JPS60178455A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS60178455A JPS60178455A JP3336584A JP3336584A JPS60178455A JP S60178455 A JPS60178455 A JP S60178455A JP 3336584 A JP3336584 A JP 3336584A JP 3336584 A JP3336584 A JP 3336584A JP S60178455 A JPS60178455 A JP S60178455A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- layer
- heat
- photoreceptor
- cylindrical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/005—Materials for treating the recording members, e.g. for cleaning, reactivating, polishing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/147—Cover layers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子写真感光体に関する。
電子写真感光体（ｄ所定の特性を得るため、あるいは適
用される電子写真プロセスの種類に応じて種々の構成を
とるものである。そして、電子写真感光体の代表的なも
のとして、支持体上に光導電層が形成されている感光体
および表面に絶縁層を備えた感光体があり、広く用いら
れている。支持体と光導電層から構成される感光体は、
最も一般的な電子写真プロセスによる、即ち、帯電、画
像露光および現像、更忙必要に応じて転写による画像形
成に用いられる。まだ、絶縁層を備えた感光体について
、この絶縁層は、光導電層の保護、感光体の機械的強度
の改善、暗減衰特性の改善、または、特定の電子写真プ
ロセスに適用されるため等の目的のために設けられるも
のである。このような絶縁層を有する感光体または、絶
縁層を有する感光体を用いる電子写真プロセスの代表的
な例は、例えば、米国特許第２８６００４８号公報、特
公昭４１−１６４２９号公報、特公昭４６−３７１３号
公報、特公昭４２−２３９１０号公報、特公昭４３−２
４７４８号公報、特公昭４２−１９７４７号公報、特公
昭３６−４１２１号公報、などに記載されている。
用される電子写真プロセスの種類に応じて種々の構成を
とるものである。そして、電子写真感光体の代表的なも
のとして、支持体上に光導電層が形成されている感光体
および表面に絶縁層を備えた感光体があり、広く用いら
れている。支持体と光導電層から構成される感光体は、
最も一般的な電子写真プロセスによる、即ち、帯電、画
像露光および現像、更忙必要に応じて転写による画像形
成に用いられる。まだ、絶縁層を備えた感光体について
、この絶縁層は、光導電層の保護、感光体の機械的強度
の改善、暗減衰特性の改善、または、特定の電子写真プ
ロセスに適用されるため等の目的のために設けられるも
のである。このような絶縁層を有する感光体または、絶
縁層を有する感光体を用いる電子写真プロセスの代表的
な例は、例えば、米国特許第２８６００４８号公報、特
公昭４１−１６４２９号公報、特公昭４６−３７１３号
公報、特公昭４２−２３９１０号公報、特公昭４３−２
４７４８号公報、特公昭４２−１９７４７号公報、特公
昭３６−４１２１号公報、などに記載されている。
電子写真感光体は、当然のことであるが、適用される電
子写真プロセスに応じた所定の感度、電気特性、更には
光学特性を備えていることが要求されるが、一般に、耐
久性、耐熱性、耐湿性、耐コロナイオン性等に優れた光
導電層を備えていることも望まれる。この点で、アモル
ファスシリコン（以下ｒａ−３ｉＪと称する）は、従来
汎用されているＳｅ、５ｅＴｅ、ＯｄＳ、ＺｎＯなどの
他の光導電材料に較べて機械的強度、耐熱性、耐湿性等
に優れたものであり、従来の光導電材料にとって代わる
可能性を有するものであり、例えば、独国公開第２７４
６９６７号公報、同第２８５５７１８号公報には電子写
真用像形成部材として独国公開第２９３３４１１号公報
