JPS60164380A - 半導体レ−ザの製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザの製造方法Info
- Publication number
- JPS60164380A JPS60164380A JP59019608A JP1960884A JPS60164380A JP S60164380 A JPS60164380 A JP S60164380A JP 59019608 A JP59019608 A JP 59019608A JP 1960884 A JP1960884 A JP 1960884A JP S60164380 A JPS60164380 A JP S60164380A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- diffraction grating
- inp
- semiconductor
- meltback
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明は分布帰還屋半導体レーザ、分布ブラフIば1頴
1率4曽1士17−I竺 害ヱl/す/hつ杆の回折格
子が形成された半導体レーザの製造方法に関する。
1率4曽1士17−I竺 害ヱl/す/hつ杆の回折格
子が形成された半導体レーザの製造方法に関する。
(従来技術とその問題点)
近年半導体レーザの特性、信頼性の向上にはめざましい
ものがあり、光フアイバ通信方式はますます長距離・大
容量化してきている。そのような長距離大容量光ファイ
バ通信用の光源としては、直流動作時のみならず高速変
調時においても安定に単一軸モード発振を示す分布帰還
型(DFB)半導体レーザ、あるいは分布ブラッグ反射
型(DBR)半導体レーザが期待を集めている。これら
の半導体レーザはいずれも活性層中の発振波長の、/2
(nは整数)の周期をもつ回折格子が形成されておシ、
回折格子中を光波が共振してレーザ発振するものである
0単一モード光フアイバの最低損失波長帯である1、3
−1.6μmの波長で発振するInGaAsP/InP
系のDFB−LD、 DBR,−LDが種々開発され、
発振しきい値電流50mA程度、10mW程度まで単一
軸モード動作をするという例が報告されている0ところ
で、これらのDFB−LD、DBR−LDにおいては光
波と回折格子との結合が最も重要なパラメータであシ、
発振しきい値電流、温度特性、微分量子効率等のレーザ
特性の点から回折格子が深く、結合係数が大きいことが
重要である。
ものがあり、光フアイバ通信方式はますます長距離・大
容量化してきている。そのような長距離大容量光ファイ
バ通信用の光源としては、直流動作時のみならず高速変
調時においても安定に単一軸モード発振を示す分布帰還
型(DFB)半導体レーザ、あるいは分布ブラッグ反射
型(DBR)半導体レーザが期待を集めている。これら
の半導体レーザはいずれも活性層中の発振波長の、/2
(nは整数)の周期をもつ回折格子が形成されておシ、
回折格子中を光波が共振してレーザ発振するものである
0単一モード光フアイバの最低損失波長帯である1、3
−1.6μmの波長で発振するInGaAsP/InP
系のDFB−LD、 DBR,−LDが種々開発され、
発振しきい値電流50mA程度、10mW程度まで単一
軸モード動作をするという例が報告されている0ところ
で、これらのDFB−LD、DBR−LDにおいては光
波と回折格子との結合が最も重要なパラメータであシ、
発振しきい値電流、温度特性、微分量子効率等のレーザ
特性の点から回折格子が深く、結合係数が大きいことが
重要である。
回折格子と光波との結合は屈折率Q異なる半導体層間の
周期的な屈折率変動を利用するものであシ、通常、半導
体基板あるいは半導体層上にレーザ干渉露光あるいは電
子ビーム露光、および化学エツチングによって回折格子
を形成した後、それとは屈折率の異なる半導体層を積層
させる。ところが回折格子を形成した後の結晶成長温度
において、例えば液相エピタキシャル成長法によると、
熱、あるいはメルトバックによる回折格子の変形が生じ
