JPS60140353A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS60140353A JPS60140353A JP24550083A JP24550083A JPS60140353A JP S60140353 A JPS60140353 A JP S60140353A JP 24550083 A JP24550083 A JP 24550083A JP 24550083 A JP24550083 A JP 24550083A JP S60140353 A JPS60140353 A JP S60140353A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- amorphous silicon
- resolution
- forming
- parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、複写機、レーザービームプリンター等に用い
られる感光体に係シ、特に長寿命化を必要とするレーザ
ービームプリンター用感光体に関する。
られる感光体に係シ、特に長寿命化を必要とするレーザ
ービームプリンター用感光体に関する。
従来、電子写真感光体の光導電性材料として、ＢｅＸ９
θ合金及びＯｄＳ等の無機物やポリビニルカルバゾール
（以下、ＰＶＫと略記する）等の有機物が用いられてい
る。しかし、これらの無機物は毒性が強く、製造時の取
扱いや使用後の処理等に問題がある。他方、有機物につ
いても発ガン性の疑いがある。また、これらの側斜から
構成される感光体は表面の硬度が十分でないため、使、
用中表面に傷がついたりして像を悪化させていた。これ
らの欠点を改良するため水素化非晶質シリコン（以下、
ａ−Ｉｌｌｌｌ：Ｈと略記する）を感光体として用いる
ことが提案されている（特開昭５４−７８１３５号公報
参照）。
θ合金及びＯｄＳ等の無機物やポリビニルカルバゾール
（以下、ＰＶＫと略記する）等の有機物が用いられてい
る。しかし、これらの無機物は毒性が強く、製造時の取
扱いや使用後の処理等に問題がある。他方、有機物につ
いても発ガン性の疑いがある。また、これらの側斜から
構成される感光体は表面の硬度が十分でないため、使、
用中表面に傷がついたりして像を悪化させていた。これ
らの欠点を改良するため水素化非晶質シリコン（以下、
ａ−Ｉｌｌｌｌ：Ｈと略記する）を感光体として用いる
ことが提案されている（特開昭５４−７８１３５号公報
参照）。
この感光体の解像度を上げるために、今までいくつかの
提案がなされている。例えば、基体上に網点状に非晶質
シリコン（以下、ａ−８ｉと略記する）を形成し、その
上にＳｉｎ、等の絶縁層又はＰＶＫ等の電荷移動層を形
成する方法や、逆に基体上にポリイミダゾピロロンやＡ
ｓ２５ｅ１等の光導電体を網点状に形成してから、その
上にａ−８１： Ｈを形成する方法等がある。しかしこ
れらの方法では感光体形成途中で網点状に膜形成するた
めのメツシュをはずしたシ、又は感光体形成途中でエツ
チングを行わなくてはならす工程が複雑になる。更に、
島状に層を形成するため膜厚が不均一になったシまたＳ
１以外の物質を使用するため膜の構成が複雑になる。
提案がなされている。例えば、基体上に網点状に非晶質
シリコン（以下、ａ−８ｉと略記する）を形成し、その
上にＳｉｎ、等の絶縁層又はＰＶＫ等の電荷移動層を形
成する方法や、逆に基体上にポリイミダゾピロロンやＡ
ｓ２５ｅ１等の光導電体を網点状に形成してから、その
上にａ−８１： Ｈを形成する方法等がある。しかしこ
れらの方法では感光体形成途中で網点状に膜形成するた
