JPS6016423A - 文字記号形成法 - Google Patents
文字記号形成法Info
- Publication number
- JPS6016423A JPS6016423A JP59074965A JP7496584A JPS6016423A JP S6016423 A JPS6016423 A JP S6016423A JP 59074965 A JP59074965 A JP 59074965A JP 7496584 A JP7496584 A JP 7496584A JP S6016423 A JPS6016423 A JP S6016423A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- character
- stage
- cover
- dial
- photomask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70541—Tagging, i.e. hardware or software tagging of features or components, e.g. using tagging scripts or tagging identifier codes for identification of chips, shots or wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54406—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising alphanumeric information
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54493—Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は文字記号形成法に関する。
半導体装置、集積回路装置等には半導体板からなる回路
素子（ペレット）が組み込まれている。
素子（ペレット）が組み込まれている。
これらペレットは、たとえばシリコンからなる比較的大
きな円形薄板（ウェーハ）上に多層の導電層や絶縁層か
らなる単位回路素子を多数整然と形成した後、単位回路
素子毎に分断することによって作られる。
きな円形薄板（ウェーハ）上に多層の導電層や絶縁層か
らなる単位回路素子を多数整然と形成した後、単位回路
素子毎に分断することによって作られる。
一方、ウェーハ面に各種の回路パターンを形成するには
フォトエツチング技術が使用されている。
フォトエツチング技術が使用されている。
このフォトエツチング技術ではフォトマスクを用いてウ
エーハ上に塗布したフォトレジストヲ部分感光させ、不
要部分をエツチングして所望のマスクパターンを形成し
、不純物拡散やエツチングを行なう。
エーハ上に塗布したフォトレジストヲ部分感光させ、不
要部分をエツチングして所望のマスクパターンを形成し
、不純物拡散やエツチングを行なう。
このようなフォトエツチング技術は例えば、電子材料昭
和５０年７月号第１７頁乃至第２０頁に示されている。
和５０年７月号第１７頁乃至第２０頁に示されている。
ところで、これらのウェーハには與品名、工程名、製造
番号等からなるたとえば３ｏ桁の文字。
番号等からなるたとえば３ｏ桁の文字。
記号を同時に露光する必要がある。このため、フォトエ
ツチング技術において用いるフォトマスクにもあらかじ
め３ｏ桁の文字マスクパターンを形成しなければならな
い。
ツチング技術において用いるフォトマスクにもあらかじ
め３ｏ桁の文字マスクパターンを形成しなければならな
い。
従来、この文字マスクパターン（ネーム）ヲフ４トマヌ
クにプリントするには、露光装置の光学系の経路に３０
桁の文字や記号を並べた後投光してフォトマスクにネー
ムを感光させる方法を採っている。そして、前記３０桁
の文字や記号の配列は手作業で行なっている。このため
、文字等の配列作業時間が多くなり極めて作業性が低く
なるばかりでなく、手動であるため装置をオフライン化
しなければならず、プロセスの自動化の障害になってい
る。
クにプリントするには、露光装置の光学系の経路に３０
桁の文字や記号を並べた後投光してフォトマスクにネー
ムを感光させる方法を採っている。そして、前記３０桁
の文字や記号の配列は手作業で行なっている。このため
、文字等の配列作業時間が多くなり極めて作業性が低く
なるばかりでなく、手動であるため装置をオフライン化
しなければならず、プロセスの自動化の障害になってい
る。
したがって２本発明の目的は１回路パターンを形成する
