JPS60178612A - 積層セラミツクコンデンサ−の外部電極形成方法 - Google Patents
積層セラミツクコンデンサ−の外部電極形成方法Info
- Publication number
- JPS60178612A JPS60178612A JP3477884A JP3477884A JPS60178612A JP S60178612 A JPS60178612 A JP S60178612A JP 3477884 A JP3477884 A JP 3477884A JP 3477884 A JP3477884 A JP 3477884A JP S60178612 A JPS60178612 A JP S60178612A
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- JP
- Japan
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- multilayer ceramic
- ceramic capacitor
- ion
- nickel
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- Pending
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- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
NM業上の利用分骨
本うむ明は+4 層セラミックコンデンサーの外部TI
E極形代方法に関する。
E極形代方法に関する。
従来例の構成とその問題点
積層セラミックコンデンサーは小型で大Wktか+1ら
れるため、1L子チユーナ、ビデオテープレコーダー、
ビデオカメラ等の各検電子機器にが1川され、最近1−
11要が急増している0従来の積層セラミックコンデン
サーは第1図に示す如り杓亀体セラミック1とその中に
埋め込まれた内部71te2および各内部′電極2と接
続した外部電極3とから構成されており、通常上記外部
電極3は銀ペーストを崖布し、高湿で焼付けることによ
って形成されている。
れるため、1L子チユーナ、ビデオテープレコーダー、
ビデオカメラ等の各検電子機器にが1川され、最近1−
11要が急増している0従来の積層セラミックコンデン
サーは第1図に示す如り杓亀体セラミック1とその中に
埋め込まれた内部71te2および各内部′電極2と接
続した外部電極3とから構成されており、通常上記外部
電極3は銀ペーストを崖布し、高湿で焼付けることによ
って形成されている。
かかる積層セラミックコンデンサーを例えはプリント配
線基板に実装する場合、・上記外部電極3をプリント配
線基板にハンダによりろう接している。このとき膜外部
電極3はいわゆる銀くわれか生ずる。この銀くわれを防
止するための一つの手段として、外部tlLt!il!
3として少数のパラジウムを含有させた銀−パラジウム
か用いられている。しかしなからパラジウムを含有させ
ると製造原価か高くなるはかりでなく、銀−パラジウム
電極はハンダ付時の耐熱性か充分保証できない欠点を有
していた。一般に積層セラミックコンデンサーの外部電
極にはハンダ付性およびハンダ付時の耐熱性の良好なこ
とか要求されている。これらの観点から銀型極上にハン
ダ耐熱性を改埠するため、通常の電気メッキ法でニッケ
ルメッキを凪し・更にノ1ンダ付性を改良するため、ニ
ラチルメッキ上に史に通常の電気メツキ法で錫または鋤
−鉛合金のメッキを施すことが行なわれている。このよ
うに外f′As 1’li 挾を三層+7Q造とするこ
とによって外部11極のノへンダ付性およびハンダ耐熱
性は改良されている0しかしながら上述した三層4す造
にメッキ処理すると・製造された積層セラミックコンデ
ンサーの誘1[L損失(tanδ)が大きくなるものか
発生ずる。特に高誘電率系の積増セラミックコンデンサ
ーにおいては、一般にtanδか1%以上と比較的大き
いので、これらのメッキ処理の影・廊も顕著ではない。
線基板に実装する場合、・上記外部電極3をプリント配
線基板にハンダによりろう接している。このとき膜外部
電極3はいわゆる銀くわれか生ずる。この銀くわれを防
止するための一つの手段として、外部tlLt!il!
3として少数のパラジウムを含有させた銀−パラジウム
か用いられている。しかしなからパラジウムを含有させ
ると製造原価か高くなるはかりでなく、銀−パラジウム
電極はハンダ付時の耐熱性か充分保証できない欠点を有
していた。一般に積層セラミックコンデンサーの外部電
極にはハンダ付性およびハンダ付時の耐熱性の良好なこ
とか要求されている。これらの観点から銀型極上にハン
ダ耐熱性を改埠するため、通常の電気メッキ法でニッケ
ルメッキを凪し・更にノ1ンダ付性を改良するため、ニ
ラチルメッキ上に史に通常の電気メツキ法で錫または鋤
−鉛合金のメッキを施すことが行なわれている。このよ
うに外f′As 1’li 挾を三層+7Q造とするこ
とによって外部11極のノへンダ付性およびハンダ耐熱
性は改良されている0しかしながら上述した三層4す造
にメッキ処理すると・製造された積層セラミックコンデ
ンサーの誘1[L損失(tanδ)が大きくなるものか
発生ずる。特に高誘電率系の積増セラミックコンデンサ
ーにおいては、一般にtanδか1%以上と比較的大き
いので、これらのメッキ処理の影・廊も顕著ではない。
しかし温度補tI用の積層セラミックコンデンサーにお
いてはtan aの値が小さく、従ってQ(=17’t
anδ)の値か大きく、規俗では例えは静亀容鮒か39
PF以上のとき、Q≧I U 00 (tanδ≦0.
