JPS60162482A - Mos fetによる低損失整流回路 - Google Patents
Mos fetによる低損失整流回路Info
- Publication number
- JPS60162482A JPS60162482A JP1806884A JP1806884A JPS60162482A JP S60162482 A JPS60162482 A JP S60162482A JP 1806884 A JP1806884 A JP 1806884A JP 1806884 A JP1806884 A JP 1806884A JP S60162482 A JPS60162482 A JP S60162482A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- source
- circuit
- gate
- power supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/02—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal
- H02M7/04—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/12—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/21—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M7/217—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Rectifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
従来、電源回路において、交流から直流に整流するには
、グイオー トが一般的に使われているか、順H向電圧
により効率を悪化させる。さらに、スイッチング電源に
おいては、グイオー!・の逆回復時間に逆方向電流が流
れるため、効率を悪くすると同時に、スイッチング半導
体に悪影響を及ぼず。これらの問題は、電源回路の熱設
計に条件を与え、小型化を制限する。
、グイオー トが一般的に使われているか、順H向電圧
により効率を悪化させる。さらに、スイッチング電源に
おいては、グイオー!・の逆回復時間に逆方向電流が流
れるため、効率を悪くすると同時に、スイッチング半導
体に悪影響を及ぼず。これらの問題は、電源回路の熱設
計に条件を与え、小型化を制限する。
本発明は、電源回路の整流回路において、順JJ向電圧
の低下と逆回復時間の短縮を図り、整lk回路の高効率
化を目的とする。 シ)第1図は、本発明の回路図であ
る。25 K型M OS l” E ”l’ 2の内部
に構成される寄生ダイオードにより整流を行なう。この
MOS F1℃′1゛のゲート〜ソース間電圧は、交流
電源電圧である6と7の間の電圧を、トランス1の4と
5に加え、トランス1を介して第4図のゲートルソース
間電圧のように加えられる。又は、論理回路により作ら
れた信号を、トランスIの4と5に加え、第5図のゲー
トルソース間電圧のように加える。第1図において、交
流電源電圧6が7よりも高くなると、電流はソースから
トレインに流れる。その際に、ゲート電圧は第4図又は
第5図のようにソースよりも高くされるので、順方向電
圧は低くすることが出来る。又、交流電源電圧6が7よ
り低くなる場合は、ゲート電圧をソース電圧に対し等し
いか負にすることにより、ドレインからソースに電流を
流れないようにする。第4図においては、交流電源電圧
の変化が同時にゲート〜ソース間電圧を変化させこの切
り変えを行っている。第5図においては、交流電源電圧
6が7よりも低くなる少し曲の時期に、ゲート電圧がソ
ース電圧よりも低くなるように制御される。これにより
、順方向電圧は少し高くなるが、次に交流電圧が切り変
った11Yの逆回復時間を短縮することが出来る。
の低下と逆回復時間の短縮を図り、整lk回路の高効率
化を目的とする。 シ)第1図は、本発明の回路図であ
る。25 K型M OS l” E ”l’ 2の内部
に構成される寄生ダイオードにより整流を行なう。この
MOS F1℃′1゛のゲート〜ソース間電圧は、交流
電源電圧である6と7の間の電圧を、トランス1の4と
5に加え、トランス1を介して第4図のゲートルソース
間電圧のように加えられる。又は、論理回路により作ら
れた信号を、トランスIの4と5に加え、第5図のゲー
トルソース間電圧のように加える。第1図において、交
流電源電圧6が7よりも高くなると、電流はソースから
トレインに流れる。その際に、ゲート電圧は第4図又は
第5図のようにソースよりも高くされるので、順方向電
圧は低くすることが出来る。又、交流電源電圧6が7よ
り低くなる場合は、ゲート電圧をソース電圧に対し等し
いか負にすることにより、ドレインからソースに電流を
流れないようにする。第4図においては、交流電源電圧
の変化が同時にゲート〜ソース間電圧を変化させこの切
り変えを行っている。第5図においては、交流電源電圧
6が7よりも低くなる少し曲の時期に、ゲート電圧がソ
ース電圧よりも低くなるように制御される。これにより
、順方向電圧は少し高くなるが、次に交流電圧が切り変
った11Yの逆回復時間を短縮することが出来る。
第2図は、2SJ型(7) M OS F E i”
ヲ使用した場合の整流回路である。この場合、寄生ダイ
オードはドレインがアノードに、ソースがカソードとな
るように構成される。交流電源電圧の7が6よりも高い
場合は、MOS Fト〕T2のドレインからソースに電
流が流れるので、トランス1の4と5は、第1図と同様
に交流電源型11(6と7、又は論理回路によりドライ
ブされ、ケート電圧をソース電圧よりも低(して順方向
電圧を低(する。又、交流電源電圧6か7よりも高い場
合はゲート電圧をソース電圧に対し等しいか負にするこ
とによって、ソースからドレインに電流が流れることを
防ぐ。以」二のようにして、第1図の場合と極性の異な
る整流についOS FE l” 2のゲートルソース間
電圧に制限を加える保護回路を付加した回路である。抵
