JPS60154228A - 光制御装置の製造方法 - Google Patents
光制御装置の製造方法Info
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- JPS60154228A JPS60154228A JP1084284A JP1084284A JPS60154228A JP S60154228 A JPS60154228 A JP S60154228A JP 1084284 A JP1084284 A JP 1084284A JP 1084284 A JP1084284 A JP 1084284A JP S60154228 A JPS60154228 A JP S60154228A
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/055—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect the active material being a ceramic
- G02F1/0551—Constructional details
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発嬰は、電気光学結晶素子を利用した光制御装置の製
造方法に関する。
造方法に関する。
電圧印加によって光学的異方讐を示す電気光学結晶、例
えば透明セラミックＰＬＺＴ （（Ｐｂ％Ｌａ）・（、
Ｚｒ、 Ｔｉ ） ０５）は、印加される電圧に応じて
偏光の偏光面を回転させる。したがって、直交ニコルの
状態に組合わされた偏光子と検光子との間に置かれ是Ｐ
ＬＺＴは、ＰＬＺＴに供給される電気信号に基づいて、
偏光子に対する前記直線偏光の通過を制御する光制御装
置、即ち光シヤツターとして作動し、かつその４応答速
度は高い。そのために、この光シヤツターを一次元的に
配列して構成された光シヤツターアレイは高速プリンタ
ー（例えば電子写真プリンター）、高輝プロジェクタな
どへの・応用が期待されてい、る。 ・ 背景技術とその問題点 従来、透明ｐｂｚ’ｒを利用した光シヤツターアレイは
、第１図に示すように、表・面電極型のものであった。
えば透明セラミックＰＬＺＴ （（Ｐｂ％Ｌａ）・（、
Ｚｒ、 Ｔｉ ） ０５）は、印加される電圧に応じて
偏光の偏光面を回転させる。したがって、直交ニコルの
状態に組合わされた偏光子と検光子との間に置かれ是Ｐ
ＬＺＴは、ＰＬＺＴに供給される電気信号に基づいて、
偏光子に対する前記直線偏光の通過を制御する光制御装
置、即ち光シヤツターとして作動し、かつその４応答速
度は高い。そのために、この光シヤツターを一次元的に
配列して構成された光シヤツターアレイは高速プリンタ
ー（例えば電子写真プリンター）、高輝プロジェクタな
どへの・応用が期待されてい、る。 ・ 背景技術とその問題点 従来、透明ｐｂｚ’ｒを利用した光シヤツターアレイは
、第１図に示すように、表・面電極型のものであった。
即ち１、板状ＰＬＺＴ素子１の一方の面に電極２．６が
所定ピッチで２列に形成され、これに対応する位置で他
方の面に対向電極（図示せず）が形成されている。
所定ピッチで２列に形成され、これに対応する位置で他
方の面に対向電極（図示せず）が形成されている。
このような表面電極型光シャッターアレイでは、駆動電
圧が高いこと、電極近傍の不平行電界に起因する散乱効
果を生じること、隣接する電極間容量によるり四ストー
クが発生し、誤動作が起こシやすいこと、および応答性
が悪いことなどの問題点があった。
圧が高いこと、電極近傍の不平行電界に起因する散乱効
果を生じること、隣接する電極間容量によるり四ストー
クが発生し、誤動作が起こシやすいこと、および応答性
が悪いことなどの問題点があった。
これらの問題点を解決するため、先に、平行電界型光シ
ャッターアレイが提案された。この型の先シャッターア
レイは第２図に示すように、透明基体４、例えば透明な
ガラス基板の上にＰＬＺＴ微細素子８が所定ピッチで配
列され、微細素子８０両側面に一電極７ａ、、７ｂが設
けられ、各電極７ａ、７ｂは素子８に電気信号を供給す
るリード線５、乙にそれぞれ接続され、さらに、リード
線５．６は溝９によって各隣接リード線から分離されて
構成されている。この平行電界型光シャッターアレイに