ウェーハ面に多数桁の文字や記号からなるネームを自動
的に形成することができる文字記号形成法を提供するこ
とにある。
ウェーハ面に多数桁の文字や記号からなるネームを自動
的に形成することができる文字記号形成法を提供するこ
とにある。
以下実施例により本発明を具体的に説明する。
第１図は本発明に用いられる文字露光装置を示すブロッ
ク線図である。同図で示すように、この装置はステージ
調整機構９文字選択機構および光学系調整機構を制御す
る制御装置によって露光作業は自動的に行なわれる。ま
た、この制御装置には記憶回路装置（メモリ）が併設さ
れ、この記憶装置にはそれぞれのフォトマスクに露光す
るネームを記憶するようになっている。また、この記憶
装置には文字入力装置も併設され、この文字入力装置の
入力キーボードを操作することによって記憶装置に各情
報が入力されるようになっている。
ク線図である。同図で示すように、この装置はステージ
調整機構９文字選択機構および光学系調整機構を制御す
る制御装置によって露光作業は自動的に行なわれる。ま
た、この制御装置には記憶回路装置（メモリ）が併設さ
れ、この記憶装置にはそれぞれのフォトマスクに露光す
るネームを記憶するようになっている。また、この記憶
装置には文字入力装置も併設され、この文字入力装置の
入力キーボードを操作することによって記憶装置に各情
報が入力されるようになっている。
つぎに、第２図および第３図（ａｔ 、 （ｂｌを用い
て、光学系調整機構９文字選択機構、ステージ調整機構
について説明する。第２図に示すように、フォトマスク
１を載置する平坦なステージ２が示されている。また、
このステージ２上にはストッパ３が設けられ、このスト
ッパ３でフォトマスク１の位置決めを行なうようになっ
ている。また、前記ステージ２の両側線上には平行にベ
ース４が設けられるとともに、このペース４上にはその
長手方向に沿って延びるＶ字溝５を上面に有するガイド
レール６が取り付けられている。このＶ字溝５は９０度
の直角溝であり−このＶ字溝５内には断面が正方形の細
長のスライドレール７がローラ８を介して入れられてい
る。
て、光学系調整機構９文字選択機構、ステージ調整機構
について説明する。第２図に示すように、フォトマスク
１を載置する平坦なステージ２が示されている。また、
このステージ２上にはストッパ３が設けられ、このスト
ッパ３でフォトマスク１の位置決めを行なうようになっ
ている。また、前記ステージ２の両側線上には平行にベ
ース４が設けられるとともに、このペース４上にはその
長手方向に沿って延びるＶ字溝５を上面に有するガイド
レール６が取り付けられている。このＶ字溝５は９０度
の直角溝であり−このＶ字溝５内には断面が正方形の細
長のスライドレール７がローラ８を介して入れられてい
る。
一方、前記ステージ２の上方には底がない箱型のカバー
９が配設されている。このカバー９の下部には前記ガイ
ドレール６に対応する２本のレール１０が固定されてい
る。このレール１０の下面にも前記ガイドレール６のＶ
字溝５に対応して９０度溝からなるＶ字溝１１が設けら
れ、このＶ字溝１１部分でローラ１２を介して前記スラ
イドレールに重なっている。したがって、前記カバー９
はスライドレール７の長さ方向に滑動自在となっている
。また、この移動を調整する機構が一方のレール１０側
に設けられている。すなわち、第２図の右側部分に示す
レール１０にはブロック１３が固定されるとともに、こ
のブロク？１３には雌ねじを刻んだ貫通孔がＶ字溝１１
に平行に設けられている。そして、この貫通孔内には雌
ねじに螺合する雄ねじを刻んだ駆動軸１４が螺合し℃い
る。
９が配設されている。このカバー９の下部には前記ガイ
ドレール６に対応する２本のレール１０が固定されてい
る。このレール１０の下面にも前記ガイドレール６のＶ
字溝５に対応して９０度溝からなるＶ字溝１１が設けら
れ、このＶ字溝１１部分でローラ１２を介して前記スラ
イドレールに重なっている。したがって、前記カバー９
はスライドレール７の長さ方向に滑動自在となっている
。また、この移動を調整する機構が一方のレール１０側
に設けられている。すなわち、第２図の右側部分に示す
レール１０にはブロック１３が固定されるとともに、こ
のブロク？１３には雌ねじを刻んだ貫通孔がＶ字溝１１
に平行に設けられている。そして、この貫通孔内には雌
ねじに螺合する雄ねじを刻んだ駆動軸１４が螺合し℃い
る。
また、この駆動軸１４はステージ２に取り付けられた駆
動モータ１５の回転軸に連結されている。
動モータ１５の回転軸に連結されている。
他方、前記カバー９内には上方から光源１６゜コンデン
サーレンズ１７．シャッタ１８およヒ縮小投影レンズ１
