JPS6017637B2 - 溶接用フラックス入りワイヤの製造方法 - Google Patents

溶接用フラックス入りワイヤの製造方法

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JPS6017637B2
JPS6017637B2 JP4179476A JP4179476A JPS6017637B2 JP S6017637 B2 JPS6017637 B2 JP S6017637B2 JP 4179476 A JP4179476 A JP 4179476A JP 4179476 A JP4179476 A JP 4179476A JP S6017637 B2 JPS6017637 B2 JP S6017637B2
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JP
Japan
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flux
raw material
welding
manufacturing
material powder
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芳也 酒井
忠夫 山田
洋 藤崎
忠昭 山田
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Kobe Steel Ltd
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Kobe Steel Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、溶接用フラツクス入りワイヤの製造方法に関
するもので、さらに詳しくは、ワイヤ製造工程における
フラツクスのシントロン性を改良した高性能の溶接用フ
ラツクス入りワイヤの製造方法に関するものである。
フラックス入りワイヤの製造工程において、第2図に示
す通り、スラグ形成剤、脱酸脱窒剤、鉄粉等からなるフ
ラックス1をホツパ2より電磁7イーダ3を通してU形
に成形した金属ケーシング内に獲り充填させる工程があ
るが、第1図aに示すように、フラックス中の各成分の
粉子が細かいと、ワイヤ中の各成分はワイヤ中に均一に
分散し、スパッタ一の発生も少なく、かつ、ブローホー
ルの少ない良好な溶接性能が縛られるが、電磁フイーダ
3におけるシントロン性(供v給性)が悪く、電磁フィ
ーダ3からの切り出し速度が遅く、ワイヤ製造能率が低
下するのみならず、ホッバ或いはフィーダ内でブリッジ
現象を生じ、フラックスの供孫舎が中断するためワイヤ
中のフラックスが存在しない部分が発生し、ワイヤ製造
の歩蟹りを低下させるという問題があった。
また、第1図bに示すようにフラックス粒度の大きいも
の穣一般的にシントロン性は良好であるから、大窪の粒
子が先に供艶暮され、小蓬の粒子に後に残るという現象
が生じ、ワイヤ長手方向におけるフラツクス成分に変化
を生じさせるという問題を生じる。
さらに、第1図cに示すように粒径が大きいものばかり
であると、シントロン性に問題はないが、溶接中、フラ
ツクスの溶融状態に変化をきた,し、各成分が均一に溶
融しないためフラックス反応が円滑でなく、スパッタの
発生が増加し、ブローホールも増加して、溶接性能が低
下するという問題がある。
そこで、従来は、製造能率を犠牲にしても溶接性能のよ
いワイヤ、即ち、粒子の小さなフラツクス粒子を多く含
むワイヤが製造され、使用されてたのである。
本発明は、このような従来における問題点を解決し、特
に、フラツクスのシントロン性を改善することによって
製造能率を向上させ、同時にフラックス粒子自体は分散
し易いように細かい粒子を使用することにより、溶接性
能は従来遮り或いはそれ以上に良好にするものであって
、フラツクス原料粉末をバインダーを用いて造粒するこ
とにより個々の原料粉末は分散性のよい微粉末であって
も、造粒によって粗大化され、ワイヤ製造時のシントロ
ン性を改善するものである。
本発明に係る溶援用フラツクス入りワイヤの製造方法の
特徴とするところは、フラツクス原料粉末のうち、25
0メッシュより細かい粒度のフラツクス原料粉末の全部
または一部が適宜バインダーを添加して造粒し、この造
粒したフラツクス原料と残存フラツクス原料粉末とを2
50メッシュより細かい粒度のフラツクス残存率が60
%以下となるように混合調整を行ない、しかる後、混合
されたフラックス原料粉末を金属ケーシング内に充填す
ることにある。
本発明に係る溶接用フラックス入りワイヤの製造方法に
ついて以下詳細に説明する。
本発明に係る溶接用フラツクス入りワイヤの製造方法に
より製造されるワイヤ中には、第3図に示すように、各
フラックス粒子5.5・・・必要なフラックス成分の微
粒子6,6・・・を含んだものであるため、第1図bの
ように、各フラックス粒子に大小の変化があってももこ
れによってフラツクス成分に偏析が生じることがなく、
また、造粒された結果、微粉末も殆んどないのでシント
ロン性は著しく向上することになる。
なお、シント。ン性は原料粉末の粒度に関係することは
上記の通りであるが、種々の実験の結果、250メッシ
ュ(63〃)より細かい粒子が60%以下であれば、電
磁フレーダのシントロン性に大差なく、溶接作業性およ
び溶接性能も良好であることが判明した。従って、本発
明に係る溶接用フラツクス入りワイヤの製造方法におい
ては、フラツクス原料を造粒し、250メッシュより細
かい粒子が60%以下になるように調整する必要があり
、そして、250メッシュより細かい粒子が60%を越
えると、例えば、従来のこの種ワイヤのように70%以
上であると、シントロン性は悪く、従って、製造能率の
低下、歩蟹りの低下が著しくなる。なお、フラックス原
料粉末を製造するに際し、原料粉末に微粉末が多い時は
、全ての原料粉末を造粒してもよいが、−対蜘こは種々
の粒度のものがあり、こられを全て造粒すると、1つの
フラックス粒子内に全ての成分が含有されるという利点
はあるが、大粒子はより大粒子となり規定の粒径を越え
るものも発生して原料の損失を招くと共に、造粒作業の
コストを上昇させることになるので、フラツクス原粒粉