抗8はツェナーダイオード9,10に流れる電流を制限
し、ツェナータイオード9と10はMO3F I ’V
2のクー−−1・〜ソース間電圧に制限を加える。この
回路は、第1図の回路で得られた効果が同様に得られる
他に、トランス1の4と5に過電圧が加わった場合でも
ゲートが保護される0又、トランス1の4と5に加わる
電圧が正弦波の場合でも、保護回路が働くことを利用し
て矩形波に近い電圧をゲート〜ソース間に与えられるの
で、順方向電圧をより低くすることが出来る。
ヲ使用した場合の整流回路である。この場合、寄生ダイ
オードはドレインがアノードに、ソースがカソードとな
るように構成される。交流電源電圧の7が6よりも高い
場合は、MOS Fト〕T2のドレインからソースに電
流が流れるので、トランス1の4と5は、第1図と同様
に交流電源型11(6と7、又は論理回路によりドライ
ブされ、ケート電圧をソース電圧よりも低(して順方向
電圧を低(する。又、交流電源電圧6か7よりも高い場
合はゲート電圧をソース電圧に対し等しいか負にするこ
とによって、ソースからドレインに電流が流れることを
防ぐ。以」二のようにして、第1図の場合と極性の異な
る整流についOS FE l” 2のゲートルソース間
電圧に制限を加える保護回路を付加した回路である。抵
抗8はツェナーダイオード9,10に流れる電流を制限
し、ツェナータイオード9と10はMO3F I ’V
2のクー−−1・〜ソース間電圧に制限を加える。この
回路は、第1図の回路で得られた効果が同様に得られる
他に、トランス1の4と5に過電圧が加わった場合でも
ゲートが保護される0又、トランス1の4と5に加わる
電圧が正弦波の場合でも、保護回路が働くことを利用し
て矩形波に近い電圧をゲート〜ソース間に与えられるの
で、順方向電圧をより低くすることが出来る。
以」−のように、本発明の整流回路によれば、順方向電
圧を下げ損失を小さく出来る。又、逆回復時間を短(し
、雑音の少ないスイッチング電源を作ることが出来る。
圧を下げ損失を小さく出来る。又、逆回復時間を短(し
、雑音の少ないスイッチング電源を作ることが出来る。
これらにより、電源回路の高効率化を図り小型化が可能
となる。
となる。
図面は、本発明の実施態様を示す。第1図は、zSK型
のMOS FETを使用L/ タ場合(7)回路図で、
1はトランス、2は23 K型のMOS FET、3は
負荷、4と5にはMO3FIε′1゛のケートドライブ
信号が加わる。6と7には交流電源電圧が加わる。第2
図は2SJ型のMOS FETを使用した場合の回路図
で、1はトランス、2は2SJ型のMOS FET、3
は負荷、4と5にはMOS FEi、”のゲートISラ
イブ信号が加わる。6と7には交流電源電圧が加わる。 第3図は、第1図の回路に保護回路を(;J加した回路
で、1はトランス、2は2SI〈型(7) M OS
F E T、3は負荷、4ト5ニl;Jデー1− ドラ
イブ信号電圧が加わる。6と7には交流電圧が加わる。 8は抵抗、9と]Oはツェナーダイオード。第4図は第
1図の回路の動作を説明する図で、交流電源電圧は第1
図の6と7の間の電圧、第1図の4と5は6と7に接続
されていて、ケート〜ソース間電圧は、第1図のM O
S F E i” 2のゲート〜ソース間電圧、第1図
の負荷3は定電流負荷とした場合のMO3F E ′r
2のソース〜ドレイン間電圧が、第4図のソース〜ドレ
イン間電圧である。第5図は第1図の(jと7の間の交
流電源電圧が矩形波の場合で、第1図のMOS FET
2のゲート〜ソース間電圧を論理回路信号を4と5に加
えた場合である。交流電源電圧は、第1図の6と7の間
の電圧、ゲート〜ソース間電圧は第1図のMOS li
″I’) i” 2のゲートルソース間電圧、ソース〜
トレイン間電圧は、第1図のMOS FET2のソース
〜ドレイン間電圧で、負荷が定電流負荷の場合を示す。 輩十圃 第り閏
のMOS FETを使用L/ タ場合(7)回路図で、
1はトランス、2は23 K型のMOS FET、3は
負荷、4と5にはMO3FIε′1゛のケートドライブ
信号が加わる。6と7には交流電源電圧が加わる。第2
図は2SJ型のMOS FETを使用した場合の回路図
で、1はトランス、2は2SJ型のMOS FET、3
は負荷、4と5にはMOS FEi、”のゲートISラ
イブ信号が加わる。6と7には交流電源電圧が加わる。 第3図は、第1図の回路に保護回路を(;J加した回路
で、1はトランス、2は2SI〈型(7) M OS
F E T、3は負荷、4ト5ニl;Jデー1− ドラ
イブ信号電圧が加わる。6と7には交流電圧が加わる。 8は抵抗、9と]Oはツェナーダイオード。第4図は第
1図の回路の動作を説明する図で、交流電源電圧は第1
図の6と7の間の電圧、第1図の4と5は6と7に接続
されていて、ケート〜ソース間電圧は、第1図のM O
S F E i” 2のゲート〜ソース間電圧、第1図
の負荷3は定電流負荷とした場合のMO3F E ′r
2のソース〜ドレイン間電圧が、第4図のソース〜ドレ
イン間電圧である。第5図は第1図の(jと7の間の交
流電源電圧が矩形波の場合で、第1図のMOS FET
2のゲート〜ソース間電圧を論理回路信号を4と5に加
えた場合である。交流電源電圧は、第1図の6と7の間
の電圧、ゲート〜ソース間電圧は第1図のMOS li
″I’) i” 2のゲートルソース間電圧、ソース〜
トレイン間電圧は、第1図のMOS FET2のソース
〜ドレイン間電圧で、負荷が定電流負荷の場合を示す。 輩十圃 第り閏
Claims (3)
- (1)N・IO8Fl尤1゛内部に構成される寄生グイ
A−1・により整流し、交流電源、又は、論理回路によ
りグー1間電圧−ス間電圧を制御し、順方向電圧を低く
する回路。 - (2)1項の回路において、整流すべき交流電圧か(J
J変る11間において、ゲートルソース間型1Fを制御
し、逆回復時間を短くする回路。 - (3)1項、2項の回路において、ゲートとソース間に