には光電変換読取装置への応用が記載されている、 しかしながら、従来のａ−８ｉで構成された光導電層を
有する電子写真感光体は機械的強度に優れる反面、コロ
ナ放電で生成した窒素化合物等が表面に付着した場合に
除去し難く、画像流れ等の原因になる。
子写真プロセスに応じた所定の感度、電気特性、更には
光学特性を備えていることが要求されるが、一般に、耐
久性、耐熱性、耐湿性、耐コロナイオン性等に優れた光
導電層を備えていることも望まれる。この点で、アモル
ファスシリコン（以下ｒａ−３ｉＪと称する）は、従来
汎用されているＳｅ、５ｅＴｅ、ＯｄＳ、ＺｎＯなどの
他の光導電材料に較べて機械的強度、耐熱性、耐湿性等
に優れたものであり、従来の光導電材料にとって代わる
可能性を有するものであり、例えば、独国公開第２７４
６９６７号公報、同第２８５５７１８号公報には電子写
真用像形成部材として独国公開第２９３３４１１号公報
には光電変換読取装置への応用が記載されている、 しかしながら、従来のａ−８ｉで構成された光導電層を
有する電子写真感光体は機械的強度に優れる反面、コロ
ナ放電で生成した窒素化合物等が表面に付着した場合に
除去し難く、画像流れ等の原因になる。
また、表面硬度が高い反面、トナー融着が発生し易くク
リーニング不良の原因となり易い。
リーニング不良の原因となり易い。
また、コロナ帯電によシピンホールが発生し、ベタ画像
において白抜けとして現われる。
において白抜けとして現われる。
本発明の目的は、前述の如き欠点を解決したアモルファ
スシリコン感光体を提供するものである。さらに、本発
明の他の目的は、簡単な再生手段により、再使用可能な
電子写真感光体を提供するものである。
スシリコン感光体を提供するものである。さらに、本発
明の他の目的は、簡単な再生手段により、再使用可能な
電子写真感光体を提供するものである。
本発明は、円筒形基体と主としてアモルファスシリコン
から成る光導電層と円筒形熱収縮フィルムよシ成る絶縁
層を有する電子写真感光体において、アモルファスシリ
コン感光層に滑剤を付着した後、円筒形熱収縮フィルム
を該感光層にかぶせて熱収縮させて形成した絶縁層が設
けられていることを特徴とする電子写真感光体から構成
される。アモルファスシリコン感光体の絶縁層として、
円筒形熱収縮フィルムを用いる場合にアモルファスシリ
コン感光体は、表面の摩擦低抗が大きいため、円筒形熱
収縮フィルムの熱収縮時に収縮ムラが発生する。
から成る光導電層と円筒形熱収縮フィルムよシ成る絶縁
層を有する電子写真感光体において、アモルファスシリ
コン感光層に滑剤を付着した後、円筒形熱収縮フィルム
を該感光層にかぶせて熱収縮させて形成した絶縁層が設
けられていることを特徴とする電子写真感光体から構成
される。アモルファスシリコン感光体の絶縁層として、
円筒形熱収縮フィルムを用いる場合にアモルファスシリ
コン感光体は、表面の摩擦低抗が大きいため、円筒形熱
収縮フィルムの熱収縮時に収縮ムラが発生する。
このため、本発明においては、アモルファスシリコン感
光体に滑剤を付着させた後、円筒形熱収縮フィルムを該
感光体にかぶせ熱収縮を行なうものである。
光体に滑剤を付着させた後、円筒形熱収縮フィルムを該
感光体にかぶせ熱収縮を行なうものである。
ａ −Ｓｉは通常、グロー放電法、スパッターリング法
、イオンブレーティング法、真空蒸着法等の堆積法によ
って支持体上に堆積される。グロー放電法、スパッタリ
ング法およびイオンブレーティング法は放電現象を利用
する堆積法であり、堆積室内においてガスプラズマ雰囲
気を所定時間維持して必俄な月のａ−８ｉ層を堆積させ
る方法であり、特に有効である。ａ−８ｉの形成用物質
としては、シリコン単体の外、堆積中に分解してシリコ
ンを生ずるケイ素化合物が用いられる。このようなシリ
コン化合物として代表的なのは、Ｓ ｉＨ４，Ｓ ｉ
２Ｈ６などのシリコン水素化合物である。ａ −Ｓ ｉ
の形成については、必要に応じてａ−８ｉの光電利得の
制御のために、必要に応じて水素（Ｈ）、酸素、窒素お
よびまだは炭素などを加えることも有効である。ａ−８
ｉへのＨの含有の代表的な方法は、ａ −Ｓｉの堆積層
を形成する際、堆積装置系内にＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６等
の化合物および又はＨ２の形で導入し、気体放電によっ
