JPS60173520A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPS60173520A JPS60173520A JP59029727A JP2972784A JPS60173520A JP S60173520 A JPS60173520 A JP S60173520A JP 59029727 A JP59029727 A JP 59029727A JP 2972784 A JP2972784 A JP 2972784A JP S60173520 A JPS60173520 A JP S60173520A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1347—Arrangement of liquid crystal layers or cells in which the final condition of one light beam is achieved by the addition of the effects of two or more layers or cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/42—Arrangements for providing conduction through an insulating substrate
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- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は高輝度高コントラストの表示が可能で大容量の
表示能力をもった低価格の液晶表示素子に関する。
表示能力をもった低価格の液晶表示素子に関する。
（従来技術）
グラフィックやキャラクタ−の表示を行なうディスプレ
イ装置は特にオフィスオートメーシ曹ンや各種コンビエ
ータシステムにおける表示装置として大きな需要がある
。そして、これらの表示装置に対しては、特に表示の大
容量化が望まれている。これまでのところ、このような
要望に答え′得るディスプレイ装置として、カソードレ
イチェープ（ＣＲＴ）が一般に用゛いられている０しか
しながらＣＲＴは装置体積が大きく、重い、また画面の
ちらつきのために眼性疲労が激しい等の欠点も多く、こ
れらの欠点のない新規な方式の薄型ディスプレイパネル
の出現が熱望されている０このような目的で開発が進め
られているのがプラズマディスプレイパネル（ＦＤＰ）
、エレクトロルミネセンス（ＥＬ）／＜ネル、液晶ディ
スプレイ（ＬＣＤ）パネル等であるが、いずれも性能的
に未だ不充分であ、９．ＣＲ’ｌ’に置き替わるに至□
っていない０これらの新規な方式の薄型ディスプレイ−
くネルの中で特に注目を集めているのがＬＣＤであΣｉ
従来方式のＬＣＤ技術については例えば工業調査会列「
液晶の最新技術」松本正−１角田市良共著）に詳しい口
しかしガから、 ＬＣＤにお”いては未だ表示の高輝度
、高コントラストの両立という点で不充分であるのが現
状である０すなわち、現在主流となっているＬＣＤには
ツイストネマチック（ＴＮ）モードとゲストホス）（Ｇ
Ｈ）モードとがあるが、ＴＮモードを用いる場合にはコ
ントラストは比較的良好であるが輝度の点で不充分であ
る。これはＴＮモードの場合には２枚の直線偏光板を挿
入する必要があシ、このために周囲光あるいは照明用光
源の光の利用率が通常約３５チに低下することによる亀
のである〇一方、ＧＨモードを用いる場合には輝度の点
ではＴＮモードを用いる場合よシも勝るが一般にコント
ラストが著しく低下する０これはＧＨモードで用いられ
る２色性色素の２色比が充分に大きくないことが主因で
あるｏＧＨモードにも幾つかの方式があり、２上型ＱＨ
モードと呼ばれる方式においては輝度をあまシ低下させ
ずにコントラストを向上させることができる。２上型Ｇ
Ｈモードとは平行配向したネマチック液晶ＧＨセル２枚