、良好なレーザ特性が得られないことが多かった。例え
ば石英系単一モード光ファイバの低損失波長領域で動作
するInGaAsP/InP系半導体レーザの場合、熱
による回折格子の変形を防ぐにはInP、GaAs等の
カバーを用いるとともに結晶成長の温度を下げてゆけば
よいが、あまシ温度を下げると積層する半導体層の結晶
性が悪くなシ、素子の信頼性を下げることになってしま
う。上述の半導体材料の場合では通常650℃程度の温
度で結晶成長を行なうのに対し、回折格子上の結晶成長
温度は580℃前後と、600℃以下の低い温度を採用
している。しかし、奨際にはそのくらいの温度に下げて
も熱変形を十分に防止することはできず、素子の製造歩
留シはよいとは言えない。また成長メルトによるメルト
バックでの変形に対しては成長メルトの過飽和度を大き
くしたスーパークーリング法等によって成長を行なえば
よいが、メルトの過飽和度はせいぜい20℃程度まてし
かとることができ゛ず、それ以上に太きくしようとして
も実際には成長前の温度降下中に成長メルト中に微結晶
が析出してしまい、過飽和度は設定に比べて大幅に減少
していってしまう。
周期的な屈折率変動を利用するものであシ、通常、半導
体基板あるいは半導体層上にレーザ干渉露光あるいは電
子ビーム露光、および化学エツチングによって回折格子
を形成した後、それとは屈折率の異なる半導体層を積層
させる。ところが回折格子を形成した後の結晶成長温度
において、例えば液相エピタキシャル成長法によると、
熱、あるいはメルトバックによる回折格子の変形が生じ
、良好なレーザ特性が得られないことが多かった。例え
ば石英系単一モード光ファイバの低損失波長領域で動作
するInGaAsP/InP系半導体レーザの場合、熱
による回折格子の変形を防ぐにはInP、GaAs等の
カバーを用いるとともに結晶成長の温度を下げてゆけば
よいが、あまシ温度を下げると積層する半導体層の結晶
性が悪くなシ、素子の信頼性を下げることになってしま
う。上述の半導体材料の場合では通常650℃程度の温
度で結晶成長を行なうのに対し、回折格子上の結晶成長
温度は580℃前後と、600℃以下の低い温度を採用
している。しかし、奨際にはそのくらいの温度に下げて
も熱変形を十分に防止することはできず、素子の製造歩
留シはよいとは言えない。また成長メルトによるメルト
バックでの変形に対しては成長メルトの過飽和度を大き
くしたスーパークーリング法等によって成長を行なえば
よいが、メルトの過飽和度はせいぜい20℃程度まてし
かとることができ゛ず、それ以上に太きくしようとして
も実際には成長前の温度降下中に成長メルト中に微結晶
が析出してしまい、過飽和度は設定に比べて大幅に減少
していってしまう。
上述の方法をさらに具体的に説明する〇第1図は従来よ
り行なわれているDFB−LDの製造方法を示す図であ
る。従来においても主に2つの製造方法が採用されてお
り、InPl上に回折格子2を形成し、そのうえに光ガ
イド層3、活性層4 InPクラッド層5を積層させる
第1図(alの方法および第1図(blに示すように基
板l上に活性層4、光ガイド層3を積層した後光ガイド
層3上に回折格子2を形成し、そのうえにInPクラッ
ド層5を積層するという方法がある。まず第1図ra+
の方法においては、回折格子2が主に成長時期中に熱に
よるダメージを受けやすい。それを防ぐためにはInP
やGaAs等のカバーを用いてPの蒸発を防ぐ方法がと
られているが、それでもかなシ温度を下げないと回折格
子2は良好に保存されない。ところが温度を下げすぎる
とI n GaAs P(7)活性層4の結晶性品質が
低下し、素子特性、信頼性の点で悪影響がある。したが
って第1図(alのような方法では活性層4の品質が低
下しない程度に温度を下げ、かつ良好に回折格子2を保
存するためにPH3(フォスフイン)ガスを導入するな
ど試みられているが、特性、歩留9等の点でいまだ満足
のいく技術レベルには達していない。次に第1図(bl
に示した方法においてはI nGaAs Pの光ガイド
層3の上にInPクラッド層5を積層させる技術が重要
である0例えば1.55μm波長帯のDF13:LDの
場合光ガイド層3の結晶組成を1.3μm、ないし1.
