JPS60160197A - 電磁シ−ルド性を有する高分子成形体 - Google Patents
電磁シ−ルド性を有する高分子成形体Info
- Publication number
- JPS60160197A JPS60160197A JP1352184A JP1352184A JPS60160197A JP S60160197 A JPS60160197 A JP S60160197A JP 1352184 A JP1352184 A JP 1352184A JP 1352184 A JP1352184 A JP 1352184A JP S60160197 A JPS60160197 A JP S60160197A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- electromagnetic shielding
- shielding
- shielding property
- polymer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、コンピューター通信機器等の電子機器を収納
する筐体の材料、更に詳しくは、電磁シールド性を付与
し水高分子成形体に関する。
する筐体の材料、更に詳しくは、電磁シールド性を付与
し水高分子成形体に関する。
近年、合成樹脂の大型成形法の進歩に伴ない、コンピュ
ーター、通信機器等の筐体はトータルコストの低減、軽
量化、デザインの自由性等の観点から、それまでの板金
製から合成樹脂製へと移行している。
ーター、通信機器等の筐体はトータルコストの低減、軽
量化、デザインの自由性等の観点から、それまでの板金
製から合成樹脂製へと移行している。
しかし、電子機器はそれ自体が電磁波の発生源とな９や
すいものである。また、周囲からの電磁波が誤動作やノ
イズの原因となる。電子機器の筐体が金属製である場合
には、導電性の筐体によってｉ磁波干渉を防ぐことがで
きたが、筐体を合成樹脂製としｆｃ揚合には、合成樹脂
自体が電気絶縁体であるために電磁波のシールＰ機能を
まったくしていない。このため、プラスチックに電磁シ
ールＰの機能金持たせる種々の技術が必要となる。
すいものである。また、周囲からの電磁波が誤動作やノ
イズの原因となる。電子機器の筐体が金属製である場合
には、導電性の筐体によってｉ磁波干渉を防ぐことがで
きたが、筐体を合成樹脂製としｆｃ揚合には、合成樹脂
自体が電気絶縁体であるために電磁波のシールＰ機能を
まったくしていない。このため、プラスチックに電磁シ
ールＰの機能金持たせる種々の技術が必要となる。
現在性なわれているシールド性付与には主に２つの方法
がある。１つは合成樹脂成形品の表面にシールド性皮膜
を形成゛する表面処理方法であり、他の１つは導電性フ
ィラーを合成樹脂に混入する方法である。
がある。１つは合成樹脂成形品の表面にシールド性皮膜
を形成゛する表面処理方法であり、他の１つは導電性フ
ィラーを合成樹脂に混入する方法である。
しかしながら、合成樹脂製の筐体への電磁シールド処理
自体が新しい技術問題であることもあって、２つの方法
ともいろいろな欠点を有している。
自体が新しい技術問題であることもあって、２つの方法
ともいろいろな欠点を有している。
前者の方法に１、亜鉛溶射、導電性塗料の塗布、金属メ
ッキがあけられる。亜鉛溶射は優れたシールド効果を持
っているが、加工装置が高価であることや亜鉛蒸気ガス
の発生に伴う労働環境などの問題がめる。金輌メッキも
烏いシールド効果を持つ反面コストが高く、シかもメッ
キ可能な樹脂が限定されている。さらに３者すべてに共
通するのがシールド性皮膜とプラスチックの密層強度の
不足である。このことは機器使用時の剥離などによるシ
ールド性低下げかシでなく、剥離金属の機器内配線およ
び素子への接触による事故を招く。また、フィラー混入
方法でも高元項系であればプラスチック基体の力学的特
性が劣化するし、充填量が少なくてもシールド効果が高
い繊維状フィラーの場合にも混線時にフィラー破損が起
こるという欠点を持つ。
ッキがあけられる。亜鉛溶射は優れたシールド効果を持
っているが、加工装置が高価であることや亜鉛蒸気ガス