９が配設され光学系調整機構を構成している。また、前
記シャッタ１８と縮小レンズ１９との間には円板状の文
字板２ｏの一部周縁が臨んでいる。そして、この文字板
２ｏの中心にはパルスモータからなる文字板駆動モータ
２１の回転軸２２が固定されていて１文字選択機構の一
部を構成している。また、前記文字板２ｏは第３図（ａ
ｔに示すように、その周縁に沿って１字からなる文字２
３．数字（記号）２４および数語からなる連語２５が刻
まれている。こわらの文字等は同図（ｂｌで示すように
、ハツチングで示す光を通さない不透過領域２６に透明
部分で形成されている。
サーレンズ１７．シャッタ１８およヒ縮小投影レンズ１
９が配設され光学系調整機構を構成している。また、前
記シャッタ１８と縮小レンズ１９との間には円板状の文
字板２ｏの一部周縁が臨んでいる。そして、この文字板
２ｏの中心にはパルスモータからなる文字板駆動モータ
２１の回転軸２２が固定されていて１文字選択機構の一
部を構成している。また、前記文字板２ｏは第３図（ａ
ｔに示すように、その周縁に沿って１字からなる文字２
３．数字（記号）２４および数語からなる連語２５が刻
まれている。こわらの文字等は同図（ｂｌで示すように
、ハツチングで示す光を通さない不透過領域２６に透明
部分で形成されている。
したがって、シャッタ１８を開状態にすると、光源１６
からの元は文字板２ｏの文字等をステージ２上の７オト
マヌク１上に写し出すようになる。
からの元は文字板２ｏの文字等をステージ２上の７オト
マヌク１上に写し出すようになる。
そこで、一定時間（たとえば６０秒）後にシャッタ１８
を閉状態にすることにより、フォトマスク１面上の感光
剤を文字パターンに感光することができる。
を閉状態にすることにより、フォトマスク１面上の感光
剤を文字パターンに感光することができる。
つぎ忙、このような文字露光装置を用いて品名等の文字
記号を形成する方法について説明する。
記号を形成する方法について説明する。
まず、ステージ２上Ｖこフォトマスク１を載置し。
その後制御装置を操作して、文字板駆動モータ２１を回
動させて文字板２０の所定の文字等が光路に臨むように
する。文字等の選択が終了した信号を受けると制御装置
はシャッタを動作させ、最初の文字等をフォトマスク面
に露光する。そして、露光終了の信号を受けると制御装
置は記憶装置から次の文字配列情報を受けて再び文字板
駆動モータ２１を回転させて所定の文字等を光路中にセ
ントするとともに、駆動モータ１５を回転させてフォト
マスクに最初に露光した位置の隣りに次の第２文字（連
語）等を露光させるように、光路のステージ２に対する
位置を変える。この際、駆動軸１４の回転によって光学
系調整機構を内蔵したカバ−９全体が移動する。そこで
、再び露光する。このような手順で順次露光を繰返し、
フォトマスクの一側縁に多桁の文字、記号からなるネー
ムを露光する。
動させて文字板２０の所定の文字等が光路に臨むように
する。文字等の選択が終了した信号を受けると制御装置
はシャッタを動作させ、最初の文字等をフォトマスク面
に露光する。そして、露光終了の信号を受けると制御装
置は記憶装置から次の文字配列情報を受けて再び文字板
駆動モータ２１を回転させて所定の文字等を光路中にセ
ントするとともに、駆動モータ１５を回転させてフォト
マスクに最初に露光した位置の隣りに次の第２文字（連
語）等を露光させるように、光路のステージ２に対する
位置を変える。この際、駆動軸１４の回転によって光学
系調整機構を内蔵したカバ−９全体が移動する。そこで
、再び露光する。このような手順で順次露光を繰返し、
フォトマスクの一側縁に多桁の文字、記号からなるネー
ムを露光する。
このような実施例によれば、フォトマスクへのネームの
露光は自動的に行なわれるので極めて作業性が良い。ま
た９文字の選択は記憶装置および制御装置によって自動
的に行なわれるため、正確であり、かつ短時間でできる
。
露光は自動的に行なわれるので極めて作業性が良い。ま
た９文字の選択は記憶装置および制御装置によって自動
的に行なわれるため、正確であり、かつ短時間でできる
。
なお５本発明は前記実施例に限定さねない。すなわち、
光の照射位置とステージとの位置を変化させるために、
カバー全体（またはステージ）を平面ＸＹ方向に移動す
るようにして上記文字記号を形成してもよい。
光の照射位置とステージとの位置を変化させるために、
カバー全体（またはステージ）を平面ＸＹ方向に移動す
るようにして上記文字記号を形成してもよい。
また、第４図に示すように５文字板２０を２組設け、一
度に２文字露光するようにしてもよい。
度に２文字露光するようにしてもよい。
この際、文字の方向をどちらか一方σ）文字板の文字に
