JPS60173520A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPS60173520A JPS60173520A JP59029727A JP2972784A JPS60173520A JP S60173520 A JPS60173520 A JP S60173520A JP 59029727 A JP59029727 A JP 59029727A JP 2972784 A JP2972784 A JP 2972784A JP S60173520 A JPS60173520 A JP S60173520A
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- crystal display
- display
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1347—Arrangement of liquid crystal layers or cells in which the final condition of one light beam is achieved by the addition of the effects of two or more layers or cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/42—Arrangements for providing conduction through an insulating substrate
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Liquid Crystal (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明は高輝度高コントラストの表示が可能で大容量の
表示能力をもった低価格の液晶表示素子に関する。
表示能力をもった低価格の液晶表示素子に関する。
(従来技術)
グラフィックやキャラクタ−の表示を行なうディスプレ
イ装置は特にオフィスオートメーシ曹ンや各種コンビエ
ータシステムにおける表示装置として大きな需要がある
。そして、これらの表示装置に対しては、特に表示の大
容量化が望まれている。これまでのところ、このような
要望に答え′得るディスプレイ装置として、カソードレ
イチェープ(CRT)が一般に用゛いられている0しか
しながらCRTは装置体積が大きく、重い、また画面の
ちらつきのために眼性疲労が激しい等の欠点も多く、こ
れらの欠点のない新規な方式の薄型ディスプレイパネル
の出現が熱望されている0このような目的で開発が進め
られているのがプラズマディスプレイパネル(FDP)
、エレクトロルミネセンス(EL)/<ネル、液晶ディ
スプレイ(LCD)パネル等であるが、いずれも性能的
に未だ不充分であ、9.CR’l’に置き替わるに至□
っていない0これらの新規な方式の薄型ディスプレイ−
くネルの中で特に注目を集めているのがLCDであΣi
従来方式のLCD技術については例えば工業調査会列「
液晶の最新技術」松本正−1角田市良共著)に詳しい口
しかしガから、 LCDにお”いては未だ表示の高輝度
、高コントラストの両立という点で不充分であるのが現
状である0すなわち、現在主流となっているLCDには
ツイストネマチック(TN)モードとゲストホス)(G
H)モードとがあるが、TNモードを用いる場合にはコ
ントラストは比較的良好であるが輝度の点で不充分であ
る。これはTNモードの場合には2枚の直線偏光板を挿
入する必要があシ、このために周囲光あるいは照明用光
源の光の利用率が通常約35チに低下することによる亀
のである〇一方、GHモードを用いる場合には輝度の点
ではTNモードを用いる場合よシも勝るが一般にコント
ラストが著しく低下する0これはGHモードで用いられ
る2色性色素の2色比が充分に大きくないことが主因で
あるoGHモードにも幾つかの方式があり、2上型QH
モードと呼ばれる方式においては輝度をあまシ低下させ
ずにコントラストを向上させることができる。2上型G
Hモードとは平行配向したネマチック液晶GHセル2枚
をその配向方向が互いに直交するように重ねあわせた構
造のものである。従って、2上型GHモードを用(3) いれば高輝度・高コントラストの表示が可能となる。し
かしながら、GHモードは時分割特性が悪く、表示の大
