JPS60153186A - 発光ダイオ−ド - Google Patents
発光ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS60153186A JPS60153186A JP59009199A JP919984A JPS60153186A JP S60153186 A JPS60153186 A JP S60153186A JP 59009199 A JP59009199 A JP 59009199A JP 919984 A JP919984 A JP 919984A JP S60153186 A JPS60153186 A JP S60153186A
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- JP
- Japan
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- layer
- contact
- light emitting
- emitting diode
- window
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
け）発明の技術分野 。
不発明は近赤外および可視発光ダイオードにおける′電
極のオーミック・コンタクト性の改善に関するものであ
る。
極のオーミック・コンタクト性の改善に関するものであ
る。
（ロノ 従来技術と問題点
第１図は従来の発光ダイオードの一例金示す構造断面で
ある。その製造の際はｎ型ＧａＡｓ基板（図示せず）上
に、先ず光取出し窓層とするｎ１ｉＡＬ０．５ＧａＯ，
５Ａｓ＋層１ｔ−厚さ５０μに、活性層とするｎｆｆ１
又ｔａｐｍのＡＬｏ、２ＧａＯ，８Ａｓ層２を厚さ１μ
に閉じ込め層とするｐ ｆｆ１Ａｔ０．４Ｇａ０．６Ａ
ｓ １ｍ ３ ｋ厚さ１μにコンタクト層（兼電流路全
制服する逆バイアス層）とする成長時は全体にｎ型のＡ
ＬＯ，３ＱａＯ，７μｇ層４を厚さ１μに、順次液相成
長したウニ八を使用して−る０尚、窓層１のＡｔ含有比
の０．５に成長開始部での値である０これにコンタクト
抵抗を低減するためにＺｎ（Ｐ型不純物）會１〜３μｍ
拡散してｐ呈領域５を形成し、電極（通常はＡｕＺｎ）
６が３００ ＯＡの厚さに形成される。
ある。その製造の際はｎ型ＧａＡｓ基板（図示せず）上
に、先ず光取出し窓層とするｎ１ｉＡＬ０．５ＧａＯ，
５Ａｓ＋層１ｔ−厚さ５０μに、活性層とするｎｆｆ１
又ｔａｐｍのＡＬｏ、２ＧａＯ，８Ａｓ層２を厚さ１μ
に閉じ込め層とするｐ ｆｆ１Ａｔ０．４Ｇａ０．６Ａ
ｓ １ｍ ３ ｋ厚さ１μにコンタクト層（兼電流路全
制服する逆バイアス層）とする成長時は全体にｎ型のＡ
ＬＯ，３ＱａＯ，７μｇ層４を厚さ１μに、順次液相成
長したウニ八を使用して−る０尚、窓層１のＡｔ含有比
の０．５に成長開始部での値である０これにコンタクト
抵抗を低減するためにＺｎ（Ｐ型不純物）會１〜３μｍ
拡散してｐ呈領域５を形成し、電極（通常はＡｕＺｎ）
６が３００ ＯＡの厚さに形成される。
その上にｔｉｃ Ａ ｕ （Ｄ Ｐ ＨＳ電極７が形成
される０他万Ｎｌｌ１ｌｔ極８のワイヤをボンデングす
る場所は広くとられる。窓／ｉ＃ｉのような厚Ｌ／＞Ａ
ｔＧａＡｓ層−全液相成長させる場合、液相エピ城長時
のＡＬの偏析係数が大きめ為、成長方向に回ってＡｔ含
有比が下ってφくｏ発光波長λ０は活性層のエネルギー
ギヤラグＥｇで制御され、ＥｇはＡｔ含有比に依存する
。−万、基板として使用されるＧａＡｓ１’Ｃ１発光波
長λｏ（９５’Ｏｎｍでは吸収層となる為、元運信用光
源用等の場合除去される。基板除去はエツチングによる
が、エツチング液はＡｔの含有比Ｘに対して依存性を持
っているものが使われる◎たとえばＮＨａＯＨ＋ＨｚＯ
ｔ （１： ３０ ）液はＧａＡｓのみをエツチングし
、ｘ 、＞ ０．２のＡｔｘＧａｌ−ｘＡａに対しては
全くエツチングしない。この様な選択エツチングによっ
て吸収層となるＧａＡａ基板を除去した構造が得られる
。この露出した結晶面に電極が形成されるが、先述した
ように所望膜厚を得る為に初期のＡｔＸ姐を高（（０，
３〜０．６）する必要がおる。コンタクト抵抗なＧａＡ
ｓ中のＡｔが少ない万が低く 、ＧａＡｓ層に対し電極
を形成するのが低いコンタクト抵抗を得るためには望ま
しい。しかし、結晶界面（基板との）上に精度良く数μ
ｍのコンタクト用ＧａＡｓ層を均一に残すようなエツチ
ングμ困−であり、又、光取出し窓部分のみかかるコー
ンタクト層による光吸収を避ける為更にエツチング加工
等でこのコンタクト用ＧａＡｓ層を除去しなければなら
ないので、工程も著しく煩雑になる０ヒＪ 発明の目的 本発明に以上の従来技術における欠点全解消し、Ａ／：
ＧａＡｓ窓層側のコンタクト抵抗を低減することが可能
で製造も容易な発光ダイオード構造を提供することを目
的とする。
される０他万Ｎｌｌ１ｌｔ極８のワイヤをボンデングす
る場所は広くとられる。窓／ｉ＃ｉのような厚Ｌ／＞Ａ
ｔＧａＡｓ層−全液相成長させる場合、液相エピ城長時
のＡＬの偏析係数が大きめ為、成長方向に回ってＡｔ含
有比が下ってφくｏ発光波長λ０は活性層のエネルギー
ギヤラグＥｇで制御され、ＥｇはＡｔ含有比に依存する
。−万、基板として使用されるＧａＡｓ１’Ｃ１発光波
長λｏ（９５’Ｏｎｍでは吸収層となる為、元運信用光
源用等の場合除去される。基板除去はエツチングによる
が、エツチング液はＡｔの含有比Ｘに対して依存性を持
っているものが使われる◎たとえばＮＨａＯＨ＋ＨｚＯ
ｔ （１： ３０ ）液はＧａＡｓのみをエツチングし
