JPS60152268A - 電力変換装置 - Google Patents
電力変換装置Info
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- JPS60152268A JPS60152268A JP706784A JP706784A JPS60152268A JP S60152268 A JPS60152268 A JP S60152268A JP 706784 A JP706784 A JP 706784A JP 706784 A JP706784 A JP 706784A JP S60152268 A JPS60152268 A JP S60152268A
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- Japan
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- capacitor
- magnetic
- commutation
- capacitor voltage
- pressure
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-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/02—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal
- H02M7/04—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/12—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/145—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means
- H02M7/155—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means using semiconductor devices only
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は交流亀源砥圧を直流磁圧または前記交流嵯源鴫
圧よシ低い周波数の交流磁圧（二変換する磁力変換装置
（二係り、％にゲートターンオフサイリスタ（二代衣さ
れる自己消弧可能な磁力用半導体素子を用いる。ことが
できる磁力変換装置（二関する。
圧よシ低い周波数の交流磁圧（二変換する磁力変換装置
（二係り、％にゲートターンオフサイリスタ（二代衣さ
れる自己消弧可能な磁力用半導体素子を用いる。ことが
できる磁力変換装置（二関する。
第１図は従来実施されているゲートターンオフサイリス
ク （以下単にＧＴＯ、！： ８ｅす）を用いた１区力
変換装置の構成例で、１は交流嘔源、２は交流電源側の
りアクドル、３はサージ重圧抑制用コンデンサ、４は６
アームをＧＴＯＧＵ−ＧＺｉ１４！０構成されたブリッ
ジ回路から成る磁力変換装置、５は出力磁流Ｉｄ（Ｉ−
平滑する直流リアクトル、６は負荷である。本構成は直
流側（＝リアクトル５を設けた峨流形眠力変侠装置であ
る。いま、父流仙］１籠流が図示峨力変挾装置４のＧＴ
ＯのうちＧＵからＧＶへ転流する場合を考える。ＧＵへ
オンゲート磁流を流してターンオフさせると同時にＧＶ
をターンオンすべくゲートへオンゲート磁流（！−流す
。このときｕ相に流れていた直光は５薫１がｊ的（二零
となるが、リアクトル２（−蓄積されていた磁磁エネル
ギーはコンデンサ３を介して移行する。交流側回路（−
抵抗分があまりないＪｊＡ会は、リアクトル２とコンデ
ンサ３ζ二より一流後前記峨磁エネルギーのやりと９を
行ない、結果的（二交Ａ＜圧が振動することとなる。
ク （以下単にＧＴＯ、！： ８ｅす）を用いた１区力