てそれらの化合物又はＨ２を分解して、維持°さ−れた
ａ −３ｉ中に、堆積の成長に併せて含有させる。堆積
されるａ−８ｉに酸素、窒素および炭素を含有きせる場
合についても、水素を含有させる場合と同様な手法で行
なうことができる。
、イオンブレーティング法、真空蒸着法等の堆積法によ
って支持体上に堆積される。グロー放電法、スパッタリ
ング法およびイオンブレーティング法は放電現象を利用
する堆積法であり、堆積室内においてガスプラズマ雰囲
気を所定時間維持して必俄な月のａ−８ｉ層を堆積させ
る方法であり、特に有効である。ａ−８ｉの形成用物質
としては、シリコン単体の外、堆積中に分解してシリコ
ンを生ずるケイ素化合物が用いられる。このようなシリ
コン化合物として代表的なのは、Ｓ ｉＨ４，Ｓ ｉ
２Ｈ６などのシリコン水素化合物である。ａ −Ｓ ｉ
の形成については、必要に応じてａ−８ｉの光電利得の
制御のために、必要に応じて水素（Ｈ）、酸素、窒素お
よびまだは炭素などを加えることも有効である。ａ−８
ｉへのＨの含有の代表的な方法は、ａ −Ｓｉの堆積層
を形成する際、堆積装置系内にＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６等
の化合物および又はＨ２の形で導入し、気体放電によっ
てそれらの化合物又はＨ２を分解して、維持°さ−れた
ａ −３ｉ中に、堆積の成長に併せて含有させる。堆積
されるａ−８ｉに酸素、窒素および炭素を含有きせる場
合についても、水素を含有させる場合と同様な手法で行
なうことができる。
ａ −Ｓｉに酸素、窒素および炭素を含有させるに用い
られるものとしては、これらの単体およびこれの元素の
化合物である。このような酸素化合物としては、５１０
２ ＋ ５１３Ｎ４ ＋ Ｃｏ ｒ ＣＯ２など窒素化
合物としてはＮＯ、ＮＯ２、□３など、炭素化合物とし
ては、炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数１〜４のエ
チレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水
素等が挙げられる。例えば、飽和炭化水素としてはメタ
ン。
られるものとしては、これらの単体およびこれの元素の
化合物である。このような酸素化合物としては、５１０
２ ＋ ５１３Ｎ４ ＋ Ｃｏ ｒ ＣＯ２など窒素化
合物としてはＮＯ、ＮＯ２、□３など、炭素化合物とし
ては、炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数１〜４のエ
チレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水
素等が挙げられる。例えば、飽和炭化水素としてはメタ
ン。
エタン、フロパン、 ｎ −ブタン、エチレン系炭化水
素としては、エチレン、プロピレン、ブテン−１，ブテ
ン−２，インブチレン、アセチレン系炭化水素としては
、アセチレン、メチルアセチレンが挙けられる。ａ −
Ｓ ｉの形成には、例えば酸素、窒素、酸化物、窒化物
、炭化物等の化合物のガスをａ −Ｓｉを形成する原料
ガスと共に−内部を減圧にし得る堆積室内に導入して該
堆積室内でグロー放電を生起させれば良い。又、例えば
ａ−８ｉをスパッタリング法で形成する場合には、所望
の例えば、（Ｓ １ ＋Ｃ） ｒ （Ｓｉ＋５１０２）
。
素としては、エチレン、プロピレン、ブテン−１，ブテ
ン−２，インブチレン、アセチレン系炭化水素としては
、アセチレン、メチルアセチレンが挙けられる。ａ −
Ｓ ｉの形成には、例えば酸素、窒素、酸化物、窒化物
、炭化物等の化合物のガスをａ −Ｓｉを形成する原料
ガスと共に−内部を減圧にし得る堆積室内に導入して該
堆積室内でグロー放電を生起させれば良い。又、例えば
ａ−８ｉをスパッタリング法で形成する場合には、所望
の例えば、（Ｓ １ ＋Ｃ） ｒ （Ｓｉ＋５１０２）
。
（Ｓｉ ＋ ５ｉ３Ｎ４）なる成分で混合成形したスパ
ッター用のターゲットを使用するか、ＳｌウェハーとＣ
３ｉＯｚ又はＳ ｉ ３Ｎ４ウエハーの二枚のターゲッ
トを使用して、スパッターリングを行うが、又は酸素ガ
スや窒素ガス又は、炭素、酸素、又は窒素を含んだ化合
物のガスを、例えばＡｒガス等のスパッター用のガスと
共に堆積室内に導入して、Ｓｌのターゲットを使用して
スパッターリングを行ってａ −Ｓｉを形成すれば良い