、ｘ 、＞ ０．２のＡｔｘＧａｌ−ｘＡａに対しては
全くエツチングしない。この様な選択エツチングによっ
て吸収層となるＧａＡａ基板を除去した構造が得られる
。この露出した結晶面に電極が形成されるが、先述した
ように所望膜厚を得る為に初期のＡｔＸ姐を高（（０，
３〜０．６）する必要がおる。コンタクト抵抗なＧａＡ
ｓ中のＡｔが少ない万が低く 、ＧａＡｓ層に対し電極
を形成するのが低いコンタクト抵抗を得るためには望ま
しい。しかし、結晶界面（基板との）上に精度良く数μ
ｍのコンタクト用ＧａＡｓ層を均一に残すようなエツチ
ングμ困−であり、又、光取出し窓部分のみかかるコー
ンタクト層による光吸収を避ける為更にエツチング加工
等でこのコンタクト用ＧａＡｓ層を除去しなければなら
ないので、工程も著しく煩雑になる０ヒＪ 発明の目的 本発明に以上の従来技術における欠点全解消し、Ａ／：
ＧａＡｓ窓層側のコンタクト抵抗を低減することが可能
で製造も容易な発光ダイオード構造を提供することを目
的とする。
に）発明の構成
本発明の発光ダイオードに、活性層に隣接して、該活性
層から離れるに従い次第にＡ４含有比が増大するＡｔＧ
ａＡｓ層から成る窓層を有し、該窓層の前記活性層と反
対側の面上に、法面における窓層よりＡｔ含有比の小さ
いＡｔＧａＡｓ層から成るコンタクト層が設けられ、該
コンタクト階上にオーミック・コンタクト電極が設けら
れたことを特徴とするものである０ （ホ）発明の実施例 第２図は本発明実施例の発光ダイオードの構造断面を示
し、第１図従来例と同一部分についてに同一参照番号を
付しである０従来例とは、厚さ２〜３μのｎｆｆ１Ａ４
０．３ＧａＯ，７Ａａから成るコンタクト層９ｔＮ＠電
極８ （ＡｕＧｅ−Ａｕ）下に設けである点で構造上相
違している０不実施例の発光ダイオードの製造工程につ
いて次に説明すると、エビ成長の段階に於いて、所望発
光波長λ０′Ｊｔ吸収せず且つ選択エッチ可能な範囲の
ＡＬＸ匝を有するｎ麗のコンタクト用ＡｔＧａＡｇ層９
ｔ−数μｍＧａＡｓ基板上に第１層として成長する。連
続して窓層１゜活性層２．閉じ込め層３．コンタクト層
４ｔ″成長する。エビ工程なので膜厚精［は良φＯその
彼に、従来同様Ｐ型領域５．鼠極６，７ｔ−形成するＯ
しかる後ＱａＡｓ基板を前述のエツチング液を用いる等
して選択的にエツチング除去する。＆３図に厚さ方向に
対するＡＬｘ値分布を示す０第１１−目としてコンタク
ト用の低抵抗層９を設ける不方法により、順方向電圧は
従来品に比べ０．４〜０．６ｖ低くなり発熱も押えられ
る効果を持った０不実施例では光取出し窓の電極形成面
に設けたコンタクト用のＡＡＱａＡａ層９′ｔ−エツチ
ング除去不要としたが、発光波長λ０によっては、吸収
層として働かなｉよう電極下以外の部分をエツチング除
去しても何ら差支えることに無いＯ又５層構造に駆足さ
れるものではなく、光電出し窓１ｍ上に活性層のみ設け
て全体に３層構造にすることも可能である。
層から離れるに従い次第にＡ４含有比が増大するＡｔＧ
ａＡｓ層から成る窓層を有し、該窓層の前記活性層と反
対側の面上に、法面における窓層よりＡｔ含有比の小さ
いＡｔＧａＡｓ層から成るコンタクト層が設けられ、該
コンタクト階上にオーミック・コンタクト電極が設けら
れたことを特徴とするものである０ （ホ）発明の実施例 第２図は本発明実施例の発光ダイオードの構造断面を示
し、第１図従来例と同一部分についてに同一参照番号を
付しである０従来例とは、厚さ２〜３μのｎｆｆ１Ａ４
０．３ＧａＯ，７Ａａから成るコンタクト層９ｔＮ＠電
極８ （ＡｕＧｅ−Ａｕ）下に設けである点で構造上相
違している０不実施例の発光ダイオードの製造工程につ
いて次に説明すると、エビ成長の段階に於いて、所望発
光波長λ０′Ｊｔ吸収せず且つ選択エッチ可能な範囲の
ＡＬＸ匝を有するｎ麗のコンタクト用ＡｔＧａＡｇ層９
ｔ−数μｍＧａＡｓ基板上に第１層として成長する。連
続して窓層１゜活性層２．閉じ込め層３．コンタクト層
４ｔ″成長する。エビ工程なので膜厚精［は良φＯその
彼に、従来同様Ｐ型領域５．鼠極６，７ｔ−形成するＯ
しかる後ＱａＡｓ基板を前述のエツチング液を用いる等
して選択的にエツチング除去する。＆３図に厚さ方向に
対するＡＬｘ値分布を示す０第１１−目としてコンタク
ト用の低抵抗層９を設ける不方法により、順方向電圧は
従来品に比べ０．４〜０．６ｖ低くなり発熱も押えられ
る効果を持った０不実施例では光取出し窓の電極形成面
に設けたコンタクト用のＡＡＱａＡａ層９′ｔ−エツチ
ング除去不要としたが、発光波長λ０によっては、吸収
層として働かなｉよう電極下以外の部分をエツチング除
去しても何ら差支えることに無いＯ又５層構造に駆足さ
れるものではなく、光電出し窓１ｍ上に活性層のみ設け
て全体に３層構造にすることも可能である。
ｅプ 発明の効果
不発明によれば、発光ダイオードのＡｊＧａＡｓ窓層側
オーミック・コンタクト電極のコンタクト抵抗全低減す
ることができ、且つそのために製造工程に制御困ｊｌＡ
なエッチング工程ｔｅ人する必要もないといり効果が得
られる。
オーミック・コンタクト電極のコンタクト抵抗全低減す
ることができ、且つそのために製造工程に制御困ｊｌＡ
なエッチング工程ｔｅ人する必要もないといり効果が得
られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の発光ダイオードのｗＩ造断面例を示し、
Ｍ２１は不発明実施例の発光ダイオードを示し、第３図
体その各層のＡｔ含有比分布を衣す図でおる。 ｌ・・・・・・ＡｔＧａＡｓ光取出し窓層２・・・・・