容量化の点では極めて劣っている。
イ装置は特にオフィスオートメーシ曹ンや各種コンビエ
ータシステムにおける表示装置として大きな需要がある
。そして、これらの表示装置に対しては、特に表示の大
容量化が望まれている。これまでのところ、このような
要望に答え′得るディスプレイ装置として、カソードレ
イチェープ(CRT)が一般に用゛いられている0しか
しながらCRTは装置体積が大きく、重い、また画面の
ちらつきのために眼性疲労が激しい等の欠点も多く、こ
れらの欠点のない新規な方式の薄型ディスプレイパネル
の出現が熱望されている0このような目的で開発が進め
られているのがプラズマディスプレイパネル(FDP)
、エレクトロルミネセンス(EL)/<ネル、液晶ディ
スプレイ(LCD)パネル等であるが、いずれも性能的
に未だ不充分であ、9.CR’l’に置き替わるに至□
っていない0これらの新規な方式の薄型ディスプレイ−
くネルの中で特に注目を集めているのがLCDであΣi
従来方式のLCD技術については例えば工業調査会列「
液晶の最新技術」松本正−1角田市良共著)に詳しい口
しかしガから、 LCDにお”いては未だ表示の高輝度
、高コントラストの両立という点で不充分であるのが現
状である0すなわち、現在主流となっているLCDには
ツイストネマチック(TN)モードとゲストホス)(G
H)モードとがあるが、TNモードを用いる場合にはコ
ントラストは比較的良好であるが輝度の点で不充分であ
る。これはTNモードの場合には2枚の直線偏光板を挿
入する必要があシ、このために周囲光あるいは照明用光
源の光の利用率が通常約35チに低下することによる亀
のである〇一方、GHモードを用いる場合には輝度の点
ではTNモードを用いる場合よシも勝るが一般にコント
ラストが著しく低下する0これはGHモードで用いられ
る2色性色素の2色比が充分に大きくないことが主因で
あるoGHモードにも幾つかの方式があり、2上型QH
モードと呼ばれる方式においては輝度をあまシ低下させ
ずにコントラストを向上させることができる。2上型G
Hモードとは平行配向したネマチック液晶GHセル2枚
をその配向方向が互いに直交するように重ねあわせた構
造のものである。従って、2上型GHモードを用(3) いれば高輝度・高コントラストの表示が可能となる。し
かしながら、GHモードは時分割特性が悪く、表示の大
容量化の点では極めて劣っている。
一方で、TNモードにもGHモードにも共通して表示の
大容量化を実現する方法としてアクティブマトリクス方
式と呼ばれる方法が開発されている。
大容量化を実現する方法としてアクティブマトリクス方
式と呼ばれる方法が開発されている。
これは各表示画素にスイッチング素子を積層してスイッ
チング素子によって液晶を駆動する方法である。スイッ
チング素子としては多結晶シリコン、アモルファスシリ
コン、テルル等の薄膜トランジスタ(TPT)等が用い
られている0従って、GHモードLCDの各表示画素に
スイッチング素子を積層した構造のセルを2枚用いれば
高輝度高コントラストで大容量の表示素子が得られるこ
とになる。
チング素子によって液晶を駆動する方法である。スイッ
チング素子としては多結晶シリコン、アモルファスシリ
コン、テルル等の薄膜トランジスタ(TPT)等が用い
られている0従って、GHモードLCDの各表示画素に
スイッチング素子を積層した構造のセルを2枚用いれば
高輝度高コントラストで大容量の表示素子が得られるこ
とになる。
しかしながら単に2枚のセルを重ねた構造では重なるべ
き2層の画素間に奥行が生じて表示面を斜め方向から見
た場合に画素のずれが生じて画質の低下を招く結果とな
る。それにも増して問題となるのは製造コストであシ、
単純には通常のLCDの2倍となる口%にスイッチング
素子を積層した(4) LCDの場合には通常の1層構造においてもコスト為が
問題となっておル、スイッチング素子積層LCDの2層
構造セルはコスト面で非実用的なものであった。しかる
に本発明者は低ヨストで製造ができ、かつ高輝度・高コ
ントラストで高画質の表示が可能な成品表示素子を創案
し、本発明に至ったものである0 (発明の目的) 本発明の目的は高輝度高コントラストの表示が可能で大
容量の表示能力をもった低価格の液晶表示素子を提供す
ることにある0 (発明の構成) 本発明の液晶表示素子は2層型ゲスト・ホスト液晶表示
素子を構成する3枚の実極基板のうちの中、開基板の両
側に設けた画素電極群を、該中間基板の表裏においてl