の発生に伴う労働環境などの問題がめる。金輌メッキも
烏いシールド効果を持つ反面コストが高く、シかもメッ
キ可能な樹脂が限定されている。さらに３者すべてに共
通するのがシールド性皮膜とプラスチックの密層強度の
不足である。このことは機器使用時の剥離などによるシ
ールド性低下げかシでなく、剥離金属の機器内配線およ
び素子への接触による事故を招く。また、フィラー混入
方法でも高元項系であればプラスチック基体の力学的特
性が劣化するし、充填量が少なくてもシールド効果が高
い繊維状フィラーの場合にも混線時にフィラー破損が起
こるという欠点を持つ。
本発明：ｉ！ｔ４は、シールド性皮膜と合成樹脂との密
着強度が大きく、大面積、複雑形状物質にも容易に施せ
る安価な電磁シールド性付与技術に関し鋭意研究を重ね
本発明を完成するに至った。
着強度が大きく、大面積、複雑形状物質にも容易に施せ
る安価な電磁シールド性付与技術に関し鋭意研究を重ね
本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、硫化鋼を付着および／または含有せし
めてなることを特徴とする電磁シールド性を有する高分
子成形体を提供するものである。
めてなることを特徴とする電磁シールド性を有する高分
子成形体を提供するものである。
以下に本発明を説明する。
本発明で高分子成形体に付着および／または含有せしめ
る硫化鋼（Ｃｕ、Ｓ）としてはＣｕｇＳ５． Ｃｕ８゜
Ｃｕ７Ｓ４．Ｃｕ１４６ｓ＋ ＣｕＩ・ｅｓＢ＋ Ｃ＋
ｇ、ｇ２Ｓ、Ｃｕ７．２Ｓ４．Ｃｕ 、Ｓ（１，８６＜
ｘ＜１．９６ ）およびこれらの混合物などが挙けられ
る。
る硫化鋼（Ｃｕ、Ｓ）としてはＣｕｇＳ５． Ｃｕ８゜
Ｃｕ７Ｓ４．Ｃｕ１４６ｓ＋ ＣｕＩ・ｅｓＢ＋ Ｃ＋
ｇ、ｇ２Ｓ、Ｃｕ７．２Ｓ４．Ｃｕ 、Ｓ（１，８６＜
ｘ＜１．９６ ）およびこれらの混合物などが挙けられ
る。
本発明で用いられる高分子成形体の材質としては、ポリ
オレフィン（ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ−４
−メチルペンテン−１等）、ｙｌｅｌエリテル（脂肪族
ポリエステル、芳香族ポリエステル、不飽和ポリエステ
ル）、ポリスブレンおよびその誘導体（ポリスチレン、
ポリ−α−メチルスチレン、ポリ−ｐ−メチルスチレン
）、ポリカーボネート（脂肪族、芳香族）、ポリスルホ
ン、ポリ（メタ）アクリル酸エステル類、ポリエーテル
（脂肪族、芳香族）、ハロゲン含有ポリマー（ポリ塩化
ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフッ化ビニリデン、
ポリテトラフルオロエチレン等）、ポリビニルアルコー
ル訪導体（ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマー
ル、ポリ酢酸ビニル等）、セルロースＷＩｊｎ体（セル
ロースアセテート等）、ポリアミド（６，６ナイロン、
６ナイロン、１２ナイロン、ｍ−フェニレンイソフタル
アミ）’、ｐ−フェニレンテレフタルアミド、（メタ）
アクリルアミド含有ポリマー、鞘、羊毛等の蛋白質系繊
維等）、カルゼキシル基含有ポリマー（（メタ）アクリ
ル酸を（コ）モノマーとｆるポリマー等）アミノ基を含
むポリマー（ポリベンズイミダゾール。
オレフィン（ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ−４
−メチルペンテン−１等）、ｙｌｅｌエリテル（脂肪族
ポリエステル、芳香族ポリエステル、不飽和ポリエステ
ル）、ポリスブレンおよびその誘導体（ポリスチレン、
ポリ−α−メチルスチレン、ポリ−ｐ−メチルスチレン
）、ポリカーボネート（脂肪族、芳香族）、ポリスルホ
ン、ポリ（メタ）アクリル酸エステル類、ポリエーテル
（脂肪族、芳香族）、ハロゲン含有ポリマー（ポリ塩化
ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフッ化ビニリデン、
ポリテトラフルオロエチレン等）、ポリビニルアルコー
ル訪導体（ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマー
