JPS60154692A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPS60154692A JPS60154692A JP1006184A JP1006184A JPS60154692A JP S60154692 A JPS60154692 A JP S60154692A JP 1006184 A JP1006184 A JP 1006184A JP 1006184 A JP1006184 A JP 1006184A JP S60154692 A JPS60154692 A JP S60154692A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light
- circuit
- substrate
- resonator
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
不発明は新規な原理に基づくコヒーレントな半導体発光
装置に関するものである。更にその応用としてフォトン
（ｐｈｏｔｏｎ ）を担体に用いたＩＣ（ｉｎｔｅｇｒ
ａｔｅｄ Ｃ１ｒｃｕｉｔ）に関するも９である。
装置に関するものである。更にその応用としてフォトン
（ｐｈｏｔｏｎ ）を担体に用いたＩＣ（ｉｎｔｅｇｒ
ａｔｅｄ Ｃ１ｒｃｕｉｔ）に関するも９である。
こフした光Ｉ Ｃ（ｐｂｏｔｏｎ ｌ Ｃ）はたとえば
筒速度計算機用の素子として有効である。
筒速度計算機用の素子として有効である。
光ＩＣを構成する要素として半導体レーザを用いたもの
が提案されている。しかし、半導体レーザを用いる場合
、光の帰還のだめの反射鏡を必要とするなど難点が多い
。
が提案されている。しかし、半導体レーザを用いる場合
、光の帰還のだめの反射鏡を必要とするなど難点が多い
。
本発明の目的は半導体レーザの如き反射鏡を用いずコヒ
ーレントな発光を可能とする半導体発光装置を提供する
ものでろる。
ーレントな発光を可能とする半導体発光装置を提供する
ものでろる。
又、この半導体発光装置面を要素として光ＩＣを構成す
ることが出来る。
ることが出来る。
半纏体フープの発振に用いている如きｐｎ接合部（この
ｐｎ接合部を一種の根状購造体とみなし得る）を腹数個
、その光軸を一致させて配置する。
ｐｎ接合部を一種の根状購造体とみなし得る）を腹数個
、その光軸を一致させて配置する。
その間隔（１，）は発振波長（λ）とＬ＝ｎλ（ｎ二１
．２，３．・・・・・・・）の関係に設足する。各ｐｎ
接合部間は適切な光導波路で結ばれている。イナ、この
ｐ １１接合部（；直圧を印加しておき、一端から所定
の光を入射さぼると、このｐｎ接合部よりスボンタニア
ス・エミッション（Ｓｐｏｎｔａｎｉｏｕｓｅｍｉｓｓ
ｉｏｎ ）が先ず発生する。この場合、加圧電圧はレー
ザ放電のしきい値近くに設定する。この放出光は隣接す
るｐｎ接合部への入射光となり、隣接するｐｎ接合部が
放電する。複数個のｐｎ接合部は隣接するｐｎｊ＆合部
の放電発光によって順次放電せしめられ、互いのフォト
ン（ｐｈｏｔｏｎ ）が互いのｐｎ接合部の放電発光を
うながし、全体としてコヒーレントな共振発振（ｃａｖ
ｉｔｙＱｓｃｉｌｌａｔｉｏｎ ）を生じることとなる
。
．２，３．・・・・・・・）の関係に設足する。各ｐｎ
接合部間は適切な光導波路で結ばれている。イナ、この
ｐ １１接合部（；直圧を印加しておき、一端から所定
の光を入射さぼると、このｐｎ接合部よりスボンタニア
ス・エミッション（Ｓｐｏｎｔａｎｉｏｕｓｅｍｉｓｓ
ｉｏｎ ）が先ず発生する。この場合、加圧電圧はレー