35μmとして最低568℃程度の温度でInPクラッ
ド層5を積層させていた0この場合にはInP i上に
回折格子2を形成する場合と異な9、成長中のメルトバ
ックによって回折格子2が消失してしまうといったこと
がしばしば観、測された。さらに活性層4はあらかじめ
通常温度で成長したにもかかわらず、InPクラッド層
5の積層後にはフォトルミネセンス強度がV5程度に減
少してしまう0これは回折格子2付近での界面の状態が
劣化し、ギヤリアのノンクとして作用してしまうためで
ある1、第1図ratと同様にこの方法においても現状
では満足のいく結果が得られていない。
り行なわれているDFB−LDの製造方法を示す図であ
る。従来においても主に2つの製造方法が採用されてお
り、InPl上に回折格子2を形成し、そのうえに光ガ
イド層3、活性層4 InPクラッド層5を積層させる
第1図(alの方法および第1図(blに示すように基
板l上に活性層4、光ガイド層3を積層した後光ガイド
層3上に回折格子2を形成し、そのうえにInPクラッ
ド層5を積層するという方法がある。まず第1図ra+
の方法においては、回折格子2が主に成長時期中に熱に
よるダメージを受けやすい。それを防ぐためにはInP
やGaAs等のカバーを用いてPの蒸発を防ぐ方法がと
られているが、それでもかなシ温度を下げないと回折格
子2は良好に保存されない。ところが温度を下げすぎる
とI n GaAs P(7)活性層4の結晶性品質が
低下し、素子特性、信頼性の点で悪影響がある。したが
って第1図(alのような方法では活性層4の品質が低
下しない程度に温度を下げ、かつ良好に回折格子2を保
存するためにPH3(フォスフイン)ガスを導入するな
ど試みられているが、特性、歩留9等の点でいまだ満足
のいく技術レベルには達していない。次に第1図(bl
に示した方法においてはI nGaAs Pの光ガイド
層3の上にInPクラッド層5を積層させる技術が重要
である0例えば1.55μm波長帯のDF13:LDの
場合光ガイド層3の結晶組成を1.3μm、ないし1.
35μmとして最低568℃程度の温度でInPクラッ
ド層5を積層させていた0この場合にはInP i上に
回折格子2を形成する場合と異な9、成長中のメルトバ
ックによって回折格子2が消失してしまうといったこと
がしばしば観、測された。さらに活性層4はあらかじめ
通常温度で成長したにもかかわらず、InPクラッド層
5の積層後にはフォトルミネセンス強度がV5程度に減
少してしまう0これは回折格子2付近での界面の状態が
劣化し、ギヤリアのノンクとして作用してしまうためで
ある1、第1図ratと同様にこの方法においても現状
では満足のいく結果が得られていない。
このように従来の製造方法では回折格子が劣化すると共
に、回折格子上の結晶成長も十分良好に行なえず、素子
特性、歩留シ等の点で問題があった0 (発明の目的) 本発明の目的は、上述の観点にたって、DFB−LDD
BR−LD 等において回折格子上の結晶成長を良好に
行ない、結晶成長後にも回折格子が十分良好に保存され
、素子特性、歩留シが大幅に向上した半導体レーザの製
造方法を提供することにある。
に、回折格子上の結晶成長も十分良好に行なえず、素子
特性、歩留シ等の点で問題があった0 (発明の目的) 本発明の目的は、上述の観点にたって、DFB−LDD
BR−LD 等において回折格子上の結晶成長を良好に
行ない、結晶成長後にも回折格子が十分良好に保存され
、素子特性、歩留シが大幅に向上した半導体レーザの製
造方法を提供することにある。
(発明の構成)
本発明による半導体レーザの製造方法は、少なくとも活
性層、光ガイド層、回折格子を備えている構造の半導体
レーザの製造方法であって、第1の半導体上にそれよシ
メルトパック耐性が大きいまたは熱耐性の大きな第2の
半導体層を積層する工程と、前記第2の半導体層をつき
ぬけ第1の半導体層までエツチングして回折格子を形成
する工程と、前記回折格子のうえに第3の半導体層を積
層させる工程とを少なくとも備えている点に特徴がある
〇 (実施例) 本願の発明者は2つの半導体層にわたる回折格子を形成
し、そのうえに液相エビタキクヤル成長を行なうことに
より、上述の問題点を克服することができたので以下そ
れについて説明する〇第2図は本発明による第1の実施
例であるDFB−LDの作製方法を示すだめの図である
。まずn−InP基板lO上にn−InPバッファ層1
1を厚さ5μm、発光波長1.3μmに相当するノンド
ープト72Ga o、2 @ A So、61 Po、
3 g活性層12を厚さO,l ttm % 発光波長
1.1/jffiに相当するP −I ”0.8 、
Gao、15 A so、s 3”0.117光ガイド
層13を厚さ0.15μm・メルトバンク耐性の大きな
第2の半導体層であるP−InPn五層を厚さ0.05
μm程度順次積層させる。ここで第1の半導体層に該当
する層は光ガイド層13である。
性層、光ガイド層、回折格子を備えている構造の半導体
レーザの製造方法であって、第1の半導体上にそれよシ
メルトパック耐性が大きいまたは熱耐性の大きな第2の
半導体層を積層する工程と、前記第2の半導体層をつき
ぬけ第1の半導体層までエツチングして回折格子を形成
