JPS60147114A - 光起電力素子の製造装置 - Google Patents
光起電力素子の製造装置Info
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- JPS60147114A JPS60147114A JP59004071A JP407184A JPS60147114A JP S60147114 A JPS60147114 A JP S60147114A JP 59004071 A JP59004071 A JP 59004071A JP 407184 A JP407184 A JP 407184A JP S60147114 A JPS60147114 A JP S60147114A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマＣ，Ｖ Ｌ）法により製造する光起電
力素子の製造装置°に”関し、稲Ｉこ光起電力素子の光
電変換効率を高め得る光起電力素子の製５Ｂ装置に関す
るものである。
力素子の製造装置°に”関し、稲Ｉこ光起電力素子の光
電変換効率を高め得る光起電力素子の製５Ｂ装置に関す
るものである。
プラスマＣＶＤ法による光起電力素子の製造は、第１図
に示すように、対向させた一対の電極ｌ、ｌを収容した
チャンバー２内に半導体薄膜を生成させる所定のかスを
送給管３を経て送給するとともに、電極１，１間には高
周波電隙４により高電圧を印加して、対向する電極１．
１間のゲスをグロー放電させることによって分解させて
、電極１上ｆこ載置した基板５の透面に所定の半導体薄
膜を生成させることにより、光起電力素子が作られる。
に示すように、対向させた一対の電極ｌ、ｌを収容した
チャンバー２内に半導体薄膜を生成させる所定のかスを
送給管３を経て送給するとともに、電極１，１間には高
周波電隙４により高電圧を印加して、対向する電極１．
１間のゲスをグロー放電させることによって分解させて
、電極１上ｆこ載置した基板５の透面に所定の半導体薄
膜を生成させることにより、光起電力素子が作られる。
ところで、太陽電池の如き光起電力素子は、一般１こ特
性の異なる複数の半導体薄膜を基板５の表面に槙舶させ
る必要があり、基板５の表面に半導体隔膜を生成させる
場合には、個々の半導体薄膜＠にその半導体薄膜の特性
を発揮させるために適した純反の極めて高いゲスをチャ
ンバー２内に送給する。そして、このようながスの送給
は第１図に示す如く、Ｖ゛ス送給管３にバルブ■１乃至
ｖ４を介して接続された種類の異なるがスを充填してい
るｂ’ スフＫ ンヘＧｌ、 Ｇ２． Ｇａ、 Ｇ４７
５Ａ ラ通’４：０） ハ／ｌ／ ７’ ＶＩ乃至ｖ４
を選択的に開くことにより行われる。しかして、いま仮
りにパルプｖ１を開いてθ゛スボンベＧ１かスをチャン
バー２内に送給してグロー放電をさせて基板５の表面に
１細目の半導体薄膜を生成させた場合には、その放電に
より分解されたθ゛スの粉末状の残有がチャンバー２の
内壁に飛散して付鎧し残有にはがスが吸債されたままと
なる。続、いていま生成させた１層目の千堺体薄膜の表
面ｌこ別の特性を有する２層目の半導体薄膜を生成させ
る場合には、い捷までチャンバー２内に送給されていた
θ゛スを止めて排気管６から一旦排出させチャンバー２
内を真空状態にした後、再ひ別のパルプｖ２’ｉ＝ 開
イてθ゛スボンベＧ２ら靴らたな極めて純度の高いゲス
をチャンバー２内に送給してグロー放電させて先ｌこ生
成させた１層目の半欅体薄１漢の表１Ｂｌに特性の異な
る栢らたな２層目の半導体薄膜を生１戊させる。この場
合、２層目を生成させるゲスのグロー放電によりがスが
分解されて発生したプラスのイオンＮ（以Ｆイオンとい
う）が、接地さｈているチャンバー２の内壁に高速度で
衝突して、１層目の半揮体薄１１＠の生成時におけるグ
ロー放電でチャンバー２の内壁に付１していた残有に衝