よれば各ＰＬＺＴ微細素子８に完全に平行な電界が形成
され、かつ隣接リード線間のクロストークも解消され、
前記従来例の表面電界型光シャッターアレイの問題点を
解決することができる。
ャッターアレイが提案された。この型の先シャッターア
レイは第２図に示すように、透明基体４、例えば透明な
ガラス基板の上にＰＬＺＴ微細素子８が所定ピッチで配
列され、微細素子８０両側面に一電極７ａ、、７ｂが設
けられ、各電極７ａ、７ｂは素子８に電気信号を供給す
るリード線５、乙にそれぞれ接続され、さらに、リード
線５．６は溝９によって各隣接リード線から分離されて
構成されている。この平行電界型光シャッターアレイに
よれば各ＰＬＺＴ微細素子８に完全に平行な電界が形成
され、かつ隣接リード線間のクロストークも解消され、
前記従来例の表面電界型光シャッターアレイの問題点を
解決することができる。
前記平行電界型光シャッターアレイの各ＰＬＺＴ微細素
子８はＰＬＺＴ結晶から機械的切断によって例えば０．
２ ｍｍ Ｘ Ｏ，３ｍｍ Ｘ Ｏ，１ｍｍ の大きさ
に作製される。ＰＬＺＴ結晶を機械的に切断すると、切
断片にはその切断面に沿って加工歪が残る。この加工歪
は、切断したＰＬＺＴを直交ニコル中で観察した場合、
光の透過した明るい視野の存在によって検出される。
子８はＰＬＺＴ結晶から機械的切断によって例えば０．
２ ｍｍ Ｘ Ｏ，３ｍｍ Ｘ Ｏ，１ｍｍ の大きさ
に作製される。ＰＬＺＴ結晶を機械的に切断すると、切
断片にはその切断面に沿って加工歪が残る。この加工歪
は、切断したＰＬＺＴを直交ニコル中で観察した場合、
光の透過した明るい視野の存在によって検出される。
ＰＬＺＴ微細素子８に前記加工歪が残っていると、光シ
ヤツターアレイとしてのコントラスト比を低下させ、ま
た透過光のばらつきの原因となるので好ましくない。こ
の加工歪は６００℃程度の加熱により除去されるとの報
があるが、実際には完全な除去が困難であシ、特に、前
記ＰＬＺＴ微細素子８のように１切断面が相対的に大き
く、かつ高温加熱が実質上困難な場合、加工歪の残留は
重要な問題であった。こめ加工歪は従来の前記表面電極
型光シャッターアレイにおいて、板状ＰＬｚＰ素子１を
機械的切断法で作製した場合にも、素子１の切断面に残
留する。ＰＬＺＴ素子１上の電極２．３を０ｒ−Ａｕ蒸
着電極とした場合、６００”Ｃ−ｔ”７： −＃ス、ｂ
ト、０ｒｆ）ＰＬＺＴ素子１−、。拡 （散が進行して
、光シヤツター駆動時の電界分布に異常を生じ、透過光
のバラツキの原因となっていた。
ヤツターアレイとしてのコントラスト比を低下させ、ま
た透過光のばらつきの原因となるので好ましくない。こ
の加工歪は６００℃程度の加熱により除去されるとの報
があるが、実際には完全な除去が困難であシ、特に、前
記ＰＬＺＴ微細素子８のように１切断面が相対的に大き
く、かつ高温加熱が実質上困難な場合、加工歪の残留は
重要な問題であった。こめ加工歪は従来の前記表面電極
型光シャッターアレイにおいて、板状ＰＬｚＰ素子１を
機械的切断法で作製した場合にも、素子１の切断面に残
留する。ＰＬＺＴ素子１上の電極２．３を０ｒ−Ａｕ蒸
着電極とした場合、６００”Ｃ−ｔ”７： −＃ス、ｂ
ト、０ｒｆ）ＰＬＺＴ素子１−、。拡 （散が進行して
、光シヤツター駆動時の電界分布に異常を生じ、透過光
のバラツキの原因となっていた。
発明の目的
本発明は、上述の点ＶＣ＠み１．高温アニール法による
ことな（、ＰＬ・ＺＴの切断面に残留した加工歪を容易
Ｋかつ完全に除去し得る方法を提供するものである。
ことな（、ＰＬ・ＺＴの切断面に残留した加工歪を容易
Ｋかつ完全に除去し得る方法を提供するものである。
発明の概要
本発明者らは鋭意研究の結果、ＰＬＺＴの切断面を軽度
にエツチングすることにより残留加工歪が完全に除去さ
れることを見出した。
にエツチングすることにより残留加工歪が完全に除去さ
れることを見出した。
即ち、本発明の方法は、電気光学結晶素子を形成する工
程と、前記電気光学結晶素子に電極を形成する工程と、
前記電極に接続されて前記電気光学結晶素子に電気信号
を供給するリード線を形成する工程とを具備して成る光
制御装置の製造方法において、電気光学結晶を機械的に
切断し、切断面にエツチング処理を行って前記電気光学
結晶素子を形成することを特徴とする。
程と、前記電気光学結晶素子に電極を形成する工程と、