する工程と、前記回折格子のうえに第3の半導体層を積
層させる工程とを少なくとも備えている点に特徴がある
〇 (実施例) 本願の発明者は2つの半導体層にわたる回折格子を形成
し、そのうえに液相エビタキクヤル成長を行なうことに
より、上述の問題点を克服することができたので以下そ
れについて説明する〇第2図は本発明による第1の実施
例であるDFB−LDの作製方法を示すだめの図である
。まずn−InP基板lO上にn−InPバッファ層1
1を厚さ5μm、発光波長1.3μmに相当するノンド
ープト72Ga o、2 @ A So、61 Po、
3 g活性層12を厚さO,l ttm % 発光波長
1.1/jffiに相当するP −I ”0.8 、
Gao、15 A so、s 3”0.117光ガイド
層13を厚さ0.15μm・メルトバンク耐性の大きな
第2の半導体層であるP−InPn五層を厚さ0.05
μm程度順次積層させる。ここで第1の半導体層に該当
する層は光ガイド層13である。
次にp−InPn五層をつきぬける深さで回折格子2を
形成し、そののち2回目のLPI晶成しを行なって第3
の半導体層となるp−InPクラッド層15を厚さ1μ
m積層させ回折格子2を有するDFB−LD用のダブル
へテロ(DH)構造半導体つ、ファを得た。回折格子2
は深さ1500〜2000″As度にエツチング形成し
た。P−InPクラッド層15は550 ’O程度の低
い温度で結晶成長を行なった0前述のごとく、光ガイド
層の上に回折格子2を形成してさらにクラッド層を積層
させる方法においては成長メルトによるメルトバックが
最大の問題である。ところがこのような例においてはメ
ルトバックの影響を最も受けやすい回折格子2の山の部
分、すなわち曲率半径の最も小さな部分にメルトバック
耐性の大きなp−InPn五層が形成されておシ、メル
トバックの影響を最小限に抑制することが可能となった
。このような製造方法を採用することにより s p
−I n(145Gio、15 Aso、33 Po、
67光ガイド層13に形成された回折格子2はきわめて
再現性よ(1000〜1sooAの深さに保存すること
が可能となυ、したがってDFB−LDにおける結合係
数も常に大きな値にすることができた。
形成し、そののち2回目のLPI晶成しを行なって第3
の半導体層となるp−InPクラッド層15を厚さ1μ
m積層させ回折格子2を有するDFB−LD用のダブル
へテロ(DH)構造半導体つ、ファを得た。回折格子2
は深さ1500〜2000″As度にエツチング形成し
た。P−InPクラッド層15は550 ’O程度の低
い温度で結晶成長を行なった0前述のごとく、光ガイド
層の上に回折格子2を形成してさらにクラッド層を積層
させる方法においては成長メルトによるメルトバックが
最大の問題である。ところがこのような例においてはメ
ルトバックの影響を最も受けやすい回折格子2の山の部
分、すなわち曲率半径の最も小さな部分にメルトバック
耐性の大きなp−InPn五層が形成されておシ、メル
トバックの影響を最小限に抑制することが可能となった
。このような製造方法を採用することにより s p
−I n(145Gio、15 Aso、33 Po、
67光ガイド層13に形成された回折格子2はきわめて
再現性よ(1000〜1sooAの深さに保存すること
が可能となυ、したがってDFB−LDにおける結合係
数も常に大きな値にすることができた。
実際に本願の発明者らは上述のように作製したDH半導
体ウェファを用いて、さらにメサエッチング、埋め込み
成長を行ない埋め込み構造の半導体レーザを作製した0
両面をへきかいして出力端面側に反射率4チ程度のAR
コート膜を形成し、室温CWでの発振しきい値電流20
〜30mA、微分量子効率20〜30%、室温cwで3
0 mW、以上の高出力レベルネで、嗜だ一60℃から
90℃程度才での温度範囲で単一軸モード動作する素子
が再現性よく得られた。
体ウェファを用いて、さらにメサエッチング、埋め込み
成長を行ない埋め込み構造の半導体レーザを作製した0
両面をへきかいして出力端面側に反射率4チ程度のAR
コート膜を形成し、室温CWでの発振しきい値電流20
〜30mA、微分量子効率20〜30%、室温cwで3
0 mW、以上の高出力レベルネで、嗜だ一60℃から
90℃程度才での温度範囲で単一軸モード動作する素子
が再現性よく得られた。
p−In045Gao、15AS6.33Po、67光
ガイド層13上に厚さ0.05μm程度だけ、第2の半
導体層であるp−InPn五層を積層し、それをつきぬ
ける深さに回折格子2を形成、さらにp−InPクラッ
ド層15を積層したことによ勺、−従来例において最大
の問題点であったメルトバックの影響を最小限に抑制す
ることができた結果、上述のような優れた特性のDFB
−LDが再現性よく得られたわけである。
ガイド層13上に厚さ0.05μm程度だけ、第2の半
導体層であるp−InPn五層を積層し、それをつきぬ
ける深さに回折格子2を形成、さらにp−InPクラッ
ド層15を積層したことによ勺、−従来例において最大
の問題点であったメルトバックの影響を最小限に抑制す
ることができた結果、上述のような優れた特性のDFB