をその配向方向が互いに直交するように重ねあわせた構
造のものである。従って、２上型ＧＨモードを用（３） いれば高輝度・高コントラストの表示が可能となる。し
かしながら、ＧＨモードは時分割特性が悪く、表示の大
容量化の点では極めて劣っている。
イ装置は特にオフィスオートメーシ曹ンや各種コンビエ
ータシステムにおける表示装置として大きな需要がある
。そして、これらの表示装置に対しては、特に表示の大
容量化が望まれている。これまでのところ、このような
要望に答え′得るディスプレイ装置として、カソードレ
イチェープ（ＣＲＴ）が一般に用゛いられている０しか
しながらＣＲＴは装置体積が大きく、重い、また画面の
ちらつきのために眼性疲労が激しい等の欠点も多く、こ
れらの欠点のない新規な方式の薄型ディスプレイパネル
の出現が熱望されている０このような目的で開発が進め
られているのがプラズマディスプレイパネル（ＦＤＰ）
、エレクトロルミネセンス（ＥＬ）／＜ネル、液晶ディ
スプレイ（ＬＣＤ）パネル等であるが、いずれも性能的
に未だ不充分であ、９．ＣＲ’ｌ’に置き替わるに至□
っていない０これらの新規な方式の薄型ディスプレイ−
くネルの中で特に注目を集めているのがＬＣＤであΣｉ
従来方式のＬＣＤ技術については例えば工業調査会列「
液晶の最新技術」松本正−１角田市良共著）に詳しい口
しかしガから、 ＬＣＤにお”いては未だ表示の高輝度
、高コントラストの両立という点で不充分であるのが現
状である０すなわち、現在主流となっているＬＣＤには
ツイストネマチック（ＴＮ）モードとゲストホス）（Ｇ
Ｈ）モードとがあるが、ＴＮモードを用いる場合にはコ
ントラストは比較的良好であるが輝度の点で不充分であ
る。これはＴＮモードの場合には２枚の直線偏光板を挿
入する必要があシ、このために周囲光あるいは照明用光
源の光の利用率が通常約３５チに低下することによる亀
のである〇一方、ＧＨモードを用いる場合には輝度の点
ではＴＮモードを用いる場合よシも勝るが一般にコント
ラストが著しく低下する０これはＧＨモードで用いられ
る２色性色素の２色比が充分に大きくないことが主因で
あるｏＧＨモードにも幾つかの方式があり、２上型ＱＨ
モードと呼ばれる方式においては輝度をあまシ低下させ
ずにコントラストを向上させることができる。２上型Ｇ
Ｈモードとは平行配向したネマチック液晶ＧＨセル２枚
をその配向方向が互いに直交するように重ねあわせた構
造のものである。従って、２上型ＧＨモードを用（３） いれば高輝度・高コントラストの表示が可能となる。し
かしながら、ＧＨモードは時分割特性が悪く、表示の大
容量化の点では極めて劣っている。
一方で、ＴＮモードにもＧＨモードにも共通して表示の
大容量化を実現する方法としてアクティブマトリクス方
式と呼ばれる方法が開発されている。
大容量化を実現する方法としてアクティブマトリクス方
式と呼ばれる方法が開発されている。
これは各表示画素にスイッチング素子を積層してスイッ
チング素子によって液晶を駆動する方法である。スイッ
チング素子としては多結晶シリコン、アモルファスシリ
コン、テルル等の薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）等が用い
られている０従って、ＧＨモードＬＣＤの各表示画素に
スイッチング素子を積層した構造のセルを２枚用いれば
高輝度高コントラストで大容量の表示素子が得られるこ
とになる。
チング素子によって液晶を駆動する方法である。スイッ
チング素子としては多結晶シリコン、アモルファスシリ
コン、テルル等の薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）等が用い
られている０従って、ＧＨモードＬＣＤの各表示画素に
スイッチング素子を積層した構造のセルを２枚用いれば
高輝度高コントラストで大容量の表示素子が得られるこ
とになる。
しかしながら単に２枚のセルを重ねた構造では重なるべ
き２層の画素間に奥行が生じて表示面を斜め方向から見
た場合に画素のずれが生じて画質の低下を招く結果とな
