JPS60178612A - 積層セラミツクコンデンサ−の外部電極形成方法 - Google Patents
積層セラミツクコンデンサ−の外部電極形成方法Info
- Publication number
- JPS60178612A JPS60178612A JP3477884A JP3477884A JPS60178612A JP S60178612 A JPS60178612 A JP S60178612A JP 3477884 A JP3477884 A JP 3477884A JP 3477884 A JP3477884 A JP 3477884A JP S60178612 A JPS60178612 A JP S60178612A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- multilayer ceramic
- ceramic capacitor
- ion
- nickel
- tin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ＮＭ業上の利用分骨
本うむ明は＋４ 層セラミックコンデンサーの外部ＴＩ
Ｅ極形代方法に関する。
Ｅ極形代方法に関する。
従来例の構成とその問題点
積層セラミックコンデンサーは小型で大Ｗｋｔか＋１ら
れるため、１Ｌ子チユーナ、ビデオテープレコーダー、
ビデオカメラ等の各検電子機器にが１川され、最近１−
１１要が急増している０従来の積層セラミックコンデン
サーは第１図に示す如り杓亀体セラミック１とその中に
埋め込まれた内部７１ｔｅ２および各内部′電極２と接
続した外部電極３とから構成されており、通常上記外部
電極３は銀ペーストを崖布し、高湿で焼付けることによ
って形成されている。
れるため、１Ｌ子チユーナ、ビデオテープレコーダー、
ビデオカメラ等の各検電子機器にが１川され、最近１−
１１要が急増している０従来の積層セラミックコンデン
サーは第１図に示す如り杓亀体セラミック１とその中に
埋め込まれた内部７１ｔｅ２および各内部′電極２と接
続した外部電極３とから構成されており、通常上記外部
電極３は銀ペーストを崖布し、高湿で焼付けることによ
って形成されている。
かかる積層セラミックコンデンサーを例えはプリント配
線基板に実装する場合、・上記外部電極３をプリント配
線基板にハンダによりろう接している。このとき膜外部
電極３はいわゆる銀くわれか生ずる。この銀くわれを防
止するための一つの手段として、外部ｔｌＬｔ！ｉｌ！
３として少数のパラジウムを含有させた銀−パラジウム
か用いられている。しかしなからパラジウムを含有させ
ると製造原価か高くなるはかりでなく、銀−パラジウム
電極はハンダ付時の耐熱性か充分保証できない欠点を有
していた。一般に積層セラミックコンデンサーの外部電
極にはハンダ付性およびハンダ付時の耐熱性の良好なこ
とか要求されている。これらの観点から銀型極上にハン
ダ耐熱性を改埠するため、通常の電気メッキ法でニッケ
ルメッキを凪し・更にノ１ンダ付性を改良するため、ニ
ラチルメッキ上に史に通常の電気メツキ法で錫または鋤
−鉛合金のメッキを施すことが行なわれている。このよ
うに外ｆ′Ａｓ １’ｌｉ 挾を三層＋７Ｑ造とするこ
とによって外部１１極のノへンダ付性およびハンダ耐熱
性は改良されている０しかしながら上述した三層４す造
にメッキ処理すると・製造された積層セラミックコンデ
ンサーの誘１［Ｌ損失（ｔａｎδ）が大きくなるものか
発生ずる。特に高誘電率系の積増セラミックコンデンサ
ーにおいては、一般にｔａｎδか１％以上と比較的大き
いので、これらのメッキ処理の影・廊も顕著ではない。
線基板に実装する場合、・上記外部電極３をプリント配
線基板にハンダによりろう接している。このとき膜外部
電極３はいわゆる銀くわれか生ずる。この銀くわれを防
止するための一つの手段として、外部ｔｌＬｔ！ｉｌ！
３として少数のパラジウムを含有させた銀−パラジウム
か用いられている。しかしなからパラジウムを含有させ
ると製造原価か高くなるはかりでなく、銀−パラジウム
電極はハンダ付時の耐熱性か充分保証できない欠点を有
していた。一般に積層セラミックコンデンサーの外部電
極にはハンダ付性およびハンダ付時の耐熱性の良好なこ
とか要求されている。これらの観点から銀型極上にハン
ダ耐熱性を改埠するため、通常の電気メッキ法でニッケ