対lで接続して画素電極対の5)Ftl−形成し、かつ
各画素電極対に各1個のスイッチング素子を取付けて、
該スイッチング素子によって前記各画素電極対に印加さ
れる電位を制御することによ如液晶を動作させる点に特
徴がある口(実施例) 次に図面を参照して本発明の詳細な説明する0図は本発
明の液晶表示素子の一実施例の断面を示す図である。1
,2.3はそれぞれ2上型GH液晶表示素子を構成する
電極カラス基板であゆ、中間基板2の両側にはそれぞれ
酸化インジウム(ITO)で形成された画素電極12の
1群および画素電極2201群が形成されている。これ
らの画素電極は中間基板2に形成されたスルーホール4
e通じてl対lで電気的に接続されて画素電極対を形成
している。このスルーホールに中間基板2としてコーニ
ング社の感光性ガラス「フォトフオーム」ヲ用イエッチ
ングによって形成したO各画素am対には各1個のスイ
ッチング素子が取付けられている0図の実施例において
はスイッチング素子はアモルファスシリコンTPTでお
り、以下のように構成されている。5はMoゲート電極
、6はチツ化シリコン絶縁膜、7はアモルファスシリコ
7層、8はMoドレイン電極、9はMoソース電極であ
るOソース電極はITO画素電極12および22で形成
される画素電極対に接続されている。またTPTはチツ
化シリコン保機膜10でおおわれているo 13および
23は構造式 においてRがn−C5Httである2色性色累rND−
50JとRがn−CgHlgである2色性色素rND−
55Jと全液晶物質ZLI−1840(メルク社)に対
してそれぞれ0.6%および0.9%添加した液晶であ
る。両側の基板1,3の内面にはそれぞれ全面にITO
共通電極14および15が形成されてお9、これらは外
部で電気的に接続されている◎なお、それぞれの基板の
液晶と接する面には通常の平行配向処理を施しであるが
、図では繁雑となるので省略した0平行配向処理の方向
は図において液晶130両面では紙面向上下方向であり
、液晶230両面では紙面に垂直方向である。また、図
の3枚の基板はスペーサー粒子を含む接着剤で周辺を接
着固定されており、液晶13および230層厚はスペー
サー粒子の効果によって、ともに約lOμmに保持され
ている。
き2層の画素間に奥行が生じて表示面を斜め方向から見
た場合に画素のずれが生じて画質の低下を招く結果とな
る。それにも増して問題となるのは製造コストであシ、
単純には通常のLCDの2倍となる口%にスイッチング
素子を積層した(4) LCDの場合には通常の1層構造においてもコスト為が
問題となっておル、スイッチング素子積層LCDの2層
構造セルはコスト面で非実用的なものであった。しかる
に本発明者は低ヨストで製造ができ、かつ高輝度・高コ
ントラストで高画質の表示が可能な成品表示素子を創案
し、本発明に至ったものである0 (発明の目的) 本発明の目的は高輝度高コントラストの表示が可能で大
容量の表示能力をもった低価格の液晶表示素子を提供す
ることにある0 (発明の構成) 本発明の液晶表示素子は2層型ゲスト・ホスト液晶表示
素子を構成する3枚の実極基板のうちの中、開基板の両
側に設けた画素電極群を、該中間基板の表裏においてl
対lで接続して画素電極対の5)Ftl−形成し、かつ
各画素電極対に各1個のスイッチング素子を取付けて、
該スイッチング素子によって前記各画素電極対に印加さ
れる電位を制御することによ如液晶を動作させる点に特
徴がある口(実施例) 次に図面を参照して本発明の詳細な説明する0図は本発
明の液晶表示素子の一実施例の断面を示す図である。1
,2.3はそれぞれ2上型GH液晶表示素子を構成する
電極カラス基板であゆ、中間基板2の両側にはそれぞれ
酸化インジウム(ITO)で形成された画素電極12の
1群および画素電極2201群が形成されている。これ
らの画素電極は中間基板2に形成されたスルーホール4
e通じてl対lで電気的に接続されて画素電極対を形成
している。このスルーホールに中間基板2としてコーニ
ング社の感光性ガラス「フォトフオーム」ヲ用イエッチ
ングによって形成したO各画素am対には各1個のスイ
ッチング素子が取付けられている0図の実施例において
はスイッチング素子はアモルファスシリコンTPTでお
り、以下のように構成されている。5はMoゲート電極
、6はチツ化シリコン絶縁膜、7はアモルファスシリコ
7層、8はMoドレイン電極、9はMoソース電極であ
るOソース電極はITO画素電極12および22で形成
される画素電極対に接続されている。またTPTはチツ