ザ放電のしきい値近くに設定する。この放出光は隣接す
るｐｎ接合部への入射光となり、隣接するｐｎ接合部が
放電する。複数個のｐｎ接合部は隣接するｐｎｊ＆合部
の放電発光によって順次放電せしめられ、互いのフォト
ン（ｐｈｏｔｏｎ ）が互いのｐｎ接合部の放電発光を
うながし、全体としてコヒーレントな共振発振（ｃａｖ
ｉｔｙＱｓｃｉｌｌａｔｉｏｎ ）を生じることとなる
。
不確定性原理によれば
ΔＳ・Δθ２主
但し Δｓ： ｐｎ接合部における光放出面の面積
２０２位相差（ｐｈａｓｅ ｓｈｉ Ｉ’ｔ ）の関係
を侍する。
を侍する。
合、面積ΔＳが大きく、−次元的なΔθという位相差は
実賞的になきものとなる。従って、クライストロンの如
き共振発振（ｃａｘｉｔｙ ｏｓｃｉｌｌａ−ｔｉｏｎ
）を行なう。
実賞的になきものとなる。従って、クライストロンの如
き共振発振（ｃａｘｉｔｙ ｏｓｃｉｌｌａ−ｔｉｏｎ
）を行なう。
目ＩＪ記板状、１４造体とみなしたｐｎ接合部の間隔（
１，＝ ｎλ、ｎ：＝＝２．３＋ ’ｌ＋ ５）は１０
％程度の精度におさえるのが良い。？／ＩｌえばＧａＡ
Ｓの場合１、［、＝ｎλ（ｎ−２〜５）であるとし、λ
＝７０００人とし、ｒ１＝４とすると、Ｌ ＝ ２．７
μｍである。
１，＝ ｎλ、ｎ：＝＝２．３＋ ’ｌ＋ ５）は１０
％程度の精度におさえるのが良い。？／ＩｌえばＧａＡ
Ｓの場合１、［、＝ｎλ（ｎ−２〜５）であるとし、λ
＝７０００人とし、ｒ１＝４とすると、Ｌ ＝ ２．７
μｍである。
本共振器のより具体的な構造は後述の夫施例を用いて詳
細に説明する。
細に説明する。
次にこの共振器を回趙系子として用いる一易合の基本思
想を説明ｒる。
想を説明ｒる。
上述した共振器（ｒｅｓｏｎａｔｏｒ ）と位相変化検
出器（ｐｈａｓｅ ５ｂｉｆｔｅｄ ｄｒｏｐ ａｅｔ
ｅｃｔｏｒ ）やシャント検出器（５ｈｕｎｔ ｄｅｔ
ｅｃｔｏｒ ）とを組み合わせて回路素子を容易に中、
４成すりことができる。
出器（ｐｈａｓｅ ５ｂｉｆｔｅｄ ｄｒｏｐ ａｅｔ
ｅｃｔｏｒ ）やシャント検出器（５ｈｕｎｔ ｄｅｔ
ｅｃｔｏｒ ）とを組み合わせて回路素子を容易に中、
４成すりことができる。
第３図〜第７図は各々次の請求な回路鴻成を示している
。なお、各図（ａ）は回路の構成図、（ｂ）は入出力の
もようを示す図である。
。なお、各図（ａ）は回路の構成図、（ｂ）は入出力の
もようを示す図である。
（１）第３図：パルス発生回路
（２＋４４図： ５ｔｏｐ Ｏｒ ｐａｓｓを行’ｊつ
制御ｆ’１（ｃｏｎｔｒｏｌ）回路 （３）第５ｍ：人力成磁波の位相をＣ−几変洟（ｃｈａ
ｎｇｅ ）によってシフトさせるπ位相変換（ｙｒ ｐ
ｂａｓｅ ｃｈａｎｇｅ）回路 （４） 第６図：オア（ｏｒ）回路 （５）第７図：アンド（ａｎｄ）回路 〔発明の実施例〕 （基本となる共振器） 基本となる共振器を第１図に示すパルス発生回路（咎価
回路は第３図に示される）の断面図を用いて説明する。
制御ｆ’１（ｃｏｎｔｒｏｌ）回路 （３）第５ｍ：人力成磁波の位相をＣ−几変洟（ｃｈａ
ｎｇｅ ）によってシフトさせるπ位相変換（ｙｒ ｐ
ｂａｓｅ ｃｈａｎｇｅ）回路 （４） 第６図：オア（ｏｒ）回路 （５）第７図：アンド（ａｎｄ）回路 〔発明の実施例〕 （基本となる共振器） 基本となる共振器を第１図に示すパルス発生回路（咎価
回路は第３図に示される）の断面図を用いて説明する。
第２図は共振器部分の製造工程を示すものである。
製造工程の手順を迫って基本構造を説明する。
ｐ型ＧａＡＳ基板１上に５ｉ０２等で食刻用マスクを形
成しく第２図（ａ））、約０．２μｍの厚さに周期的凹
凸を形成する。凸部の間隔（Ｌ）は発振周波数（λ）の