前記電極に接続されて前記電気光学結晶素子に電気信号
を供給するリード線を形成する工程とを具備して成る光
制御装置の製造方法において、電気光学結晶を機械的に
切断し、切断面にエツチング処理を行って前記電気光学
結晶素子を形成することを特徴とする。
前記電気光学結晶素子とは、この素子をさらに機械的切
断することによって形成される微細な電気光学結晶素子
をも意味する。
断することによって形成される微細な電気光学結晶素子
をも意味する。
エツチング処理は、ＨＦ水溶液、（１１Ｆ ＋ ＨＮＯ
５）水溶液、（ＨＦ＋ＨＯ４）水溶液などのエツチング
液を用いて室温で行なうことができる。
５）水溶液、（ＨＦ＋ＨＯ４）水溶液などのエツチング
液を用いて室温で行なうことができる。
本発明の方法によれば、エツチング処理によって切断加
工によって生じゃ加工歪が完牢←除去されるので、コン
ト−スト比の低下や透過光のばらつきの問題を回避する
ことができる。
工によって生じゃ加工歪が完牢←除去されるので、コン
ト−スト比の低下や透過光のばらつきの問題を回避する
ことができる。
前記エツチング処理によって加工歪が除去される理由は
、切断面に押し付けられて加工歪発生の原因となってい
る切削粉が、エツチング処理によって除去されるためで
あると考えられる。
、切断面に押し付けられて加工歪発生の原因となってい
る切削粉が、エツチング処理によって除去されるためで
あると考えられる。
本発明は平行電界型光シャッターアレイのＰＬＺＴ微細
素子を機械的切断法で作製する際に生じる切断面の加工
歪の除去に特に有効である。
素子を機械的切断法で作製する際に生じる切断面の加工
歪の除去に特に有効である。
実施例
次に、本発明の一実施例につき図面を参照しながら説明
する。
する。
本拠施例で使用される透明な電気光学結晶は（ｐｂｌ−
、Ｌｓｉ、） （Ｚｒ、 Ｔｉ、） ０３（ただし、ｚ
＝０．０７７、ｙ＝Ｑ、６５、ｚ＝Ｏｊ５）の組成を有
するＰＬＺＴである。
、Ｌｓｉ、） （Ｚｒ、 Ｔｉ、） ０３（ただし、ｚ
＝０．０７７、ｙ＝Ｑ、６５、ｚ＝Ｏｊ５）の組成を有
するＰＬＺＴである。
第６Ａ図ないし第６Ｇ図に本実施例の工程を示す。
ｇ３Ａ図に示すように、前記組成のＰＬＺＴを用いて作
製したウェハー１０（直径４０ｍｍ、厚さ０．３ｍｍ）
の一方の表面にフェノール系耐酸レジスト１１を印刷、
焼付し、ウェハー１０の他方の表面をガラス板１２にワ
ックス１６で固定した。
製したウェハー１０（直径４０ｍｍ、厚さ０．３ｍｍ）
の一方の表面にフェノール系耐酸レジスト１１を印刷、
焼付し、ウェハー１０の他方の表面をガラス板１２にワ
ックス１６で固定した。
この状態で、耐酸レジスト１１上からダイヤモンドカッ
ターで第１の切断を行ない、ウェハー１を長さ２ Ｏｍ
ｍ ｘ幅０．２ｍｍＸ高さ０．３ ｍｍ （＝ウェハー
１０の厚さ）の短冊状ＰＬＺＴ素子１４とした。（第６
Ｂ図）。
ターで第１の切断を行ない、ウェハー１を長さ２ Ｏｍ
ｍ ｘ幅０．２ｍｍＸ高さ０．３ ｍｍ （＝ウェハー
１０の厚さ）の短冊状ＰＬＺＴ素子１４とした。（第６
Ｂ図）。
この短冊状ＰＬＺＴ素子１４をガラス板１２にワックス
１６で固定したまま、ＨＦ０，１重量％とＨＮＯｓ １
．２重量％とを含有するエツチング水溶液に室温で５分
間浸漬し、前記第１の切断によって生じたＰＬＺＴ素子
１４の切断面にエツチング処理を行った。その後、耐酸
レジスト１１を除去し、ＰＬＺＴ素子１４をワックス１
３から取シ上げ、洗浄、乾燥後、長手方向の対向両側面
（２０ｍｍ Ｘ Ｏ，６ｍｍの長方形状の面）に０ｒ−
Ａｕを蒸着して電極層１４ａ、 １４ｂを形成した（第
６０図）。
１６で固定したまま、ＨＦ０，１重量％とＨＮＯｓ １
．２重量％とを含有するエツチング水溶液に室温で５分
間浸漬し、前記第１の切断によって生じたＰＬＺＴ素子
１４の切断面にエツチング処理を行った。その後、耐酸
レジスト１１を除去し、ＰＬＺＴ素子１４をワックス１
３から取シ上げ、洗浄、乾燥後、長手方向の対向両側面
（２０ｍｍ Ｘ Ｏ，６ｍｍの長方形状の面）に０ｒ−
Ａｕを蒸着して電極層１４ａ、 １４ｂを形成した（第
６０図）。
一方、第６Ｄ図に示すように、ガラス板１５に幅０．３
ｍｍの中央部分１６を残して０ｒ−Ａｕを蒸着して、リ
ード線となる電極層１７．１８を形成した。次いで、中
央部分１６に電極層１４ａ、１４ｂ付きＰＬＺＴ素子１
