを所望の比
率で混合する理由は、これも第一」二程と同様に混酸に
浸漬した際フリットの化学的侵食をほぼ完全になくする
ためである。
ついて、夫々硫酸はう、0〜600 g/を好ましくは
37(l g/を以下、硝酸は8〜4・20 g、/l
、好ましくは250 g//、以下のものを所望の比
率で混合する理由は、これも第一」二程と同様に混酸に
浸漬した際フリットの化学的侵食をほぼ完全になくする
ためである。
本発明法によれば、比較的高融点の7リツトを使用した
サーディツプのリード上に発生した強固な酸化被膜を、
まず電解法により、次いで混酸水溶液に室温、好ましく
は501Z’程度で浸漬することによって、酸に侵食さ
れやすい7リツトを侵食することなく該酸化被膜を短時
間で完全に除去することができる。
サーディツプのリード上に発生した強固な酸化被膜を、
まず電解法により、次いで混酸水溶液に室温、好ましく
は501Z’程度で浸漬することによって、酸に侵食さ
れやすい7リツトを侵食することなく該酸化被膜を短時
間で完全に除去することができる。
そして電解法における装置は、通常のめつき装置と同様
のものを使用し、試料をラック掛けし、錫又は半田めっ
きの一連の工程の中に組み込んで行なうことができるの
で、特別な装置を必要としない。
のものを使用し、試料をラック掛けし、錫又は半田めっ
きの一連の工程の中に組み込んで行なうことができるの
で、特別な装置を必要としない。
又、次工程の浸漬法についても約10秒程度と極めて短
時間に簡単な操作で行なうことができる等の利点も得ら
れる。
時間に簡単な操作で行なうことができる等の利点も得ら
れる。
また、この電解法−浸漬法の工程は、その順序を逆にし
て行なうことも可能である。
て行なうことも可能である。
尚酸化被膜が比較的除去されやすいサーディツプについ
ては、第一工程を省略して単に第二工程の混酸水溶液に
よる浸漬法のみで、酸化被膜を除去することもできる。
ては、第一工程を省略して単に第二工程の混酸水溶液に
よる浸漬法のみで、酸化被膜を除去することもできる。
本発明法により、リード上の酸化被膜を除去したのち、
錫または半H]めつきを施すと、フリットの侵食が少な
いためか、前に述べたようなリード間に錫又は半EEI
が電析するブリッジ現象は殆んど発生しない。
錫または半H]めつきを施すと、フリットの侵食が少な
いためか、前に述べたようなリード間に錫又は半EEI
が電析するブリッジ現象は殆んど発生しない。
以下実施例について説明する。
実施例1
特級硫酸を水で希釈して15 g、/lの希硫酸[,8
1を調製し、これを2)のビーカー(電解槽)に入れ、
これにDOX 130 X 1 mmのステンレス板二
枚を、中央部に陰極を吊り下げられるよう両側にセット
した。
1を調製し、これを2)のビーカー(電解槽)に入れ、
これにDOX 130 X 1 mmのステンレス板二
枚を、中央部に陰極を吊り下げられるよう両側にセット
した。
陰極は引掛は治具を使用し、これに封着温度4.60C
でパッケージし、4・270イのリードに暗紫色または
茶褐色の酸化被膜が形成されたサーディツプを20ケ引
掛けたものを電解槽に吊した。このサーディツプのリー
ドは高温処理のため酸化被膜が厚く強固であり、且つフ
リットは酸に非常に侵食され易いものである。
でパッケージし、4・270イのリードに暗紫色または
茶褐色の酸化被膜が形成されたサーディツプを20ケ引
掛けたものを電解槽に吊した。このサーディツプのリー
ドは高温処理のため酸化被膜が厚く強固であり、且つフ
リットは酸に非常に侵食され易いものである。
電解槽は、温煎器により50Cに保持し陰極は手動によ
りゆるく揺動させながら2A/dm の陰極電流密度で
1分間電解を行なった。
りゆるく揺動させながら2A/dm の陰極電流密度で
1分間電解を行なった。
通電中に陰極の状態を観察すると、水素ガスの発生を伴
ないながら酸化被膜が除去されリードの表面が銀白色に
変化しているのが認められた。
ないながら酸化被膜が除去されリードの表面が銀白色に
変化しているのが認められた。
電解が終ったら陰極を電解槽から引揚げ水洗したのち、
224・g/lの硫酸、126 g/lの硝酸を含有す
る混酸水溶液1.81を21ビーカーに入れた浸漬液に
、室温で10秒間浸漬し、次いで水洗後以下常法によっ
て16.6 getのSn 1170 g/lのHS。
224・g/lの硫酸、126 g/lの硝酸を含有す
る混酸水溶液1.81を21ビーカーに入れた浸漬液に
、室温で10秒間浸漬し、次いで水洗後以下常法によっ
て16.6 getのSn 1170 g/lのHS。
4
を含有する電解液に光沢剤として商品名スタータークル
モ(レイボルド社製)を30 ml/ l 添加し、該
サーディツプを陰極、Sn板を陽極、陰極電流密度2A
/dm としリード上に5μmの厚さの錫めっきを施し