−LDが再現性よく得られたわけである。
(実施例2)
次に第3図には本発明による第2の実施例であるDFB
−IdF)製造方法を示す。この場合にはまず第1の半
導体層に相当するn−InP基板10上に第2の半導体
層となる発光波長1,2μm組成のn−I n6.7
B Ga6,22 A So、4 B P6.52層1
6を厚さ0.05μm程度積層させる。続いて回折格子
2を深さ1500〜2oooX程度にエツチング形成し
、2回目のLPE結晶成長において第3の半導体層とな
る発光波長1.1/Amに相当するn −I ”o、s
、 Gao、、 、 A ’o、s 3P、6.光ガ
イド層17を回折格子2の山から測って厚さ0.05〜
0.1μm、発光波長1.3μmに相当するノンドープ
I ”O,? 2 G”048 As、、、 I P6
.B @活性層12を厚さQ、]Jm。
−IdF)製造方法を示す。この場合にはまず第1の半
導体層に相当するn−InP基板10上に第2の半導体
層となる発光波長1,2μm組成のn−I n6.7
B Ga6,22 A So、4 B P6.52層1
6を厚さ0.05μm程度積層させる。続いて回折格子
2を深さ1500〜2oooX程度にエツチング形成し
、2回目のLPE結晶成長において第3の半導体層とな
る発光波長1.1/Amに相当するn −I ”o、s
、 Gao、、 、 A ’o、s 3P、6.光ガ
イド層17を回折格子2の山から測って厚さ0.05〜
0.1μm、発光波長1.3μmに相当するノンドープ
I ”O,? 2 G”048 As、、、 I P6
.B @活性層12を厚さQ、]Jm。
p−InPクラッド層15を厚さ15m1順次積層し、
DFB−LD用DH半導体ウェファを得た。2回目のL
P賊長時には610℃のソーク温度で成長を行ない・I
nPをカバーに用いた。従来例のようなInP上に回折
格子2を形成する場合には熱的なダメージが最大の問題
であったが、最も熱ダメージを受けやすい回折格子20
山の部分には熱耐性の大きな第2の半導体層であるn
−I no、y g Ga、、 2 A so、61g
、3゜層16が形成されているので、熱ダメージの影響
を最小限に抑制することができた。n −I n67M
、22A 5o61 P6.B o層16はInP上の
回折格子2を熱ダメージから十分保穫するが、2回目の
LPE成長時にはほぼ完全にメルトバックされた(メル
トバック前の様子を破線で示した。)0しかし、n −
InP基板10上の回折格子2は常に1ooo〜150
0^の深さで保存することができた。このようにしで得
たDHウェファを用いて埋め込み構造のDFB−LDを
作製し、第1の実施例における場合とほぼ同様の良好な
結果が再現性よく得られた。第1、第2の実施例ともフ
ァトルミネセンス強度、回折格子深さ両方の点で十分良
好な結果が得られ、従来例と比べてDFB/DBR−L
Dの特性の再現性、素子製造の歩留り、素子信頼性が大
幅に向」ニした。
DFB−LD用DH半導体ウェファを得た。2回目のL
P賊長時には610℃のソーク温度で成長を行ない・I
nPをカバーに用いた。従来例のようなInP上に回折
格子2を形成する場合には熱的なダメージが最大の問題
であったが、最も熱ダメージを受けやすい回折格子20
山の部分には熱耐性の大きな第2の半導体層であるn
−I no、y g Ga、、 2 A so、61g
、3゜層16が形成されているので、熱ダメージの影響
を最小限に抑制することができた。n −I n67M
、22A 5o61 P6.B o層16はInP上の
回折格子2を熱ダメージから十分保穫するが、2回目の
LPE成長時にはほぼ完全にメルトバックされた(メル
トバック前の様子を破線で示した。)0しかし、n −
InP基板10上の回折格子2は常に1ooo〜150
0^の深さで保存することができた。このようにしで得
たDHウェファを用いて埋め込み構造のDFB−LDを
作製し、第1の実施例における場合とほぼ同様の良好な
結果が再現性よく得られた。第1、第2の実施例ともフ
ァトルミネセンス強度、回折格子深さ両方の点で十分良
好な結果が得られ、従来例と比べてDFB/DBR−L
Dの特性の再現性、素子製造の歩留り、素子信頼性が大
幅に向」ニした。
なお説明はDFB−LDを例にとって行なったが、本発
明はもちろんDBR−LDについても適用可能である。
明はもちろんDBR−LDについても適用可能である。
(発明の効果)
本発明の特徴は、特にInGaAsP/InP系のDF
B/DB几−LDの回折格子上への液相エピタキシャル
成長において・第1の半導体層上に耐性の大きい第2の
半導体層をまず積層し、その後第2の半導体層をつきぬ
ける深さに回折格子を形成してから第3の半導体層を積
層させたことである0これにより、回折格子のメルトバ
ック、あるいは熱ダメージを最少限に抑制することが可
能となった。したがって回折格子の形状が良好に保存で
きるだけでなく、結晶の品質も従来の方法に比べて大幅
に向上し、T)FB/DBR−LDの素子特性の再現性
、製造歩留り、信頼性が大幅に改善された。
B/DB几−LDの回折格子上への液相エピタキシャル
成長において・第1の半導体層上に耐性の大きい第2の