４を透明接着剤レンズボンド（商品名）で接着し、さら
に電極層１７，１８をそれぞれ電極層１４ａ、１４ｂと
銀ペースト１９で連結し、次いでＰＬＺＴ素子１４の上
面に７エノール系耐酸レジスト２０を塗布、焼付けした
（第６Ｅ図）。
ｍｍの中央部分１６を残して０ｒ−Ａｕを蒸着して、リ
ード線となる電極層１７．１８を形成した。次いで、中
央部分１６に電極層１４ａ、１４ｂ付きＰＬＺＴ素子１
４を透明接着剤レンズボンド（商品名）で接着し、さら
に電極層１７，１８をそれぞれ電極層１４ａ、１４ｂと
銀ペースト１９で連結し、次いでＰＬＺＴ素子１４の上
面に７エノール系耐酸レジスト２０を塗布、焼付けした
（第６Ｅ図）。
次に、ダイヤモンドカッター（刃厚２５μｍ）を用いて
カットピッチ１００μｍでＰＬＺＴ１４の長手方向と直
角の方向に耐酸レジスト２０の上からｔｊ ５ｘ＠ １
５Ｏ！ＩｍＴ ２０＃’１０ｍ１ｌ ’ｔ”Ｊ＠ ２（
Ｄ＠ ’断を行ない、各ＰＬＺ’ｌ’微細素子２１を形
成した □（第３Ｅ図）。
カットピッチ１００μｍでＰＬＺＴ１４の長手方向と直
角の方向に耐酸レジスト２０の上からｔｊ ５ｘ＠ １
５Ｏ！ＩｍＴ ２０＃’１０ｍ１ｌ ’ｔ”Ｊ＠ ２（
Ｄ＠ ’断を行ない、各ＰＬＺ’ｌ’微細素子２１を形
成した □（第３Ｅ図）。
耐酸レジスト２０が付いたままの谷ＰＬＺＴ微細素子２
１を前記と同じ組成のエツチング水溶液に室温で５分間
浸漬し、前記第２の切断によって生じたＰＬＺＴ微細素
子２１の切断面にエツチング処理を行った。その後、耐
酸レジスト２０を除去し、洗浄、乾燥した。こうして、
ＰＬＺＴ微細素子２１が一次元に配列し、光制御装置と
して利用することができる平行電界型光シャッターアレ
イを得た（第３Ｇ図）。
１を前記と同じ組成のエツチング水溶液に室温で５分間
浸漬し、前記第２の切断によって生じたＰＬＺＴ微細素
子２１の切断面にエツチング処理を行った。その後、耐
酸レジスト２０を除去し、洗浄、乾燥した。こうして、
ＰＬＺＴ微細素子２１が一次元に配列し、光制御装置と
して利用することができる平行電界型光シャッターアレ
イを得た（第３Ｇ図）。
本実施例で得られた光シヤツターアレイを直行ニコルの
間に入れ、各ＰＬＺＴ微細素子２１の加工歪の有無を観
察した結果、第４図に平面図で示す通シ、視野は暗黒（
破線で示す）となシ、加工歪は検出されなかった。
間に入れ、各ＰＬＺＴ微細素子２１の加工歪の有無を観
察した結果、第４図に平面図で示す通シ、視野は暗黒（
破線で示す）となシ、加工歪は検出されなかった。
比較例として、前記エツチング処理を行なわない以外は
前記実施例と同じ条件で光シヤツターアレイを作製し、
前記と同様にして光学歪の有無を観察した。この結果、
第５図に平面図で示す通シ、この比較例におけるＰＬＺ
Ｔ微細素子２２は各周辺部に明るい部分（白抜部分２３
）が認められ、切断による加工歪が残留していることが
わかった。
前記実施例と同じ条件で光シヤツターアレイを作製し、
前記と同様にして光学歪の有無を観察した。この結果、
第５図に平面図で示す通シ、この比較例におけるＰＬＺ
Ｔ微細素子２２は各周辺部に明るい部分（白抜部分２３
）が認められ、切断による加工歪が残留していることが
わかった。
発明の効果
本発明の方法によれば、切断加工によって残留したＰＬ
ＺＴ切断面の加工歪は容易にかつ完全に除去されるので
、駆動時の電界分布が均一で、透過光のばらつきがなく
、コントラスト比のすぐれた光制御装置を得ることが可
能となる。
ＺＴ切断面の加工歪は容易にかつ完全に除去されるので
、駆動時の電界分布が均一で、透過光のばらつきがなく
、コントラスト比のすぐれた光制御装置を得ることが可
能となる。
第１図と第２図は従来例の斜視図、第６Ａ図ないし第３
Ｇ図は本発明の実施例の工程を示す図、第４図は本発明
の実施例で得られた光シヤツターアレイについて加工歪
の有無を説明するための平面図、第５図は比較例の光シ
ヤツターアレイについての第４図と同様の平面図である
。 なお、図面に用いられた符号において、１０・・・・・
・・・・・・・ウェハー１１・・・・・・・・・・・・
耐酸レジスト１２・・・・・・・・・・・・ガラス板１
６・・・・・・・・・・・・ワックス１４・・・・・・
・・・・・・短冊状ＰＬＺＴ１４ａ、 ｉ４ｂ・−・電
極層 １５・・・・・・・・・・・・ガラス板１７．１８・・