化シリコン保機膜10でおおわれているo 13および
23は構造式 においてRがn−C5Httである2色性色累rND−
50JとRがn−CgHlgである2色性色素rND−
55Jと全液晶物質ZLI−1840(メルク社)に対
してそれぞれ0.6%および0.9%添加した液晶であ
る。両側の基板1,3の内面にはそれぞれ全面にITO
共通電極14および15が形成されてお9、これらは外
部で電気的に接続されている◎なお、それぞれの基板の
液晶と接する面には通常の平行配向処理を施しであるが
、図では繁雑となるので省略した0平行配向処理の方向
は図において液晶130両面では紙面向上下方向であり
、液晶230両面では紙面に垂直方向である。また、図
の3枚の基板はスペーサー粒子を含む接着剤で周辺を接
着固定されており、液晶13および230層厚はスペー
サー粒子の効果によって、ともに約lOμmに保持され
ている。
(発明の作用効果)
以下に1図の実施例の液晶表示素子の動作を説明する。
まず図の14および】5の共通電極は共にσVの電位に
保ち、8のドレイン電極には画像に応じて25Vまkは
θ■の電圧上印加する。次に5のゲート電極に周期的に
30Vのパルス電圧を印加すると、電圧パルスが印加さ
れている間だけアモルファスシリコンTFTけオン状態
となり、ドレイン電極に25Vの電圧が印加されて(へ
る場合は9のソース電&を通じて画素電極12および2
2に25Vの電位が発生し、共通′f4L極14と画素
it極12との間および共通を極15と画素電極22と
の間にそれぞれ25Vの電位差が生じる。
保ち、8のドレイン電極には画像に応じて25Vまkは
θ■の電圧上印加する。次に5のゲート電極に周期的に
30Vのパルス電圧を印加すると、電圧パルスが印加さ
れている間だけアモルファスシリコンTFTけオン状態
となり、ドレイン電極に25Vの電圧が印加されて(へ
る場合は9のソース電&を通じて画素電極12および2
2に25Vの電位が発生し、共通′f4L極14と画素
it極12との間および共通を極15と画素電極22と
の間にそれぞれ25Vの電位差が生じる。
この結果、画素i1.極12および22に対応する部分
の液晶はrオン状態」となる。一方、アモルファスシリ
コンT P Tがオン状態にあってもドレイン電極の印
加電圧がθ■の場合には共通電極14と画素電極12と
の間および共通を極15と画素電極22との間にはいず
れも電位差は生じず、液晶は「オフ状態」となる。この
ように画像に応じて液晶のFオン状態」と「オフ状態」
を作シ出すことができる。今はゲート電極にパルス電圧
が印加されている間について述べたが、次の周期でパル
ス電圧が印加されるまでの間も、画素電極と共通電極ト
の間の電位差はアモルファスシリコンTIi’Tおよび
液晶で形成される放電回路の時定数が充分に大きいため
に保持され、従って液晶のrオン状態」(および「オフ
状態」)は保持される。すなわち、ゲート電極アレイを
時分割走査し、ドレイン電極プレイに並列に画像信号を
印加することによってゲート電極アレイおよびドレイン
電極アレイによるマトリクス電極構成で大容量のドツト
マトリクス表示が可能となる。ここで液晶の「オフ状態
」においては、23の液晶に含まれる2色性色素は紙面
と垂直方向に配向し、この方向に偏波面をもつ直線偏光
の特定波長域を吸収する0同様に13の液晶に含まれる
2色性色素は紙面内で上下方向に配向し、この方向に偏
波面をもつ直線偏光の特定波長域を吸収する0この特定
波長域は2色性色素の吸収スペクトルによって次まるも
のであり、本実施例において社吸収される主波長は61
0 nmである口すなわち、液晶の「オフ状態」におい
ては入射光の直交する2つの偏光成分Vこついて共に6
10nmk中心とする波長域が吸収されるために、液晶
が「オフ状態」にある画素電極対、 領域は青色にみえ
る。一方、液晶の「オン状態j′ においては23およ
び13の液晶に含まれる2色性色素は共に画素電極面に
ほぼ垂直の方向に配向、、シ、はとんど入射光を吸収し
なくなる。従って、液晶がFオン状態」にある画素電極
対領域は入射光がほぼそのまま透過する0このように、
本実施例の液晶表示素子においては、偏光板を用いなく
ても「オフ状態」の画素は充分に着色して見え、rオン
状態」の画素は入射光がほとんどそのまま透過するので
極めて高輝度で高コントラストの表示が得られるΩ本実
施例の液晶表示素子においては背後から1500ニツト
の輝度を有する螢光灯で一照明しyc場合、rオン状態