めのメツシュをはずしたシ、又は感光体形成途中でエツ
チングを行わなくてはならす工程が複雑になる。更に、
島状に層を形成するため膜厚が不均一になったシまたＳ
１以外の物質を使用するため膜の構成が複雑になる。
本発明の目的は、従来技術の初雑さを排し、かつ高解像
度のａ−Ｅｌｉ 系電子写真感光体を提供することにあ
る。
度のａ−Ｅｌｉ 系電子写真感光体を提供することにあ
る。
本発明を概説すれば、本発明は電子写真感光体に関する
発明であって、ａ−８ｉ：Ｈ層中に、低抵抗のａ−８１
： Ｈ、ａ−８ｉ 及び結晶シリコン（以下、ｃ−８ｉ
と略記する）よりなる群から選択した少なくとも１種
のものが網点状に分布した層を含むことを特徴とする。
発明であって、ａ−８ｉ：Ｈ層中に、低抵抗のａ−８１
： Ｈ、ａ−８ｉ 及び結晶シリコン（以下、ｃ−８ｉ
と略記する）よりなる群から選択した少なくとも１種
のものが網点状に分布した層を含むことを特徴とする。
感光体のＭ像度を上げるためには、電荷発生領域（以下
、ＯＧＡと略記する）を網点状に設ける方法及び感光体
上に高抵抗部や低抵抗部を網点状に設ける方法などがあ
る。
、ＯＧＡと略記する）を網点状に設ける方法及び感光体
上に高抵抗部や低抵抗部を網点状に設ける方法などがあ
る。
ところで、ａ−８１：Ｈ膜には興味ある現象が見られる
。ａ−Ｅｌｉ：Ｈ膜の電子顕微鏡の実験から、作製条件
によって、直径１０μｍ程度の円柱状の不均一部分が出
現することがわかった（ Ｊ、 Ｃ！、ナイノ（Ｊ、
Ｏ，Ｋｎｉｇｈｔｓ ）及びＲ，Ａ、ルージャン（Ｒ。
。ａ−Ｅｌｉ：Ｈ膜の電子顕微鏡の実験から、作製条件
によって、直径１０μｍ程度の円柱状の不均一部分が出
現することがわかった（ Ｊ、 Ｃ！、ナイノ（Ｊ、
Ｏ，Ｋｎｉｇｈｔｓ ）及びＲ，Ａ、ルージャン（Ｒ。
Ａ、 Ｌｕｊａｎ ） ＋アップライド フィツクス
レタース（Ａｐｌ）１． Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、、
）第３５巻第２４４頁（１９７９）参照〕。この円柱状
の不均一部分（以下、円柱部と略記する）は、他の部分
に比べて、水素量が少ないと推定されていた。本発明者
等は、その後研究を重ねて、この円柱部が他の部分に比
べ抵抗が低いこと、また光学的エネルギーギャップが小
さくなっていることを見出した。更Ｋ、この円柱部の主
因を突止め、これを制御する方法を見出した。
レタース（Ａｐｌ）１． Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、、
）第３５巻第２４４頁（１９７９）参照〕。この円柱状
の不均一部分（以下、円柱部と略記する）は、他の部分
に比べて、水素量が少ないと推定されていた。本発明者
等は、その後研究を重ねて、この円柱部が他の部分に比
べ抵抗が低いこと、また光学的エネルギーギャップが小
さくなっていることを見出した。更Ｋ、この円柱部の主
因を突止め、これを制御する方法を見出した。
この円柱部を感光体中に網点状に分布させれば前記のよ
うに高解像度の電子写真感光体が得られる。この方法と
しては、基体上にエツチング等により溝を網点状に形成
する。この上にａ−＆ｉ：Ｈを適当な条件のもとに形成
すると前記の円柱部がこの溝に活って形成される。基体
上に直接ａ−８１：Ｈを形成せず、非晶質シリカ（以下
、ａ−８ｉＯ，と略記する）などを形成してから、ａ−
８ｉ：Ｈを形成しても同様に溝に治って円柱部が形成さ
れる。
うに高解像度の電子写真感光体が得られる。この方法と
しては、基体上にエツチング等により溝を網点状に形成
する。この上にａ−＆ｉ：Ｈを適当な条件のもとに形成
すると前記の円柱部がこの溝に活って形成される。基体