撃を与えて残有を叩たき出してチャンバー２内ｌこ浮遊
させることになり、残有とともに残有に吸釘されていた
かスが二層目の半導体薄膜を生成させるゲスの純度を著
るしく低下させることになる。そのため二層目に生成さ
れた半導体薄膜の特性の低Ｆが余儀なくされ、光起電力
素子の光電変換効率の上昇を妨げることが判明した。
性の異なる複数の半導体薄膜を基板５の表面に槙舶させ
る必要があり、基板５の表面に半導体隔膜を生成させる
場合には、個々の半導体薄膜＠にその半導体薄膜の特性
を発揮させるために適した純反の極めて高いゲスをチャ
ンバー２内に送給する。そして、このようながスの送給
は第１図に示す如く、Ｖ゛ス送給管３にバルブ■１乃至
ｖ４を介して接続された種類の異なるがスを充填してい
るｂ’ スフＫ ンヘＧｌ、 Ｇ２． Ｇａ、 Ｇ４７
５Ａ ラ通’４：０） ハ／ｌ／ ７’ ＶＩ乃至ｖ４
を選択的に開くことにより行われる。しかして、いま仮
りにパルプｖ１を開いてθ゛スボンベＧ１かスをチャン
バー２内に送給してグロー放電をさせて基板５の表面に
１細目の半導体薄膜を生成させた場合には、その放電に
より分解されたθ゛スの粉末状の残有がチャンバー２の
内壁に飛散して付鎧し残有にはがスが吸債されたままと
なる。続、いていま生成させた１層目の千堺体薄膜の表
面ｌこ別の特性を有する２層目の半導体薄膜を生成させ
る場合には、い捷までチャンバー２内に送給されていた
θ゛スを止めて排気管６から一旦排出させチャンバー２
内を真空状態にした後、再ひ別のパルプｖ２’ｉ＝ 開
イてθ゛スボンベＧ２ら靴らたな極めて純度の高いゲス
をチャンバー２内に送給してグロー放電させて先ｌこ生
成させた１層目の半欅体薄１漢の表１Ｂｌに特性の異な
る栢らたな２層目の半導体薄膜を生１戊させる。この場
合、２層目を生成させるゲスのグロー放電によりがスが
分解されて発生したプラスのイオンＮ（以Ｆイオンとい
う）が、接地さｈているチャンバー２の内壁に高速度で
衝突して、１層目の半揮体薄１１＠の生成時におけるグ
ロー放電でチャンバー２の内壁に付１していた残有に衝
撃を与えて残有を叩たき出してチャンバー２内ｌこ浮遊
させることになり、残有とともに残有に吸釘されていた
かスが二層目の半導体薄膜を生成させるゲスの純度を著
るしく低下させることになる。そのため二層目に生成さ
れた半導体薄膜の特性の低Ｆが余儀なくされ、光起電力
素子の光電変換効率の上昇を妨げることが判明した。
本発明は前述した問題を解決するために、チャンバー内
に対向させて配設した電極と１ｒＩ記チヤンバーの内壁
との間にイオン抑制電極を設けることにより、力スの分
解により発生したイオンをチャシバ−の内壁に衝突させ
ないようｆこして、常に極めて純反の高いＶ゛スで個々
の半導Ｋ 薄ＩＩψを生成させることにより、光起電力
素子の光電変換効率を一般と高め得る光起電力素子の製
造装置を提案するものである。
に対向させて配設した電極と１ｒＩ記チヤンバーの内壁
との間にイオン抑制電極を設けることにより、力スの分
解により発生したイオンをチャシバ−の内壁に衝突させ
ないようｆこして、常に極めて純反の高いＶ゛スで個々
の半導Ｋ 薄ＩＩψを生成させることにより、光起電力
素子の光電変換効率を一般と高め得る光起電力素子の製
造装置を提案するものである。
以下第２図を参照して本発明の光起電力素子の製造装置
を詳細ｌこ説明する。なお第２図には、第１図に示した
光起電力素子の製造装置と同一構成 ′部分″“同一符
号を付ｌ−″−′″″・ 。
を詳細ｌこ説明する。なお第２図には、第１図に示した
光起電力素子の製造装置と同一構成 ′部分″“同一符
号を付ｌ−″−′″″・ 。
第２図において、１，１は対向させて接地されたチャン
バー２内に配設された電極であり、これらの電極１．１
は高周波電源４に接続されていて、電ｆｆ１ｌは接地さ
れている。電極ｌには基板５が載置されている。チャン
バー２には、チャンバー２内に連通する力°ス送給管３