る。それにも増して問題となるのは製造コストであシ、
単純には通常のＬＣＤの２倍となる口％にスイッチング
素子を積層した（４） ＬＣＤの場合には通常の１層構造においてもコスト為が
問題となっておル、スイッチング素子積層ＬＣＤの２層
構造セルはコスト面で非実用的なものであった。しかる
に本発明者は低ヨストで製造ができ、かつ高輝度・高コ
ントラストで高画質の表示が可能な成品表示素子を創案
し、本発明に至ったものである０ （発明の目的） 本発明の目的は高輝度高コントラストの表示が可能で大
容量の表示能力をもった低価格の液晶表示素子を提供す
ることにある０ （発明の構成） 本発明の液晶表示素子は２層型ゲスト・ホスト液晶表示
素子を構成する３枚の実極基板のうちの中、開基板の両
側に設けた画素電極群を、該中間基板の表裏においてｌ
対ｌで接続して画素電極対の５）Ｆｔｌ−形成し、かつ
各画素電極対に各１個のスイッチング素子を取付けて、
該スイッチング素子によって前記各画素電極対に印加さ
れる電位を制御することによ如液晶を動作させる点に特
徴がある口（実施例） 次に図面を参照して本発明の詳細な説明する０図は本発
明の液晶表示素子の一実施例の断面を示す図である。１
，２．３はそれぞれ２上型ＧＨ液晶表示素子を構成する
電極カラス基板であゆ、中間基板２の両側にはそれぞれ
酸化インジウム（ＩＴＯ）で形成された画素電極１２の
１群および画素電極２２０１群が形成されている。これ
らの画素電極は中間基板２に形成されたスルーホール４
ｅ通じてｌ対ｌで電気的に接続されて画素電極対を形成
している。このスルーホールに中間基板２としてコーニ
ング社の感光性ガラス「フォトフオーム」ヲ用イエッチ
ングによって形成したＯ各画素ａｍ対には各１個のスイ
ッチング素子が取付けられている０図の実施例において
はスイッチング素子はアモルファスシリコンＴＰＴでお
り、以下のように構成されている。５はＭｏゲート電極
、６はチツ化シリコン絶縁膜、７はアモルファスシリコ
７層、８はＭｏドレイン電極、９はＭｏソース電極であ
るＯソース電極はＩＴＯ画素電極１２および２２で形成
される画素電極対に接続されている。またＴＰＴはチツ
化シリコン保機膜１０でおおわれているｏ １３および
２３は構造式 においてＲがｎ−Ｃ５Ｈｔｔである２色性色累ｒＮＤ−
５０ＪとＲがｎ−ＣｇＨｌｇである２色性色素ｒＮＤ−
５５Ｊと全液晶物質ＺＬＩ−１８４０（メルク社）に対
してそれぞれ０．６％および０．９％添加した液晶であ
る。両側の基板１，３の内面にはそれぞれ全面にＩＴＯ
共通電極１４および１５が形成されてお９、これらは外
部で電気的に接続されている◎なお、それぞれの基板の
液晶と接する面には通常の平行配向処理を施しであるが
、図では繁雑となるので省略した０平行配向処理の方向
は図において液晶１３０両面では紙面向上下方向であり
、液晶２３０両面では紙面に垂直方向である。また、図
の３枚の基板はスペーサー粒子を含む接着剤で周辺を接
着固定されており、液晶１３および２３０層厚はスペー
サー粒子の効果によって、ともに約ｌＯμｍに保持され
ている。
き２層の画素間に奥行が生じて表示面を斜め方向から見
た場合に画素のずれが生じて画質の低下を招く結果とな
る。それにも増して問題となるのは製造コストであシ、
単純には通常のＬＣＤの２倍となる口％にスイッチング
素子を積層した（４） ＬＣＤの場合には通常の１層構造においてもコスト為が
問題となっておル、スイッチング素子積層ＬＣＤの２層
構造セルはコスト面で非実用的なものであった。しかる
に本発明者は低ヨストで製造ができ、かつ高輝度・高コ
ントラストで高画質の表示が可能な成品表示素子を創案
し、本発明に至ったものである０ （発明の目的） 本発明の目的は高輝度高コントラストの表示が可能で大
容量の表示能力をもった低価格の液晶表示素子を提供す
ることにある０ （発明の構成） 本発明の液晶表示素子は２層型ゲスト・ホスト液晶表示
素子を構成する３枚の実極基板のうちの中、開基板の両
側に設けた画素電極群を、該中間基板の表裏においてｌ
