JPS6014211A - 合焦検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、合焦検出装置、更に詳しくは、カメラや顕微
鈴等において、結像光学系からの光束を光軸を挾んで２
分して結像させ、２つの像のずれ址から合焦状態を検出
する合焦検出装置に関する。

合焦検出装置には、大別して像のコントラストを検知し
て合焦検出を行なうものと、鍬の横ずれ（受光面方向の
ずれ）を発生させてそのずれ量から合焦検出を行なうも
のとの２つがあるが、前者に較べて後者は、低コントラ
ストの被写体に対しても合焦検出精度が高く、また、ピ
ントが大幅に外れていても前ビンか後ピンかを判別でき
る点で優れている。以下、この種の合焦検出装置につい
て説明する。

第１図は、像の横ずれを利用した、従来の合焦検出装置
の一例を説明するための、概略構成を示す拡大断面図で
ある。カメラ、顕微鏡停の結像レンズ１を通過する被写
体光は光−１４に対して垂直に配設された２つの受光素
子列Ａ、Ｂからなるセンサー乙に結像されるようになっ
ている。このセンサー３の受光素子列Ａの受光累子３．
−Ａ、、・・・。

３・−Ａ、・・・　６−Ａと、受光素子列Ｂの受光素ｔ
　ｓｎ 子３．−Ｂ、・・・、３・−Ｂ、・・・、３ｎ−Ｂとは
順次交互に等間隔に配置されて受光素子列Ａ、Ｈの各１
個の受光素子同士が組み合わされて対をなしている。セ
ンサー３の前方位置には、遮光部２ａとスリット２ｂを
有するストライブマスク２が配設されている。このスト
ライプマスク２を結像レンズ１からの光束が通過するこ
とによって受光センサー３の受光面に２つの像がずれた
状態で形成される。

第２図は、上記第１図中の光軸付近に存在する受光索子
３□−Ａと３．−Ｂに着目した解析図であって、さらに
、この図によって像の横ずれが起きる原理を説明する。

受光素子３１−Ａ、３．−Ｂは結像レンズ１の開口部か
らの光を受光するが、光がレンズ開口部のうちのどの部
分を通過してきたかＫよってその光を受光する割合が異
なる。結像レンズ１の開口半径を矛とし、レンズ１の中
心から直径方向に変位Ｘをとり、位置Ｘを通る光に対す
る受光素子５ｉＡ　ｔ　５ｓ　Ｂの受光する割合をη（
Ｘ）とすると、このη（Ｘ）は第３図に示すようになる
。

即ち、位置Ｘを通る光を受光素子５．−Ａが受光する割
合は特性線７ｉ−Ａで示され、また受光素子５、−Ｂが
受光する割合ｆ′ｉ特性線７１−Ｂで示される。

この場合、各受光索子３ｉ−Ａ、３ｉ−Ｂけｌ／ンズ１
の開口部全面からの光を受光し、η（Ｘ）の分布形状は
レンズ中心位置Ｘ＝ｏに関して対称な形状となる。第３
図中、８五−Ａ、８ｉ−ＢＩｒＪ：、それぞれ、特性線
７．−ＡとＸ　ｌｌＩ＋　、特性線７．−ＢとＸ軸で囲
まれる面積を２等分する線であり、その線８．−Ａ、。

８・−Ｂのレンズ１上の位置５．−Ａ、５．−Ｂを通る
光を、それぞれ受光素子３１−Ａ、３ｉ−Ｂに対する重
心光と呼ぶことにすると、この重心光の光路は第２図中
、６ｉ　Ａ　＋　６４−Ｂで示されるものとなり、光路
６ｉ−Ａ、６ｉ−Ｂの重心光はそれぞれレンズ１の中心
を挾んだ上下部から光軸４を交叉してストライプマスク
２のスリット２ｂを通り各受光素子３１−Ａ、３１−Ｈ
に入射する。このことは、光軸４から陥れた位置に存在
する他の受光素子に対しても同様である。

第４図は、点光源１０からの光束のうち、受光索子列Ａ
の受光索子３．−Ａ、・・・ｅ　３ｎ　Ａおよび受光素
子列Ｂの受光素子３□−Ｂ、・・・、３ｎ−Ｈに対する
重心光の光路６４−Ａ、６ｉＢを示したものである。