1%)となっている。
いてはtan aの値が小さく、従ってQ(=17’t
anδ)の値か大きく、規俗では例えは静亀容鮒か39
PF以上のとき、Q≧I U 00 (tanδ≦0.
1%)となっている。
かかる温度i1目ムI用積層セラミックコンデンサーに
おいては上述したg3H(tanδか大きくなる、即ち
Qの値が規格未満となるQ不良が発生して問題となる。
おいては上述したg3H(tanδか大きくなる、即ち
Qの値が規格未満となるQ不良が発生して問題となる。
このようにメッキ処理によって外部電極を三層構造にす
ることは生産性に適しているがQ不良発生の問題は避け
られない。
ることは生産性に適しているがQ不良発生の問題は避け
られない。
発明の目的
従って本発明の目的はハンダ付性およびハンダ付時の耐
熱性が良く・かつQ不良性の如き電気メッキに附随する
問題のない積層セラミックコンデンザーの外部電極形成
方法を提供することにある。
熱性が良く・かつQ不良性の如き電気メッキに附随する
問題のない積層セラミックコンデンザーの外部電極形成
方法を提供することにある。
発明の構成
本発明は*極材料をイオンブレーティング法によりセラ
ミック上に付着させることによる積層セラミックコンデ
ンサーの外部電極形成方法にある。
ミック上に付着させることによる積層セラミックコンデ
ンサーの外部電極形成方法にある。
また本発明は上記イオンブレーティング法を二工程に分
け、その第−王権でニッケルを付着せしめ、第二工程で
鋤または錨−鉛合金を付着させることによる積層セラミ
ックコンデンサーの外部電4!111形成方法にある。
け、その第−王権でニッケルを付着せしめ、第二工程で
鋤または錨−鉛合金を付着させることによる積層セラミ
ックコンデンサーの外部電4!111形成方法にある。
本発明によるイオンブレーティング法を実態するに当っ
ては、真空槽中に10−t〜1O−4Torrの族1u
用のアルゴンガスを入れ、被塗物即ち外部1旺極を形成
させるための類胎セラミックコンデンサーと、電極林料
、即ち、ニッケル、または錫・または錫−鉛合金の蒸発
源との間に数白ボルト〜数千ボルトのγU圧をかけ、こ
のとき11L m 44別蒸発?原を加熱しく11L極
祠料を蒸発さぜる。かくするとこの蒸発した分子がh%
itt場によって励起され、イオン化され、加速され
て被塗物の被t4を血に袖突して薄膜を形成する。
ては、真空槽中に10−t〜1O−4Torrの族1u
用のアルゴンガスを入れ、被塗物即ち外部1旺極を形成
させるための類胎セラミックコンデンサーと、電極林料
、即ち、ニッケル、または錫・または錫−鉛合金の蒸発
源との間に数白ボルト〜数千ボルトのγU圧をかけ、こ
のとき11L m 44別蒸発?原を加熱しく11L極
祠料を蒸発さぜる。かくするとこの蒸発した分子がh%
itt場によって励起され、イオン化され、加速され
て被塗物の被t4を血に袖突して薄膜を形成する。
また本発明方法に8いては上述したイオンプレーディン
グ法において、これを二工程に分け、その第一工程でI
u 、1ilI44A判蒸珀源としてニッケルを使用し
、次いで第二工h!でtri、 Iσ5祠料無料蒸発源
て鋤または鋤−鉛合金を使用するのである。
グ法において、これを二工程に分け、その第一工程でI
u 、1ilI44A判蒸珀源としてニッケルを使用し
、次いで第二工h!でtri、 Iσ5祠料無料蒸発源
て鋤または鋤−鉛合金を使用するのである。
1−記イオンブレーティング法により形成された薄膜、
即ちニッケル層および鍋または鋤−鉛合金1曽は被嬢吻
に対する(4’ N回度かIL[J常の真空a At−
法およびスパッタリング法によるよりも大であり、また
付着速度も速くなる利点を有する。
即ちニッケル層および鍋または鋤−鉛合金1曽は被嬢吻
に対する(4’ N回度かIL[J常の真空a At−
法およびスパッタリング法によるよりも大であり、また
付着速度も速くなる利点を有する。
また本発明に従い第1工程でニッケルを使用し下地から
第−増としてニッケル増薄膜を形成させると、後のハン
ダ付の際のハンダによる電極くわれを防止できること\
およびハンダ付時の耐熱性が良好となる。また第二工程
で鋤またはm−鉛合金を使用して、上記ニッケル層上に
それらの薄膜を形成するとハンダの濡れを良(し、ハン
ダ刊性が良好になる。また本発明によるイオンブレーテ
ィング法により外部電極を形成すると、前述した従来の
電気メツキ法では避けられなかったコンデンサーのQ不
良発生の問題がな(なり、しかも銀または銀−パラジウ