ル、ポリ酢酸ビニル等）、セルロースＷＩｊｎ体（セル
ロースアセテート等）、ポリアミド（６，６ナイロン、
６ナイロン、１２ナイロン、ｍ−フェニレンイソフタル
アミ）’、ｐ−フェニレンテレフタルアミド、（メタ）
アクリルアミド含有ポリマー、鞘、羊毛等の蛋白質系繊
維等）、カルゼキシル基含有ポリマー（（メタ）アクリ
ル酸を（コ）モノマーとｆるポリマー等）アミノ基を含
むポリマー（ポリベンズイミダゾール。
ポリトリアジン、ポリエチレンイミン等）、ウレタン基
含肩ポリマー（ポリナト２メチレンへキサメチレンウレ
タン、ポリへキサメチレンテトラメチレンウレタン等ン
、尿素結合を宮むポリマー（ポリへキサメチレン尿素、
ポリへブタメチレン尿素等）、ジエン系ゴム（天然ゴム
、ＳＢＲ等）、シリコン系ポリマーなどが挙けられる。
含肩ポリマー（ポリナト２メチレンへキサメチレンウレ
タン、ポリへキサメチレンテトラメチレンウレタン等ン
、尿素結合を宮むポリマー（ポリへキサメチレン尿素、
ポリへブタメチレン尿素等）、ジエン系ゴム（天然ゴム
、ＳＢＲ等）、シリコン系ポリマーなどが挙けられる。
本発明で用いるシールド性高分子成形体の形状は、フィ
ルム状、シート状、布状、網状、その他どんな複雑な形
状でもかまわない。ただし網状などの開−ｏｓ’ｅ有す
る形状の場曾には、その開口部の全体に占める面積は１
５％未満、ひとつの開口部の面積の大きさは５ ｃｔｎ
２未満、好ましくはそれぞれ７％未満、２ｃｒｎ２未満
であることが必要である。
ルム状、シート状、布状、網状、その他どんな複雑な形
状でもかまわない。ただし網状などの開−ｏｓ’ｅ有す
る形状の場曾には、その開口部の全体に占める面積は１
５％未満、ひとつの開口部の面積の大きさは５ ｃｔｎ
２未満、好ましくはそれぞれ７％未満、２ｃｒｎ２未満
であることが必要である。
また、フイｌｌ／ム状、シート状であれば重ねること、
ラミネート加工、カレンダ〃ｌ工、エンミス加工などの
２次加工を施すことも可能であるし、フィルム状、シー
ト状物をハウジングなどの複雑な形状の成形物へ複合化
させるため、サーモホーミングやインジェクションなど
を適用することも可Ｖ！仁である。もちろん、他の電磁
シールド性を有する成形体と組み合わせてシールド効果
をさらに向上させることも可能である。その場合は他の
電磁シールド性成形体に硫化銅処理を施してもよいし、
他の４磁シー／ｌ ド性成形体と硫化銅処理を施した成
形体をラミネート加工、インジェクションなどの方法で
複合化させることもできる。さらに、透明性を有する成
形体を基体に用いると、透明な電磁シールド性高分子成
形体が得られる。
ラミネート加工、カレンダ〃ｌ工、エンミス加工などの
２次加工を施すことも可能であるし、フィルム状、シー
ト状物をハウジングなどの複雑な形状の成形物へ複合化
させるため、サーモホーミングやインジェクションなど
を適用することも可Ｖ！仁である。もちろん、他の電磁
シールド性を有する成形体と組み合わせてシールド効果
をさらに向上させることも可能である。その場合は他の
電磁シールド性成形体に硫化銅処理を施してもよいし、
他の４磁シー／ｌ ド性成形体と硫化銅処理を施した成
形体をラミネート加工、インジェクションなどの方法で
複合化させることもできる。さらに、透明性を有する成
形体を基体に用いると、透明な電磁シールド性高分子成
形体が得られる。
硫化鋼を付層および／または含有する高分子成形体の製
造方法に関しては、その方法を問わない。
造方法に関しては、その方法を問わない。
代辰的な例を以下に挙ける。
■銅塩と還元性硫黄化合＠を含む水溶液中で高分子成形
体を処理することにより実質的に硫化第２銅と複合化さ
れたシールド性含有する高分子成形体が得られる。該高
分子成形体は、ニトリル基、アミド基、カルボキシル基
１．アミノ基、ウレタン基またはウレア基のうち少なく
ともひとつの官能基を含む高分子材料、連続多孔ま″た
は粗面を有する材料である。■ニトリル基を含有する尚
分子材料を銅塩と還元性硫黄化合物を含む水溶液中で処
理することにより実質的にＣｕ 、 Ｓ （１，８６＜
ｘ＜１．９６３を含有する羽科が得られる。■ニトリル