対ｌで接続して画素電極対の５）Ｆｔｌ−形成し、かつ
各画素電極対に各１個のスイッチング素子を取付けて、
該スイッチング素子によって前記各画素電極対に印加さ
れる電位を制御することによ如液晶を動作させる点に特
徴がある口（実施例） 次に図面を参照して本発明の詳細な説明する０図は本発
明の液晶表示素子の一実施例の断面を示す図である。１
，２．３はそれぞれ２上型ＧＨ液晶表示素子を構成する
電極カラス基板であゆ、中間基板２の両側にはそれぞれ
酸化インジウム（ＩＴＯ）で形成された画素電極１２の
１群および画素電極２２０１群が形成されている。これ
らの画素電極は中間基板２に形成されたスルーホール４
ｅ通じてｌ対ｌで電気的に接続されて画素電極対を形成
している。このスルーホールに中間基板２としてコーニ
ング社の感光性ガラス「フォトフオーム」ヲ用イエッチ
ングによって形成したＯ各画素ａｍ対には各１個のスイ
ッチング素子が取付けられている０図の実施例において
はスイッチング素子はアモルファスシリコンＴＰＴでお
り、以下のように構成されている。５はＭｏゲート電極
、６はチツ化シリコン絶縁膜、７はアモルファスシリコ
７層、８はＭｏドレイン電極、９はＭｏソース電極であ
るＯソース電極はＩＴＯ画素電極１２および２２で形成
される画素電極対に接続されている。またＴＰＴはチツ
化シリコン保機膜１０でおおわれているｏ １３および
２３は構造式 においてＲがｎ−Ｃ５Ｈｔｔである２色性色累ｒＮＤ−
５０ＪとＲがｎ−ＣｇＨｌｇである２色性色素ｒＮＤ−
５５Ｊと全液晶物質ＺＬＩ−１８４０（メルク社）に対
してそれぞれ０．６％および０．９％添加した液晶であ
る。両側の基板１，３の内面にはそれぞれ全面にＩＴＯ
共通電極１４および１５が形成されてお９、これらは外
部で電気的に接続されている◎なお、それぞれの基板の
液晶と接する面には通常の平行配向処理を施しであるが
、図では繁雑となるので省略した０平行配向処理の方向
は図において液晶１３０両面では紙面向上下方向であり
、液晶２３０両面では紙面に垂直方向である。また、図
の３枚の基板はスペーサー粒子を含む接着剤で周辺を接
着固定されており、液晶１３および２３０層厚はスペー
サー粒子の効果によって、ともに約ｌＯμｍに保持され
ている。
（発明の作用効果）
以下に１図の実施例の液晶表示素子の動作を説明する。
まず図の１４および】５の共通電極は共にσＶの電位に
保ち、８のドレイン電極には画像に応じて２５Ｖまｋは
θ■の電圧上印加する。次に５のゲート電極に周期的に
３０Ｖのパルス電圧を印加すると、電圧パルスが印加さ
れている間だけアモルファスシリコンＴＦＴけオン状態
となり、ドレイン電極に２５Ｖの電圧が印加されて（へ
る場合は９のソース電＆を通じて画素電極１２および２
２に２５Ｖの電位が発生し、共通′ｆ４Ｌ極１４と画素
ｉｔ極１２との間および共通を極１５と画素電極２２と
の間にそれぞれ２５Ｖの電位差が生じる。
保ち、８のドレイン電極には画像に応じて２５Ｖまｋは
θ■の電圧上印加する。次に５のゲート電極に周期的に
３０Ｖのパルス電圧を印加すると、電圧パルスが印加さ
れている間だけアモルファスシリコンＴＦＴけオン状態
となり、ドレイン電極に２５Ｖの電圧が印加されて（へ
る場合は９のソース電＆を通じて画素電極１２および２
２に２５Ｖの電位が発生し、共通′ｆ４Ｌ極１４と画素
ｉｔ極１２との間および共通を極１５と画素電極２２と
の間にそれぞれ２５Ｖの電位差が生じる。
この結果、画素ｉ１．極１２および２２に対応する部分
の液晶はｒオン状態」となる。一方、アモルファスシリ
コンＴ Ｐ Ｔがオン状態にあってもドレイン電極の印
加電圧がθ■の場合には共通電極１４と画素電極１２と
の間および共通を極１５と画素電極２２との間にはいず
れも電位差は生じず、液晶は「オフ状態」となる。この
ように画像に応じて液晶のＦオン状態」と「オフ状態」
を作シ出すことができる。今はゲート電極にパルス電圧
が印加されている間について述べたが、次の周期でパル
ス電圧が印加されるまでの間も、画素電極と共通電極ト