と排気管６とが設けられている。デに、チャシバ−２内
には、対向させた電極１．１の側面と内側１２ａとの間
に位置し、内側壁２ａｌこ沿ったイオン抑制電極７が配
設されている。このイオン抑制電極７は所定の直径から
なるス？ンレス、銅、アルミニツム等の導電体７ａを所
定のピッチで渦巻円筒状に巻回したものがらなっていて
、その軸長寸法は対向させた電極１．１間距削より若干
長い寸法で形成されている。また、このイオン抑制′醒
極７にイオン抑制用電源８の自電禄に接Ｈ：されており
、その正電極は接地されている。そしてこのイオン抑制
電極７は、イオン抑制用電源＋゛にまり負電圧が印加さ
れるようになっていて、その負電圧の大きさはイオン抑
制剤′屯源れ必要により■調節し得るようになっている
。
バー２内に配設された電極であり、これらの電極１．１
は高周波電源４に接続されていて、電ｆｆ１ｌは接地さ
れている。電極ｌには基板５が載置されている。チャン
バー２には、チャンバー２内に連通する力°ス送給管３
と排気管６とが設けられている。デに、チャシバ−２内
には、対向させた電極１．１の側面と内側１２ａとの間
に位置し、内側壁２ａｌこ沿ったイオン抑制電極７が配
設されている。このイオン抑制電極７は所定の直径から
なるス？ンレス、銅、アルミニツム等の導電体７ａを所
定のピッチで渦巻円筒状に巻回したものがらなっていて
、その軸長寸法は対向させた電極１．１間距削より若干
長い寸法で形成されている。また、このイオン抑制′醒
極７にイオン抑制用電源８の自電禄に接Ｈ：されており
、その正電極は接地されている。そしてこのイオン抑制
電極７は、イオン抑制用電源＋゛にまり負電圧が印加さ
れるようになっていて、その負電圧の大きさはイオン抑
制剤′屯源れ必要により■調節し得るようになっている
。
なお通常は、イオン抑制ｉｉ！極の負電圧を５〜１０ボ
ルト稈＃：あるいは接地してσボルトに設定する。
ルト稈＃：あるいは接地してσボルトに設定する。
１記がス送給簀３には、パルグｖ１乃至ｖ４を介して異
なるがスが充填されたゲスボンベＧ＋乃至Ｇ４が接続さ
れていて、所定のパルプｖ１乃至ｖ４を開くことにより
所定の力°スＧ１乃至Ｇ４がか°ス送給管３を通ってチ
ャンバー２内に送給できるようになっており、これらに
より光起電力素子の製造装置が構成されている。
なるがスが充填されたゲスボンベＧ＋乃至Ｇ４が接続さ
れていて、所定のパルプｖ１乃至ｖ４を開くことにより
所定の力°スＧ１乃至Ｇ４がか°ス送給管３を通ってチ
ャンバー２内に送給できるようになっており、これらに
より光起電力素子の製造装置が構成されている。
次にこのように構成した光起電力素子の製造装置による
光起電力素子の製造過程を説明する。先づ、−／−’ｔ
”ンパー２内を真空状態にした後、イオン抑制電極７に
所定の負電圧を印加する。続いて、周波電源、 ４４ｆ
−より高電圧を印加して、対向した電極１．１間のＶ゛
スをグロー放電させて分解し基板５の表面に所定の半導
体薄膜を生成、させる。このとき、ゲスが分解された粉
末状の残金ハチャンパー２の内側９２ａにも付鎗する。
光起電力素子の製造過程を説明する。先づ、−／−’ｔ
”ンパー２内を真空状態にした後、イオン抑制電極７に
所定の負電圧を印加する。続いて、周波電源、 ４４ｆ
−より高電圧を印加して、対向した電極１．１間のＶ゛
スをグロー放電させて分解し基板５の表面に所定の半導
体薄膜を生成、させる。このとき、ゲスが分解された粉
末状の残金ハチャンパー２の内側９２ａにも付鎗する。
一方、グロー放電により発生したイオンＮは、接地され
で零電圧であるチャンバー２の内側壁２ａに向って突進
するが、内側１１２ａの手前に配設されて負電圧が印加
されたイオン抑制電極の電界が影シ、゛シて、イオン’
Ｎはイオン抑制電極７に引寄せられて大地に流れてチャ
ンバー２の内側壁２ａには到達しない。
で零電圧であるチャンバー２の内側壁２ａに向って突進