ムの高温焼付け111か不要となり、コストの低減もで
きる。
第−増としてニッケル増薄膜を形成させると、後のハン
ダ付の際のハンダによる電極くわれを防止できること\
およびハンダ付時の耐熱性が良好となる。また第二工程
で鋤またはm−鉛合金を使用して、上記ニッケル層上に
それらの薄膜を形成するとハンダの濡れを良(し、ハン
ダ刊性が良好になる。また本発明によるイオンブレーテ
ィング法により外部電極を形成すると、前述した従来の
電気メツキ法では避けられなかったコンデンサーのQ不
良発生の問題がな(なり、しかも銀または銀−パラジウ
ムの高温焼付け111か不要となり、コストの低減もで
きる。
実施例の説明
以下に本発明の実施例を図面を参照して説明する。第2
図はイオンブレーティングを行なうため、積層セラミッ
クコンデンサーを試料台に装着した状態を示す図であり
、図において焼成し面取りした41!1層セツミックコ
ンデンサー4を図示の如く金属製の試料台5に嵌合装着
させる。
図はイオンブレーティングを行なうため、積層セラミッ
クコンデンサーを試料台に装着した状態を示す図であり
、図において焼成し面取りした41!1層セツミックコ
ンデンサー4を図示の如く金属製の試料台5に嵌合装着
させる。
なお第2図には積層セラミックコンデンサーを4個示し
であるかこの故は任、はに決定しかることは明らかであ
ろう。
であるかこの故は任、はに決定しかることは明らかであ
ろう。
・¥N3図はイオンブレーティング方法を実施するため
の装置の説明図である。本発明に従ってイオンブレーテ
ィングを実施するに当っては、陰極6に上述した如く聞
取りした積層セラミックコンデンヤーを装着した試料台
5を装着し、一方′Iロ、極拐料蒸発源7には始めニッ
ケルを入れておく。次にs?2槽8内をI X 10−
”Torrのアルゴンカスで置換し、電極制料加燃フィ
ラメント9によりニッケルを加熱浴融蒸発させると共に
、ニッケル蒸発源7を1m極とし、陰極6との間に2x
vの直流を印加する。かくして始めにニッケルの厚さ約
10μmの塗膜をイオンブレーティングする。次に同様
にして、ただし1、電極材料蒸発源を錫または錫−鉛合
金でia侠してイオンブレーティングを行ない、上記ニ
ッケル層上に錫または錫−鉛合金の厚さ約5μmの塗膜
を形成した。
の装置の説明図である。本発明に従ってイオンブレーテ
ィングを実施するに当っては、陰極6に上述した如く聞
取りした積層セラミックコンデンヤーを装着した試料台
5を装着し、一方′Iロ、極拐料蒸発源7には始めニッ
ケルを入れておく。次にs?2槽8内をI X 10−
”Torrのアルゴンカスで置換し、電極制料加燃フィ
ラメント9によりニッケルを加熱浴融蒸発させると共に
、ニッケル蒸発源7を1m極とし、陰極6との間に2x
vの直流を印加する。かくして始めにニッケルの厚さ約
10μmの塗膜をイオンブレーティングする。次に同様
にして、ただし1、電極材料蒸発源を錫または錫−鉛合
金でia侠してイオンブレーティングを行ない、上記ニ
ッケル層上に錫または錫−鉛合金の厚さ約5μmの塗膜
を形成した。
次に試料台5上の積層セラミックコンデンサーの対向面
をイオンブレーティングするため1上述した如く粗膜形
成した面を試料台の中に入れて表裏入れ侠えて、上述し
た如<、ニッケル、および−または錫−鉛合金のイオン
ブレーティングを実施する。
をイオンブレーティングするため1上述した如く粗膜形
成した面を試料台の中に入れて表裏入れ侠えて、上述し
た如<、ニッケル、および−または錫−鉛合金のイオン
ブレーティングを実施する。
上述した如くして外部電極を形成した積層セラミックコ
ンデンサーの断面図を第4図に示す。
ンデンサーの断面図を第4図に示す。
第4図において、1は9144体セラミックであり、2
は内部電極であり、10は本発明方法により形成された
ニッケルj曽であり、11は錫または錫−鉛合金層であ
る。
は内部電極であり、10は本発明方法により形成された
ニッケルj曽であり、11は錫または錫−鉛合金層であ
る。
発明の効果
本発明の積層セラミックコンデンサーの外部電極形成方
法により形成した外CAIJt極は、プリント基板等に
実装する場合のハンダ付性およびハンダl1it熱性に
すぐれ、温度補償用コンデンサーにおいてQ不良が発生
することなく、銀、パラジウム等の貴金楓とy畦なり・
大幅なコスト低下か用北で、工業的価値が大である。
法により形成した外CAIJt極は、プリント基板等に
実装する場合のハンダ付性およびハンダl1it熱性に