光路６１　Ａ　、　６ｉ　Ｂが光軸４と交わる点が合焦
位置Ｐ。であり、同合焦位＃Ｐｏより結像レンズ１がわ
寄りの位置が後ビン位ａ　Ｐ　ｒとなり、結像レンズ１
から遠去かる位置が前ピン位ＩＰ、となる。上記ストラ
イブマスク２を有する受光センサー６を後ビン位置馬２
合焦位置ＰＯｅ前ピン位置Ｐ、に置いたとき、受光セン
サー３の受光面に形成される像パターンはそれぞれ第５
図（Ａ）　、　（Ｂ）　、　（Ｃ’）に示すようになる
。即ち、受光センサー３を後ピン位ＲＰ　ＩＫ置いた場
合には、第５図（Ａ）に示すように受光素子列Ａ、Ｈの
受光面に、像が１２Ａ　、　１２Ｂのようにずれて形成
され、また、受光センサー３が合焦位置Ｐｏにある場合
には第５図（Ｂ）に示すように像の横すれかなく、受光
素子列Ａ　、　Ｂの受光面に１つに合致したＩ’ｌ＆１
２が形成され、さらに、受光センサー３を前ビン位置Ｐ
２に置いた場合には、第５図（Ｃ）に示すように、上記
前ピン状態とは逆に、像１２Ａと１２Ｂとの位置が入れ
替った状態で横ずれして形成される。

ここで、被写体輝度がなだらかに変化する被写体を選び
、同被写体の像が受光センサー３の受光。

面に横ずれして形成されているとすると、この受光セン
サー６の受光面上の変位に対する受光素子列Ａ、Ｂの各
素子出力は第６図に示すようになる。

線１６は受光素子列Ａの各受光素子３−Ａ、３２−人、
・”ｌ　３ｋ　Ａ　、　−＊−、３ｎ）、の出力Ａ１．
Ａ２．・・・。

Ａｋ、・・・、Ａｎ　の包絡線であり、線１４は受光素
子列Ｂの各受光素子５−Ｂ、３−Ｂ、・・・、３に−Ｂ
。

２ ・ｍｅ、３ｎ１３の出力Ｂ１＋　Ｂ１＊　””ｓ　８％
＜　、・”＋　ＢＨの包絡線である。各受光素子出力Ａ
ｋ、Ｂｋ、Ａｋ＋１゜Ｂｋ−１−１に対応した受光面上
の代表点、即ち、サンプリング点は１６に−Ａ　、　１
６に−Ｂ　、　１６に＋□−Ａ、　１（Ｓｋ＋。

−Ｂの順で配列する。

ここで、像の横ずれを利用して合焦検出を行なうための
評価関数の一例を示すと、この評価関数ｆは、 である。この（１）式の意味するところは、第６図にお
いて、受光素子出力Ａｋのサンプリング点１５に−Ａと
受光素子出力Ａｋ＋１のサンプリング点１６に＋１−Ａ
の間隔を１ピツチとすると、受光素子列Ａの素子出力の
包絡線１３を半ピッチ分だけ左にずらした線１３−１と
受光素子列Ｂの素子出力の包絡線１４とに囲まれる部分
の面積と、包絡線１３を半ピッチ分だけ右にずらした線
１６−２と包絡線１４とに囲まれる部分の面積との差で
ある。この評価関数ｆは、正しく合焦検出を行なうとき
は、前ビン、合焦、後ピンの各焦点状態によって第７図
に実線１７で示すような値をとる。即ち、評価関数ｆの
値は、後ピン、前ビンでそれぞれ正、負の値となり、合
焦状態で０となる。

しかし、以下に述べる光量のアンバランスが生じている
場合は、上記（１）式に示す評価関数ｆは上記第７図に
実線１７で示すようにはならず、同実線からずれた状態
となり、合焦誤差を発生してしまう。つまり、光軸４の
付近に存在する受光素子３１−Ａ、３ｉ−Ｂについては
、第８図に示すように、各受光素子３ｉ−Ａ、３ｉ−Ｂ
より射出瞳を見込む角度が斜線を施して示すように互い
に等しいので、受光素子３ｉ−Ａ、３ｉ−Ｂはレンズ１
の開口部からそれぞれ同一光量の光を受けるが、光軸４
から離れた位置に存在する、例えば、受光素子３ｎ−Ａ
。