上に直接ａ−８１：Ｈを形成せず、非晶質シリカ（以下
、ａ−８ｉＯ，と略記する）などを形成してから、ａ−
８ｉ：Ｈを形成しても同様に溝に治って円柱部が形成さ
れる。
この円柱部は低抵抗部、ＣＧＡいずれにも働いていると
推定される。そのため電子写真像もそれに対応した網点
状に形成され分解能が向上する。
推定される。そのため電子写真像もそれに対応した網点
状に形成され分解能が向上する。
また、ａ７Ｓ１ ： Ｈでは水素濃度と比抵抗の間に相
関がある。すなわち、水素濃度が小さい程、比抵抗は小
さくなる。更に水素濃度が小さい程、吸収端も長波長ま
で伸びる。このことは、水素濃度が小さい部分を膜中に
形成すれば、その部分は低抵抗部又はＯＧＡとなること
を示唆している。
関がある。すなわち、水素濃度が小さい程、比抵抗は小
さくなる。更に水素濃度が小さい程、吸収端も長波長ま
で伸びる。このことは、水素濃度が小さい部分を膜中に
形成すれば、その部分は低抵抗部又はＯＧＡとなること
を示唆している。
ａ−Ｅｌｉ：Ｈ膜を５００℃以上でアニールすると、膜
中の水素が抜けて水素濃度が低下する。レーザーや電子
線等によシ選択的にアニールすることができれば、この
水素濃度が低下した部分を、前述のように網点状に形成
することができる。
中の水素が抜けて水素濃度が低下する。レーザーや電子
線等によシ選択的にアニールすることができれば、この
水素濃度が低下した部分を、前述のように網点状に形成
することができる。
ａ−Ｅｌｉ：Ｈ膜を６００℃以上でアニールすると結晶
化が起り、ｃ−８ｉ 膜が得られる。ｃ−８ｉ も、低
抵抗であシ、吸収端も長波長寸で伸びている。
化が起り、ｃ−８ｉ 膜が得られる。ｃ−８ｉ も、低
抵抗であシ、吸収端も長波長寸で伸びている。
前と同様にレーザーや電子線等で選択的にアニールでき
れば、低抵抗部又はＯＧＡを網点状に形成できる。
れば、低抵抗部又はＯＧＡを網点状に形成できる。
ａ−８ｉ：Ｈ層の上にレーザーを吸収し々いａ −８ｉ
Ｏ，等の層を形成してから、レーザーによりａ−８ｉ：
Ｈ層をアニールすることも可能である。
Ｏ，等の層を形成してから、レーザーによりａ−８ｉ：
Ｈ層をアニールすることも可能である。
これら網点状に形成された低抵抗部、ＯＧＡに対応して
電子写真像が形成されるため、解像度が向上する。また
、この方法によりハーフトーンの再現性も向上する。
電子写真像が形成されるため、解像度が向上する。また
、この方法によりハーフトーンの再現性も向上する。
以下、本発明を実施例によシ添付図面を用いて具体的に
説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるもので
は力い。
説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるもので
は力い。
実施例１
スパッター装置の基板ホルダーに多数の傷が入っている
アルミニウム基板（Ｊ工Ｓ規格、０１ｔ、ＡｌＮ−３０
Ｈ）を固定し、ターゲットＩ［にｃ−Ｅｌｉ 板を固定
した。装置内を５×１０４ トル以下の真空度になるま
で排気した。アルゴンガス＋水素ガス（水素濃度５０％
）を５Ｘ１０Ａトルに々るまで導入した。１３．５６
ＭＨｚ ２００ Ｗで放電を行い１０μｍの厚さのａ−
９ｉ：Ｈ膜を得た。
アルミニウム基板（Ｊ工Ｓ規格、０１ｔ、ＡｌＮ−３０
Ｈ）を固定し、ターゲットＩ［にｃ−Ｅｌｉ 板を固定
した。装置内を５×１０４ トル以下の真空度になるま
で排気した。アルゴンガス＋水素ガス（水素濃度５０％
）を５Ｘ１０Ａトルに々るまで導入した。１３．５６
ＭＨｚ ２００ Ｗで放電を行い１０μｍの厚さのａ−
９ｉ：Ｈ膜を得た。
光学顕微鏡、電子顕微鏡により試料表面を観察したとこ