基を含む高分子成形体を１価の銅イオンと、硫黄原子ま
たは硫黄イオンの両方もしくは一方を放出し得る化合物
とを含む浴中で処理するか、またけニトリル基−を含む
高分子成形体に第１の浴中で１価の銅イオンを成層させ
た後に、硫黄原子また＃−ｉ硫黄イオンの両方もしくは
いずれか一方を放出しうる化合物を含む浴中で処理する
と実質的にダイジエナイ）（Ｃｕ、Ｓｓ） を含有する
高分子成形体が得られる。
体を処理することにより実質的に硫化第２銅と複合化さ
れたシールド性含有する高分子成形体が得られる。該高
分子成形体は、ニトリル基、アミド基、カルボキシル基
１．アミノ基、ウレタン基またはウレア基のうち少なく
ともひとつの官能基を含む高分子材料、連続多孔ま″た
は粗面を有する材料である。■ニトリル基を含有する尚
分子材料を銅塩と還元性硫黄化合物を含む水溶液中で処
理することにより実質的にＣｕ 、 Ｓ （１，８６＜
ｘ＜１．９６３を含有する羽科が得られる。■ニトリル
基を含む高分子成形体を１価の銅イオンと、硫黄原子ま
たは硫黄イオンの両方もしくは一方を放出し得る化合物
とを含む浴中で処理するか、またけニトリル基−を含む
高分子成形体に第１の浴中で１価の銅イオンを成層させ
た後に、硫黄原子また＃−ｉ硫黄イオンの両方もしくは
いずれか一方を放出しうる化合物を含む浴中で処理する
と実質的にダイジエナイ）（Ｃｕ、Ｓｓ） を含有する
高分子成形体が得られる。
硫化鋼層の厚みは厚い方がシールド性能は向上する。２
００オングストロ一ム以上が好ましい。そのため、繰り
返して処理することも可能であるし、反応液中に高分子
成形体の膨飼剤を加えたり、また高分子成形体の表面を
粗面としておくことも有有効である。
００オングストロ一ム以上が好ましい。そのため、繰り
返して処理することも可能であるし、反応液中に高分子
成形体の膨飼剤を加えたり、また高分子成形体の表面を
粗面としておくことも有有効である。
本発明の電磁シールド性を有する高分子成形体の電磁シ
ールド性については、基体となる材料、硫化銅処理方法
、硫化銅処理条件などにより変化し一概には百えないが
、ＦＣＣ規制に対応した１０００Ｍ、Ｈｚｌでの周波数
領域で３０ｄＢ以上のシールド効果を得ることが可能で
ある。また、シールド性皮膜と曾成樹脂（基体ンとの密
層強度は、スコッチテープビーリング試験に十分耐える
位に大きく、かつ、大面積、複雑形状物易加工性、廉価
性を具備した良好な［６シ一ルＰ性成形体である。
ールド性については、基体となる材料、硫化銅処理方法
、硫化銅処理条件などにより変化し一概には百えないが
、ＦＣＣ規制に対応した１０００Ｍ、Ｈｚｌでの周波数
領域で３０ｄＢ以上のシールド効果を得ることが可能で
ある。また、シールド性皮膜と曾成樹脂（基体ンとの密
層強度は、スコッチテープビーリング試験に十分耐える
位に大きく、かつ、大面積、複雑形状物易加工性、廉価
性を具備した良好な［６シ一ルＰ性成形体である。
以下、実施例によυ本発明の詳細な説明する。
なお、電磁シールド性の評価はネットワークアナリーシ
ス機能の付いたマルチファンクション・スペクトラム・
アナライザ（モデルＴＲ４１？ ２．タケダ理研社製）
を用いて行なった。
ス機能の付いたマルチファンクション・スペクトラム・
アナライザ（モデルＴＲ４１？ ２．タケダ理研社製）
を用いて行なった。
実施例１
ＡＢ８シート（厚さ３■、アクリロニトリル４１ｗｔ％
、ブタジェン１６ ｗ ｔ ％、スチレン４３ｗｔＩ％
）を硫酸鋼（０，０５ｍｏ １７４１）とチオ硫酸ナト
リウム（０，４５ｍｏｌ／ｉ）を含む水＃！液液中浸漬
し、室温よシ９４℃まで徐々に昇温し、９４℃で３０分
間処理した。
、ブタジェン１６ ｗ ｔ ％、スチレン４３ｗｔＩ％
）を硫酸鋼（０，０５ｍｏ １７４１）とチオ硫酸ナト
リウム（０，４５ｍｏｌ／ｉ）を含む水＃！液液中浸漬
し、室温よシ９４℃まで徐々に昇温し、９４℃で３０分
間処理した。
このシートを水洗後１００℃で１時間足長乾熱固定した
。このフィルムは緑色でＸ線（ロ）折の結果、実質的に
硫化第２銅であることがわかった。表面抵抗は２２０７
口であり、硫化銅とシートとの密着力はスコッチテープ
ビーリング試験に十分耐えるものでめった。