一致させる必要がある。
一致させる必要がある。
また、文字板２０としては、第５図で示すように、円形
文字板２００半径方向に多桁の連語２５を配置し、一度
に多桁の連語を露光するようにしてもよい。
文字板２００半径方向に多桁の連語２５を配置し、一度
に多桁の連語を露光するようにしてもよい。
また、第６図で示すように、文字板２７を矩形にすると
ともに、この文字板２７に１字の文字２８゜数字２９お
よび多桁の連語３０（たとえばＡＷＥ３ 、ＰＪ５Ａ等
）を配列し、この文字板２７を平面ＸＹ方向に移動制御
されるＸＹテーブル３１に支片３２を介して取り付ける
ようにしてもよい。
ともに、この文字板２７に１字の文字２８゜数字２９お
よび多桁の連語３０（たとえばＡＷＥ３ 、ＰＪ５Ａ等
）を配列し、この文字板２７を平面ＸＹ方向に移動制御
されるＸＹテーブル３１に支片３２を介して取り付ける
ようにしてもよい。
この場合、この文字板を回転制御する必要はなくなる。
また、前記文字板の文字等の領域を光が透過しないよう
にしてその他の領域を光が透過するようにしてもよく、
また、文字等の領域を貫通孔（貫通溝）で形成してもよ
い。
にしてその他の領域を光が透過するようにしてもよく、
また、文字等の領域を貫通孔（貫通溝）で形成してもよ
い。
さらに、本発明の方法はフォトマスク以外の物に対して
も適用することができる。
も適用することができる。
以上のように１本発明によれば、多数桁の文字等からな
るネームを被露光物に対して正確にかつ短時間に露光形
成することができるので、極めて作業性が良くなる。
るネームを被露光物に対して正確にかつ短時間に露光形
成することができるので、極めて作業性が良くなる。
また、本発明によれば、これら多数桁のネームの露光作
業は全て機械によって自動的に行なうことができるので
人件費の節約も図れるなど多くの効果を挺する。
業は全て機械によって自動的に行なうことができるので
人件費の節約も図れるなど多くの効果を挺する。
第１図は本発明の一実施例において用いられる文字露光
装置の概要を示すブロック線図、第２図は同じく概要を
示す断面図、第３図（ａｔ 、 （ｂｌは文字板の平面
図を示し、特に図（ｂｌは文字板の周縁の一部拡大図、
第４図は本発明の他の実施例を示す説明図、第５図は本
発明の他の実施例で用いられる文字板における文字等の
配列状態を示す平面図。 第６図は本発明の他の実施例で用いられる文字板を示す
平面図である。 １・・フォトマスク、２・・・ステージ、３・・・スト
ッパ、４・・・べ−、ｘ、５・・・Ｖ字溝−６・・ガイ
ドレール、７・・・スライドレール、８・・・ローラ、
９・・・カバー、ｌ Ｑ−Ｖ −ル、１１・Ｖ字溝−１
２−ｃ＋−ラ、１３・・・ブロック、１４・・・駆動軸
、１５・・駆動モータ、１６・・・光源、１７・・・コ
ンデンサーレンズ、１８・・シャッタ、１９・・・投影
レンズ、２０・・・文字板、２１・・・文字板駆動モー
タ、２２・・・回転軸、２３・・・文字、２４・・・数
字、２５・・・連語、２６・・・不透過領域、２７・・
・文字板、２８・・・文字、２９・・・数字、３０・・
・連語。 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図
装置の概要を示すブロック線図、第２図は同じく概要を
示す断面図、第３図（ａｔ 、 （ｂｌは文字板の平面
図を示し、特に図（ｂｌは文字板の周縁の一部拡大図、
第４図は本発明の他の実施例を示す説明図、第５図は本
発明の他の実施例で用いられる文字板における文字等の
配列状態を示す平面図。 第６図は本発明の他の実施例で用いられる文字板を示す
平面図である。 １・・フォトマスク、２・・・ステージ、３・・・スト
ッパ、４・・・べ−、ｘ、５・・・Ｖ字溝−６・・ガイ
ドレール、７・・・スライドレール、８・・・ローラ、
９・・・カバー、ｌ Ｑ−Ｖ −ル、１１・Ｖ字溝−１
２−ｃ＋−ラ、１３・・・ブロック、１４・・・駆動軸
、１５・・駆動モータ、１６・・・光源、１７・・・コ
ンデンサーレンズ、１８・・シャッタ、１９・・・投影
レンズ、２０・・・文字板、２１・・・文字板駆動モー
タ、２２・・・回転軸、２３・・・文字、２４・・・数
字、２５・・・連語、２６・・・不透過領域、２７・・
・文字板、２８・・・文字、２９・・・数字、３０・・
・連語。 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図
Claims (1)
- １、集積回路形成のためのウェーハ加工用バｌ−ンに対
し、それとは独立してその品名等の文字記号を別途形成
するものであって、被露光物を載置するステージ、露光
する為の光源、光学的に上記ステージと光源の間に配置