半導体層をまず積層し、その後第2の半導体層をつきぬ
ける深さに回折格子を形成してから第3の半導体層を積
層させたことである0これにより、回折格子のメルトバ
ック、あるいは熱ダメージを最少限に抑制することが可
能となった。したがって回折格子の形状が良好に保存で
きるだけでなく、結晶の品質も従来の方法に比べて大幅
に向上し、T)FB/DBR−LDの素子特性の再現性
、製造歩留り、信頼性が大幅に改善された。
第1図は従来例の製造方法−を示す図、第2図は本発明
による第1の実施例・第3図は第2の実施例の製造方法
を示す図である。図中lはInP、 2は回折格子、3
は光ガイド層、4は活性層、5はInPクラッド層、1
oはn−Id湛板、11はn−InPバッファ層、12
はIn0.72 G36.2g −Aso、、 I P
。、3g活性層、】3はp In+)4HGag、15
ASo)3P6,67光ガイド層、14はp−InP層
、15はp−InPクラッド層、16はn −I no
、76 Gao、22 A 5o−43PO,l12層
、17はn In。、8++Ga6.y、IAS。、、
2.3Po、’77光ガイド層をそれぞれあられす。 代理人弁理士 内原 j ゛ 鬼、r 第1図 (a)
による第1の実施例・第3図は第2の実施例の製造方法
を示す図である。図中lはInP、 2は回折格子、3
は光ガイド層、4は活性層、5はInPクラッド層、1
oはn−Id湛板、11はn−InPバッファ層、12
はIn0.72 G36.2g −Aso、、 I P
。、3g活性層、】3はp In+)4HGag、15
ASo)3P6,67光ガイド層、14はp−InP層
、15はp−InPクラッド層、16はn −I no
、76 Gao、22 A 5o−43PO,l12層
、17はn In。、8++Ga6.y、IAS。、、
2.3Po、’77光ガイド層をそれぞれあられす。 代理人弁理士 内原 j ゛ 鬼、r 第1図 (a)
Claims (1)
- 少なくとも活性層、光ガイド層、回折格子を備えている
構造の半導体レーザの製造方法にセいて、第1の半導体
上にこの第1の半導体層よりもメルトバック耐性が大き
い、または熱耐性の大きな第2の半導体層を積層する工
程と、前記第2の半導体層をつpぬけ、前記第1の半導
体層までもエツチングして回折格子を形成する工程と、
前記回折格子のうえに第3の半導体層を積層する工程と
を少なくとも備えていることを特徴とする半導体レーザ
の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59019608A JPS60164380A (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59019608A JPS60164380A (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60164380A true JPS60164380A (ja) | 1985-08-27 |
Family
ID=12003903
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59019608A Pending JPS60164380A (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60164380A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63213383A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ |
JPH01257384A (ja) * | 1988-04-06 | 1989-10-13 | Nec Corp | 半導体レーザの製造方法 |
WO1992007401A1 (en) * | 1990-10-19 | 1992-04-30 | Optical Measurement Technology Development Co., Ltd. | Distributed feedback semiconductor laser |
EP0526128A2 (en) * | 1991-07-24 | 1993-02-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | A method for producing a distributed feedback semiconductor laser device |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59229891A (ja) * | 1983-06-13 | 1984-12-24 | Fujitsu Ltd | 半導体レ−ザの製造方法 |
-
1984