ルメッキを凪し・更にノ１ンダ付性を改良するため、ニ
ラチルメッキ上に史に通常の電気メツキ法で錫または鋤
−鉛合金のメッキを施すことが行なわれている。このよ
うに外ｆ′Ａｓ １’ｌｉ 挾を三層＋７Ｑ造とするこ
とによって外部１１極のノへンダ付性およびハンダ耐熱
性は改良されている０しかしながら上述した三層４す造
にメッキ処理すると・製造された積層セラミックコンデ
ンサーの誘１［Ｌ損失（ｔａｎδ）が大きくなるものか
発生ずる。特に高誘電率系の積増セラミックコンデンサ
ーにおいては、一般にｔａｎδか１％以上と比較的大き
いので、これらのメッキ処理の影・廊も顕著ではない。
しかし温度補ｔＩ用の積層セラミックコンデンサーにお
いてはｔａｎ ａの値が小さく、従ってＱ（＝１７’ｔ
ａｎδ）の値か大きく、規俗では例えは静亀容鮒か３９
ＰＦ以上のとき、Ｑ≧Ｉ Ｕ ００ （ｔａｎδ≦０．
１％）となっている。
いてはｔａｎ ａの値が小さく、従ってＱ（＝１７’ｔ
ａｎδ）の値か大きく、規俗では例えは静亀容鮒か３９
ＰＦ以上のとき、Ｑ≧Ｉ Ｕ ００ （ｔａｎδ≦０．
１％）となっている。
かかる温度ｉ１目ムＩ用積層セラミックコンデンサーに
おいては上述したｇ３Ｈ（ｔａｎδか大きくなる、即ち
Ｑの値が規格未満となるＱ不良が発生して問題となる。
おいては上述したｇ３Ｈ（ｔａｎδか大きくなる、即ち
Ｑの値が規格未満となるＱ不良が発生して問題となる。
このようにメッキ処理によって外部電極を三層構造にす
ることは生産性に適しているがＱ不良発生の問題は避け
られない。
ることは生産性に適しているがＱ不良発生の問題は避け
られない。
発明の目的
従って本発明の目的はハンダ付性およびハンダ付時の耐
熱性が良く・かつＱ不良性の如き電気メッキに附随する
問題のない積層セラミックコンデンザーの外部電極形成
方法を提供することにある。
熱性が良く・かつＱ不良性の如き電気メッキに附随する
問題のない積層セラミックコンデンザーの外部電極形成
方法を提供することにある。
発明の構成
本発明は＊極材料をイオンブレーティング法によりセラ
ミック上に付着させることによる積層セラミックコンデ
ンサーの外部電極形成方法にある。
ミック上に付着させることによる積層セラミックコンデ
ンサーの外部電極形成方法にある。
また本発明は上記イオンブレーティング法を二工程に分
け、その第−王権でニッケルを付着せしめ、第二工程で
鋤または錨−鉛合金を付着させることによる積層セラミ
ックコンデンサーの外部電４！１１１形成方法にある。
け、その第−王権でニッケルを付着せしめ、第二工程で
鋤または錨−鉛合金を付着させることによる積層セラミ
ックコンデンサーの外部電４！１１１形成方法にある。
本発明によるイオンブレーティング法を実態するに当っ
ては、真空槽中に１０−ｔ〜１Ｏ−４Ｔｏｒｒの族１ｕ
用のアルゴンガスを入れ、被塗物即ち外部１旺極を形成
させるための類胎セラミックコンデンサーと、電極林料
、即ち、ニッケル、または錫・または錫−鉛合金の蒸発
源との間に数白ボルト〜数千ボルトのγＵ圧をかけ、こ
のとき１１Ｌ ｍ ４４別蒸発？原を加熱しく１１Ｌ極
祠料を蒸発さぜる。かくするとこの蒸発した分子がｈ％
ｉｔｔ場によって励起され、イオン化され、加速され
て被塗物の被ｔ４を血に袖突して薄膜を形成する。
ては、真空槽中に１０−ｔ〜１Ｏ−４Ｔｏｒｒの族１ｕ
用のアルゴンガスを入れ、被塗物即ち外部１旺極を形成
させるための類胎セラミックコンデンサーと、電極林料
、即ち、ニッケル、または錫・または錫−鉛合金の蒸発
源との間に数白ボルト〜数千ボルトのγＵ圧をかけ、こ
のとき１１Ｌ ｍ ４４別蒸発？原を加熱しく１１Ｌ極
祠料を蒸発さぜる。かくするとこの蒸発した分子がｈ％
ｉｔｔ場によって励起され、イオン化され、加速され
て被塗物の被ｔ４を血に袖突して薄膜を形成する。
また本発明方法に８いては上述したイオンプレーディン
グ法において、これを二工程に分け、その第一工程でＩ
ｕ 、１ｉｌＩ４４Ａ判蒸珀源としてニッケルを使用し
、次いで第二工ｈ！でｔｒｉ、 Ｉσ５祠料無料蒸発源
て鋤または鋤−鉛合金を使用するのである。
グ法において、これを二工程に分け、その第一工程でＩ
ｕ 、１ｉｌＩ４４Ａ判蒸珀源としてニッケルを使用し
、次いで第二工ｈ！でｔｒｉ、 Ｉσ５祠料無料蒸発源
て鋤または鋤−鉛合金を使用するのである。