３ｎ−Ｂについては、第９図に示すように、各受光素子
〜−Ａ、！ｌ、−ｎより射出瞳を見込む角度が斜線を施
して示すように互いにずれており、このため、受光素子
３ｎ−Ａ　、　３ｎ−Ｂはそれぞれレンズ１の開口部か
ら同一光量の光を受けないことになる。

従って、受光素子列Ａ、Ｈの、光軸４から離れた位置の
、各受光素子につい℃受光量のアンバランスが生じる。

この、光軸４から離れていることによって２つの受光素
子間に生ずる受光量のアンバランスは、いわゆるＮ像高
の影響による光量アンバランス”と呼ばれている。

このように、像高の影響による光量のアンバランスがあ
るために、上記結像レンズ１の前方より均一な照明光を
与えたとすれば、このとき、受光素子列Ａ、Ｂの各受光
素子出力の分布状態は第１０図に示すようになる。線１
８−Ａは受光センサー３の受光素子列Ａの各受光素子３
□−Ａ、３□−Ａ、・・・。

受光素子３．−Ｂ　、　３□−Ｂ　、・・・、　３に−
Ｂ　、・・・、３ｎ−Ｂの出力Ｂ１．Ｂ２．・・・、Ｂ
ｋ、・・・、Ｂｎの包絡線である。

像の横ずれ手段として上記ストライプマスク２を用いた
場合に、この包絡線１Ｂ−Ａ、１８−Ｂはほぼ直線とな
り、同直線は互いに逆方向に傾く。以下、この直線を像
高変調直線と呼ぶことにする。

ここで、被写体輝度分布が正弦波状に変化する被写体光
を受光するようにすると、この場合、本来ならば、非合
焦状態のときに、上記受光素子列Ａ、Ｂの受光素子より
、第１１図に曲線１９−Ａ、１９−Ｂで示すような、互
いに水平方向に横ずれした像特性の出力が得られなけれ
はならない。ところが、上記像高の影響による光量アン
バランスのために、実際は、上記受光素子列Ａ、Ｈの受
光素子より、第１２図に曲線２０−Ａ　、　２０−Ｂで
示すような像特性の出力が得られる。この偉物性曲線２
０−９　ｔｓｑ Ａ、２０−Ｂけ、上記偉物性曲線１９−Ａ、１９−Ｂが
像高変調直線１８−Ａ、１８−Ｂによってそれぞれ変□
調された形で得られる。従って、このような変調された
偉物性曲線２０−Ａ、２０−Ｂを形成するような受光素
子出力を用いて、前記（１）式に示す評価関数ｆをめて
も、像の横ずれ状態を正確に検出することができず、こ
のままでは大きな合焦誤差を発生したり、誤信号を発生
する等の欠点があった。

このような欠点を除去したものとして、従来、第１３図
に示すように、ストライプマスク２の前面に、補正用レ
ンズ２１を配設し、同レンズ２１の屈折力を利用するこ
と罠より、上記の像高の影響による光量アンバランスを
補正する手段が知られているが、このような補正手段は
、これを、例えば、−眼レフレックスカメラに適用した
場合、補正用レンズ２１の最適な屈折力が交換レンズの
種類によって異なるので、完全な光量アンバランスの補
正は不可能である。また、光学部品点数が増加すること
になるので、調整個所が増えてコスト高になり、さらに
、実装スペースが増大してカメラが大　１０− 型になる等の問題点を有していた。

そこで、このような光学的な補正手段を避けるために、
本出願人は、上記光量アンバランスを補正するための補
正係数を、予じめＲＯＭ（リードオンリーメモリ）等の
ディジタルメモリに記憶しておき、この補正係数により
受光素子出力を補正する方法を先に提案した（特願昭５
７−２０５０３ｆ号）。

しかし、このような補正方法の場合、−眼レフレックス
カメラに適用した場合、交換レンズの種類により補正係
数が異なるため、複数の補正係数群を記憶しなければな
らないので、ＲＯＭの容量は大きくなり、また、使用す
る交換レンズに対応した補正係数群を選択するための手
段およびＲＯＭを形成する不揮発性のメモリーが必要と
なる等の問題点があった。