ろ前記の円柱部が多数見られた。基板のアルミニウムを
塩酸で溶かしａ−９ｉ：Ｈ膜を得た。顕微吸収スペクト
ル測定装置によりこの円柱部ｃＡ）及びそれ以外の部分
ｔＢｌの光吸収スペクトルを測定した。
ろ前記の円柱部が多数見られた。基板のアルミニウムを
塩酸で溶かしａ−９ｉ：Ｈ膜を得た。顕微吸収スペクト
ル測定装置によりこの円柱部ｃＡ）及びそれ以外の部分
ｔＢｌの光吸収スペクトルを測定した。
その結果を第１図に示す。すなわち第１図は、光の波長
（Ｉ］ｍ）（横軸）と吸光度（任意単位）（縦軸）との
関係を示すグラフである。
（Ｉ］ｍ）（横軸）と吸光度（任意単位）（縦軸）との
関係を示すグラフである。
第１図から、円柱部の吸収端は、’ １．５７θＶ、そ
れ以外の部分は、１８０θＶで、円柱部の光学的エネル
ギーギャップが、それ以外の部分に比べて小さくなって
いることがわかった。
れ以外の部分は、１８０θＶで、円柱部の光学的エネル
ギーギャップが、それ以外の部分に比べて小さくなって
いることがわかった。
実施例２
実施例１と同じ方法で作成したａ−８ｉ ： Ｈを、電
子プローブ マイクロアナライザー（ＥｐＭＡ）で観測
した。試料は、ａ−８ｉ：Ｈに金蒸着したものと、して
いないものとを用いた。金蒸着していｋいものを走査電
子顕微鏡（ＥＩＫＭ）で観察すると、チャージアップの
ため全体が白っぽくなるが、前記の円柱部及びその周辺
はチャージアップが弱いため暗くなっているのがわかっ
た。更に定量的にチャージアップの様子を調べるため、
円柱部とそれ以外の部分のＥｌｉ−にα線の発生量の比
の電子加速電圧依存性を測定した。
子プローブ マイクロアナライザー（ＥｐＭＡ）で観測
した。試料は、ａ−８ｉ：Ｈに金蒸着したものと、して
いないものとを用いた。金蒸着していｋいものを走査電
子顕微鏡（ＥＩＫＭ）で観察すると、チャージアップの
ため全体が白っぽくなるが、前記の円柱部及びその周辺
はチャージアップが弱いため暗くなっているのがわかっ
た。更に定量的にチャージアップの様子を調べるため、
円柱部とそれ以外の部分のＥｌｉ−にα線の発生量の比
の電子加速電圧依存性を測定した。
その結果を第２図に示す。
すなわち第２図は、円柱部とそれ以外の部分のＥＰＭＡ
におけるＥｌｉ−にα線強度の比（円柱部／それ以外）
（縦軸）と電子加速電圧（ｋＶ）（横軸）との関係を示
すグラフである。
におけるＥｌｉ−にα線強度の比（円柱部／それ以外）
（縦軸）と電子加速電圧（ｋＶ）（横軸）との関係を示
すグラフである。
測定部分のＸ線発生のだめの電圧しきい値をＥｉｂとす
る。電子の加速電圧をＶ１吸収電流を■とするとＸ線発
生素工Ｘはおおよそ次式で表わされる。
る。電子の加速電圧をＶ１吸収電流を■とするとＸ線発
生素工Ｘはおおよそ次式で表わされる。
ＩＸｏｃ （Ｖ −ｘｂ）２．工 −１）ここで大体の
近似で Ｉｏｃ（Ｖ−Ｅｂ） −２） とすると 工ｘｏｃ（Ｖ −Ｆｉｂ）３・＝ ５ ）円柱部とそれ
以外の部分ではチャージアップの違いによりｇｂの値が
違い、工Ｘに違いが生じると推定される。３）式により
円柱部及びそれ以外の部分テノ、Ｋｂはそれぞれ２．２
４ｋＶ、２．４３ｋＶとなった。第２図の実線が計算値
である。円柱部はそれ以外の部分より２００Ｖ程度チャ
ージアップ量が少ない。これは、円柱部の電気抵抗がそ
の他の部分より低くなっていることを示している。
近似で Ｉｏｃ（Ｖ−Ｅｂ） −２） とすると 工ｘｏｃ（Ｖ −Ｆｉｂ）３・＝ ５ ）円柱部とそれ
以外の部分ではチャージアップの違いによりｇｂの値が
違い、工Ｘに違いが生じると推定される。３）式により
円柱部及びそれ以外の部分テノ、Ｋｂはそれぞれ２．２
４ｋＶ、２．４３ｋＶとなった。第２図の実線が計算値