整数倍に設定する。凸部の幅は１μｍとなした。凸部は
１０個となした。通常３個から１５個程度が構造的に効
果がある。
成しく第２図（ａ））、約０．２μｍの厚さに周期的凹
凸を形成する。凸部の間隔（Ｌ）は発振周波数（λ）の
整数倍に設定する。凸部の幅は１μｍとなした。凸部は
１０個となした。通常３個から１５個程度が構造的に効
果がある。
食刻用マスクを除去するとｐ型ＧａＡＳの周期的凹凸表
面を持つ基板１が形成される（第２図（ｂ））。
面を持つ基板１が形成される（第２図（ｂ））。
このｐ型ＵａＡＳ基板１上にｎ型Ｇａ０．７ Ａｔｏ、
３ ＡＳノー（厚さ０．３μｍ）２、ノン・ドープＧａ
ｏ、ｒＡｔｏ、３ 第５図（厚さ０．１μｍ）３およ
びｎ型Ｑａ Ｏ，７Ａｌｏ、ｓ Ａｓ ノｙｊ （厚さ
０．１ μｍ１１〜０．３ μｍ ） ４をエピタキシ
ャル成長する（第２図（Ｃ））。
３ ＡＳノー（厚さ０．３μｍ）２、ノン・ドープＧａ
ｏ、ｒＡｔｏ、３ 第５図（厚さ０．１μｍ）３およ
びｎ型Ｑａ Ｏ，７Ａｌｏ、ｓ Ａｓ ノｙｊ （厚さ
０．１ μｍ１１〜０．３ μｍ ） ４をエピタキシ
ャル成長する（第２図（Ｃ））。
次いでｎ型Ｑａ Ｏ，７Ａｔｏ 、３Ａ ５層４の表面
上に食刻用マスクを形成し、前記の凸部に対応して開孔
を設ける（第２図（ｄ））。前述と同様に約０，５μｍ
程度食刻し層４に凹部を形成する（第２図（ｅ））。
上に食刻用マスクを形成し、前記の凸部に対応して開孔
を設ける（第２図（ｄ））。前述と同様に約０，５μｍ
程度食刻し層４に凹部を形成する（第２図（ｅ））。
更にこの凹部内に高濃度不純物を含廂するｎ−盾Ｇ ａ
Ａ ８層５を成長する（第２図（ｆ））。とのＧａＡ
Ｓ４５は電極層に相当するので、以上の如き方法に依ら
ず、ｎ Ｂ１ＧａＡｔＡＳノ＊４の所望領域にイオン打
込、或いは不純物拡散法等の方法に依っても良い。
Ａ ８層５を成長する（第２図（ｆ））。とのＧａＡ
Ｓ４５は電極層に相当するので、以上の如き方法に依ら
ず、ｎ Ｂ１ＧａＡｔＡＳノ＊４の所望領域にイオン打
込、或いは不純物拡散法等の方法に依っても良い。
最後にｐ型ＧａＡＳ基板１の裏面にＣｒ、ＡＵの積層成
極８および半導体層５上にＡ１１−ＧｅｔＮｉおよびＡ
ｕの積層畦極７を形成する（第２図（ｇ））。
極８および半導体層５上にＡ１１−ＧｅｔＮｉおよびＡ
ｕの積層畦極７を形成する（第２図（ｇ））。
第１図（ｂ）は平面図で一極の配置を示している。
以上、基本となる共振器の具体的構成を説明した。
なお、第１図には第３図に例示される連続ノζルス発振
回路等で用いられるｆｅｅｄ ｆａｃｋ ｄｅｔｅｃｔ
ｏｒおよびｃＬｒｏｐ ｄｅｔｅｃｔｏｒ等に用いるコ
ンデンサーの具体的構成が例示されている。
回路等で用いられるｆｅｅｄ ｆａｃｋ ｄｅｔｅｃｔ
ｏｒおよびｃＬｒｏｐ ｄｅｔｅｃｔｏｒ等に用いるコ
ンデンサーの具体的構成が例示されている。
９，１０はりａＡＳ等で形成されたｐ型、ｎ型半導体′
頑威でｐｎダイオードをｒｅｓ？成している。１１゜１
２は谷々電極である。
頑威でｐｎダイオードをｒｅｓ？成している。１１゜１
２は谷々電極である。
１３．１４ｆまコンデンサーの成極領域である。
１３ｂ−よび１４で侠−まれだ領域はコンデンサー形成
のだめの誘ｄ体領域であ。。１５．１６は取り出し８ｄ
極である。
のだめの誘ｄ体領域であ。。１５．１６は取り出し８ｄ
極である。
（基本的回路素子）
次に第３図〜第７隠１に示した如き、本願の共振イｔを
用いた基本的回路素子を説明する。
用いた基本的回路素子を説明する。
第３図はｐＨａｓｅ ｓｂ目ｔｅｒを持ったｃｔｒｏｐ