。酸素、窒素又は炭素のａ−８ｉへの含有量は、適宜設
定されるものであるが、通常の場合０．１〜３０ ａｔ
ｏｍｉｃ％、好適には０．１〜２０ ａｔｏｍｉｃ％、
最適には、０．２〜１５ ａｔｏｍｉｃ％とされるのが
望ましい。
ッター用のターゲットを使用するか、ＳｌウェハーとＣ
３ｉＯｚ又はＳ ｉ ３Ｎ４ウエハーの二枚のターゲッ
トを使用して、スパッターリングを行うが、又は酸素ガ
スや窒素ガス又は、炭素、酸素、又は窒素を含んだ化合
物のガスを、例えばＡｒガス等のスパッター用のガスと
共に堆積室内に導入して、Ｓｌのターゲットを使用して
スパッターリングを行ってａ −Ｓｉを形成すれば良い
。酸素、窒素又は炭素のａ−８ｉへの含有量は、適宜設
定されるものであるが、通常の場合０．１〜３０ ａｔ
ｏｍｉｃ％、好適には０．１〜２０ ａｔｏｍｉｃ％、
最適には、０．２〜１５ ａｔｏｍｉｃ％とされるのが
望ましい。
ａ−８ｉを放電現象を利用する堆積法によって形成する
場合には、所望のプラズマ雰囲気を形成するに有効な放
電現象を堆積室内に生起させるに、放’ｆＥＮ流密度を
、通常は０．１〜１０ ｍＡ／ｃｍ２ＡＣ又はＤＣ電流
とするのが良く、又充分なパワーを得る為には 通常１
００〜５００■、好適には３００〜５００Ｖの電圧に’
ｔＪ整され、投入される電力としては、通常０，１〜５
０Ｗ、好適には、０．５〜ＩＯＷとされるのが良い。又
、％には、ＡＣの場合、その周波数は、通常０．２〜３
０ＭＨ２％好適には５〜２０ ＭＨｚとされるのが望ま
しい。ａ −Ｓ ｉは 製造時の不純物のドーピングに
よって真性にし得、又その伝導型を制御することができ
る。ａ−８ｉ中にドーピングされる不純物としては、ａ
−８ｉをＰ型にするには、周期律表第■族Ａの元素、例
えばＢ 、 Ａｔ 、 Ｇａ 。
場合には、所望のプラズマ雰囲気を形成するに有効な放
電現象を堆積室内に生起させるに、放’ｆＥＮ流密度を
、通常は０．１〜１０ ｍＡ／ｃｍ２ＡＣ又はＤＣ電流
とするのが良く、又充分なパワーを得る為には 通常１
００〜５００■、好適には３００〜５００Ｖの電圧に’
ｔＪ整され、投入される電力としては、通常０，１〜５
０Ｗ、好適には、０．５〜ＩＯＷとされるのが良い。又
、％には、ＡＣの場合、その周波数は、通常０．２〜３
０ＭＨ２％好適には５〜２０ ＭＨｚとされるのが望ま
しい。ａ −Ｓ ｉは 製造時の不純物のドーピングに
よって真性にし得、又その伝導型を制御することができ
る。ａ−８ｉ中にドーピングされる不純物としては、ａ
−８ｉをＰ型にするには、周期律表第■族Ａの元素、例
えばＢ 、 Ａｔ 、 Ｇａ 。
Ｊｎ 、 ＴＬ等が好適なものとして挙げられ、 ｎ型
にする場合には、周期律表第Ｖ族Ａの元素、例えば、Ｎ
、 Ｐ 、 Ａ８ 、 Ｓｂ 、 Ｂ１等が好適なも
のとして挙げられる。
にする場合には、周期律表第Ｖ族Ａの元素、例えば、Ｎ
、 Ｐ 、 Ａ８ 、 Ｓｂ 、 Ｂ１等が好適なも
のとして挙げられる。
回能形熱収縮フィルムは、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリエステル等の熱可塑性樹脂から成り、公知のイ
ンフレーション法により、１筒状に成膜されるものであ
る。
ン、ポリエステル等の熱可塑性樹脂から成り、公知のイ
ンフレーション法により、１筒状に成膜されるものであ
る。
アモルファスシリコン感光体表面に付着される滑剤とし
ては、ポリテトラフルオロエチレン、ステアリン酸亜鉛
、ステアリン酸カル／ウム、ステアリン醒ブチル、ステ
アリン酸モノグリセリド、オレイン酸モノグリセリド、
リノール酸モノグリセリド、リシノール酸モノグリセリ
ド、ステアリン酸アミド、メナレンビスステアロアミド
、エチレンビスステアロアミド等がある。
ては、ポリテトラフルオロエチレン、ステアリン酸亜鉛
、ステアリン酸カル／ウム、ステアリン醒ブチル、ステ
アリン酸モノグリセリド、オレイン酸モノグリセリド、
リノール酸モノグリセリド、リシノール酸モノグリセリ
ド、ステアリン酸アミド、メナレンビスステアロアミド
、エチレンビスステアロアミド等がある。
こノシ等の滑剤をスプレー等を利用してアモルファスシ
リコン感光体表面ば付着させる４、実施例１ 円筒形Ａｔ ）ラムの表面に第１図に示す装置を用い、
次表に示す条件で層形成を行なった。層形成は、次の様
な手順で行なった。１０〜１２の各パルプが閉じられて
