JPS60165786A - 導電パタ−ンの形成方法 - Google Patents
導電パタ−ンの形成方法Info
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- JPS60165786A JPS60165786A JP59020815A JP2081584A JPS60165786A JP S60165786 A JPS60165786 A JP S60165786A JP 59020815 A JP59020815 A JP 59020815A JP 2081584 A JP2081584 A JP 2081584A JP S60165786 A JPS60165786 A JP S60165786A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、有機高分子材料から成る導電パターンの形成
方法に係り、さら（二詳しくは、ジアセチレン誘導体上
ツマ−を紫外線でパターン状シニ照射して高分子化し、
しかる後ルイス酸をドープして導電性を賦与することを
特長とする導電パターンの形成法Ｃ：関する。
方法に係り、さら（二詳しくは、ジアセチレン誘導体上
ツマ−を紫外線でパターン状シニ照射して高分子化し、
しかる後ルイス酸をドープして導電性を賦与することを
特長とする導電パターンの形成法Ｃ：関する。
ポリアセチレン（二代表される高分子導電体への関心は
急速（二増加しており、これまで多数の共役系高分子材
料が報告されている。
急速（二増加しており、これまで多数の共役系高分子材
料が報告されている。
これらの導電性高分子材料は、他の有機低分子錯体の導
電化合物に比べて、耐久性、耐熱性、加工性に優れてお
り、応用上きわめて有利である。
電化合物に比べて、耐久性、耐熱性、加工性に優れてお
り、応用上きわめて有利である。
これまで既に高分子バッテリー、エレクトロクロミズム
素子への応用展開が知られている。
素子への応用展開が知られている。
これらの高分子材料の伝導率は、種々のルイス酸、ブレ
ンステッド酸をドープすること（二より大幅６二向上し
１０２〜１０’ ８７ｃＲと金属に近い値も既に報告さ
れている。
ンステッド酸をドープすること（二より大幅６二向上し
１０２〜１０’ ８７ｃＲと金属に近い値も既に報告さ
れている。
ポリジアセチン誘導体も高分子導電材料の１つとして精
力的６：検討されているものの１つである。
力的６：検討されているものの１つである。
この高分子材料の特長の１つは、ｒ線、紫外線あるいは
、熱Ｃ：よって重合結晶化が惹起されることである。
、熱Ｃ：よって重合結晶化が惹起されることである。
導電パターン形成材としては、アルミニウム。
金、銅、銀といつ九金属材料が用いられており、これら
の金属を所望パターン状に加工する方法としては、蝕刻
法によるパターン形成を併用するりフトオフ、蒸麿、あ
るいはメッキ技術が採用されている。
の金属を所望パターン状に加工する方法としては、蝕刻
法によるパターン形成を併用するりフトオフ、蒸麿、あ
るいはメッキ技術が採用されている。
ところで、近時、有機材料を用い九種々の機能素子の提
案が活発域二行なわれており、広範な応用を企図して、
有機材料から成る導電パターンの形成法が１袂な要請と
なっている。
案が活発域二行なわれており、広範な応用を企図して、
有機材料から成る導電パターンの形成法が１袂な要請と
なっている。
縄分子材料から成る大面積の導電シートを作成すること
は、それ自体、応用上有意義なことではあるが、他方、
所望のパターン状（＝これら導電性高分子材料１−を設
けることは、有機機能材料の応用展開の面で一層重要な
ことである。加えて、有機高分子材料の加工性、可撓性
といった性質は。
は、それ自体、応用上有意義なことではあるが、他方、
所望のパターン状（＝これら導電性高分子材料１−を設
けることは、有機機能材料の応用展開の面で一層重要な
ことである。加えて、有機高分子材料の加工性、可撓性
といった性質は。
これらの導電部を任意の大きさ、形状（二加工できると
いう可能性を示唆している。
いう可能性を示唆している。
本発明は、高度の可撓性および加工性を有する導電パタ
ーンな容易（二製造しうる方法を提供することを目的と
するものである。
ーンな容易（二製造しうる方法を提供することを目的と
するものである。
本発明は、適当な支持基板上４ユ有損導電材料の１つで