本発明の目的は、上述した点に鑑み、光学的な補正手段
、或いは補正係数を予じめ記憶しておくためのディジタ
ル・メモリー等を一切使用することなく、受光素子出力
の情報を数値演算することにより補正係数として像高変
調直線を近似的にめ、このめられた像高変調直線を用い
て受光素子出力の像高の影響による光量バランスを補正
するようにしだ合焦検出装置を提供するにある。

以下、本発明を図示の実施例によって説明する。

第１４図は、本発明の一実施例を示す合焦検出装置の電
気回路の概略構成を示すブ四ツク図である。

結像レンズ１はモータ３２によって光軸方向に駆動され
るようになっている。結像レンズ１を通過した被写体光
束はストライプマスク２および受光センサー３からなる
光電変換部２８に導かれ、光電変換部２８で被写体光の
明るさに応じた電気信号に変換される。光電変換部２８
の受光センサー３は、前記第１図に示した合焦検出装置
の場合と同様に、受光素子列Ａ、Ｂの各受光素子が交互
に、すなわち、受光素子％−Ａ　、　３に−Ｂ　、　３
に＋ｔ　Ａ　、　３に−Ｎ−Ｂの順で等間隔に配列され
ている。受光センサー３は例えば、ＣＣＤ（電荷結合素
子）、ＭＯＳフォトダイオードアレイなどの固体撮像素
子により形成されている。光電変換部２８内の受光セン
サー乙の受光素子列Ａ、Ｂは駆動回路３３からのスター
ト信号により動作されて明るさに応じた一定時別積分が
行なわれるようになっており、積分が終了すると、この
あと、この受光素子列Ａ、Ｈにチャージされた光電変換
信号が各別に順次読み出される。この順次読み出された
光電変換信号は、る変換器２９に導かれ、ここでディジ
タル信号に変換されたのち、記憶回路３０に記憶される
。記憶回路３０に記憶された値は演算回路３１に取り込
まれる。

この記憶回路３０および演算回路３１内で行なわれる演
算は第１５図に示すフローチャートのように行なわれる
。以下、このフローチャートによって演算動作を詳細に
説明する。

ところで、この合焦検出装置においても、前述したよう
に、被写体輝度が正弦波状に変化する被写体像が受光セ
ンサー３の受光面に横ずれして形成されている場合、受
光面上の変位に対する受光素子列Ａの各受光素子出力Ａ
、、　Ａ、、・・・、　Ａｋ、・・・。

劫および受光素子列Ｂの各受光素子出力Ｂ、、　Ｂ、。

−−−ｔ　Ｂｋｅ””ｅ　ＢＨは第１６図にそれぞれ包
絡線２３−−Ａ、２３−Ｂで示すような保持性曲線の出
力バター１３−／−１ 一ンを形成する。従って、これらの受光素子出力換器２
９で夕　変換され、このへｔ変換値は記憶り 回路３０で記憶されて演算回路３１に増り込まれると、
この演算回路３１では次のような演算が行なわれる。

まず、受光素子列Ａ、Ｂの各受光素子の個数ｎが偶数で
ある場合、受光素子列Ａのうちの左半分の受光素子出力
（Ａ１．　Ａ２．・・・、　Ａｎ、４　）の平均値Ａ。

がめられる。この平均値ＡＬ　Ｖｉ次の（２）式で与え
同様にして、受光素子列Ａのうちの右半分の受光素子出
力の平均値Ａｎ　、受光素子列Ｂのうちの左半分の受光
素子出力の平均値Ｂｔ、および右半分の受光素子出力の
平均値ＨＲが次の（３）〜（５）でそれぞれめ。　−１
４− ４ ここで、上記各加算平均値ＡＬ、　ＡＲ，ＢＬ、　ＢＲ
より像高変調直線２４−Ａ、２４−Ｂが近似的にめられ
る。この像高変調直線２４−Ａ、　、　２４−　Ｂをめ
るに際しては、上記各加算平均値ＡＬ、　ＡＲ，ＢＬ、
　ＢＲを、上記受光素子列Ａ、Ｂの半分毎の中央位置２
５−ＡＬ。

２５−　Ａ、Ｒ，２５−ＢＬ、　２５−　ＢＲＫそれぞ
れ想定し、これらの中央位置２５−　Ａｔ、と２５−　
Ａ、ｎ　、　２５−　ＢＬと２５−　Ｉ３Ｒをそれぞれ
直線で結ぶと、この直線が近似的に像高変調直線２４−
Ａ、　２４−　Ｂとなる。