１−記イオンブレーティング法により形成された薄膜、
即ちニッケル層および鍋または鋤−鉛合金１曽は被嬢吻
に対する（４’ Ｎ回度かＩＬ［Ｊ常の真空ａ Ａｔ−
法およびスパッタリング法によるよりも大であり、また
付着速度も速くなる利点を有する。
即ちニッケル層および鍋または鋤−鉛合金１曽は被嬢吻
に対する（４’ Ｎ回度かＩＬ［Ｊ常の真空ａ Ａｔ−
法およびスパッタリング法によるよりも大であり、また
付着速度も速くなる利点を有する。
また本発明に従い第１工程でニッケルを使用し下地から
第−増としてニッケル増薄膜を形成させると、後のハン
ダ付の際のハンダによる電極くわれを防止できること＼
およびハンダ付時の耐熱性が良好となる。また第二工程
で鋤またはｍ−鉛合金を使用して、上記ニッケル層上に
それらの薄膜を形成するとハンダの濡れを良（し、ハン
ダ刊性が良好になる。また本発明によるイオンブレーテ
ィング法により外部電極を形成すると、前述した従来の
電気メツキ法では避けられなかったコンデンサーのＱ不
良発生の問題がな（なり、しかも銀または銀−パラジウ
ムの高温焼付け１１１か不要となり、コストの低減もで
きる。
第−増としてニッケル増薄膜を形成させると、後のハン
ダ付の際のハンダによる電極くわれを防止できること＼
およびハンダ付時の耐熱性が良好となる。また第二工程
で鋤またはｍ−鉛合金を使用して、上記ニッケル層上に
それらの薄膜を形成するとハンダの濡れを良（し、ハン
ダ刊性が良好になる。また本発明によるイオンブレーテ
ィング法により外部電極を形成すると、前述した従来の
電気メツキ法では避けられなかったコンデンサーのＱ不
良発生の問題がな（なり、しかも銀または銀−パラジウ
ムの高温焼付け１１１か不要となり、コストの低減もで
きる。
実施例の説明
以下に本発明の実施例を図面を参照して説明する。第２
図はイオンブレーティングを行なうため、積層セラミッ
クコンデンサーを試料台に装着した状態を示す図であり
、図において焼成し面取りした４１！１層セツミックコ
ンデンサー４を図示の如く金属製の試料台５に嵌合装着
させる。
図はイオンブレーティングを行なうため、積層セラミッ
クコンデンサーを試料台に装着した状態を示す図であり
、図において焼成し面取りした４１！１層セツミックコ
ンデンサー４を図示の如く金属製の試料台５に嵌合装着
させる。
なお第２図には積層セラミックコンデンサーを４個示し
であるかこの故は任、はに決定しかることは明らかであ
ろう。
であるかこの故は任、はに決定しかることは明らかであ
ろう。
・￥Ｎ３図はイオンブレーティング方法を実施するため
の装置の説明図である。本発明に従ってイオンブレーテ
ィングを実施するに当っては、陰極６に上述した如く聞
取りした積層セラミックコンデンヤーを装着した試料台
５を装着し、一方′Ｉロ、極拐料蒸発源７には始めニッ
ケルを入れておく。次にｓ？２槽８内をＩ Ｘ １０−
”Ｔｏｒｒのアルゴンカスで置換し、電極制料加燃フィ
ラメント９によりニッケルを加熱浴融蒸発させると共に
、ニッケル蒸発源７を１ｍ極とし、陰極６との間に２ｘ
ｖの直流を印加する。かくして始めにニッケルの厚さ約
１０μｍの塗膜をイオンブレーティングする。次に同様
にして、ただし１、電極材料蒸発源を錫または錫−鉛合
金でｉａ侠してイオンブレーティングを行ない、上記ニ
ッケル層上に錫または錫−鉛合金の厚さ約５μｍの塗膜
を形成した。
の装置の説明図である。本発明に従ってイオンブレーテ
ィングを実施するに当っては、陰極６に上述した如く聞
取りした積層セラミックコンデンヤーを装着した試料台
５を装着し、一方′Ｉロ、極拐料蒸発源７には始めニッ
ケルを入れておく。次にｓ？２槽８内をＩ Ｘ １０−
”Ｔｏｒｒのアルゴンカスで置換し、電極制料加燃フィ
ラメント９によりニッケルを加熱浴融蒸発させると共に
、ニッケル蒸発源７を１ｍ極とし、陰極６との間に２ｘ
ｖの直流を印加する。かくして始めにニッケルの厚さ約
１０μｍの塗膜をイオンブレーティングする。次に同様
にして、ただし１、電極材料蒸発源を錫または錫−鉛合
金でｉａ侠してイオンブレーティングを行ない、上記ニ
ッケル層上に錫または錫−鉛合金の厚さ約５μｍの塗膜
を形成した。
次に試料台５上の積層セラミックコンデンサーの対向面
をイオンブレーティングするため１上述した如く粗膜形
成した面を試料台の中に入れて表裏入れ侠えて、上述し
た如＜、ニッケル、および−または錫−鉛合金のイオン