あるジアセチレン誘導体を被覆する工程、所望パターン
を有するマスクを介して該七ツマ一層を紫外線で霧光し
、高分子化する工程、及び適当なルイス酸をドープして
該高分子化層Ｃ１導電性を賦与せしめる工程とを貝、備
することを特徴とする導電パターンの形成法である。
あるジアセチレン誘導体を被覆する工程、所望パターン
を有するマスクを介して該七ツマ一層を紫外線で霧光し
、高分子化する工程、及び適当なルイス酸をドープして
該高分子化層Ｃ１導電性を賦与せしめる工程とを貝、備
することを特徴とする導電パターンの形成法である。
本発明（−おいて使用されるジアセチレン誘導体モノマ
ーは、次の一般式（Ｉ）で表イ）される。
ーは、次の一般式（Ｉ）で表イ）される。
Ｒ−Ｃ三ｃ−ｃＨｃ−ｒｔ （１）
ことで比は
−Ｈ、−ｅＨ，ＯＨ、−（Ｃ）（、）、ＯＨ。
−（ＣＩ、）、 Ｃ’０ＯＮＨＣＨ，ＣＯＯ（ＯＨ，）
、ＣＨ，。
、ＣＨ，。
−（Ｃ１ｌ、 ）４ＣＯＯＮＨＣＨ，（、’００ （Ｃ
）（、）ｓ Ｃ１（、。
）（、）ｓ Ｃ１（、。
などを表わす。
また本発明１；おいて導電性を賦与する丸めＩ′−適用
される電子受容体ルイス酸としては、 Ｉ、、Ｂｒ□Ａ
ｓＦ、 、 ＢＦ、 、 ８ｂ ８． 、 ＰＦ、など
が挙げられる。
される電子受容体ルイス酸としては、 Ｉ、、Ｂｒ□Ａ
ｓＦ、 、 ＢＦ、 、 ８ｂ ８． 、 ＰＦ、など
が挙げられる。
さら（：まえ本発明Ｉ：おいて利用される紫外線照射の
大めの装置としてｄ、紫外線パルスを発生するエキシマ
−レーザーの他、半導体集積回路等固体素子製造に用い
られる超高圧水銀灯、キセノン等を光源とする各種アラ
イナ−が挙げられる。
大めの装置としてｄ、紫外線パルスを発生するエキシマ
−レーザーの他、半導体集積回路等固体素子製造に用い
られる超高圧水銀灯、キセノン等を光源とする各種アラ
イナ−が挙げられる。
本発明の導電パターン形成は、以下のような工程を経て
行表われる。即ち、ジアセチレン誘導体モノマな適当な
溶媒に０．５〜５ｗｔチ溶解する。導電パターンを形成
すべき基板を、この溶解液（＝浸漬する。乾燥した該基
板を適当な紫外線照射装置に所望パターンを有する・フ
ォトマスクを介して設置シ、該七ツマ一層をパルス状に
あるいは連続的（：数μｌへ数±８の間照射し、高分子
化させる。未露当領域を適当な溶媒により溶解除去して
マスクパターンと同じポリジアセチレン層のパターンヲ
形成する。しかる後、ルイス酸を含む溶解液Ｃ１浸し導
電性を賦与せしめて所望のパターンを形成する。
行表われる。即ち、ジアセチレン誘導体モノマな適当な
溶媒に０．５〜５ｗｔチ溶解する。導電パターンを形成
すべき基板を、この溶解液（＝浸漬する。乾燥した該基
板を適当な紫外線照射装置に所望パターンを有する・フ
ォトマスクを介して設置シ、該七ツマ一層をパルス状に
あるいは連続的（：数μｌへ数±８の間照射し、高分子
化させる。未露当領域を適当な溶媒により溶解除去して
マスクパターンと同じポリジアセチレン層のパターンヲ
形成する。しかる後、ルイス酸を含む溶解液Ｃ１浸し導
電性を賦与せしめて所望のパターンを形成する。
本発明Ｃ二よって形成された導電パターンの導電率は、
１０ ”〜１０”’−’ ８ ／ｅｒａであった。
１０ ”〜１０”’−’ ８ ／ｅｒａであった。
実施例１゜
再結晶精製し六２，４−へキサジイン−１，６−ジオー
ルをトルエン（：溶解して２％溶液とした。
ルをトルエン（：溶解して２％溶液とした。
この溶液Ｅ石英板を約１０分間浸漬した後、室温にて乾
燥してモノマー層を被覆した。この基板を、半導体集積
回路製造用のプロジェクションアライナ−（二設置ｔし
１０μｍのライン＆スペースパターンを有するフォトマ
スクを介して約１０秒間露光した。
燥してモノマー層を被覆した。この基板を、半導体集積
回路製造用のプロジェクションアライナ−（二設置ｔし
１０μｍのライン＆スペースパターンを有するフォトマ
スクを介して約１０秒間露光した。
該基板をインプロピルアルコール／トルエン混合液で処
理して未繕光域を除去した◇ その後ヨウ素を含むアルコール溶液に浸漬して導電率を
測定したところＩｏ−’８／ｃｔｎであつ九。形成され
たポリジアセチンのパターン巾は約１３μｍであり良好
なストライプパターンの形成が認められた。
理して未繕光域を除去した◇ その後ヨウ素を含むアルコール溶液に浸漬して導電率を
測定したところＩｏ−’８／ｃｔｎであつ九。形成され
たポリジアセチンのパターン巾は約１３μｍであり良好