・電極層 １９・・・・・・・・・・・・銀ヘースト２１．２２・
・・ＰＬＺＴ微細素子 である。 代理人 上屋 勝 〃 常包芳男 ！ １７４− 第３Ｇ図 Ｉδ １４６ 、 ・０．゛ ７′ ′−′（ ／ ７／ ＼１４＆ 第 ４図 第５図
Ｇ図は本発明の実施例の工程を示す図、第４図は本発明
の実施例で得られた光シヤツターアレイについて加工歪
の有無を説明するための平面図、第５図は比較例の光シ
ヤツターアレイについての第４図と同様の平面図である
。 なお、図面に用いられた符号において、１０・・・・・
・・・・・・・ウェハー１１・・・・・・・・・・・・
耐酸レジスト１２・・・・・・・・・・・・ガラス板１
６・・・・・・・・・・・・ワックス１４・・・・・・
・・・・・・短冊状ＰＬＺＴ１４ａ、 ｉ４ｂ・−・電
極層 １５・・・・・・・・・・・・ガラス板１７．１８・・
・電極層 １９・・・・・・・・・・・・銀ヘースト２１．２２・
・・ＰＬＺＴ微細素子 である。 代理人 上屋 勝 〃 常包芳男 ！ １７４− 第３Ｇ図 Ｉδ １４６ 、 ・０．゛ ７′ ′−′（ ／ ７／ ＼１４＆ 第 ４図 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 電気光学結晶素子を形成する工程と、前記電気□ 光学励ム素子に電極を形成する工程と、前記電極に一一
噛れて前記電気光学結晶素子に電気−号を供給するリー
ド線を形成する工程とを具備して成る光制御装置の製造
方法において、電気光学結晶を機械的に切断し、切断面
にエツチング処理を行って前記電気光学結晶素子を形成
することを特徴とする光制御装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1084284A JPS60154228A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 光制御装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1084284A JPS60154228A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 光制御装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60154228A true JPS60154228A (ja) | 1985-08-13 |
Family
ID=11761600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1084284A Pending JPS60154228A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 光制御装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60154228A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57197515A (en) * | 1981-05-13 | 1982-12-03 | Philips Nv | Light beam switching device |
| JPS58130321A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-03 | Ricoh Co Ltd | 光スイツチングアレイ素子 |
-
1984
- 1984-01-24 JP JP1084284A patent/JPS60154228A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57197515A (en) * | 1981-05-13 | 1982-12-03 | Philips Nv | Light beam switching device |
| JPS58130321A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-03 | Ricoh Co Ltd | 光スイツチングアレイ素子 |
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