JPS60144945A - 半導体集積回路装置の測定方法 - Google Patents
半導体集積回路装置の測定方法Info
- Publication number
- JPS60144945A JPS60144945A JP59000609A JP60984A JPS60144945A JP S60144945 A JPS60144945 A JP S60144945A JP 59000609 A JP59000609 A JP 59000609A JP 60984 A JP60984 A JP 60984A JP S60144945 A JPS60144945 A JP S60144945A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- voltage
- transistor
- circuit
- semiconductor integrated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体集積回路装置（以下ＩＣと略す）内に形
成されるツェナーダイオードの特性の測定方法に関する
ものである。
成されるツェナーダイオードの特性の測定方法に関する
ものである。
ＩＣを設計する場合、外部より印加される電源電圧が変
動しても、回路が安定に動作する様に、安定化電圧回路
を構成することが多い。また、この回路の基準電圧には
、一般的にツェナー・ダイオードが使用されている。
動しても、回路が安定に動作する様に、安定化電圧回路
を構成することが多い。また、この回路の基準電圧には
、一般的にツェナー・ダイオードが使用されている。
しかし、ツェナー・ダイオードはウェハーのす７’／ス
トレートに存在する結晶欠陥、あるいはホトレジストに
よシ絶縁膜を選択的に形成する際に生ずる絶縁膜のピン
ホールによる絶縁膜上の金属配線と直下の拡散層間のリ
ーク電流の影響等により、ツェナー電圧が異常となった
り、リークが発生し、ＩＣの動作に悪影響をおよぼすこ
とがある。
トレートに存在する結晶欠陥、あるいはホトレジストに
よシ絶縁膜を選択的に形成する際に生ずる絶縁膜のピン
ホールによる絶縁膜上の金属配線と直下の拡散層間のリ
ーク電流の影響等により、ツェナー電圧が異常となった
り、リークが発生し、ＩＣの動作に悪影響をおよぼすこ
とがある。
そこで、ツェナー・ダイオードの特性をチェ・・・りす
ることわ２重要となる。
ることわ２重要となる。
第１図に一般的な安定化電圧回路の例を示す。
第１図は通常使用状態では、端子１にＩＣに対する最高
電位、端子３には最低電位が外部よシ印加される。端子
１より、たとえば抵抗などによ多構成される回路素子５
全通してツェナー・ダイオード６に電流が供給される。
電位、端子３には最低電位が外部よシ印加される。端子
１より、たとえば抵抗などによ多構成される回路素子５
全通してツェナー・ダイオード６に電流が供給される。
これにより端子４にはツェナー・ダイオード６による一
定の電圧が発生し、この電圧が電流供給用トランジスタ
７￥Ｃ介して、周辺回路９へ安定化された電圧として供
給されることとなる。この時、ツェナー・ダイオードに
リーク電流が生じていれば、端子４の電圧は十分安定化
されず、従って周辺回路９に印加される電圧は不安定な
ものとなる。
定の電圧が発生し、この電圧が電流供給用トランジスタ
７￥Ｃ介して、周辺回路９へ安定化された電圧として供
給されることとなる。この時、ツェナー・ダイオードに
リーク電流が生じていれば、端子４の電圧は十分安定化
されず、従って周辺回路９に印加される電圧は不安定な
ものとなる。
第１図において、ツェナー・ダイオード６の特祥をチェ
ックするには、端子４と端子３の間の電圧−電流特性を
測定しなければならない。このままでは、回路素子５お
よび周辺回路８、あるいはトランジスタ７および周辺回
路９を通じて、電流が流れてしまうために、ツェナー・
ダイオード６の特性をチェックすることは不可能である
。
ックするには、端子４と端子３の間の電圧−電流特性を
測定しなければならない。このままでは、回路素子５お
よび周辺回路８、あるいはトランジスタ７および周辺回
路９を通じて、電流が流れてしまうために、ツェナー・
ダイオード６の特性をチェックすることは不可能である
。
本発明は、かかる欠点を改善し、ＩＣ内に形成されたツ
ェナー・ダイオードを見かけ上、単体で測定することに
よシ、ツェナー・ダイオードの特−性チェックを行うこ
とを可能とし、特性不良となったツェナー９ダイオード
を含°むＩＣのチップを除去する方法を提供するもので
ある。
ェナー・ダイオードを見かけ上、単体で測定することに
よシ、ツェナー・ダイオードの特−性チェックを行うこ
とを可能とし、特性不良となったツェナー９ダイオード
を含°むＩＣのチップを除去する方法を提供するもので
ある。
以下、第１図を用いて、本発明による測定方法を説明す
る。ツェナｍ−ダイオード６の特性をチェックするには
端子３を最低電位（Ｖｓとする）Ｋ設定し、端子４に電
圧−電流特性をチェックするための電圧（ｖ４とする）
を印加するわけだが、この時、端子１の電圧（Ｖｒとす
る）と、端子２の電圧（Ｖｚとする）をそれぞれ（１）
、 （２）式の様に設定する。
る。ツェナｍ−ダイオード６の特性をチェックするには
端子３を最低電位（Ｖｓとする）Ｋ設定し、端子４に電
圧−電流特性をチェックするための電圧（ｖ４とする）
を印加するわけだが、この時、端子１の電圧（Ｖｒとす
る）と、端子２の電圧（Ｖｚとする）をそれぞれ（１）
、 （２）式の様に設定する。
Ｖ １ ＝ Ｖ ４ ・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・（１）Ｖ４＜Ｖｔ＋Ｖ
ｎｘ（ＴＲｏ −−”°−−−−−°−°−°−°°（
２）ここでＶｎｒ、（ＴＲ１）はトランジスタ７のペー