従って、この像高変調直線２４−　Ａ　、　２４−　Ｂ
は、それぞれ式で表わすと次のようになる。

但し、（６）　、　（７）式において、ｋ　＝　１　＋
　２１３　＊””９ｎであり、ΔＡ　＝　２（ＡＬ−Ａ
Ｒ）Ａ、ΔＢ＝２（ＢＬ−ＢＲ）／ｎである。

また、受光素子の個数ｎが奇数の場合には、例えば、受
光素子列へのうち、左半分の出力（Ａ１゜Ａ２．・・・
＋　ＡｒＡ）の加算平均値をめると、この平均値Ａｔ、
は次の（８）式のようになる。

ｎ十− ｎ＋１７゜ 以下同様の手順によって、加算平均値ＡＪ　ＢＬ。

ＢＲＩｄ　（９）〜（１１）式のようにまる。

また、このとき、像高変調直線２４−Ａ、２４−Ｂの式
は次の（１２）、（１３）式のようになる。

但し、ΔＡ＝２（ＡＬ−ＡＲ）／ｎ−１，ΔＢ　＝　２
　（ＢＬ　−ＢＲ）、４１である。

次に、上記記憶回路３０から演算回路３１に、再び、上
記受光素子列Ａ、Ｈの各受光素子出力Ａｋ。

Ｂｋが取り込まれ、この受光素子出力Ａｋ、Ｂｋを、上
記像高変調直線２４−　Ａ　、　２４−　Ｂの式、１口
ち、上記（６）　、　（力式、或いは、上記（１２）　
、　（１３）式でめられたａｋ、ｂｋで除算し、これに
よって受光素子出力Ａｋ、Ｂｋの像高の影響による光量
アンノ（ランスの補正が行なわれる。すなわち、上記受
光素子出力ＡＨｃ。

Ｂｋと、上記（６）　、　（力式、或いは（１２）、（
１３）式で表わされる補正係数”ｋｎ”ｋとの比が次の
（１４）、（１５）式のように、補正出力Ａｋ／　、　
Ｂｋ／　としてめられる。

Ａｋ’＝ＡＩ、／　・・・・・（１４）Ｂｋ −Ｂ、。

Ｂｋ　’　／ｆ）ｙ　・・・・・（１５）このようにし
てめられた補正出力九′、Ｂｋ′　の包絡線は第１７図
に示す偉物性曲線２６−Ａ、２６−Ｂのように１像高の
影響による変調を受けないものとなる。

なお、上記の平均値ＡＬ　−ＢＲをめる際に、各受光素
子列Ａ、Ｈの半分の受光素子出力を全て加算平均したが
、各受光素子列Ａ、Ｂの半分の受光素子出力の中で、さ
らに１つおきに加算して平均値をめてもよい。すなわち
、上記（２）式では平均値ＡＬをめるために、受光素子
出力Ａ、、Ａ、・・・Ａｔの加算平均を行なったが、受
光素子出力Ａ１゜Ａ３．Ａ５．・・・、Ａｎ／２　のよ
うに１つおきの受光素子出力の加算平均値をめてもよい
。この場合、像高変調直線の近似値の精度は低下するが
、演算時間け短くなるという長所がある。また、演算時
間をさらに短くするためには加算する受光素子出力の数
をさらに減らしてもよい。

また、上記（１４）、（１５）式で示す補正出力Ａｋ／
。

ＢｋＩは、受光素子出力Ａｋ、Ｂｋをそれぞれ補正係数
ａｋ、ｂｋで除算して両者の比をめた演算出力であるが
、これを、次の（１（５）、（１７）式で示すように、
受光素子出力Ａｋ、Ｂｋからそれぞれ補正係数ａｋ、ｂ
ｋを減算して両者の差をめる補正出力Ａｋ１１　、　Ｂ
、Ｈに置き換えてもよい。

Ａｋｌ−Ａｋ−ａｋ・・・・・（１６）Ｂ−＝Ｂｋ−ｂ
ｋ−・・・（１７） このような減算によって上記補正出力Ａ禮、１３に＠を
める場合にも、像高の影響による光量アンバランスがそ
れほど大きくない場合には、効果的に補正を行なうこと
ができる。なお、第１７図において、基準線２７のレベ
ルは補正出力Ａｋ′、　ＢｋＩの場合には１であり、補
正出力Ａｋｌ、Ｂｋ′ｌの場合には０となる。