の間の電位差はアモルファスシリコンＴＩｉ’Ｔおよび
液晶で形成される放電回路の時定数が充分に大きいため
に保持され、従って液晶のｒオン状態」（および「オフ
状態」）は保持される。すなわち、ゲート電極アレイを
時分割走査し、ドレイン電極プレイに並列に画像信号を
印加することによってゲート電極アレイおよびドレイン
電極アレイによるマトリクス電極構成で大容量のドツト
マトリクス表示が可能となる。ここで液晶の「オフ状態
」においては、２３の液晶に含まれる２色性色素は紙面
と垂直方向に配向し、この方向に偏波面をもつ直線偏光
の特定波長域を吸収する０同様に１３の液晶に含まれる
２色性色素は紙面内で上下方向に配向し、この方向に偏
波面をもつ直線偏光の特定波長域を吸収する０この特定
波長域は２色性色素の吸収スペクトルによって次まるも
のであり、本実施例において社吸収される主波長は６１
０ ｎｍである口すなわち、液晶の「オフ状態」におい
ては入射光の直交する２つの偏光成分Ｖこついて共に６
１０ｎｍｋ中心とする波長域が吸収されるために、液晶
が「オフ状態」にある画素電極対、 領域は青色にみえ
る。一方、液晶の「オン状態ｊ′ においては２３およ
び１３の液晶に含まれる２色性色素は共に画素電極面に
ほぼ垂直の方向に配向、、シ、はとんど入射光を吸収し
なくなる。従って、液晶がＦオン状態」にある画素電極
対領域は入射光がほぼそのまま透過する０このように、
本実施例の液晶表示素子においては、偏光板を用いなく
ても「オフ状態」の画素は充分に着色して見え、ｒオン
状態」の画素は入射光がほとんどそのまま透過するので
極めて高輝度で高コントラストの表示が得られるΩ本実
施例の液晶表示素子においては背後から１５００ニツト
の輝度を有する螢光灯で一照明しｙｃ場合、ｒオン状態
」の画素で９６０ニツト、「オフ状態」の画素で２７二
ツトの輝度となった０すなわち、本実施例の液晶表示素
子においては９６０ニツトという高輝度、約３５：１と
いう高コントラストの表示が可能であシ、また中間基板
２は９．１ ｍｍと極めて薄いために表示面を斜方から
見ても画素電極対がずれて見えることもなく極めて高画
質の表示が得られる０更に、スイッチング素子を積層し
た表示素子においてコストの大部分を占めるスイッチン
グ素子の製造プロセスも、１個のスイッチング素子で１
対の画素電極を駆動する構造である九めにスイッチング
素子を基板の両面に付ける等の必要がなく、はとんど従
来構造のスイッチング素子積層型表示素子と変わシなく
、従って低コストで製造することができる０比較のため
に、従来構造のＴＮ型液晶表示素子および１層構造のＧ
Ｈ型液晶表示素子を本実施例と同様に１５００＝ツトの
螢光灯で照明したところ、ＴＮ型で輝度４６０ニツト、
コントラスト約３０：１（オン画素４６０ニツト、オフ
画素１５ニツト＞、ＧＨ型で輝度６２０ニツト、コント
２スト約１０：１（オン画素６２０ニツト、オフ画素６
０ニツト）であったＯ 以上述べたように、本発明によれば高輝度・高コントラ
ストで高画質の表示が可能で、大容量の表示能力をもっ
た液晶表示素子が低価格で得られるＯ
の液晶はｒオン状態」となる。一方、アモルファスシリ
コンＴ Ｐ Ｔがオン状態にあってもドレイン電極の印
加電圧がθ■の場合には共通電極１４と画素電極１２と
の間および共通を極１５と画素電極２２との間にはいず
れも電位差は生じず、液晶は「オフ状態」となる。この
ように画像に応じて液晶のＦオン状態」と「オフ状態」
を作シ出すことができる。今はゲート電極にパルス電圧
が印加されている間について述べたが、次の周期でパル
ス電圧が印加されるまでの間も、画素電極と共通電極ト
の間の電位差はアモルファスシリコンＴＩｉ’Ｔおよび
液晶で形成される放電回路の時定数が充分に大きいため
に保持され、従って液晶のｒオン状態」（および「オフ
状態」）は保持される。すなわち、ゲート電極アレイを
時分割走査し、ドレイン電極プレイに並列に画像信号を
印加することによってゲート電極アレイおよびドレイン