ｄｅｔｅｃｔｏｒをたとえばＵａＡＳによるｐ−ｎダイ
オードで：１イ成し、そのダイオード特性を調整するこ
とにより、コヒーレント光の連続パルスを発生せしのう
る。
ｄｅｔｅｃｔｏｒをたとえばＵａＡＳによるｐ−ｎダイ
オードで：１イ成し、そのダイオード特性を調整するこ
とにより、コヒーレント光の連続パルスを発生せしのう
る。
外部励起光２４によってフォトダイオード２２を照射す
るとこれは導通状態となｐ１共撮器２゜が共振発振する
。するとこの発光２５が別なフォトダイオード２１ （
ｆｅｅｄ ｂａｃｋ ｄｅｔｅｃｔｏｒ ）を照射し導
通状態を生ぜしめる。共振器２０の電極は接地され発光
は停ｄ二する。共振器２０の発光が停止すると再び共振
器のＡｔｆｉに電圧が印加され発光が開始する。こうし
て、連続パルス発光を得ることができる。
るとこれは導通状態となｐ１共撮器２゜が共振発振する
。するとこの発光２５が別なフォトダイオード２１ （
ｆｅｅｄ ｂａｃｋ ｄｅｔｅｃｔｏｒ ）を照射し導
通状態を生ぜしめる。共振器２０の電極は接地され発光
は停ｄ二する。共振器２０の発光が停止すると再び共振
器のＡｔｆｉに電圧が印加され発光が開始する。こうし
て、連続パルス発光を得ることができる。
なお、共娠光光（ｒｅｓｏｎａｎｃｅ ）にはＴｓ＋τ
ｒ ＝ Ｌ／ Ｃ の粂件を、イ慮する。
ｒ ＝ Ｌ／ Ｃ の粂件を、イ慮する。
但し、τ３ ：５１１Ｕｎｊ １ｌｌｌｌｅτｒ： ｒ
ｅｄｉａｔｉｏｎ ｔｉｍｅＬ ：板状溝１青体の間隔 Ｃ：光速 第４図は制御回路である。第４図（ａ）に示される如＜
ｐｎダイオード２６．２７と共振器２０により構成され
ている。ｌｉｔ号光（Ｓｉｇｎａｌ ） ２８がダイオ
ード２６に入射すると共振器２０に直圧が印７Ｊ１１さ
れ、共振発振を開始する。次いで、制嶺１光（ｃｏｎｔ
ｒｏｌ） ２９がダイオード２７に入射すると印加心圧
は接地され、発光は停止する。第４図（ｂ）は入出力の
もようおよびその記号を示したものである。
ｅｄｉａｔｉｏｎ ｔｉｍｅＬ ：板状溝１青体の間隔 Ｃ：光速 第４図は制御回路である。第４図（ａ）に示される如＜
ｐｎダイオード２６．２７と共振器２０により構成され
ている。ｌｉｔ号光（Ｓｉｇｎａｌ ） ２８がダイオ
ード２６に入射すると共振器２０に直圧が印７Ｊ１１さ
れ、共振発振を開始する。次いで、制嶺１光（ｃｏｎｔ
ｒｏｌ） ２９がダイオード２７に入射すると印加心圧
は接地され、発光は停止する。第４図（ｂ）は入出力の
もようおよびその記号を示したものである。
第４図に示した制御回路と同様に共振器と光検知器とな
るダイオードを用いてπ ｐｈａｓｅ ５ｈｉｆｔｅｒ
。
るダイオードを用いてπ ｐｈａｓｅ ５ｈｉｆｔｅｒ
。
Ｏｒ 回路、或−はａｎｄ回路を構成出来る。各々、ｒ
Ａｓ図、第６図および第７図で、各図（ａ）は回路構成
を、同図（ｂ）は入出力のもようおよびその記号を示し
ている。
Ａｓ図、第６図および第７図で、各図（ａ）は回路構成
を、同図（ｂ）は入出力のもようおよびその記号を示し
ている。
これら基本的回路素子を用いて、種々の回路を１１ｉ成
出米ることはいうまでもない。
出米ることはいうまでもない。
第８図はこうした例でフリップ・フロッグ回路（ｆｌｉ
ｐ−ｆｌｏｐ ） 、第９図は次元数を定める、ベキ回
路、第１０図は加算回路である。
ｐ−ｆｌｏｐ ） 、第９図は次元数を定める、ベキ回
路、第１０図は加算回路である。
第８図〜第１０図におけるａｎｄ、ｏｒ 等の具体的構
成は第４図〜第７図を参酌すれば良い。
成は第４図〜第７図を参酌すれば良い。
又、第１１図の如き構成を取ることによってリング・カ
ウンター（ｌ（、ｉｎｇ Ｃｏｕｎｔｏｒ ）をも実現