過電圧保護回路を付加した回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1806884A JPS60162482A (ja) | 1984-02-02 | 1984-02-02 | Mos fetによる低損失整流回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1806884A JPS60162482A (ja) | 1984-02-02 | 1984-02-02 | Mos fetによる低損失整流回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60162482A true JPS60162482A (ja) | 1985-08-24 |
Family
ID=11961345
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1806884A Pending JPS60162482A (ja) | 1984-02-02 | 1984-02-02 | Mos fetによる低損失整流回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60162482A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012143154A (ja) * | 2012-04-12 | 2012-07-26 | Mitsubishi Electric Corp | 直流電源装置、これを備えた冷凍サイクル装置、並びに、これを搭載した空気調和機及び冷蔵庫 |
WO2019003270A1 (ja) | 2017-06-26 | 2019-01-03 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置、モータ駆動制御装置、送風機、圧縮機及び空気調和機 |
-
1984
- 1984-02-02 JP JP1806884A patent/JPS60162482A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012143154A (ja) * | 2012-04-12 | 2012-07-26 | Mitsubishi Electric Corp | 直流電源装置、これを備えた冷凍サイクル装置、並びに、これを搭載した空気調和機及び冷蔵庫 |
WO2019003270A1 (ja) | 2017-06-26 | 2019-01-03 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置、モータ駆動制御装置、送風機、圧縮機及び空気調和機 |
US11101728B2 (en) | 2017-06-26 | 2021-08-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Power converting apparatus, motor drive control apparatus, blower, compressor, and air conditioner |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4870555A (en) | High-efficiency DC-to-DC power supply with synchronous rectification | |
US6597592B2 (en) | Apparatus and method for turning off BJT used as controlled rectifier | |
Niemela et al. | Comparison of GaAs and silicon synchronous rectifiers in a 3.3 V out, 50 W DC-DC converter | |
US20050162139A1 (en) | Alternating current switching circuit | |
CN114629358A (zh) | 具有有源钳位器的同步整流栅极驱动器 | |
US7304457B1 (en) | Bridgeless power factor corrector circuit and control method thereof | |
TWI689153B (zh) | 供電電壓產生電路及其積體電路 | |
US8797775B2 (en) | Driving circuit for low voltage drop bridge rectifier and method thereof | |
JP2007521543A (ja) | オンチップ電源 | |
JPS60162482A (ja) | Mos fetによる低損失整流回路 | |
JPH0678526A (ja) | ゲートドライブ回路 | |
JPH10243647A (ja) | 電源装置 | |
JP4154658B2 (ja) | 同期整流用mosfetの制御回路 | |
JP3262515B2 (ja) | 電気回路 | |
US20070076514A1 (en) | Lus semiconductor and application circuit | |
JP3818435B2 (ja) | 同期整流回路 | |
US4652808A (en) | Efficiency switching voltage converter system | |
US10622911B1 (en) | Rectifier circuits for electrical power supplies | |
TW202130102A (zh) | 用於在次級同步整流器中產生控制訊號和充電直流電源的方法與裝置 | |
JP3501541B2 (ja) | 全波整流回路 | |
JPH0832167B2 (ja) | スイッチング電源回路 | |
JPH03218264A (ja) | 整流装置 | |
WO2006106989A1 (ja) | 整流回路および電圧変換回路 | |
JPS63124767A (ja) | 絶縁ゲ−ト形電界効果トランジスタを用いた電源装置 | |
JPH01177865A (ja) | スイッチング電源装置 |