いることを確認した後、グロー放電堆積尾２及び各ガス
配管内を排気する次に真空度が１０−６ｔｏｒｒになっ
た時点で６〜９の各パルプを閉じる。基体シリンダー上
に補助層を形成する場合、ガスボンベ１ｏより、ＳｉＨ
４／ｆ（ｅガス、ガスボンベ１１よりＮＯガスをパルプ
７．８を開けて、配管内に導入させる。
リコン感光体表面ば付着させる４、実施例１ 円筒形Ａｔ ）ラムの表面に第１図に示す装置を用い、
次表に示す条件で層形成を行なった。層形成は、次の様
な手順で行なった。１０〜１２の各パルプが閉じられて
いることを確認した後、グロー放電堆積尾２及び各ガス
配管内を排気する次に真空度が１０−６ｔｏｒｒになっ
た時点で６〜９の各パルプを閉じる。基体シリンダー上
に補助層を形成する場合、ガスボンベ１ｏより、ＳｉＨ
４／ｆ（ｅガス、ガスボンベ１１よりＮＯガスをパルプ
７．８を開けて、配管内に導入させる。
引き続いてパルプ６を開いて夫々のガスをグロー放電堆
積室内に流入させる。反応室内の圧力が所望の値となる
よう真空計を見ながらメインパルプ５の開口を調整する
。基体シリンダー１の温度が加熱ヒーター４により所望
の温度に設定されていることを確認した後、１４．１４
’の電極間でグロー放電を生起させ、層堆積を行なう。
積室内に流入させる。反応室内の圧力が所望の値となる
よう真空計を見ながらメインパルプ５の開口を調整する
。基体シリンダー１の温度が加熱ヒーター４により所望
の温度に設定されていることを確認した後、１４．１４
’の電極間でグロー放電を生起させ、層堆積を行なう。
同様の方法で、非晶質層（Ｉ）、非晶質層（ＩＩ）の層
形成を行なう。
形成を行なう。
、ｋｌ基板温度：’２５ｏ°Ｃ
放電周波数 ： １３ 、５６ Ｍ Ｈｚ反応室内圧
：非晶質層（１）形成時Ｑ、３Ｔｏｒｒ〃（Ｉｔ） 〃
０．２Ｔｏｒｒ 次いで、１．０μｍ以下に解砕したポリテトラフルオロ
エチレン（商品名ニルプロント２．ダイキン工業＠製）
をエタノール中に分散させた後、エアレススプレーで該
感光体表面に付着させる。エタノールを蒸発させた後、
円筒形熱収縮ホリエチレンテレフタレートフィルム（商
品名、 Ｈｏ５ｔａｐｈａｎｓｈｒｊｎｋ Ｆｉｌｍ
、 ＫＡＬＬＥ 製）を該感光体にかぶせ、１２０°Ｃ
で３０分間の熱収縮を行ない、絶縁層を形成した。
：非晶質層（１）形成時Ｑ、３Ｔｏｒｒ〃（Ｉｔ） 〃
０．２Ｔｏｒｒ 次いで、１．０μｍ以下に解砕したポリテトラフルオロ
エチレン（商品名ニルプロント２．ダイキン工業＠製）
をエタノール中に分散させた後、エアレススプレーで該
感光体表面に付着させる。エタノールを蒸発させた後、
円筒形熱収縮ホリエチレンテレフタレートフィルム（商
品名、 Ｈｏ５ｔａｐｈａｎｓｈｒｊｎｋ Ｆｉｌｍ
、 ＫＡＬＬＥ 製）を該感光体にかぶせ、１２０°Ｃ
で３０分間の熱収縮を行ない、絶縁層を形成した。
比較例１
ポリテトラフルオロエチレンを感光体表面に付着させな
かったことを除いては、実施例１と同様にして得られた
感光体。
かったことを除いては、実施例１と同様にして得られた
感光体。
比較例２
実施例１と同様にして感光層のみを形成しカー感光体。
実施例２
滑剤として、ステアリン酸亜鉛を感光体表面に付着させ
たことを除いては、実施例１と同様忙して得られた感光
体。
たことを除いては、実施例１と同様忙して得られた感光
体。
実施例１，２およ−び＃Ｌ較例１の慶光体−を布縁の複
写機（キャノン製ｒＮｐ−５００ＲＥＪ）を改造した機
械に設置し、前露光／前除電、−次帯電、画像無光／二
次除電、全面露光、現像、転写、定加の一連のプロセス
により画出しを行なった。
写機（キャノン製ｒＮｐ−５００ＲＥＪ）を改造した機
械に設置し、前露光／前除電、−次帯電、画像無光／二
次除電、全面露光、現像、転写、定加の一連のプロセス
により画出しを行なった。
また、比較例２の感光体に対しては、重版の複写機（キ
ャノン製ｒＮＰ−５００ＲＥＪ）を改造した機械に設置
し、前に光／前帯電、−次帯電、画像露光、現像、転写
、定着の一連のプロセスによシ画出しを行なった。
ャノン製ｒＮＰ−５００ＲＥＪ）を改造した機械に設置
し、前に光／前帯電、−次帯電、画像露光、現像、転写
、定着の一連のプロセスによシ画出しを行なった。
この結果を次表に示す。
この様に、クリーニング性、画像流れに対しでは、表面
層がアモルファスシリコンよシも線状ポリマーの方が優
れている。一方、摺擦キズに関しては、ポリマーフィル