ブレーティングを実施する。
をイオンブレーティングするため１上述した如く粗膜形
成した面を試料台の中に入れて表裏入れ侠えて、上述し
た如＜、ニッケル、および−または錫−鉛合金のイオン
ブレーティングを実施する。
上述した如くして外部電極を形成した積層セラミックコ
ンデンサーの断面図を第４図に示す。
ンデンサーの断面図を第４図に示す。
第４図において、１は９１４４体セラミックであり、２
は内部電極であり、１０は本発明方法により形成された
ニッケルｊ曽であり、１１は錫または錫−鉛合金層であ
る。
は内部電極であり、１０は本発明方法により形成された
ニッケルｊ曽であり、１１は錫または錫−鉛合金層であ
る。
発明の効果
本発明の積層セラミックコンデンサーの外部電極形成方
法により形成した外ＣＡＩＪｔ極は、プリント基板等に
実装する場合のハンダ付性およびハンダｌ１ｉｔ熱性に
すぐれ、温度補償用コンデンサーにおいてＱ不良が発生
することなく、銀、パラジウム等の貴金楓とｙ畦なり・
大幅なコスト低下か用北で、工業的価値が大である。
法により形成した外ＣＡＩＪｔ極は、プリント基板等に
実装する場合のハンダ付性およびハンダｌ１ｉｔ熱性に
すぐれ、温度補償用コンデンサーにおいてＱ不良が発生
することなく、銀、パラジウム等の貴金楓とｙ畦なり・
大幅なコスト低下か用北で、工業的価値が大である。
第１図は従来の外部電極を有する積層セラミックコンデ
ンサーの断面図、第２図は積層セラミックコンデンサー
を試料台に装着した状態を７Ｊ＜す図、第３図は本発明
によるイオンブレーティング法を実施するための装置の
説明図、第４図は本発明方法により外ｆ？ＩＳ電極を形
成した情層セラミックコンデンサーの断面図である。 ４はｌ［１」取りした積層セラミックコンデンサー、５
は試料台、６は陰極、７は′１ｎ極杓料点発源、８は口
空槽、９は加熱フィラメント、１０はニッケル層、１１
は錫または錫−鉛合金層。
ンサーの断面図、第２図は積層セラミックコンデンサー
を試料台に装着した状態を７Ｊ＜す図、第３図は本発明
によるイオンブレーティング法を実施するための装置の
説明図、第４図は本発明方法により外ｆ？ＩＳ電極を形
成した情層セラミックコンデンサーの断面図である。 ４はｌ［１」取りした積層セラミックコンデンサー、５
は試料台、６は陰極、７は′１ｎ極杓料点発源、８は口
空槽、９は加熱フィラメント、１０はニッケル層、１１
は錫または錫−鉛合金層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｙｌｉ Ｉｄｌ＋ ｋＡ料をイオンブレーティング
法によりセラミック上に４４着させることをｑｙｇとす
る積層セラミックコンデンサーの外部１狂極形成方法。 ２ イオンブレーティング法を二上程に分け、第一−Ｌ
程Ｃニッケルをイ」着せしめ、第二工程で錫またはり、
Ｉ４−鉛合擾を（＝Ｊ沼させる！ｒケ許珀求の範囲第ｓ
１ｉ＋記載のりト部′電極形成方法０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3477884A JPS60178612A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 積層セラミツクコンデンサ−の外部電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3477884A JPS60178612A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 積層セラミツクコンデンサ−の外部電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60178612A true JPS60178612A (ja) | 1985-09-12 |
Family
ID=12423744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3477884A Pending JPS60178612A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 積層セラミツクコンデンサ−の外部電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60178612A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016048724A (ja) * | 2014-08-27 | 2016-04-07 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法および成膜装置 |