変換装置の構成例で、１は交流嘔源、２は交流電源側の
りアクドル、３はサージ重圧抑制用コンデンサ、４は６
アームをＧＴＯＧＵ−ＧＺｉ１４！０構成されたブリッ
ジ回路から成る磁力変換装置、５は出力磁流Ｉｄ（Ｉ−
平滑する直流リアクトル、６は負荷である。本構成は直
流側（＝リアクトル５を設けた峨流形眠力変侠装置であ
る。いま、父流仙］１籠流が図示峨力変挾装置４のＧＴ
ＯのうちＧＵからＧＶへ転流する場合を考える。ＧＵへ
オンゲート磁流を流してターンオフさせると同時にＧＶ
をターンオンすべくゲートへオンゲート磁流（！−流す
。このときｕ相に流れていた直光は５薫１がｊ的（二零
となるが、リアクトル２（−蓄積されていた磁磁エネル
ギーはコンデンサ３を介して移行する。交流側回路（−
抵抗分があまりないＪｊＡ会は、リアクトル２とコンデ
ンサ３ζ二より一流後前記峨磁エネルギーのやりと９を
行ない、結果的（二交Ａ＜圧が振動することとなる。
振＃Ｊを抑制するためにコンデンサ３（二直列（＝抵抗
を入れる場合もある。
を入れる場合もある。
４流形屯力変換装置（＝おいて上記例のように交流電流
を強制的に転流させようとする場合、転流時の交流側′
電磁エネルギーをどう処理するかが大きな問題となる。
を強制的に転流させようとする場合、転流時の交流側′
電磁エネルギーをどう処理するかが大きな問題となる。
上記例は屯磁エネルギーを交流側で振励させ消費させて
いる例でおる。第１図のりアクドル２は通常変圧器のも
れリアクタンスや配線のりアクタンスであるが、ここ（
＝蓄積されたエネルギーを抵抗分で消費させる方式は変
換装置の効率上からも好ましくない。またコンデンサ３
を省略したものは過嵯圧防止上から等測的（二〇ＴＯの
スナバ回路として容量の大きなものを使用せねばならな
い。
いる例でおる。第１図のりアクドル２は通常変圧器のも
れリアクタンスや配線のりアクタンスであるが、ここ（
＝蓄積されたエネルギーを抵抗分で消費させる方式は変
換装置の効率上からも好ましくない。またコンデンサ３
を省略したものは過嵯圧防止上から等測的（二〇ＴＯの
スナバ回路として容量の大きなものを使用せねばならな
い。
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、交流側成
磁エネルギーの有効利用、変換装置を構成している磁力
用半導体素子の過電圧押１ｒｌＪ、優れた制御性を示す
磁力変換装置を提供することにおる。
磁エネルギーの有効利用、変換装置を構成している磁力
用半導体素子の過電圧押１ｒｌＪ、優れた制御性を示す
磁力変換装置を提供することにおる。
不発明は、この目的を達成するため（二、ブリッジ回路
の交流側の各相端子（二それぞれ接続される複数組の逆
並列接続のサイリスタと、前ｄ己ブリッジ回路の直流側
端子間（＝設けられる直列接続された１対の磁力用半導
体素子と、この磁力用半導体素子の直列接続点と前目己
逆並列サイリスタの共通汲続点との間（＝接続されるコ
ンデンサを設は転流時の交流側回路に８積されている峨
磁エネルギーを一担前記コンデンサ（二ｄ積し、これを
直流ｉｔｉ＋に放出するようにしたものでめる。
の交流側の各相端子（二それぞれ接続される複数組の逆
並列接続のサイリスタと、前ｄ己ブリッジ回路の直流側
端子間（＝設けられる直列接続された１対の磁力用半導
体素子と、この磁力用半導体素子の直列接続点と前目己
逆並列サイリスタの共通汲続点との間（＝接続されるコ
ンデンサを設は転流時の交流側回路に８積されている峨
磁エネルギーを一担前記コンデンサ（二ｄ積し、これを
直流ｉｔｉ＋に放出するようにしたものでめる。
第２図は本発明の一実Ｍ例を示す、溝成図である。
図（＝おいて、２は交流４ 源１ｄｌｌのりアクドル、
４は６アームｋ ＧＴＯＧＵ〜ＧＺ ｌ二よυ構成され
たブリッジ、５は直訛りアクドルで第１図で示した要素
と同一のものである。７は３組の逆並列ｇｄサイリ、ｌ
’ＴＵとＴＸ、ＴＶ、！：ＴＹ、’ＩＷ、！：ＴＺで各