ムであるだめ、アモルファスシリコン表面層よりも弱い
。しかしながら、このｍ％ＸキズはＣｅＯ２等で研摩す
ること罠よシ、実質上間逢のないレベルにすることがで
き再使用可能である。また、キズの深くなったフィルム
は感光体表面から簡単に剥すことが可能であシ、しかる
後、新しいフィルム絶縁層を該感光体表面に形成するこ
とにより、実質上新ドラムとして再使用することができ
る。
層がアモルファスシリコンよシも線状ポリマーの方が優
れている。一方、摺擦キズに関しては、ポリマーフィル
ムであるだめ、アモルファスシリコン表面層よりも弱い
。しかしながら、このｍ％ＸキズはＣｅＯ２等で研摩す
ること罠よシ、実質上間逢のないレベルにすることがで
き再使用可能である。また、キズの深くなったフィルム
は感光体表面から簡単に剥すことが可能であシ、しかる
後、新しいフィルム絶縁層を該感光体表面に形成するこ
とにより、実質上新ドラムとして再使用することができ
る。
図は、本発明による電子写真感光体の製造に用いる光導
電層製造用装置の１態様を示す。 ｌはＡｔドラム、 ２はグロー放電堆積室、３は固定部
材、 ４はヒーター、 ５．６，７，８，９，１０，１１．１２はパルプ、１３
は高周波電源、１４．１４’は電極、１５．１６．１７
はボンベを示す。
電層製造用装置の１態様を示す。 ｌはＡｔドラム、 ２はグロー放電堆積室、３は固定部
材、 ４はヒーター、 ５．６，７，８，９，１０，１１．１２はパルプ、１３
は高周波電源、１４．１４’は電極、１５．１６．１７
はボンベを示す。
Claims (1)
- （１） 円筒形基体と主としてアモルファスシリコンか
ら成る光導電層と円筒形熱収縮フィルムより成る絶縁層
を有する電子写真感光体において、アモルファスシリコ
ン感光層に滑剤を付着した後、円筒形熱収縮フィルムを
該感光層にかぶせて熱収縮させて形成した絶縁層が設け
られていることを特徴とする電子写真感光体１．
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3336584A JPS60178455A (ja) | 1984-02-25 | 1984-02-25 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3336584A JPS60178455A (ja) | 1984-02-25 | 1984-02-25 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60178455A true JPS60178455A (ja) | 1985-09-12 |
Family
ID=12384551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3336584A Pending JPS60178455A (ja) | 1984-02-25 | 1984-02-25 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60178455A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5536633A (en) * | 1993-11-30 | 1996-07-16 | Eastman Kodak Company | Heat stabilized silver chloride photographic emulsions containing sulfur donors and sulfinate compounds |
-
1984
- 1984-02-25 JP JP3336584A patent/JPS60178455A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5536633A (en) * | 1993-11-30 | 1996-07-16 | Eastman Kodak Company | Heat stabilized silver chloride photographic emulsions containing sulfur donors and sulfinate compounds |
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