このようにしてめられた補正出力ＡｋＩ　、　Ｂｋ１、
或いＶｉＡｋ”　、　Ｔ３ｋ”は記憶回路３０に導かれ
て記憶されたあと、この補正出力を基にして演算回路３
１で評価関数をめる演算が行なわれる。この評価関数を
める演算式は、前記評価関数ｆをめる（１）式と同じく
、次の（１８）、（１９）式で与えられる。

以上のようにＩ−て得られた評価関数ｆ／或いはｆｎの
値は制御回路３４に導かわるので、制御回路６４からの
制御信号によりモータ３２が制御され結像しンズ１が駆
動される。また、／Ｄ変換器２９．記憶回路３０．演算
回路３１および駆動回路３３はそれぞれの動作タイミン
グを、定められたプログラムで動作する制御回路３４の
出力により制御されるようになっている。従って、結像
レンズＩＹｉ自動的に合焦位置に制御されることになる
。結像レンズ１が合焦位置に制御されるとこのときは、
表示回路３５によっ又も合焦状態の表示が行なわれる。

ところで、本発明では、上記像高の影響による光量アン
バランスを補正するのみ圧とどまらず、像高の影響以外
の光量アンバランスについても補正できる。例えば、第
１８図に示すように、ストライプマスク２が受光センサ
ー６に対して矢印Ｃで示すように、受光素子列方向に相
対的に位置ずれを生じた場合には、例えば光軸４を挾ん
で隣接する２つの受光素子３．−Ａ、５ｉ−８間に、受
光角のアンバランスを生じる。従って、このとき、結像
レンズ１に均一な照明光を与えても、この場合、受光セ
ンサー乙の受光面の入射光量にアンバランスを生じ、第
１９図に示すように、受光面上の変位に対する受光素子
出力は直線４０−Ａ、４０−Ｈのようになる。しかし、
このような光量アン／（ランスを生じても、上記合焦検
出装置において、上述した像高の影響による受光素子出
力のアンバランスが補正される際に、同時に上記相対的
な位置ずれによる光量アンバランスが補正される。

また、第２０図に示すように、ストライプマスク２およ
び受光センサー３の中心軸３Ｓが上記結像レンズ１の光
軸４に一致せず、両軸間に寸法ｄの軸ずれを生じていた
場合にも、上記第１９図に示す直線４０−Ａ、４０−Ｂ
のよ５な受光素子出力の゛アンバランスが生ずるが、同
じく、このアンバランスは上記合焦検出装置によって補
正することができる。

さらに、ストライブマスク２および受光センサー３の受
光面が光軸４に対して正確に直角に保持されていなくて
、第２１図に示すように、角度αのずれを起こしている
場合にも、はぼ上記第１９図に示す直線４０−　Ａ　、
　４０−　Ｂのような受光素子出力のアンバランスを生
ずるが、この場合も、上述した像高の影響による受光素
子出力のアンバランスを補正するのと同時に補正される
。すなわち、受光素子列方向に関して一次関数的に生じ
る受光素子出力のアンバランスについて本発明の合焦検
出装置により全て補正可能となる。

なお、本発明では、上記実施例のように像の横ずれ手段
としてストライブマスク２を用いることに限ることなく
、このほか、臨界角プリズムアレイや、フライアイレン
ズ、或いは各受光素子列毎の光束を２分するリレーレン
ズ等、非合焦時に像の横ずれを発生させるものであれば
、これらを適用することができる。