組）一端は交流の各相（二接続され、他端は共通接続さ
れている。８，９はサイリスタで、おの２のが同方向と
なるよう（二直列接続し、アノード側をブリッジ４のア
ノード側（二、カソード側をブリッジ４のカソード側と
なるよう（二してブリッジ番の直流側（二接続してなる
。１０はコンデンサで、前記逆並列接続サイリスタ７の
共通接続端とサイリスタ８゜９の中間点との間口接続し
た構成である。
４は６アームｋ ＧＴＯＧＵ〜ＧＺ ｌ二よυ構成され
たブリッジ、５は直訛りアクドルで第１図で示した要素
と同一のものである。７は３組の逆並列ｇｄサイリ、ｌ
’ＴＵとＴＸ、ＴＶ、！：ＴＹ、’ＩＷ、！：ＴＺで各
組）一端は交流の各相（二接続され、他端は共通接続さ
れている。８，９はサイリスタで、おの２のが同方向と
なるよう（二直列接続し、アノード側をブリッジ４のア
ノード側（二、カソード側をブリッジ４のカソード側と
なるよう（二してブリッジ番の直流側（二接続してなる
。１０はコンデンサで、前記逆並列接続サイリスタ７の
共通接続端とサイリスタ８゜９の中間点との間口接続し
た構成である。
以下、前述構成から成る本発明の詳細な説明する。第３
図は第２図の構成（＝よる本発明磁力変換装置の動作波
形で、Ｖｕ ＋ Ｖｖ ＋ Ｖｗは谷々Ｕ相、Ｖ相ｒ
ｗａ覗源題圧、ｉｕ＋ ｉｖ ＋ １ｗは谷々ブリッジ
４（＝供給されるＵ相、■相、Ｗ相屯流で必る。第２因
及び第３図（二おいてＧＴＯＧＵ 、 ＧＶ 、 ＧＷ
。
図は第２図の構成（＝よる本発明磁力変換装置の動作波
形で、Ｖｕ ＋ Ｖｖ ＋ Ｖｗは谷々Ｕ相、Ｖ相ｒ
ｗａ覗源題圧、ｉｕ＋ ｉｖ ＋ １ｗは谷々ブリッジ
４（＝供給されるＵ相、■相、Ｗ相屯流で必る。第２因
及び第３図（二おいてＧＴＯＧＵ 、 ＧＶ 、 ＧＷ
。
ＧＡ’、 ＧＹ 、 ＧＺは制御角がマイナスのαで点
弧制御されるものとｒる。即ち、タイミングｔ１ではＧ
ＴＯＧＵ ｔターンオンさせると同時（＝サイリスタＴ
ＵＪ？よびＴＰを点弧する。このときコンデンサ１０の
磁圧が第２図鴫二示す極性であるとすれば、ＧＴＯＧ（
Ｊに＝＝を圧がはじめ印加され、ｌｕはサイリスタＴＵ
、コンデンサ１０．サイリスタＴＰを通って直流リアク
トル５（磁流れる。ＧＴＯＧｖ ｔ： ｔ、の時点かあ
るいはそれ以後の適当なタイミングでオンゲートパルス
を与えれば第２図のコンデンサ１０の磁圧はその容量と
Ｉｄの大きさ（二依存した時間で反転しているから、交
流題流は１ｕからｉｖへ転流する。転流後のコンデンサ
電圧は第２図で図示したものと逆極性となる。サイリス
タＴＵ、ＴＰはｉ、が苓となると同時（二消弧する。タ
イミングｔ２ではＧＴＯＧＺをターンオフさせると同時
（＝サイリスタＴＺおよびＴＮを点弧する。ＧＴＯＧＸ
にｔ２の時点かあるいはそれ以後の適当なタイミングで
オンゲートパルスを与えれば、上記タイミングｔ１で記
述した動作と同様に鵡からｉｕへの転流が行なわれる。
弧制御されるものとｒる。即ち、タイミングｔ１ではＧ
ＴＯＧＵ ｔターンオンさせると同時（＝サイリスタＴ
ＵＪ？よびＴＰを点弧する。このときコンデンサ１０の
磁圧が第２図鴫二示す極性であるとすれば、ＧＴＯＧ（
Ｊに＝＝を圧がはじめ印加され、ｌｕはサイリスタＴＵ
、コンデンサ１０．サイリスタＴＰを通って直流リアク
トル５（磁流れる。ＧＴＯＧｖ ｔ： ｔ、の時点かあ
るいはそれ以後の適当なタイミングでオンゲートパルス
を与えれば第２図のコンデンサ１０の磁圧はその容量と
Ｉｄの大きさ（二依存した時間で反転しているから、交
流題流は１ｕからｉｖへ転流する。転流後のコンデンサ
電圧は第２図で図示したものと逆極性となる。サイリス
タＴＵ、ＴＰはｉ、が苓となると同時（二消弧する。タ
イミングｔ２ではＧＴＯＧＺをターンオフさせると同時
（＝サイリスタＴＺおよびＴＮを点弧する。ＧＴＯＧＸ
にｔ２の時点かあるいはそれ以後の適当なタイミングで
オンゲートパルスを与えれば、上記タイミングｔ１で記