するが、内側１１２ａの手前に配設されて負電圧が印加
されたイオン抑制電極の電界が影シ、゛シて、イオン’
Ｎはイオン抑制電極７に引寄せられて大地に流れてチャ
ンバー２の内側壁２ａには到達しない。
このようにして１層目の半導体薄膜を生成させた後は、
パルプｖ１を閉じてチャンバー２内のゲスを排出させた
後、チャンバー２内を再び真空状態にする。その後、い
ま基鈑５に生成させた１ｊ−目の半導体薄膜の表１ｆＩ
Ｉに２層目の半導体薄膜を生成させるための、例えばＶ
゛スボンベＧ２色らたなゲスをパルプｖ２を開いてチャ
ンバー２内に送給し、前記同様にグロ一枚゛屯させて先
に生成させた１層目の半導体Ｎ膜の表面に特性の異なる
２層目の半導体薄膜を生成させる。この場合も前記した
と同様１こ、Ｖスか分解さ八て粉末状の残有がチャシバ
−２の内側壁２ａにイｑｕする。捷だイオンＮが発生す
るが、イオン抑制電極７に引寄せら八でチャンバー２の
内側９２ ａには到達しない。そのために内側壁２ａｌ
こイ」督している残をには何ら衝撃が加わらず、内側壁
２ａに付溶した捷まの状態を保持する。したがって、２
＠目の半導体薄膜を生成させるゲスには残有及びこの残
有に吸着しているゲスが混入せず、極めて純度の高いθ
゛スによる半導体Ｒ膜が生成される。以ト同様にして１
也のゲスボンベＧｓ、 Ｇ４のゲスを夫々チャンバー２
内に送給して３層目及び４層１目の半導体薄１嘆を生１
ｊＭ、 して、特性の戻い半導体薄膜を順次積層した光
起電力素子をＭＪ進することができる。このようにして
夫々の半導体薄膜は、常に極めて純度の高いゲスにより
生成されるため製造された光起電力素子の光電変換効率
は著るしく高いものとなる。
パルプｖ１を閉じてチャンバー２内のゲスを排出させた
後、チャンバー２内を再び真空状態にする。その後、い
ま基鈑５に生成させた１ｊ−目の半導体薄膜の表１ｆＩ
Ｉに２層目の半導体薄膜を生成させるための、例えばＶ
゛スボンベＧ２色らたなゲスをパルプｖ２を開いてチャ
ンバー２内に送給し、前記同様にグロ一枚゛屯させて先
に生成させた１層目の半導体Ｎ膜の表面に特性の異なる
２層目の半導体薄膜を生成させる。この場合も前記した
と同様１こ、Ｖスか分解さ八て粉末状の残有がチャシバ
−２の内側壁２ａにイｑｕする。捷だイオンＮが発生す
るが、イオン抑制電極７に引寄せら八でチャンバー２の
内側９２ ａには到達しない。そのために内側壁２ａｌ
こイ」督している残をには何ら衝撃が加わらず、内側壁
２ａに付溶した捷まの状態を保持する。したがって、２
＠目の半導体薄膜を生成させるゲスには残有及びこの残
有に吸着しているゲスが混入せず、極めて純度の高いθ
゛スによる半導体Ｒ膜が生成される。以ト同様にして１
也のゲスボンベＧｓ、 Ｇ４のゲスを夫々チャンバー２
内に送給して３層目及び４層１目の半導体薄１嘆を生１
ｊＭ、 して、特性の戻い半導体薄膜を順次積層した光
起電力素子をＭＪ進することができる。このようにして
夫々の半導体薄膜は、常に極めて純度の高いゲスにより
生成されるため製造された光起電力素子の光電変換効率
は著るしく高いものとなる。
なお、本実施例においてはイオン抑制電極７に、断面円
形の導体７ａを渦巻円筒状に巻回したもの網 を使用したが、金−を円筒状に曲成したものを使用する
こともでき、更には、金属細線を極めて小さいピッチで
渦巻円筒状とすることもてきる。その場合には、′ｌｔ
属細線を巻付けるための所定の巻枠を必要とする。−力
、イオン抑制用％＃１Ｂは高周波電源４と別電源とした
が、高周波型＃４から負電圧を収り出してもよい。更に
イオン抑制電極を同心状で２電極として、その内側のイ
オン抑制電極を零電圧、つまり接地し、外側のイオン抑
制電極を負電圧とすれば、チャンバー２の内側壁２ａへ
のイオンの到達をより阻止することができる。
形の導体７ａを渦巻円筒状に巻回したもの網 を使用したが、金−を円筒状に曲成したものを使用する