である。円柱部はそれ以外の部分より２００Ｖ程度チャ
ージアップ量が少ない。これは、円柱部の電気抵抗がそ
の他の部分より低くなっていることを示している。
以下の実施例３〜６け、添付図面の第３図〜第７図に基
づいて説明する。すなわち第３図は、基体上に刻んだ溝
のパターン図である。第４図〜第７図は、本発明の実施
例による電子写真感光体の断面概略図であシ、各図にお
いて、符号１れ基体、２１はａ−８１０１層、２２はａ
−６ｉ：）１層、２３は円柱部を意味する。
づいて説明する。すなわち第３図は、基体上に刻んだ溝
のパターン図である。第４図〜第７図は、本発明の実施
例による電子写真感光体の断面概略図であシ、各図にお
いて、符号１れ基体、２１はａ−８１０１層、２２はａ
−６ｉ：）１層、２３は円柱部を意味する。
実施例３
鏡面仕上けをしたアルミニウム基板上に第３図のように
８０μ常ピツチの格子状に幅約５μ毒、深さ約０．５μ
慨溝をエツチングにより切った。このアルミニウム基板
をスパッター装置のサンプルホルダーに固定した。実施
例１と同様の方法で約１０μｍの厚さのａ−８ｉ：Ｈを
形成した。光学顕微鏡により表面を観察したところ円柱
部が前記の溝に治って配列しているのが見られた。
８０μ常ピツチの格子状に幅約５μ毒、深さ約０．５μ
慨溝をエツチングにより切った。このアルミニウム基板
をスパッター装置のサンプルホルダーに固定した。実施
例１と同様の方法で約１０μｍの厚さのａ−８ｉ：Ｈを
形成した。光学顕微鏡により表面を観察したところ円柱
部が前記の溝に治って配列しているのが見られた。
実施例４
鏡面仕上げをしたアルミニウム基板上に第５図のように
８０μ青ピツチの格子状に幅約５μ毒、深さ約０５μ毒
溝をエツチングにより切った。このアルミニウム基板を
スパッター装置のサンプルホルダーに固定し、ターゲッ
ト電極にｃ−８ｉＯ１板を固定し、た。装置内を５Ｘ１
（１’）ル以下の真空度になるまで排気し、その後アル
ゴンガスを３×１０４ トルになるように導入した。
８０μ青ピツチの格子状に幅約５μ毒、深さ約０５μ毒
溝をエツチングにより切った。このアルミニウム基板を
スパッター装置のサンプルホルダーに固定し、ターゲッ
ト電極にｃ−８ｉＯ１板を固定し、た。装置内を５Ｘ１
（１’）ル以下の真空度になるまで排気し、その後アル
ゴンガスを３×１０４ トルになるように導入した。
１ ＆ ５６ ＭＨｚ ２００ Ｗで放電を行い約１μ
ｍの厚さのａ−８ｉＯ１膜を形成した。ターゲットをｃ
−１１１１に交換し、装置内を５ Ｘ １０”ドル以下
の真空度になるまで排気した。その後アルゴンガス＋水
素ガス（水素濃度５０％）を５×１０」 ）ルになるま
で導入した。１３．５６ ＭＨｚ ２００ Ｗで放電を
行い、１０μ毒の厚さのａ−８１：Ｈ層を形成した。こ
のようにして得られた感光体の表面を光学顕微鏡で観察
したところ円柱部が前記の溝に沿って配列しているのが
見られた。これを電子写真感光板として使用したところ
８本／、、の解像度の良好な画像を得ることができた。
ｍの厚さのａ−８ｉＯ１膜を形成した。ターゲットをｃ
−１１１１に交換し、装置内を５ Ｘ １０”ドル以下
の真空度になるまで排気した。その後アルゴンガス＋水
素ガス（水素濃度５０％）を５×１０」 ）ルになるま
で導入した。１３．５６ ＭＨｚ ２００ Ｗで放電を
行い、１０μ毒の厚さのａ−８１：Ｈ層を形成した。こ
のようにして得られた感光体の表面を光学顕微鏡で観察
したところ円柱部が前記の溝に沿って配列しているのが
見られた。これを電子写真感光板として使用したところ
８本／、、の解像度の良好な画像を得ることができた。
実施例５
実施例４と同じ方法でａ−８ｉ：Ｈ層をａ−８１０１層