」の画素で960ニツト、「オフ状態」の画素で27二
ツトの輝度となった0すなわち、本実施例の液晶表示素
子においては960ニツトという高輝度、約35:1と
いう高コントラストの表示が可能であシ、また中間基板
2は9.1 mmと極めて薄いために表示面を斜方から
見ても画素電極対がずれて見えることもなく極めて高画
質の表示が得られる0更に、スイッチング素子を積層し
た表示素子においてコストの大部分を占めるスイッチン
グ素子の製造プロセスも、1個のスイッチング素子で1
対の画素電極を駆動する構造である九めにスイッチング
素子を基板の両面に付ける等の必要がなく、はとんど従
来構造のスイッチング素子積層型表示素子と変わシなく
、従って低コストで製造することができる0比較のため
に、従来構造のTN型液晶表示素子および1層構造のG
H型液晶表示素子を本実施例と同様に1500=ツトの
螢光灯で照明したところ、TN型で輝度460ニツト、
コントラスト約30:1(オン画素460ニツト、オフ
画素15ニツト>、GH型で輝度620ニツト、コント
2スト約10:1(オン画素620ニツト、オフ画素6
0ニツト)であったO 以上述べたように、本発明によれば高輝度・高コントラ
ストで高画質の表示が可能で、大容量の表示能力をもっ
た液晶表示素子が低価格で得られるO
の液晶はrオン状態」となる。一方、アモルファスシリ
コンT P Tがオン状態にあってもドレイン電極の印
加電圧がθ■の場合には共通電極14と画素電極12と
の間および共通を極15と画素電極22との間にはいず
れも電位差は生じず、液晶は「オフ状態」となる。この
ように画像に応じて液晶のFオン状態」と「オフ状態」
を作シ出すことができる。今はゲート電極にパルス電圧
が印加されている間について述べたが、次の周期でパル
ス電圧が印加されるまでの間も、画素電極と共通電極ト
の間の電位差はアモルファスシリコンTIi’Tおよび
液晶で形成される放電回路の時定数が充分に大きいため
に保持され、従って液晶のrオン状態」(および「オフ
状態」)は保持される。すなわち、ゲート電極アレイを
時分割走査し、ドレイン電極プレイに並列に画像信号を
印加することによってゲート電極アレイおよびドレイン
電極アレイによるマトリクス電極構成で大容量のドツト
マトリクス表示が可能となる。ここで液晶の「オフ状態
」においては、23の液晶に含まれる2色性色素は紙面
と垂直方向に配向し、この方向に偏波面をもつ直線偏光
の特定波長域を吸収する0同様に13の液晶に含まれる
2色性色素は紙面内で上下方向に配向し、この方向に偏
波面をもつ直線偏光の特定波長域を吸収する0この特定
波長域は2色性色素の吸収スペクトルによって次まるも
のであり、本実施例において社吸収される主波長は61
0 nmである口すなわち、液晶の「オフ状態」におい
ては入射光の直交する2つの偏光成分Vこついて共に6
10nmk中心とする波長域が吸収されるために、液晶
が「オフ状態」にある画素電極対、 領域は青色にみえ
る。一方、液晶の「オン状態j′ においては23およ
び13の液晶に含まれる2色性色素は共に画素電極面に
ほぼ垂直の方向に配向、、シ、はとんど入射光を吸収し
なくなる。従って、液晶がFオン状態」にある画素電極
対領域は入射光がほぼそのまま透過する0このように、
本実施例の液晶表示素子においては、偏光板を用いなく
ても「オフ状態」の画素は充分に着色して見え、rオン
状態」の画素は入射光がほとんどそのまま透過するので
極めて高輝度で高コントラストの表示が得られるΩ本実
施例の液晶表示素子においては背後から1500ニツト
の輝度を有する螢光灯で一照明しyc場合、rオン状態
」の画素で960ニツト、「オフ状態」の画素で27二
ツトの輝度となった0すなわち、本実施例の液晶表示素
子においては960ニツトという高輝度、約35:1と
いう高コントラストの表示が可能であシ、また中間基板
2は9.1 mmと極めて薄いために表示面を斜方から
見ても画素電極対がずれて見えることもなく極めて高画
質の表示が得られる0更に、スイッチング素子を積層し
た表示素子においてコストの大部分を占めるスイッチン
グ素子の製造プロセスも、1個のスイッチング素子で1
対の画素電極を駆動する構造である九めにスイッチング
素子を基板の両面に付ける等の必要がなく、はとんど従
来構造のスイッチング素子積層型表示素子と変わシなく
、従って低コストで製造することができる0比較のため
に、従来構造のTN型液晶表示素子および1層構造のG