こともでき、更には、金属細線を極めて小さいピッチで
渦巻円筒状とすることもてきる。その場合には、′ｌｔ
属細線を巻付けるための所定の巻枠を必要とする。−力
、イオン抑制用％＃１Ｂは高周波電源４と別電源とした
が、高周波型＃４から負電圧を収り出してもよい。更に
イオン抑制電極を同心状で２電極として、その内側のイ
オン抑制電極を零電圧、つまり接地し、外側のイオン抑
制電極を負電圧とすれば、チャンバー２の内側壁２ａへ
のイオンの到達をより阻止することができる。
以り説明したように、本発明による光起電力素子の！！
ＩＩＲ装置は、対向させた電ｍ１．ｌを収容したチャン
バー２と前記電極】、１との間にイオン抑制電極７を配
設させたことにより、グロー放電によりゲスが分解され
て発生するイオンＮをチャンバー２の内側壁２ａに到達
するのを効果的に抑制できる。そのため、イオンへかチ
ャンバー２の内側９２ａに付むしている粉末状の残有に
勢いよ＜ ｆｌｌｉ突して残金を叩たき出して、ゲスが
汲置された残介を浮遊させることが皆＃Ｉｌ＋、となる
。したがって、チャンバー２内は所定の半導体薄膜を生
成させるための極めて純度の高いゲスのみか送給された
状態に保橢し得て、極めて特性の良い半導体薄膜を生成
できる。特に、１つのチャンバーで順次異なるゲスを送
給して順次特性の良い半導体薄膜を生成できるので、安
価な設備で光電変換効率の高い光起電力素子を製造する
ことができる等、産業上に寄与するところ大である。
ＩＩＲ装置は、対向させた電ｍ１．ｌを収容したチャン
バー２と前記電極】、１との間にイオン抑制電極７を配
設させたことにより、グロー放電によりゲスが分解され
て発生するイオンＮをチャンバー２の内側壁２ａに到達
するのを効果的に抑制できる。そのため、イオンへかチ
ャンバー２の内側９２ａに付むしている粉末状の残有に
勢いよ＜ ｆｌｌｉ突して残金を叩たき出して、ゲスが
汲置された残介を浮遊させることが皆＃Ｉｌ＋、となる
。したがって、チャンバー２内は所定の半導体薄膜を生
成させるための極めて純度の高いゲスのみか送給された
状態に保橢し得て、極めて特性の良い半導体薄膜を生成
できる。特に、１つのチャンバーで順次異なるゲスを送
給して順次特性の良い半導体薄膜を生成できるので、安
価な設備で光電変換効率の高い光起電力素子を製造する
ことができる等、産業上に寄与するところ大である。
第１図は従来の光起電力素子の製造装置を示す説明図、
第２図は本発明に係る光起電力素子の製造装置を示す説
明図である。 １．１・・・電極、２・・・チャンバー、３・・・Ｖ゛
ス送給管、４・・・高周波電源、７・・・イオン抑制電
極、８・・・イオン抑制用電源。 代理人 弁理士 中 井 宏 ”丁樟売ネｆｌ）圧用 （自発） 昭和５９年３月２ 日 １、事１′１の表示 昭和５９年特ｉ１願第４０７１号 ２、発明の名称 光起電力素子の製造装置 ３、補正づ−る壱 事件どの関係 特許出願人 大阪市淀用区田用２丁目１＆１’１号 （（１２（ｉ） 大阪変Ｈ１器株式会召４、代理人 １１ 所 〒５３２ 大阪市淀用区１ｆｌＪｌ＋２丁目
１番１１号６、補正の内容 明細書を下記の通り訂正する。 （１）第１頁第１９行の「ヂｔ・ンバー２」を「金属製
のチャンバー２」に占Ｊ正づる。 （２）第２頁第１行の「高周波電源２」を「直流電源又
は高周波電源４」に訂正づる。 （３）第３頁第１−・２行の［粉末状の〜ままとなる。 ］を「残漬がチャンバー２の内壁に飛散してｆ」着する
。」に８Ｊ正する。 （４）第３頁第１５行の「内壁に」を［内壁との電位差
（電稈）により」に；Ｊ ｉ［！ｌる。 （５）第３頁第１７行の「残有」を「残漬」に訂正りる
。 （６）第３頁第１８行の「叩たき出して」を「叩たき残
漬の一部の成分を」に訂正づる。 （７）第３頁第１９〜２０ ｈの「残有どともに〜二層
目の」を「２層目」に訂正リ−る。 （８）第４頁第２行のＵ二層目Ｊを「２層目Ｊに訂正す