ス・エミッタ間順方向動作電圧（１） 、 （２）式の
様に電圧設定を行うことによシ、端チェと端子４の間は
同電位となり、かかる両端子間に接続されている回路素
子５には電流が流れず、かつトランジスタ７のペース・
エミッタ間にはトランジスタ７がオンスるための電圧が
与えられないため、トランジスタ７は常にオフしており
、端子４よりトランジスタ７を通じて、周辺回路９へ電
流が流れることはない０ 従って、端子４と端子３の間の電圧−電流特性をチェッ
クすることは、そのままツェナー・ダイオード６の特性
をチェックすることになる。
・・・・・・・・・・・・・・・（１）Ｖ４＜Ｖｔ＋Ｖ
ｎｘ（ＴＲｏ −−”°−−−−−°−°−°−°°（
２）ここでＶｎｒ、（ＴＲ１）はトランジスタ７のペー
ス・エミッタ間順方向動作電圧（１） 、 （２）式の
様に電圧設定を行うことによシ、端チェと端子４の間は
同電位となり、かかる両端子間に接続されている回路素
子５には電流が流れず、かつトランジスタ７のペース・
エミッタ間にはトランジスタ７がオンスるための電圧が
与えられないため、トランジスタ７は常にオフしており
、端子４よりトランジスタ７を通じて、周辺回路９へ電
流が流れることはない０ 従って、端子４と端子３の間の電圧−電流特性をチェッ
クすることは、そのままツェナー・ダイオード６の特性
をチェックすることになる。
第１図は安定化電圧回路を含む半導体集積回路装置を示
す回路図である。 １〜４・・・・・・ＩＣベレット上にアルミノくラドと
して形成された端子、５・・・・・・回路素子、６・・
・・・・ツェナｍ−ダイオード、７・・・・・・トラン
ジスタ、８，９・・・・・・周辺回路、１０・・・・・
・安定化電圧回路。 ｈｌ 圀
す回路図である。 １〜４・・・・・・ＩＣベレット上にアルミノくラドと
して形成された端子、５・・・・・・回路素子、６・・
・・・・ツェナｍ−ダイオード、７・・・・・・トラン
ジスタ、８，９・・・・・・周辺回路、１０・・・・・
・安定化電圧回路。 ｈｌ 圀
Claims (1)
- 第１の端子と第３の端子の間に第１の回路が接続され、
第２の端子と第３の端子の間に第２の回路が接続され、
前記第１の端子と第４の端子の間に回路素子が接続され
、前記第４の端子と前記第３の端子の間にツェナー、ダ
イオードが接続され、前記第１の端子にコレクター、前
記第２の端子にエミッタ、前記第４の端子にベースが接
続されているトランジスタをもって構成される回路を含
む半導体集積回路装置の前記第１の端子と前記第４の端
子とに各々別の電圧源から同一の電圧を印加し、前記第
２の端子に前記トランジスタのエミッタ・ペース間順方
向動作電圧と前記第１と第４の端子に印加された電圧と
の和の電圧よシやや大きい電圧を印加し、前記第４の端
子と前記第３０端子の間の電圧−電流特性を測定するこ
とを特徴とする半導体集積回路装置の測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59000609A JPS60144945A (ja) | 1984-01-06 | 1984-01-06 | 半導体集積回路装置の測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59000609A JPS60144945A (ja) | 1984-01-06 | 1984-01-06 | 半導体集積回路装置の測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60144945A true JPS60144945A (ja) | 1985-07-31 |
Family
ID=11478472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59000609A Pending JPS60144945A (ja) | 1984-01-06 | 1984-01-06 | 半導体集積回路装置の測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60144945A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61231737A (ja) * | 1985-04-05 | 1986-10-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US7862649B2 (en) | 2007-03-15 | 2011-01-04 | Ngk Insulators, Ltd. | Particulate matter detection device and particulate matter detection method |
-
1984
- 1984-01-06 JP JP59000609A patent/JPS60144945A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61231737A (ja) * | 1985-04-05 | 1986-10-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0452618B2 (ja) * | 1985-04-05 | 1992-08-24 | Mitsubishi Electric Corp | |
| US7862649B2 (en) | 2007-03-15 | 2011-01-04 | Ngk Insulators, Ltd. | Particulate matter detection device and particulate matter detection method |
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