すぐれ、温度補償用コンデンサーにおいてQ不良が発生
することなく、銀、パラジウム等の貴金楓とy畦なり・
大幅なコスト低下か用北で、工業的価値が大である。
第1図は従来の外部電極を有する積層セラミックコンデ
ンサーの断面図、第2図は積層セラミックコンデンサー
を試料台に装着した状態を7J<す図、第3図は本発明
によるイオンブレーティング法を実施するための装置の
説明図、第4図は本発明方法により外f?IS電極を形
成した情層セラミックコンデンサーの断面図である。 4はl[1」取りした積層セラミックコンデンサー、5
は試料台、6は陰極、7は′1n極杓料点発源、8は口
空槽、9は加熱フィラメント、10はニッケル層、11
は錫または錫−鉛合金層。
ンサーの断面図、第2図は積層セラミックコンデンサー
を試料台に装着した状態を7J<す図、第3図は本発明
によるイオンブレーティング法を実施するための装置の
説明図、第4図は本発明方法により外f?IS電極を形
成した情層セラミックコンデンサーの断面図である。 4はl[1」取りした積層セラミックコンデンサー、5
は試料台、6は陰極、7は′1n極杓料点発源、8は口
空槽、9は加熱フィラメント、10はニッケル層、11
は錫または錫−鉛合金層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、Yli Idl+ kA料をイオンブレーティング
法によりセラミック上に44着させることをqygとす
る積層セラミックコンデンサーの外部1狂極形成方法。 2 イオンブレーティング法を二上程に分け、第一−L
程Cニッケルをイ」着せしめ、第二工程で錫またはり、
I4−鉛合擾を(=J沼させる!rケ許珀求の範囲第s
1i+記載のりト部′電極形成方法0
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3477884A JPS60178612A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 積層セラミツクコンデンサ−の外部電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3477884A JPS60178612A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 積層セラミツクコンデンサ−の外部電極形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60178612A true JPS60178612A (ja) | 1985-09-12 |
Family
ID=12423744
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3477884A Pending JPS60178612A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 積層セラミツクコンデンサ−の外部電極形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60178612A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016048724A (ja) * | 2014-08-27 | 2016-04-07 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法および成膜装置 |
-
1984
- 1984-02-24 JP JP3477884A patent/JPS60178612A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016048724A (ja) * | 2014-08-27 | 2016-04-07 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法および成膜装置 |
US10418190B2 (en) | 2014-08-27 | 2019-09-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component manufacturing method and film forming apparatus |
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