述した動作と同様に鵡からｉｕへの転流が行なわれる。
以下同様（ニタイミングｔｓ、ｔ４．ｔｓ、ｔａで転流
が行なわれ、颯源側−周期での動作が終了する。
が行なわれ、颯源側−周期での動作が終了する。
以上の転流制御（＝よシｊｕ＋ ｉｖ＋ １ｗは第３図
に示すような波形とな夛、その基本波は磁圧に対して進
み磁流となる。制御角αを通常の位相制御のように遅れ
とすることももちろん可能であすαとして０度から３６
０度まで全範囲で制御することができる。ここで説明し
た制御例では、たとえばりイミングｔ１において第２図
コンデンサ１０の極性は図示のようになっているからサ
イリスタＴＵをオンすること（二よ５ ＧＴＯＧＵは逆
バイアスされる。
に示すような波形とな夛、その基本波は磁圧に対して進
み磁流となる。制御角αを通常の位相制御のように遅れ
とすることももちろん可能であすαとして０度から３６
０度まで全範囲で制御することができる。ここで説明し
た制御例では、たとえばりイミングｔ１において第２図
コンデンサ１０の極性は図示のようになっているからサ
イリスタＴＵをオンすること（二よ５ ＧＴＯＧＵは逆
バイアスされる。
したがってブリッジ４を構成しているＧＵ、Ｇ＃。
ＧＷ、 ＧＸ 、 ＧＹ 、 ＧＺ を自己消弧不可能
なサイリスタで構成しても所定の逆バイアス期間を持た
すことができるから動作は可能である。
なサイリスタで構成しても所定の逆バイアス期間を持た
すことができるから動作は可能である。
本転流制御ではコンデンサ］０の極性は転売ごと（二反
転する。第２図の実施例での構成で転流期間以外でコン
デンサ１０の磁圧を１■す御することができる。いまタ
イミングｔ１とタイミングｔ２の間を考える。このとき
前述制御例ではタイミングｔ！転流終了後、コンデンサ
１０の極性は左・ｉｌｊ＋が正、右側が負となっている
。タイミングｔ１からタイミングｔ。
転する。第２図の実施例での構成で転流期間以外でコン
デンサ１０の磁圧を１■す御することができる。いまタ
イミングｔ１とタイミングｔ２の間を考える。このとき
前述制御例ではタイミングｔ！転流終了後、コンデンサ
１０の極性は左・ｉｌｊ＋が正、右側が負となっている
。タイミングｔ１からタイミングｔ。
にいたる期間ブリッジ４のＧＴＯＧＺは連続して通電し
ているが、タイミングｔ１での転流終了後適当な夕づミ
ンクでサイリスタＴＺ＆よびＴＮｔオンさせる。このと
きＧＺには逆題圧が印加されオフ状態となる。直流電流
ＩｄはＴＮ→コンデンサ１０→ＴＺを通って交ａ １ｉ
流Ｌｗとなる。コンデンサ１０の磁圧は、コンデンサ容
量をＣとするとコンデンサの磁圧変化率ｄｖｃ／ｄｔが
Ｉｄ／Ｃの速さで逆方向（＝光磁されてゆく。電圧反転
後適当なタイミングでＧＺをオンさせればＴＮ、ＴＺは
消弧する。この動作によりタイミングｔ２での転流）二
あたυコンデンサ１０は第２図図示の方向に光磁されて
いるからＧＺをオフし、ＴＺ 、 ＴＮ、 ＧＸ金オン
するモード（＝２いて交流磁流１ｗは前述制御方法よｐ
もはやく零となる。
ているが、タイミングｔ１での転流終了後適当な夕づミ
ンクでサイリスタＴＺ＆よびＴＮｔオンさせる。このと
きＧＺには逆題圧が印加されオフ状態となる。直流電流
ＩｄはＴＮ→コンデンサ１０→ＴＺを通って交ａ １ｉ
流Ｌｗとなる。コンデンサ１０の磁圧は、コンデンサ容
量をＣとするとコンデンサの磁圧変化率ｄｖｃ／ｄｔが
Ｉｄ／Ｃの速さで逆方向（＝光磁されてゆく。電圧反転
後適当なタイミングでＧＺをオンさせればＴＮ、ＴＺは
消弧する。この動作によりタイミングｔ２での転流）二
あたυコンデンサ１０は第２図図示の方向に光磁されて
いるからＧＺをオフし、ＴＺ 、 ＴＮ、 ＧＸ金オン
するモード（＝２いて交流磁流１ｗは前述制御方法よｐ
もはやく零となる。
第４図は本発明の他の実施例を示す構成図でおる。１１
．１２はＧＴＯ１１３はコンデンサ鴫圧検出器、１４は
ゲート指令・１６号である。他の一要素は第２図で示し