・活性層 ３・・・・・・閉じ込め層 ４．９・・・オーミック・コンタクト層６．８・・・電
極
Ｍ２１は不発明実施例の発光ダイオードを示し、第３図
体その各層のＡｔ含有比分布を衣す図でおる。 ｌ・・・・・・ＡｔＧａＡｓ光取出し窓層２・・・・・
・活性層 ３・・・・・・閉じ込め層 ４．９・・・オーミック・コンタクト層６．８・・・電
極
Claims (1)
- 活性層に瞬接して、該活性層から離れるに従い次第にＡ
７含有比が増大するＡｔＧａＡｓ層から成る窓層金有し
、該窓層の前記活性層と反対側の面上に、法面における
窓層よりＡｔ含有比の小さいＡｔＧａＡｓ層から成るコ
ンタクト層が設けられ、該コンタクト層上にオーミック
・コンタクト電極が設けられたことを％徴とする発光ダ
イオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP919984A JPH0634409B2 (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 発光ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP919984A JPH0634409B2 (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 発光ダイオ−ド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60153186A true JPS60153186A (ja) | 1985-08-12 |
| JPH0634409B2 JPH0634409B2 (ja) | 1994-05-02 |
Family
ID=11713823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP919984A Expired - Lifetime JPH0634409B2 (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 発光ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0634409B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6415913A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Mitsubishi Monsanto Chem | Epitaxial growth method of substrate for high-brightness led |
| JPH01187883A (ja) * | 1988-01-21 | 1989-07-27 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | 高輝度ｌｅｄ用エピタキシャル基板及びその製造方法 |
| US6839367B2 (en) | 2000-11-08 | 2005-01-04 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Light source comprising laser diode module |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58137274A (ja) * | 1982-02-09 | 1983-08-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 面発光型半導体発光素子の製造方法 |
-
1984
- 1984-01-20 JP JP919984A patent/JPH0634409B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58137274A (ja) * | 1982-02-09 | 1983-08-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 面発光型半導体発光素子の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6415913A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Mitsubishi Monsanto Chem | Epitaxial growth method of substrate for high-brightness led |
| JPH01187883A (ja) * | 1988-01-21 | 1989-07-27 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | 高輝度ｌｅｄ用エピタキシャル基板及びその製造方法 |
| US6839367B2 (en) | 2000-11-08 | 2005-01-04 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Light source comprising laser diode module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0634409B2 (ja) | 1994-05-02 |
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