された文字記号発生装置、上記光源から出た光を被露光
物上に集光するための光学系からなり、上記文字記号発
生装置を制御することにより、上記被露光物に対し、複
数回にわたり所望の文字記号列を露光できるようにした
文字露光装置を用いて上記品名等の文字記号を形成する
ことを特徴とする文字記号形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59074965A JPS6016423A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 文字記号形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59074965A JPS6016423A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 文字記号形成法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12033676A Division JPS5346283A (en) | 1976-10-08 | 1976-10-08 | Character exposure apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6016423A true JPS6016423A (ja) | 1985-01-28 |
Family
ID=13562515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59074965A Pending JPS6016423A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 文字記号形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6016423A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0288983A2 (en) * | 1987-04-29 | 1988-11-02 | Lbp Partnership | Means for projecting patterns of light |
| DE102016114521B4 (de) * | 2015-10-26 | 2019-11-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Lithografische Substratmarkierungseinrichtung, lithografische Wafermarkierungseinrichtung und Verfahren zum Herstellen von Substratcodierungsmarken |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5091273A (ja) * | 1973-12-12 | 1975-07-21 |
-
1984
- 1984-04-16 JP JP59074965A patent/JPS6016423A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5091273A (ja) * | 1973-12-12 | 1975-07-21 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0288983A2 (en) * | 1987-04-29 | 1988-11-02 | Lbp Partnership | Means for projecting patterns of light |
| JPS63290904A (ja) * | 1987-04-29 | 1988-11-28 | エルビーピー、パートナーシツプ | 投射器 |
| DE102016114521B4 (de) * | 2015-10-26 | 2019-11-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Lithografische Substratmarkierungseinrichtung, lithografische Wafermarkierungseinrichtung und Verfahren zum Herstellen von Substratcodierungsmarken |
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