出来る。図中、２０は共振器、５０は光の検知によって
抵抗値をドげ得る要素、５１は放出光を示している。
ウンター（ｌ（、ｉｎｇ Ｃｏｕｎｔｏｒ ）をも実現
出来る。図中、２０は共振器、５０は光の検知によって
抵抗値をドげ得る要素、５１は放出光を示している。
第１２図（ａ）、（ｂ）は自励発振の構成例である。
同図（ａ）は共振器の電極を平面から図示しだもの、同
（ｂ）は断面から図示したものである。５３゜５４とし
て示しだ部分は電極のみ示したが共振器にあたる。５は
検出器（ｄｅｔｅｃｔｏｒ ）で、これまで通りｐｎダ
イオード等で良い。５９．６０および６１．６２で各々
ｐｈａＳｅ ５ｈｉｆｔｅｒを構成している。
（ｂ）は断面から図示したものである。５３゜５４とし
て示しだ部分は電極のみ示したが共振器にあたる。５は
検出器（ｄｅｔｅｃｔｏｒ ）で、これまで通りｐｎダ
イオード等で良い。５９．６０および６１．６２で各々
ｐｈａＳｅ ５ｈｉｆｔｅｒを構成している。
更に記憶装置（ｍｅ＋ｒ＋ｏｒｙ ｍａｔｒｉｘ）の例
を第１３図およびｆ；１４図に示す。第１３図は装置の
要部断面図、第１４図は平面図である。
を第１３図およびｆ；１４図に示す。第１３図は装置の
要部断面図、第１４図は平面図である。
素子板の中火にＸｒＹｚ マ） ＩＪラックス状光を込
る導波路６３をくみこみ、その交点にｔｒａｐを多く含
んだＧａＡｔＡｓ （導波路材料の１例）６４を含ませ
る。そしてこの交点に作った金属のキャパシティ（Ｃａ
ｐａｃｉ ｔｙ ） ｇ極の上面６５に、Ｘ方向の電送
路、下面６６にＸ方向の電送路６７゜６８を作る。ＸＩ
、ｙｊ交点に光６９．７０が入射されると１ｒａｐに含
まれている電子が励起して誘電率が小さくなり容量（ｃ
ａｐａｃｉｔｙ ）は小さな頃を示す、即ち記憶（ｒｒ
ｌｅｌｌｌｏｒｙ ）が出来たことになる。記憶（Ｉｎ
ｅＨＩＯｒｙ）が出来ると誘螺率は小さくなるため、信
号光にメ１して透明になりｍｅｍｏｒｙｐｏｉｎｔ に
変化を与えず信号光は通過するので、他の点の記・億（
ＩＩＩｅｌｎＯｒ）’ ）形成の邪魔にならない。
る導波路６３をくみこみ、その交点にｔｒａｐを多く含
んだＧａＡｔＡｓ （導波路材料の１例）６４を含ませ
る。そしてこの交点に作った金属のキャパシティ（Ｃａ
ｐａｃｉ ｔｙ ） ｇ極の上面６５に、Ｘ方向の電送
路、下面６６にＸ方向の電送路６７゜６８を作る。ＸＩ
、ｙｊ交点に光６９．７０が入射されると１ｒａｐに含
まれている電子が励起して誘電率が小さくなり容量（ｃ
ａｐａｃｉｔｙ ）は小さな頃を示す、即ち記憶（ｒｒ
ｌｅｌｌｌｏｒｙ ）が出来たことになる。記憶（Ｉｎ
ｅＨＩＯｒｙ）が出来ると誘螺率は小さくなるため、信
号光にメ１して透明になりｍｅｍｏｒｙｐｏｉｎｔ に
変化を与えず信号光は通過するので、他の点の記・億（
ＩＩＩｅｌｎＯｒ）’ ）形成の邪魔にならない。
記ＩＭ （ｍｅｍｏｒｙ ） ｋ 崩すには、ｍｅａｎ
ｏｒｙ ｐｏｉｎｔの印加４圧を大きくして、ｔｒａｐ
に酸子が流入してｃａｐａｃｉｔｙを大すくシて、もと
にもどす。
ｏｒｙ ｐｏｉｎｔの印加４圧を大きくして、ｔｒａｐ
に酸子が流入してｃａｐａｃｉｔｙを大すくシて、もと
にもどす。
なお、第１３図にア・イて、７１はＧ ａ Ａ Ｓ基板
、７２．７３はＧａＡｔＡＳ 層である。
、７２．７３はＧａＡｔＡＳ 層である。
光の帰還のだめの反射鏡をＭさずにコヒーレント光を放
射する膚規な半導体発光装置を実現し得る。本Ｊ邑り月
のフォトンＩＣではピコ（ｐｉｃｏ ）セカンドの応答
運度金町１走と７ｉ：３−０
射する膚規な半導体発光装置を実現し得る。本Ｊ邑り月