なストライプパターンの形成が認められた。
実施例２．
２．４−へキサジイニレンビス−（ｐ−トルエンスルホ
ネート）のエチルアセテート溶液を準ビし、１と同様に
パターン化を行なった。
ネート）のエチルアセテート溶液を準ビし、１と同様に
パターン化を行なった。
高分子化された層の厚みは約０．４μｍであり、ストラ
イプパターンの巾は１１μｍであった。
イプパターンの巾は１１μｍであった。
露光後ヨウ素をドープして測定した導電率は。
４ ｘ １ｏ−１′ｓ ／ｃＩＬ であった。
以上詳述した如く１本発明は、紫外線照射により高分子
化するポリジアセチレンのパターン化ヲ行なうことを可
能とし、高分子導電体より成る導電パターンを所望の形
状Ｃ：容易に加工できるため、有機機能素子（例えば太
陽電池等）への応用上きわめて有利であるといえる。
化するポリジアセチレンのパターン化ヲ行なうことを可
能とし、高分子導電体より成る導電パターンを所望の形
状Ｃ：容易に加工できるため、有機機能素子（例えば太
陽電池等）への応用上きわめて有利であるといえる。
代理人弁理士 則近憲佑（ばか１名）
−４２７＝
Claims (1)
- 支持基体上Ｃ：ジアセチレｙモノマー誘誘導体被被覆る
工程、該モノマー層を所定パターンを有するマスクを介
して紫外線で照射しポリジアセチレン層を形成する工程
及び電子受容体であるルイス酸をドープする工程から成
ることを特徴とする導電パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59020815A JPS60165786A (ja) | 1984-02-09 | 1984-02-09 | 導電パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59020815A JPS60165786A (ja) | 1984-02-09 | 1984-02-09 | 導電パタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60165786A true JPS60165786A (ja) | 1985-08-28 |
Family
ID=12037528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59020815A Pending JPS60165786A (ja) | 1984-02-09 | 1984-02-09 | 導電パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60165786A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0485762U (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-24 | ||
| US7507520B2 (en) | 2002-12-11 | 2009-03-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Composition for forming a conjugated polymer pattern and process of forming a conjugated polymer pattern using the same |
-
1984
- 1984-02-09 JP JP59020815A patent/JPS60165786A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0485762U (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-24 | ||
| US7507520B2 (en) | 2002-12-11 | 2009-03-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Composition for forming a conjugated polymer pattern and process of forming a conjugated polymer pattern using the same |
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