。このフィルムは緑色でＸ線（ロ）折の結果、実質的に
硫化第２銅であることがわかった。表面抵抗は２２０７
口であり、硫化銅とシートとの密着力はスコッチテープ
ビーリング試験に十分耐えるものでめった。
このシートの高インピーダンス電界シールド性ＭＨｚで
の２９ｄＢでおった。
の２９ｄＢでおった。
実施例２
アクリロニトリル９４ｗｔ％、アクリル酸メチル６ｗｔ
％金宮む共重合体の７０ ｗ ｔ％の硝酸溶液（２２重
量％）を湿式製膜した恢、二＠延伸機で縦横それぞれ２
５倍に二軸延伸して厚さ２５μの透明延伸フィルムを侍
た。
％金宮む共重合体の７０ ｗ ｔ％の硝酸溶液（２２重
量％）を湿式製膜した恢、二＠延伸機で縦横それぞれ２
５倍に二軸延伸して厚さ２５μの透明延伸フィルムを侍
た。
このフィルムに実施例１と同様の硫化銅処理を流した。
得られたフィルムは磯緑色でＸ＠圓折の結果、実質的に
硫化第２鋼であることがわかった。
硫化第２鋼であることがわかった。
表面抵抗は１．３Ω１０でおり、硫化銅とフィルムとの
密着力はスコッチテープビーリング試験に十分耐えるも
のであった。このフィルム’ｉＰＭＭＡシート（厚さ３
ｍ、１５ｃｔｎ角）の両面に１枚づつ貼り、各辺を籟ペ
ーストでコートした。
密着力はスコッチテープビーリング試験に十分耐えるも
のであった。このフィルム’ｉＰＭＭＡシート（厚さ３
ｍ、１５ｃｔｎ角）の両面に１枚づつ貼り、各辺を籟ペ
ーストでコートした。
このシートの高インピーダンス電界シールｒ性を測定し
たところ、３ＭＨｚから１００１００Ｏ’＊での範囲で
の最低値は６８ＭＨｚでの４１ｄＢであった。
たところ、３ＭＨｚから１００１００Ｏ’＊での範囲で
の最低値は６８ＭＨｚでの４１ｄＢであった。
実施例３
ナイロンメツシュ（＃ 径ｓＯμ、２２５メツシュ、孔
眼の全面積が全表面積に占める割合は３１％。
眼の全面積が全表面積に占める割合は３１％。
ナイロン６）を塩化第２銅（０，０５ｍｏｌ／ｊｌ）、
チオ硫酸ナトリウム（ｏ、４ｓｍｏｔ／Ａ）、グリオキ
サール１８ｖｏ１％の水溶液中に浸漬し、室温より９４
℃まで徐々に昇温し、９４℃で３０分間処理した。この
メツシュを水洗後１００℃で１時間定量乾熱処理した。
チオ硫酸ナトリウム（ｏ、４ｓｍｏｔ／Ａ）、グリオキ
サール１８ｖｏ１％の水溶液中に浸漬し、室温より９４
℃まで徐々に昇温し、９４℃で３０分間処理した。この
メツシュを水洗後１００℃で１時間定量乾熱処理した。
得られたメツシュは緑色でＸＩｗｉ１１ｇ］折の結果実
質的に硫化第２銅であることがわかった。表面抵抗は４
００Ω／口であり、硫化銅とメツシュとの密着力はスコ
ッチテープビーリング試験に十分耐えるものであった。
質的に硫化第２銅であることがわかった。表面抵抗は４
００Ω／口であり、硫化銅とメツシュとの密着力はスコ
ッチテープビーリング試験に十分耐えるものであった。
このメツシュの高インピーダンス電界シールド性を測定
したところ、５０ＭＨｚで３５ｄＢ、１００ＭＨｚで２
９ｄＢ、４００ＭＨｚでｌ０ｄＢであった。
したところ、５０ＭＨｚで３５ｄＢ、１００ＭＨｚで２
９ｄＢ、４００ＭＨｚでｌ０ｄＢであった。
実施例４
実施例２において、基体となる透明延伸フィルムに直径
１ｓｗ＋の孔を均一にあけ全表面積に占める孔の全表面
積が７優となるようにする。この透明延伸フィルムに実
施例２と同じ硫化銅処理をした。
１ｓｗ＋の孔を均一にあけ全表面積に占める孔の全表面
積が７優となるようにする。この透明延伸フィルムに実
施例２と同じ硫化銅処理をした。
得られたフィルムは緑色でＸｍｔｇｌ折の結果、実質的
に硫化第２銅であることがわかった。貴簡抵抗は８Ω／
口であり、硫化鋼とフィルムとの密着力はスコッチテー
プピーリング試験に十分耐えるものでめった。
に硫化第２銅であることがわかった。貴簡抵抗は８Ω／
口であり、硫化鋼とフィルムとの密着力はスコッチテー
プピーリング試験に十分耐えるものでめった。
このフィルムの高インピーダンス電界シールド性を測定
したところ、３ＭＨｚから１００１００Ｏでの範囲での
最低値は６８ＭＨｚでの３２ｄＢであった。
したところ、３ＭＨｚから１００１００Ｏでの範囲での
最低値は６８ＭＨｚでの３２ｄＢであった。
実施例５