た。
モ(レイボルド社製)を30 ml/ l 添加し、該
サーディツプを陰極、Sn板を陽極、陰極電流密度2A
/dm としリード上に5μmの厚さの錫めっきを施し
た。
錫めっきを行なった試料は、全数30倍の実体顕微鏡で
検査したところ、フリットの侵食は殆んど認められずブ
リッジの発生は皆無であった。
検査したところ、フリットの侵食は殆んど認められずブ
リッジの発生は皆無であった。
又、リードの錫めっき面は何れも均一平滑で良好な光沢
を有していた。
を有していた。
錫めっき後は、半田付は性試験をM工L −STD −
’202 D −208Bに準拠して行なったが全試料
ともリードの半田浸漬部全面に均一に半田が被覆されて
良好であった〇 実施例2 第一 工程における電解液を30 g/lの硝酸(試薬
特級)、第二工程の混酸水溶液を150V/j!の硫酸
、100 g/lの硝酸を含有する浸漬液を使用した以
外は実施例1と同様にしてリード上の酸化被膜除去を行
ない、錫めっき性及び半田付は性を?J!i査したとこ
ろ実施例1と同様に満足するに足るものであった。
’202 D −208Bに準拠して行なったが全試料
ともリードの半田浸漬部全面に均一に半田が被覆されて
良好であった〇 実施例2 第一 工程における電解液を30 g/lの硝酸(試薬
特級)、第二工程の混酸水溶液を150V/j!の硫酸
、100 g/lの硝酸を含有する浸漬液を使用した以
外は実施例1と同様にしてリード上の酸化被膜除去を行
ない、錫めっき性及び半田付は性を?J!i査したとこ
ろ実施例1と同様に満足するに足るものであった。
実施例3
実施例1と同一条件で、電解工程と浸漬工程の順序を逆
にして行なった結果は、実施例1と同様の結果であった
。
にして行なった結果は、実施例1と同様の結果であった
。
実施例4
封着温度400Cでパッケージし、リード上の酸化被膜
が比較的薄いサーディツプ20ケについてそれぞれ同時
に直径0.8NのNi線に吊して150g/lの硫酸、
84g/lの硝酸を含有する混酸水溶液11に50Cで
10秒間浸漬し、次いで水洗後実施例1と同様にして錫
めっきを行ないその性状を調べたところ実施例1と同様
に良好であった。
が比較的薄いサーディツプ20ケについてそれぞれ同時
に直径0.8NのNi線に吊して150g/lの硫酸、
84g/lの硝酸を含有する混酸水溶液11に50Cで
10秒間浸漬し、次いで水洗後実施例1と同様にして錫
めっきを行ないその性状を調べたところ実施例1と同様
に良好であった。
比較例1
実施例1で使用したリードの酸化被膜が厚い、封着温度
4・60tll’でパッケージしたサーディツプ20ケ
を同時にNi線に吊して、一般に広く行なわれている浸
漬法で酸化被膜の除去を行なった。
4・60tll’でパッケージしたサーディツプ20ケ
を同時にNi線に吊して、一般に広く行なわれている浸
漬法で酸化被膜の除去を行なった。
浸漬方法は次のように行なった0
374・g/lの硫酸に75Cで1分浸濱→水洗→75
g1lの硫酸に室温でlO秒間浸漬→水洗→17 g/
lの硝酸に室温でlO秒浸漬→水洗。
g1lの硫酸に室温でlO秒間浸漬→水洗→17 g/
lの硝酸に室温でlO秒浸漬→水洗。
この後、実施例1と同様にSnめっきを施し、フリット
の侵食状態、ブリッジの発生、Snめつき外観について
30倍の実体顕微鏡で全数検査を行なった。検査の結果
、7リツトの表面は侵食により白色粉末状になっていた
。この場合はブリッジの発生はなかった。
の侵食状態、ブリッジの発生、Snめつき外観について
30倍の実体顕微鏡で全数検査を行なった。検査の結果
、7リツトの表面は侵食により白色粉末状になっていた
。この場合はブリッジの発生はなかった。
めっき外観は小さなプツが多く、リードは不均一に荒れ
ていた。
ていた。
その後、実施例1と同様に半田付は試験を行なった。酸
化被膜が充分除去されなかったためか全試料とも半田付
は性が悪く、全く半田が被覆されていない部分が多かっ
た。
化被膜が充分除去されなかったためか全試料とも半田付
は性が悪く、全く半田が被覆されていない部分が多かっ
た。
以上、説明したように、本発明によればサーディツプへ
の錫又は半田めっきの前処理法としてリード」二の酸化
被膜の除去に電解法と混酸浸漬法の併用もしくは混酸浸
漬法を採用することによってフリットを侵食することな
く、酸化被膜の除去を行なうことができる。
の錫又は半田めっきの前処理法としてリード」二の酸化
被膜の除去に電解法と混酸浸漬法の併用もしくは混酸浸
漬法を採用することによってフリットを侵食することな
く、酸化被膜の除去を行なうことができる。
この方法はフリットへ錫又は半[[1が′電析f1着す
る現象の防止に対しても効果的である。
る現象の防止に対しても効果的である。
めっき外観は本発明の方法によれば、酸化被膜の除去が