のフォトンＩＣではピコ（ｐｉｃｏ ）セカンドの応答
運度金町１走と７ｉ：３−０
第１図（ａ）、 （ｂ）は各々本発明の共振器の断面図
あ゛よび十面図、４２図は共振器の製造工程を示す断面
図、第３図は本発明の共振器を用いた連続パルス発振器
を説明する図、第４図〜第７図は基本回路の説明のだめ
の図、第８図〜第１０図は応用回路に示す図、第１１図
はリング・カウンターを示す図、第１２図は自励発振回
路を示す図、第１３図および第１４図は記憶装置紅を説
明するだめの図である。 １−ＧａＡＳ基板、２−ｎ −ＧａＡｔＡｓ 、 ３−
／ ７ドープＧａＡｔＡＳ １４・・・ｎ−ＧａＡｔＡ
Ｓｌ ５・・・ｎ第 ８ 口 Ａａ 工し Ｓ祠 第 ９ 口 第 ／Ｉ 図 第 ７２ 図 第 １３ 口 ６、！５ 第 ７４ 口
あ゛よび十面図、４２図は共振器の製造工程を示す断面
図、第３図は本発明の共振器を用いた連続パルス発振器
を説明する図、第４図〜第７図は基本回路の説明のだめ
の図、第８図〜第１０図は応用回路に示す図、第１１図
はリング・カウンターを示す図、第１２図は自励発振回
路を示す図、第１３図および第１４図は記憶装置紅を説
明するだめの図である。 １−ＧａＡＳ基板、２−ｎ −ＧａＡｔＡｓ 、 ３−
／ ７ドープＧａＡｔＡＳ １４・・・ｎ−ＧａＡｔＡ
Ｓｌ ５・・・ｎ第 ８ 口 Ａａ 工し Ｓ祠 第 ９ 口 第 ／Ｉ 図 第 ７２ 図 第 １３ 口 ６、！５ 第 ７４ 口
Claims (1)
- １、ｐｎ接合を有する発光領域をその光軸を一致させて
、ｆｉ数個配列し、各発光領域を導波路で連結し、且上
記各ｐｎ接合に一対の一極を有する共振器を少なくとも
有する半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1006184A JPS60154692A (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1006184A JPS60154692A (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60154692A true JPS60154692A (ja) | 1985-08-14 |
Family
ID=11739866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1006184A Pending JPS60154692A (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60154692A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5208823A (en) * | 1991-09-03 | 1993-05-04 | Applied Solar Energy Corporation | Optically isolated laser diode array |
| JP2006292001A (ja) * | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Cosmo Koki Co Ltd | 既設流体管の不断水制水体設置装置 |
-
1984
- 1984-01-25 JP JP1006184A patent/JPS60154692A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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