たものは同一の９８を示す。本構成における動作を説明
する。第３図で示したタイミング１．〜ｔ６での転流制
御は前述の方法と同一である。転流と転流の間（＝おけ
るコンデンサ１０の磁圧を自由（二制御可能となるよう
に第一の実施例のサイリスタ８．９のかわ９（二ＧＴＯ
１１、１２を設けている。いまタイミングｔ１での転流
終了後、タイミングｔ２までの期間での適当な時刻にサ
イリスタＴＺおよびＧＴＯＧＮをオンさせる。コンデン
サ磁圧ＶＣはその容量と直流電流Ｉｄの商（二比例して
変化するが、所望のコンデンサ磁圧となったときにコン
デンサ峨圧検出器１１（二よυ出力されるゲート指令信
号１４（＝よ、り ＧＴＯＧＮをターンオフさせる。こ
の動イ乍（二よりこれまでＩｄがＧＮ→コンデンサ１０
→Ｔｚ−＋ｉＷと流れていたものが、ＧＺ→ｉｗの通常
のモードとなる。第１の実施例ではコンデンサ磁圧が第
２図で示した極性となったが、本実施例ではコンデンサ
磁圧を任意の極性、大きさとすることが可能である。し
たがって次の転０毘開始前（＝コンデンサ磁圧を直流電
流Ｉｄやｍｌｊ御角αに応じた所望の・直にしておくこ
とにより常（二安定した転流を行なわせることが可能と
なる。
．１２はＧＴＯ１１３はコンデンサ鴫圧検出器、１４は
ゲート指令・１６号である。他の一要素は第２図で示し
たものは同一の９８を示す。本構成における動作を説明
する。第３図で示したタイミング１．〜ｔ６での転流制
御は前述の方法と同一である。転流と転流の間（＝おけ
るコンデンサ１０の磁圧を自由（二制御可能となるよう
に第一の実施例のサイリスタ８．９のかわ９（二ＧＴＯ
１１、１２を設けている。いまタイミングｔ１での転流
終了後、タイミングｔ２までの期間での適当な時刻にサ
イリスタＴＺおよびＧＴＯＧＮをオンさせる。コンデン
サ磁圧ＶＣはその容量と直流電流Ｉｄの商（二比例して
変化するが、所望のコンデンサ磁圧となったときにコン
デンサ峨圧検出器１１（二よυ出力されるゲート指令信
号１４（＝よ、り ＧＴＯＧＮをターンオフさせる。こ
の動イ乍（二よりこれまでＩｄがＧＮ→コンデンサ１０
→Ｔｚ−＋ｉＷと流れていたものが、ＧＺ→ｉｗの通常
のモードとなる。第１の実施例ではコンデンサ磁圧が第
２図で示した極性となったが、本実施例ではコンデンサ
磁圧を任意の極性、大きさとすることが可能である。し
たがって次の転０毘開始前（＝コンデンサ磁圧を直流電
流Ｉｄやｍｌｊ御角αに応じた所望の・直にしておくこ
とにより常（二安定した転流を行なわせることが可能と
なる。
これまでの説明では４流の位相制御として記述したが、
ＧＶからＧＵへの転流も同様（′″−行なうことができ
、父流屯流のパルス幅変調（ＰＷＭ）制御も可能である
。また交流側（二域源のかわりに交流峨動機を接続し、
直流電流を供給して峨ｋＪｈ機駆動用周波数変換装置と
することができる。
ＧＶからＧＵへの転流も同様（′″−行なうことができ
、父流屯流のパルス幅変調（ＰＷＭ）制御も可能である
。また交流側（二域源のかわりに交流峨動機を接続し、
直流電流を供給して峨ｋＪｈ機駆動用周波数変換装置と
することができる。
以上述べたよう（二本発明はｌ献流時の交流側回路（＝
蓄積されている峨磁エネルギーを一担コンデンサζユ蓄
積し、これを直流側（二放出することを基本としておシ
、エネルギー損失のあまりない変換装置とすることがで
きる。また、回路動作上、使用している磁力用半導体素
子（＝は過酷な磁圧、−流が印加されることがないので
動作も安定となる。
蓄積されている峨磁エネルギーを一担コンデンサζユ蓄
積し、これを直流側（二放出することを基本としておシ
、エネルギー損失のあまりない変換装置とすることがで
きる。また、回路動作上、使用している磁力用半導体素
子（＝は過酷な磁圧、−流が印加されることがないので
動作も安定となる。
第１図は従来の磁力変換装置の構成図、第２図は本発明
の一央滝例金示す構成図、第３図は第２図の動作波形図