の上に形成した。その後、ターゲットをｃ−８ｉＯ１に
交換し、装置内を５×１０−６ トル以下の真空度にな
るまで排気した。アルゴンガスを３Ｘ１（］”トルにな
るまで導入した。１五５６ ＭＢ２．２００Ｗで放電を
行い、約０．５ｐ、の厚さにａ−８ｉＯ，層を形成した
。これを電子写７Ｇ感光板として使用したところ８本／
−の解像度の良好な画像を得ることができた。
の上に形成した。その後、ターゲットをｃ−８ｉＯ１に
交換し、装置内を５×１０−６ トル以下の真空度にな
るまで排気した。アルゴンガスを３Ｘ１（］”トルにな
るまで導入した。１五５６ ＭＢ２．２００Ｗで放電を
行い、約０．５ｐ、の厚さにａ−８ｉＯ，層を形成した
。これを電子写７Ｇ感光板として使用したところ８本／
−の解像度の良好な画像を得ることができた。
実施例６
実施例５と同様な方法で、格子状にエツチングしたアル
ミニウム基板上に、厚さ約０．５ ｐｍのａ−８ｉＯ１
層、厚さ約５μ情のａ−８ｉ：Ｈ層、厚さ約０．２μ情
のａ−８ｉＯ，層を形成−した。その後、ターゲットを
ｃ−８ｉ に交換し、装置内を５Ｘ１０−’）ル以下の
真空度になるまで排気した。アルゴンガス十水素ガス（
水素濃度５０％）を５×１０４ トルになるまで導入し
た。１３．５６ ＭＨｚ ２００ Ｗで放電を行い、約
５μｍの厚さにａ−８ｉ：Ｈ層を形成した。このように
して得られた感光体の表面を光学顕微鏡で観察したとこ
ろ円柱部はあｔシ見られなかった。これは以下のような
理由によるものと推定される。この円柱部は他の部分に
比べて成長が速いため凹部から発生しても厚さ５μ毒の
ａ−８ｉ：Ｈ層の表面線はぼ平坦になっている。この上
にａ−８ｉＯ１層が均一に形成されるとその上に形成さ
れるａ−Ｅｌｉ：Ｈ中に円柱部が発生する切掛けがなく
なシ、均一なａ−Ｅｉｉ：Ｈが得られると推定される。
ミニウム基板上に、厚さ約０．５ ｐｍのａ−８ｉＯ１
層、厚さ約５μ情のａ−８ｉ：Ｈ層、厚さ約０．２μ情
のａ−８ｉＯ，層を形成−した。その後、ターゲットを
ｃ−８ｉ に交換し、装置内を５Ｘ１０−’）ル以下の
真空度になるまで排気した。アルゴンガス十水素ガス（
水素濃度５０％）を５×１０４ トルになるまで導入し
た。１３．５６ ＭＨｚ ２００ Ｗで放電を行い、約
５μｍの厚さにａ−８ｉ：Ｈ層を形成した。このように
して得られた感光体の表面を光学顕微鏡で観察したとこ
ろ円柱部はあｔシ見られなかった。これは以下のような
理由によるものと推定される。この円柱部は他の部分に
比べて成長が速いため凹部から発生しても厚さ５μ毒の
ａ−８ｉ：Ｈ層の表面線はぼ平坦になっている。この上
にａ−８ｉＯ１層が均一に形成されるとその上に形成さ
れるａ−Ｅｌｉ：Ｈ中に円柱部が発生する切掛けがなく
なシ、均一なａ−Ｅｉｉ：Ｈが得られると推定される。
このようにして得た感光体を電子写真感光板として使用
したところ８本／−の解像度の良好な画像を得ることが
できた。
したところ８本／−の解像度の良好な画像を得ることが
できた。
以下の実施例７〜１０は、添付図面の第８図〜第１１図
に基づいて説明する。すなわち第８図ｔｆ、Ａｒレーザ
ー照射のパターン図である。そして第９図〜第１１図は
、水元Ｅｌ１１の実施例による電子写真感光体の断面概
略図であり、各図において、符号１１基体、２１はａ−
８１０１層、２２はａ−８ｉ：）１層、２４はａ−８ｉ
層、２５はレーザーアニール部分を意味する。
に基づいて説明する。すなわち第８図ｔｆ、Ａｒレーザ
ー照射のパターン図である。そして第９図〜第１１図は
、水元Ｅｌ１１の実施例による電子写真感光体の断面概
略図であり、各図において、符号１１基体、２１はａ−
８１０１層、２２はａ−８ｉ：）１層、２４はａ−８ｉ