る。 （９）第４頁第１９行の「チトンバー２」を［金属製の
ヂＩ７ンバー２１に削正りる。 （１０）第５頁第１８１１の「５〜１０」を「Ｏ〜１０
」に訂正覆る。 く１１）第６頁第１６行の１粉末状の残有」を「残渣Ｊ
にｈＪ４Ｌ！ｊる。 （１２）第６頁第１９行の「チャンバー２」を。 ［金属製のチＶ・ンバー２］に訂正ケる。 （１３）第７頁第１４行の１粉末状の残有」を「その残
漬」に削正する。 （１４） ’：；７５７頁第１８行の「残有」を［１ｉ
５清ゴに削正りる。 （１５）第８頁第１行のＩ残有及び・〜吸着している」
を「残漬及びこの残渣に吸着され（いるガスあるいはこ
の残渣を分解して放出される」に削正づる。 （１Ｇ）第９頁第３行の［〜することがてきる幻の次に
Ｕなお、イΔン抑制電極に印加する電圧は負電圧とすれ
ば」：り、特定の電圧１１ムに限定されるものではない
。］を追加する。 （１７）第９頁第６行の「チャンバー２１を「金属製の
チャンバー２」にへ］正りる。 （１８）第９頁第１１行の「粉末状の残有」を「残渣」
にδＩＵりる。 （１９）、第９頁第１２〜１３行の［残有を叩たき出し
Ｃ〜残残有」を「残漬の一部の成分を叩たき出して」に
訂正する。 以」二 二゛
第２図は本発明に係る光起電力素子の製造装置を示す説
明図である。 １．１・・・電極、２・・・チャンバー、３・・・Ｖ゛
ス送給管、４・・・高周波電源、７・・・イオン抑制電
極、８・・・イオン抑制用電源。 代理人 弁理士 中 井 宏 ”丁樟売ネｆｌ）圧用 （自発） 昭和５９年３月２ 日 １、事１′１の表示 昭和５９年特ｉ１願第４０７１号 ２、発明の名称 光起電力素子の製造装置 ３、補正づ−る壱 事件どの関係 特許出願人 大阪市淀用区田用２丁目１＆１’１号 （（１２（ｉ） 大阪変Ｈ１器株式会召４、代理人 １１ 所 〒５３２ 大阪市淀用区１ｆｌＪｌ＋２丁目
１番１１号６、補正の内容 明細書を下記の通り訂正する。 （１）第１頁第１９行の「ヂｔ・ンバー２」を「金属製
のチャンバー２」に占Ｊ正づる。 （２）第２頁第１行の「高周波電源２」を「直流電源又
は高周波電源４」に訂正づる。 （３）第３頁第１−・２行の［粉末状の〜ままとなる。 ］を「残漬がチャンバー２の内壁に飛散してｆ」着する
。」に８Ｊ正する。 （４）第３頁第１５行の「内壁に」を［内壁との電位差
（電稈）により」に；Ｊ ｉ［！ｌる。 （５）第３頁第１７行の「残有」を「残漬」に訂正りる
。 （６）第３頁第１８行の「叩たき出して」を「叩たき残
漬の一部の成分を」に訂正づる。 （７）第３頁第１９〜２０ ｈの「残有どともに〜二層
目の」を「２層目」に訂正リ−る。 （８）第４頁第２行のＵ二層目Ｊを「２層目Ｊに訂正す
る。 （９）第４頁第１９行の「チトンバー２」を［金属製の
ヂＩ７ンバー２１に削正りる。 （１０）第５頁第１８１１の「５〜１０」を「Ｏ〜１０
」に訂正覆る。 く１１）第６頁第１６行の１粉末状の残有」を「残渣Ｊ
にｈＪ４Ｌ！ｊる。 （１２）第６頁第１９行の「チャンバー２」を。 ［金属製のチＶ・ンバー２］に訂正ケる。 （１３）第７頁第１４行の１粉末状の残有」を「その残
漬」に削正する。 （１４） ’：；７５７頁第１８行の「残有」を［１ｉ
５清ゴに削正りる。 （１５）第８頁第１行のＩ残有及び・〜吸着している」
を「残漬及びこの残渣に吸着され（いるガスあるいはこ
の残渣を分解して放出される」に削正づる。 （１Ｇ）第９頁第３行の［〜することがてきる幻の次に
Ｕなお、イΔン抑制電極に印加する電圧は負電圧とすれ
ば」：り、特定の電圧１１ムに限定されるものではない
。］を追加する。 （１７）第９頁第６行の「チャンバー２１を「金属製の
チャンバー２」にへ］正りる。 （１８）第９頁第１１行の「粉末状の残有」を「残渣」
にδＩＵりる。 （１９）、第９頁第１２〜１３行の［残有を叩たき出し
Ｃ〜残残有」を「残漬の一部の成分を叩たき出して」に
訂正する。 以」二 二゛
Claims (1)