実施例２において、硫酸鋼ｆ ０．０５ｍ０１／ｊ！、
チオ硫酸ナトリウムを０．０５ｍｏｌ／ｊ！とし９４℃
で２５分間処理した。このフィルム−を水洗後１００℃
で讐４間定長乾熱処理した。得られたフィルムは黄金色
でＸ線回折の結果、実質的にＣｕｘ８ （１，８６＜Ｘ
＜１．９６）であることがわかった。表面抵抗は２００
んであり、硫化銅とフィルムとの密層力はスコッチテー
プビーリング試験に十分耐えるものであった。
チオ硫酸ナトリウムを０．０５ｍｏｌ／ｊ！とし９４℃
で２５分間処理した。このフィルム−を水洗後１００℃
で讐４間定長乾熱処理した。得られたフィルムは黄金色
でＸ線回折の結果、実質的にＣｕｘ８ （１，８６＜Ｘ
＜１．９６）であることがわかった。表面抵抗は２００
んであり、硫化銅とフィルムとの密層力はスコッチテー
プビーリング試験に十分耐えるものであった。
このフィルムの為インビーダンス電界シールド性を測定
したところ１７０ＭＨｚで３０ｄＢ、５０’ＯＭＨｚで
１７ｄＢ、３ＭＨｚから１００１００Ｏまでの範囲での
最低値は７ｄＢでめった。
したところ１７０ＭＨｚで３０ｄＢ、５０’ＯＭＨｚで
１７ｄＢ、３ＭＨｚから１００１００Ｏまでの範囲での
最低値は７ｄＢでめった。
特許出願人 旭化成工業株式会社
Claims (1)
- 硫化鋼を付着及び／または含有せしめてなることｔ−特
徴とする電磁シールド性を有する高分子成形体
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1352184A JPS60160197A (ja) | 1984-01-30 | 1984-01-30 | 電磁シ−ルド性を有する高分子成形体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1352184A JPS60160197A (ja) | 1984-01-30 | 1984-01-30 | 電磁シ−ルド性を有する高分子成形体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60160197A true JPS60160197A (ja) | 1985-08-21 |
Family
ID=11835455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1352184A Pending JPS60160197A (ja) | 1984-01-30 | 1984-01-30 | 電磁シ−ルド性を有する高分子成形体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60160197A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61255848A (ja) * | 1985-05-09 | 1986-11-13 | 大阪市 | 導電性ポリアミド成形物及びその製造法 |
| JP2015076526A (ja) * | 2013-10-09 | 2015-04-20 | 旭化成せんい株式会社 | ノイズ抑制シート |
| JP2021534265A (ja) * | 2018-06-27 | 2021-12-09 | カール・フロイデンベルク・カー・ゲー | 電磁放射線遮蔽用組成物 |
-
1984
- 1984-01-30 JP JP1352184A patent/JPS60160197A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61255848A (ja) * | 1985-05-09 | 1986-11-13 | 大阪市 | 導電性ポリアミド成形物及びその製造法 |
| JPH0449859B2 (ja) * | 1985-05-09 | 1992-08-12 | Osaka City | |
| JP2015076526A (ja) * | 2013-10-09 | 2015-04-20 | 旭化成せんい株式会社 | ノイズ抑制シート |