H型液晶表示素子を本実施例と同様に1500=ツトの
螢光灯で照明したところ、TN型で輝度460ニツト、
コントラスト約30:1(オン画素460ニツト、オフ
画素15ニツト>、GH型で輝度620ニツト、コント
2スト約10:1(オン画素620ニツト、オフ画素6
0ニツト)であったO 以上述べたように、本発明によれば高輝度・高コントラ
ストで高画質の表示が可能で、大容量の表示能力をもっ
た液晶表示素子が低価格で得られるO
図は本発明の一実施例の構造を示す断面図であ夛、1.
2.3はガラス基板、12,22は画素m極、4は一対
の画素電極を電気的に接続したスルーホール、5はスイ
ッチング素子のゲート電極、6は絶縁膜、7はアモルフ
ァスシリコン層、8はドレイン電極、9はソース電極、
10は保護膜、13.23)よ2色・跣色素を含む液晶
、14.15は共通電極であるQ 1 2 − 一/′ 一一〜y −\−1−′ 1、I′ 一/′ /−1〇 9 7 8
2.3はガラス基板、12,22は画素m極、4は一対
の画素電極を電気的に接続したスルーホール、5はスイ
ッチング素子のゲート電極、6は絶縁膜、7はアモルフ
ァスシリコン層、8はドレイン電極、9はソース電極、
10は保護膜、13.23)よ2色・跣色素を含む液晶
、14.15は共通電極であるQ 1 2 − 一/′ 一一〜y −\−1−′ 1、I′ 一/′ /−1〇 9 7 8
Claims (1)
- 2層型ゲスト−ホスト液晶表示・素子を構成した3枚の
電極基板のうちの中間基板の両側に設けた画素電極群を
、該中間基板の表裏においてl対lで接続して画素電極
対の群を形成し、かつ各画素電極対に各1個のスイッチ
ング素子を取付けたことt−特徴とする液晶表示素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59029727A JPS60173520A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59029727A JPS60173520A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60173520A true JPS60173520A (ja) | 1985-09-06 |
Family
ID=12284131
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59029727A Pending JPS60173520A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60173520A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0466497A2 (en) * | 1990-07-12 | 1992-01-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display |
US5625474A (en) * | 1995-06-02 | 1997-04-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Full-color liquid crystal display device and fabrication process therefor |
EP0981066A1 (de) * | 1998-08-20 | 2000-02-23 | Gretag Imaging Ag | Lichtdichtesteuerung mittels LCD-Einrichtung |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60163018A (ja) * | 1984-02-03 | 1985-08-24 | Nec Corp | カラ−液晶表示素子 |
JPS60165619A (ja) * | 1984-02-08 | 1985-08-28 | Nec Corp | カラ−液晶表示素子 |
-
1984
- 1984-02-20 JP JP59029727A patent/JPS60173520A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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