電極アレイによるマトリクス電極構成で大容量のドツト
マトリクス表示が可能となる。ここで液晶の「オフ状態
」においては、２３の液晶に含まれる２色性色素は紙面
と垂直方向に配向し、この方向に偏波面をもつ直線偏光
の特定波長域を吸収する０同様に１３の液晶に含まれる
２色性色素は紙面内で上下方向に配向し、この方向に偏
波面をもつ直線偏光の特定波長域を吸収する０この特定
波長域は２色性色素の吸収スペクトルによって次まるも
のであり、本実施例において社吸収される主波長は６１
０ ｎｍである口すなわち、液晶の「オフ状態」におい
ては入射光の直交する２つの偏光成分Ｖこついて共に６
１０ｎｍｋ中心とする波長域が吸収されるために、液晶
が「オフ状態」にある画素電極対、 領域は青色にみえ
る。一方、液晶の「オン状態ｊ′ においては２３およ
び１３の液晶に含まれる２色性色素は共に画素電極面に
ほぼ垂直の方向に配向、、シ、はとんど入射光を吸収し
なくなる。従って、液晶がＦオン状態」にある画素電極
対領域は入射光がほぼそのまま透過する０このように、
本実施例の液晶表示素子においては、偏光板を用いなく
ても「オフ状態」の画素は充分に着色して見え、ｒオン
状態」の画素は入射光がほとんどそのまま透過するので
極めて高輝度で高コントラストの表示が得られるΩ本実
施例の液晶表示素子においては背後から１５００ニツト
の輝度を有する螢光灯で一照明しｙｃ場合、ｒオン状態
」の画素で９６０ニツト、「オフ状態」の画素で２７二
ツトの輝度となった０すなわち、本実施例の液晶表示素
子においては９６０ニツトという高輝度、約３５：１と
いう高コントラストの表示が可能であシ、また中間基板
２は９．１ ｍｍと極めて薄いために表示面を斜方から
見ても画素電極対がずれて見えることもなく極めて高画
質の表示が得られる０更に、スイッチング素子を積層し
た表示素子においてコストの大部分を占めるスイッチン
グ素子の製造プロセスも、１個のスイッチング素子で１
対の画素電極を駆動する構造である九めにスイッチング
素子を基板の両面に付ける等の必要がなく、はとんど従
来構造のスイッチング素子積層型表示素子と変わシなく
、従って低コストで製造することができる０比較のため
に、従来構造のＴＮ型液晶表示素子および１層構造のＧ
Ｈ型液晶表示素子を本実施例と同様に１５００＝ツトの
螢光灯で照明したところ、ＴＮ型で輝度４６０ニツト、
コントラスト約３０：１（オン画素４６０ニツト、オフ
画素１５ニツト＞、ＧＨ型で輝度６２０ニツト、コント
２スト約１０：１（オン画素６２０ニツト、オフ画素６
０ニツト）であったＯ 以上述べたように、本発明によれば高輝度・高コントラ
ストで高画質の表示が可能で、大容量の表示能力をもっ
た液晶表示素子が低価格で得られるＯ
図は本発明の一実施例の構造を示す断面図であ夛、１．
２．３はガラス基板、１２，２２は画素ｍ極、４は一対
の画素電極を電気的に接続したスルーホール、５はスイ
ッチング素子のゲート電極、６は絶縁膜、７はアモルフ
ァスシリコン層、８はドレイン電極、９はソース電極、
１０は保護膜、１３．２３）よ２色・跣色素を含む液晶
、１４．１５は共通電極であるＱ １ ２ − 一／′ 一一〜ｙ −＼−１−′ １、Ｉ′ 一／′ ／−１〇 ９ ７ ８
２．３はガラス基板、１２，２２は画素ｍ極、４は一対
の画素電極を電気的に接続したスルーホール、５はスイ
ッチング素子のゲート電極、６は絶縁膜、７はアモルフ
ァスシリコン層、８はドレイン電極、９はソース電極、
１０は保護膜、１３．２３）よ２色・跣色素を含む液晶
、１４．１５は共通電極であるＱ １ ２ − 一／′ 一一〜ｙ −＼−１−′ １、Ｉ′ 一／′ ／−１〇 ９ ７ ８
Claims (1)
- ２層型ゲスト−ホスト液晶表示・素子を構成した３枚の
電極基板のうちの中間基板の両側に設けた画素電極群を
、該中間基板の表裏においてｌ対ｌで接続して画素電極
対の群を形成し、かつ各画素電極対に各１個のスイッチ