、第４図は本発明の他の実施例を示す構成図である。 １・・・交Ａｌ源、 ２．５・・・リアクトル３．１０
・・・コンデンサ、４・・・ブリッジ６・・・負荷、
７・・・逆並列接続サイリスタ８．９・・・サイリスタ
、１１．１２・・・ＧＴＯ１３・・・コンデンサ頌圧検
出器、１４・・・ゲート指令信号（７３１７）代理人
弁理士 則 近 憲 佑（ほか１名）第１図 第２図 第３図 ７＃ ＴＰ ７Ａ／ γｌ’ ＴＮ γＰスン Ｘン
オン オン ２ン ７ン 第４図
の一央滝例金示す構成図、第３図は第２図の動作波形図
、第４図は本発明の他の実施例を示す構成図である。 １・・・交Ａｌ源、 ２．５・・・リアクトル３．１０
・・・コンデンサ、４・・・ブリッジ６・・・負荷、
７・・・逆並列接続サイリスタ８．９・・・サイリスタ
、１１．１２・・・ＧＴＯ１３・・・コンデンサ頌圧検
出器、１４・・・ゲート指令信号（７３１７）代理人
弁理士 則 近 憲 佑（ほか１名）第１図 第２図 第３図 ７＃ ＴＰ ７Ａ／ γｌ’ ＴＮ γＰスン Ｘン
オン オン ２ン ７ン 第４図
Claims (1)
- 各アームを磁力用半導体素子で構成したブリッジ回路と
、一端が共通接続され他端が前記ブリッジ回路の父＋Ａ
、側の各相端子（−それぞれ接続される４Ｌ数組の逆並
列接続のサイリスクと、前記ブリッジ回路の直流側端子
間（＝設けられる直列・歴続された１対の磁力用半導体
素子と、この磁力用半導体素子の直列接続点を前記逆並
列サイリスタの共通接続点との間（二接続されるコンデ
ンサとから成る磁力変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP706784A JPS60152268A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 電力変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP706784A JPS60152268A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 電力変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60152268A true JPS60152268A (ja) | 1985-08-10 |
Family
ID=11655724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP706784A Pending JPS60152268A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 電力変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60152268A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11165330B2 (en) | 2017-07-13 | 2021-11-02 | The University Of Birmingham | Elimination of commutation failure of LCC HVDC system |
-
1984
- 1984-01-20 JP JP706784A patent/JPS60152268A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11165330B2 (en) | 2017-07-13 | 2021-11-02 | The University Of Birmingham | Elimination of commutation failure of LCC HVDC system |
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