以上述べたように本発明によれば、像高の影響による光
量アンバランスや像高の影響以外の、例えば、受光素子
と像の横ずれ手段との間の受光素子列方向の相対的な位
置ずれによる光量アンバランス等を補正できて合焦精度
を高くすることができる。また、−眼レフレックスカメ
ラに使用する際に、補正用レンズ等の光学的な補正手段
を用いた従来の合焦検出装置に較べて交換レンズの種類
に関係なく一様に効果的な補正を行なうことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、合焦検出装置の一例を説明するための概略構
成を示す拡大断面図、 第２図は、上記第１図中の光軸付近における重心光の光
路の解析図、 第３図は、レンズ径方向変位に対する、光軸付近の受光
素子の受光割合を示す特性図、第４図は、結像レンズに
よる点光源の結像位置と受光位置との関係を示すための
図、 第５図（Ａ）　、　（Ｂ）　、　（Ｃ’）は、それぞれ
上記第４図の各受光位置における像の形成状態を示す図
、第６図は、上記第１図に示す受光センサーの受光面上
変位に対する受光素子出力を示す図、第７図は、レンズ
移動量に対する像の横ずれ量を検出するための評価関数
を表わす図、第８図は、光軸付近に配される２つの受光
素子の受光量を説明するための拡大断面図、第９図は、
像高の影響により光量アンバランスが生じているときの
、光軸から離れた２つの受光素子の受光量を説明するた
めの拡大断面図、第１０図は、均一な照明を上記第１図
に示す受光センサーに与えたときに受光素子面上変位に
対する各受光素子出力の包絡線を示す偉物性線図、第１
１図は、被写体輝度が正弦波状に変化しているとき、像
高の影響を考えない場合の各受光素子出力の包絡線を示
す保時性曲線図、 第１２図は、被写体輝度が正弦波状に変化しているとき
、像高の影響を受けている状態の各受光素子出力の包絡
線を示す保時性曲線図、 第１３図は、像高の影響による光量アンバランスを補正
した、従来の焦点検出装置の拡大断面図、第１４図は、
本発明の一実施例を示す合焦検出装置の電気回路の概略
構成を示すブロック図、第１５図は、上記第１４図に示
す合焦検出装置の主要部の動作を説明するための７０−
チャート、第１６図は、本発明の合焦検出装置により像
高変調直線（補正係数）をめる説明を行なうための各受
光素子出力の保時性曲線図、 第１７図は、上記第１６図に示す像高変調直線からめら
れた補正出力の保時性曲線図、 １１８ｉｉｉｎ−１：、ストライプマスクと受光センサ
ーとが相対的に位置ずれしたときの、隣接する２つの受
光素子の受光領域のずれを説明するための拡大断面図、 第１９図は、上記第１８図に示す受光センサーに対して
均一な照明を与えたときの、受光素子面上変位に対する
各受光素子出力の包結線を示す偉物性線図、 第２０図は、ストライプマスクおよび受光センサーの中
心軸が結像レンズの光軸よりずれている状態を示す拡大
断面図、 第２１図は、ストライプマスクおよび受光センサーが結
像レンズの光軸に対して傾斜している状態を示す拡大断
面図である。 １・・・・・・・結像レンズ（結像光学系）２・・・・
・・・ストライプマスク（像の横ずれ手段）３・・・・
・・・受光センサー 特許出願人　オリンパス光学工業株式会社代　理　人　
藤　川　七　部 応５区 （Ａ）　（Ｂ） （Ｃ） ｂ６区 ３ ．７７・・ 業 ｊ　Ａｋ＋ 青 も１０区 応１１区 交ＬｄＤ上震位 ％１２区 交１３区 ％１６区 ％１７区 馬１８区 も１９区 日ｎ 交尤開工及位 手　続　補　正　書　（自発） １、事件の表示　昭和５８年特許願第１２３０１７号２
、発明の名称　合焦検出装置 ６、補正をする者 事件との関係　特許出願人 所在地　東京都渋谷区幡ケ谷２丁目４３番２号名　称　
（０３７）　オリンパス光学工業株式会社４、代　理　
人 住　所　東京都世田谷区松原５丁目５２番１４号氏　名
　（７６５５）　藤　川　七　部（置　５２４−２７０
０） ５、補正の対象　明細書の「発明の詳細な説明」の欄６
、補正の内容 （１）明細書第３頁第３行中の「等間隔に」を削除する
。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 結像光学系を通過した光束を像の横ずれ手段を介して第
   １および第２の受光素子列に導き、結像光学系のピント
   のずれ量に応じて横ずれした第１および第２の光分布パ
   ターンをそれぞれ上記第１および第２の受光素子列の受
   光面に形成させ、この第１および第２の受光素子列の出
   力分布を基にして合焦状態の検出を行なう装置において
   、上記第１および第２の受光素子列の出力分布より、上
   記第１および第２の受光素子列方向に関して生じる光量
   アンバランスを補正するための係数をめる手段と、 このめられた補正係数と上記第１および第２の受光素子
   列の出力分布とを演算することにより合焦検出用出力を
   得る演算手段と、 を有することを特徴とする合焦検出装置。