| JP2021534265A (ja) * | 2018-06-27 | 2021-12-09 | カール・フロイデンベルク・カー・ゲー | 電磁放射線遮蔽用組成物 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4422907A (en) | Pretreatment of plastic materials for metal plating | |
| EP0761842B1 (en) | EMI shield and a method of forming the same | |
| US4005238A (en) | Metallized articles and method of producing the same | |
| TW201610040A (zh) | 避免掛架金屬化之電鍍掛架處理 | |
| US3058845A (en) | Process for metallizing polyacrylonitrile shaped article by treating with a water soluble metal salt and reducing the salt to the free metal | |
| EP0503351B1 (de) | Hydroprimer zum Metallisieren von Substratoberflächen | |
| CN112746297A (zh) | 一种在绝缘基材表面直接电镀金属的方法 | |
| KR20130078185A (ko) | 도전성 부직포의 제조방법 및 도전성 부직포를 이용한 멀티 기능 ｅｍｉ 차폐용 테이프의 제조방법 | |
| CN107903435A (zh) | 一种防电磁辐射防水透气薄膜材料及其制备方法及应用 | |
| JP3262748B2 (ja) | 銀メッキ層を備える積層品及びその製造方法 | |
| JPS60160197A (ja) | 電磁シ−ルド性を有する高分子成形体 | |
| WO2022141064A1 (zh) | 一种绝缘基材表面电镀金属的方法 | |
| US3686017A (en) | Surface treatment of nylon shaped articles with aqueous reducing agents | |
| CN112126373B (zh) | 一种增强型粘性功能基材及其制备方法 | |
| JPS58191722A (ja) | 金属層を有するポリマ−粒状物、その製造法およびその使用 | |
| JPH0445585B2 (ja) | ||
| Wang et al. | A novel process of electroless nickel plating on PVC with semi-IPN hydrogel pretreatment | |
| US5458955A (en) | Metal/polymer laminates having an anionomeric polymer film layer | |
| CN113999489B (zh) | 一种抗高功率微波的屏蔽膜及其制备方法 | |
| CN110204758B (zh) | 一种硫化铜/聚氮丙啶/聚丙烯腈复合导电材料的制备方法 | |
| US3567488A (en) | Process for electroless plating of carboxylic acid copolymers using ammonla | |
| Kathirgamanathan | Ultrasound-assisted electroless deposition of copper onto and into microporous membranes for electromagnetic shielding | |
| CN112680959A (zh) | 一种金属化的可拉伸弹性织物及其制备方法 | |
| US4505786A (en) | Pretreatment of plastic materials for metal plating | |
| CN110634589A (zh) | 一种聚多巴胺涂覆氧化石墨烯基三元人造珍珠层材料及其制备方法 |