完全であるため均一平滑なものが得られその後の半田(
=Jけ性も良好である。
完全であるため均一平滑なものが得られその後の半田(
=Jけ性も良好である。
V−Aぐイ8 I’l+のり丁ン↓け醜(ヒ被II値が
名す尖さJlやす(、zため、現在一般に広く行なわれ
ている酸浸漬法に比して工程を短縮することができる。
名す尖さJlやす(、zため、現在一般に広く行なわれ
ている酸浸漬法に比して工程を短縮することができる。
Claims (3)
- (1) サーディツプのリードの酸化被膜の除去方法に
おいて、該サーディツプを陰極、不溶性材料を陽極、鉱
酸を電M液とし、陰極電流密度10A/dm2以下で電
解する電解工程とサーディツプを硫酸と硝酸の混酸水溶
液に浸漬する浸漬工程とを含むことを特徴とするサーデ
ィツプのリードの酸化被膜の除去方法。 - (2) 陰極′1”は流密度は2〜5A/dmである特
許請求の範囲(1)項記載のサーディツプのリードの酸
[L被膜の除去方法。 - (3) 混酸水溶液はX(7o g/i以下の硫酸及び
250+人//以トの硝酸を含イjすることをq′6徴
とする特1’i’l’請求の範囲(1)項または(2)
項記載のサーディツプのリードの酸化被膜の除去方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3371184A JPS60178654A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | サ−デイツプのリ−ドの酸化被膜の除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3371184A JPS60178654A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | サ−デイツプのリ−ドの酸化被膜の除去方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60178654A true JPS60178654A (ja) | 1985-09-12 |
JPH0469429B2 JPH0469429B2 (ja) | 1992-11-06 |
Family
ID=12393991
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3371184A Granted JPS60178654A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | サ−デイツプのリ−ドの酸化被膜の除去方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60178654A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006257553A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Komag Inc | 電気化学エッチング |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57202767A (en) * | 1981-06-08 | 1982-12-11 | Hitachi Ltd | Terminal for hybrid module |
JPS5871399A (ja) * | 1981-10-22 | 1983-04-28 | Chuo Kagaku Kk | 電解洗浄剤組成物 |
-
1984
- 1984-02-24 JP JP3371184A patent/JPS60178654A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57202767A (en) * | 1981-06-08 | 1982-12-11 | Hitachi Ltd | Terminal for hybrid module |
JPS5871399A (ja) * | 1981-10-22 | 1983-04-28 | Chuo Kagaku Kk | 電解洗浄剤組成物 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006257553A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Komag Inc | 電気化学エッチング |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0469429B2 (ja) | 1992-11-06 |
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