-
1984
- 1984-02-24 JP JP3477884A patent/JPS60178612A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016048724A (ja) * | 2014-08-27 | 2016-04-07 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法および成膜装置 |
| US10418190B2 (en) | 2014-08-27 | 2019-09-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component manufacturing method and film forming apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5011732A (en) | Glass ceramic substrate having electrically conductive film | |
| JPH05501852A (ja) | 誘電セラミックピースのコーティング方法 | |
| JP2005158887A (ja) | 回路基板及びその製造方法 | |
| US4741077A (en) | End terminations for capacitors | |
| JPS5969907A (ja) | 温度補償用積層セラミツクコンデンサ | |
| JPS60178612A (ja) | 積層セラミツクコンデンサ−の外部電極形成方法 | |
| JPH06168845A (ja) | チップ形積層フィルムコンデンサ | |
| US4351704A (en) | Production method for solder coated conductor wiring | |
| US2821013A (en) | Metal coating and method of making the same | |
| US3751293A (en) | Method for reducing interdiffusion rates between thin film components | |
| JP2821239B2 (ja) | ガラス基板の金属多層膜形成方法 | |
| JP2000077253A (ja) | 電子部品、チップ型セラミック電子部品、およびそれらの製造方法 | |
| WO2002103086A1 (fr) | Fil de connecteur et procede de fabrication de ce dernier | |
| JPS60211068A (ja) | 薄膜の形成方法 | |
| US4759829A (en) | Device header and method of making same | |
| JPH0547585A (ja) | 電子部品 | |
| JPS6022309A (ja) | 積層セラミツクコンデンサの外部電極形成方法 | |
| JPH04243108A (ja) | チップコンデンサ | |
| JPS5846049B2 (ja) | 金属化誘電体コンデンサ | |
| DD132090B1 (de) | Verfahren zur herstellung von elektroden bei keramischen kondensatoren | |
| JPS5866379A (ja) | 金属基板の作成法 | |
| JPS60195916A (ja) | 積層セラミツクコンデンサの端子電極形成方法 | |
| JP2613197B2 (ja) | チツプ状電子部品の製造方法 | |
| JPS60195917A (ja) | 積層セラミツクコンデンサの端子電極形成方法 | |
| JPH0350708A (ja) | チップコンデンサ |