ング素子を取付けたことｔ−特徴とする液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59029727A JPS60173520A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59029727A JPS60173520A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60173520A true JPS60173520A (ja) | 1985-09-06 |
Family
ID=12284131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59029727A Pending JPS60173520A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60173520A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0466497A2 (en) * | 1990-07-12 | 1992-01-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display |
| US5625474A (en) * | 1995-06-02 | 1997-04-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Full-color liquid crystal display device and fabrication process therefor |
| EP0981066A1 (de) * | 1998-08-20 | 2000-02-23 | Gretag Imaging Ag | Lichtdichtesteuerung mittels LCD-Einrichtung |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60163018A (ja) * | 1984-02-03 | 1985-08-24 | Nec Corp | カラ−液晶表示素子 |
| JPS60165619A (ja) * | 1984-02-08 | 1985-08-28 | Nec Corp | カラ−液晶表示素子 |
-
1984
- 1984-02-20 JP JP59029727A patent/JPS60173520A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60163018A (ja) * | 1984-02-03 | 1985-08-24 | Nec Corp | カラ−液晶表示素子 |
| JPS60165619A (ja) * | 1984-02-08 | 1985-08-28 | Nec Corp | カラ−液晶表示素子 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0466497A2 (en) * | 1990-07-12 | 1992-01-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display |
| US5625474A (en) * | 1995-06-02 | 1997-04-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Full-color liquid crystal display device and fabrication process therefor |
| EP0981066A1 (de) * | 1998-08-20 | 2000-02-23 | Gretag Imaging Ag | Lichtdichtesteuerung mittels LCD-Einrichtung |
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