末のうち、250メッシュより細かい粒度のフラックス
原料粉末の全部または一部0を適宜バインダーを添加し
て造粒し、この造粒したフラツクス原料と残存フラツク
ス原料粉末とを250メッシュより細かい粒度のフラツ
クス残存率が60%以下となるように浪合調整を行なう
のである。
また、フラツクス原料の一部のみを造粒する場合、各成
分の添加目的とその作用を考慮し、その目的並びに作用
が顕著となるような組合せ、即ち、フラツクス成分間に
おける共同作用を、成分同志を造粒して一つのフラック
ス粒子内に含有させるようにすることができる。
従って、炭酸塩、界化物或いはMgのように分解若しく
は気化してシールドガスを発生してアーク雰囲気を大気
から保護するガス発生剤と、このシールドガス下が溶融
金属の脱酸、脱窒を行なうM,Ti、含有のような脱酸
脱窒剤を造粒して一つの粒子内に含有させておけば、ミ
クロ的にみて、脱酸脱窒剤が溶融金簾中に移行するとき
には、必ずシールドガスが発生していることになるので
、脱酸脱窒剤の作用効率を向上し、従って、高価な脱酸
脱糞剤の添加量を減少させることが可能となる。
このことは、他の成分についても同様であり、酸化によ
り歩留りを問題とする合金剤とガス発生剤との組合せで
の造粒或いはスラグ形成剤の偏析或いは溶融速度の違い
によるスラグ塩基度のミクロ的変化を防止するためのス
ラグ形成剤同志の造粒も有効であり、さらに、これらの
組合せで造粒して得られた粒子同志をさらに造粒するこ
ともできる。特に、ノーガス溶接用フラックス入りワイ
ヤのように、外部からシールドガスを供給しない溶接法
に用いるワイヤにおいては、シールドガスのミクロ的変
動も溶接性能に大きな影響をおよぱすものであるから、
ガス発生剤と脱酸脱窒剤との組合せでの造粒は極めて有
効である。なお、これらの造粒に際して使用されるパイ
ンダ一は、通常使用されるものでよいが、Nを0一K2
0−SiQ系の水ガラスのように、Na20、&0を含
むものは、このNも0、K20がアーク安定剤としての
作用をするため、そのアークの安定性は一段と向上する
。また、Li水ガラスのようにLi20を含む水ガラス
を使用すると、フラツクス自体の耐吸湿性が向上し、ワ
インの保存が容易となり、また、水分による溶接性能の
低下という問題も減少することになる。次に、本発明に
係る溶接用フラツクス入りワイヤの製造方法の実施例を
説明する。
実施例 1 第1表に示すように、A−1、B−1の成分組成と粒度
分布を有するフラックス原料粉末の全てを夫々水ガラス
を用いて造粒し、A‐2、B−2およびB‐3の粒度分
布を有するフラツクスを製造し、そのシントロン性を判
定した。
なお、シントロン性の判定は、第2図に示した装置によ
るフラックス原料粉末の供給状態の安定度によって判定
した。この第1表から明らかなように、250メッシュ
より細かい粒子が60%以下のフラックス(A−2、B
−2、B一3)が、シントロン性において優れているこ
とがわかる。
第1表 実施例 2 第2表中Aに示す粒度のフラックス原料と、この原料A
の中で特に徴粉であって、その殆んどが250メッシュ
以下であるNaFだけを造粒して得られたフラツクスB
の原料とを用いてシントロン性を判定した。
第 2 表(メッシュ) この表から明らかなように、250メッシュより細かい
粒子が60%以上によると、シントロン性が悪くなり、
60%以下であると良好であることがわかる。
因に、250メッシュ463r)より細かい粒子の内訳
を第3表に示す。
第3表 以上説明したように、本発明に係る溶接用フラックス入
りワイヤの製造方法によれば、予めフラックス原料の少
なくとも一部を造粒し、250メッシュより細かい粒子
が60%以下となるようにしたものであるから、シント
ロン性は改善され、その製造能率は著しく向上すると共
に造粒する原料粉末の組合せを適当に選択すれば、溶接
性能を一段と向上せることができるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図a,b,cはフラックスの粒度の状態の例を示す
説明図、第2図はフラックス原料を金属ケーシングに供
v給する電磁フィーダ部分を示す概略図、第3図は本発
明に係る溶接用フラツクス入oリワィャの製造方法によ
るワイヤに充填されるフラツクスの状態を示す説明図で
ある。 1…フラツクス、2…ホツパー、3…フイーダ、4・・
・金属ケーシング、5・・・フラックス粒子、6・・・
原料粉末。 夕 第1図 第2図 第3図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 フラツクス原料粉末のうち、250メツシユより細
    かい粒度のフラツクス原料粉末の全部または一部を適宜
    バインダーを添加して造粒し、この造粒したフラツクス
    原料と残存フラツクス原料粉末とを250メツシユより
    細かい粒度のフラツクス残存率が60%イ下となるよう
    に混合調整を行ない、しかる後、混合されたフラツクス
    原料粉末と金属ケーシング内に充填することを特徴とす
    る溶接用フラツクス入りワイヤの製造方法。
JP4179476A 1976-04-15 1976-04-15 溶接用フラックス入りワイヤの製造方法 Expired JPS6017637B2 (ja)

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JPS592596B2 (ja) * 1980-12-15 1984-01-19 株式会社神戸製鋼所 硬化肉盛溶接用複合ワイヤ
JPS59107792A (ja) * 1982-12-13 1984-06-22 Nippon Steel Weld Prod & Eng Co Ltd 充填心線を用いた被覆ア−ク溶接棒
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JP6509007B2 (ja) * 2015-03-30 2019-05-08 株式会社神戸製鋼所 ガスシールドアーク溶接用フラックス入りワイヤの製造方法

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