- り、ＰＪ′ｒ定のゲスを一対の奄械聞でグロー放電させ
て分解し、基板の表面に半導体Ｎ膜を形成させるプラズ
マ（’：ＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏ＋１）法による光起電力素子の製造装置に
おいて、前記一対の電極をチャンバーに収容しており、
前記電極とチャン／く−との間にイオン抑制電極を設け
た光起電力素子の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59004071A JPH077745B2 (ja) | 1984-01-11 | 1984-01-11 | 光起電力素子の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59004071A JPH077745B2 (ja) | 1984-01-11 | 1984-01-11 | 光起電力素子の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60147114A true JPS60147114A (ja) | 1985-08-03 |
| JPH077745B2 JPH077745B2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=11574576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59004071A Expired - Lifetime JPH077745B2 (ja) | 1984-01-11 | 1984-01-11 | 光起電力素子の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH077745B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5698820A (en) * | 1980-01-09 | 1981-08-08 | Nec Corp | Preparation of amorphous semiconductor film |
| JPS58122038A (ja) * | 1982-01-16 | 1983-07-20 | Seisan Gijutsu Shinko Kyokai | 薄膜生成装置 |
| JPS58208120A (ja) * | 1982-05-27 | 1983-12-03 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜シリコン生成装置 |
-
1984
- 1984-01-11 JP JP59004071A patent/JPH077745B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5698820A (en) * | 1980-01-09 | 1981-08-08 | Nec Corp | Preparation of amorphous semiconductor film |
| JPS58122038A (ja) * | 1982-01-16 | 1983-07-20 | Seisan Gijutsu Shinko Kyokai | 薄膜生成装置 |
| JPS58208120A (ja) * | 1982-05-27 | 1983-12-03 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜シリコン生成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH077745B2 (ja) | 1995-01-30 |
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