- 1984-02-06 JP JP59019608A patent/JPS60164380A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59229891A (ja) * | 1983-06-13 | 1984-12-24 | Fujitsu Ltd | 半導体レ−ザの製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63213383A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ |
JPH01257384A (ja) * | 1988-04-06 | 1989-10-13 | Nec Corp | 半導体レーザの製造方法 |
WO1992007401A1 (en) * | 1990-10-19 | 1992-04-30 | Optical Measurement Technology Development Co., Ltd. | Distributed feedback semiconductor laser |
US5289494A (en) * | 1990-10-19 | 1994-02-22 | Optical Measurement Technology Development Co., Ltd. | Distributed feedback semiconductor laser |
EP0526128A2 (en) * | 1991-07-24 | 1993-02-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | A method for producing a distributed feedback semiconductor laser device |
US5292685A (en) * | 1991-07-24 | 1994-03-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for producing a distributed feedback semiconductor laser device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6426515B2 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
US20040135155A1 (en) | Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same | |
US8073029B2 (en) | Semiconductor optical device | |
JP3842976B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザとその製造方法 | |
JPH0562834B2 (ja) | ||
JPH0656906B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
EP0843393B1 (en) | Semiconductor laser diode | |
JPH09232625A (ja) | 端面発光型光半導体素子及びその製造方法 | |
US6639926B1 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
JPS60164380A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
JP2003243767A (ja) | 半導体レーザ及びこの素子を含む半導体光集積素子の製造方法 | |
JP5163355B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JPS6046087A (ja) | 分布ブラッグ反射型半導体レ−ザ | |
JP3700245B2 (ja) | 位相シフト型分布帰還半導体レーザ | |
JPS6373683A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
JPS59197182A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
JPS59165478A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
JP3277711B2 (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
JPS5972787A (ja) | 半導体レ−ザ | |
JPS61220389A (ja) | 集積型半導体レ−ザ | |
JP3235588B2 (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
JPS59127889A (ja) | 半導体レ−ザ | |
KR100319759B1 (ko) | 선택적 결정 성장법을 이용한 굴절률보상형 분산궤환형레이저다이오드의 제조 방법 | |
JP2708949B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
JPH02235386A (ja) | 分布帰還型半導体レーザの製造方法 |