層、２５はレーザーアニール部分を意味する。
実施例７
スパッター装置の基板ホルダーに鏡面仕上げをしたアル
ミニウム基板を固定し、ターゲット電極にｃ−Ｆ３１
板を固定した。装置内を５×１０−６ドル以下の真空度
になるまで排気した。アルゴンガス＋水素ガス（水素濃
度５０％）を５×１０Ｊトルになるまで導入した。１
Ｋ ５６ ＭＨ２２００Ｗで放電を行い約５μ毒の厚さ
のａ−８ｉ：Ｈ膜を得た。
ミニウム基板を固定し、ターゲット電極にｃ−Ｆ３１
板を固定した。装置内を５×１０−６ドル以下の真空度
になるまで排気した。アルゴンガス＋水素ガス（水素濃
度５０％）を５×１０Ｊトルになるまで導入した。１
Ｋ ５６ ＭＨ２２００Ｗで放電を行い約５μ毒の厚さ
のａ−８ｉ：Ｈ膜を得た。
この膜に光学系で絞ったＡｒレーザー（出力ＩＷ。
波長５１４５Ｘ）を第８図のように８０ｐｔｎピツチの
格子状に走査して照射した。光学顕微鏡で観察するとＡ
ｒレーザーを照射した部分が点化しているのがわかった
。電子顕微鏡により、この試料を観察した。、試料は金
蒸着を行っていない。
格子状に走査して照射した。光学顕微鏡で観察するとＡ
ｒレーザーを照射した部分が点化しているのがわかった
。電子顕微鏡により、この試料を観察した。、試料は金
蒸着を行っていない。
このため電子線を照射するとチャージアップを起すが、
この量が少ない所は８２Ｍ像では黒く見える。これも前
述のように格子状になっているのが観察された。この部
分は、抵抗が低くなっていることを示唆している。
この量が少ない所は８２Ｍ像では黒く見える。これも前
述のように格子状になっているのが観察された。この部
分は、抵抗が低くなっていることを示唆している。
実施例８
実施例７と同様な方法で、鏡面仕上げをしたアルミニウ
ム基板上に約５μ常の厚さのａ−８ｉ：Ｈ膜を形成し、
Ａｒレーザーを８０μ嘱ピツチの格子状に走査して照射
した。これを再びスノくツタ−装置の基板ホルダーに固
定した。装置内を５×１０″′４ トル以下の真空度に
なるまで排気した。
ム基板上に約５μ常の厚さのａ−８ｉ：Ｈ膜を形成し、
Ａｒレーザーを８０μ嘱ピツチの格子状に走査して照射
した。これを再びスノくツタ−装置の基板ホルダーに固
定した。装置内を５×１０″′４ トル以下の真空度に
なるまで排気した。
アルゴンガス＋水素ガス（水素濃度５０％）を５層％ｇ
−４）ルになるまで導入した。１五５６ＭＨｚ ２００
Ｗで放電を行い約５μ慣の厚さのａ −５ｉＣＨ層を
形成した。第９図のような構成の感光体を得た。仁れを
電子写真感光板として使用したところ８本／ｍの解像一
度の良好な画像が得られた。
−４）ルになるまで導入した。１五５６ＭＨｚ ２００
Ｗで放電を行い約５μ慣の厚さのａ −５ｉＣＨ層を
形成した。第９図のような構成の感光体を得た。仁れを
電子写真感光板として使用したところ８本／ｍの解像一
度の良好な画像が得られた。
実施例９
スパッター装置の基板ホルダーに鏡面仕上げをしたアル
ミニウム基板を固定し、ターゲット電極に０−８１ 板
を固定した。装怖゛内を５Ｘ１叶６トル以下の真空度に
なるまで排気した。アルゴンガスを３Ｘ１０” トルに
なるまで導入した。
ミニウム基板を固定し、ターゲット電極に０−８１ 板
を固定した。装怖゛内を５Ｘ１叶６トル以下の真空度に
なるまで排気した。アルゴンガスを３Ｘ１０” トルに
なるまで導入した。
１１５６ ＭＨｚ ２００ Ｗで放′１１文を行い約３
μ舅の厚さのａ−８ｉ膜を得た。この膜に光学系で絞っ
たＡｒレーザー（出力１Ｗ 波長５１４５Ａ）を第８図
のように８０μ慴ピツチの格子状に走査して照射した。
μ舅の厚さのａ−８ｉ膜を得た。この膜に光学系で絞っ
たＡｒレーザー（出力１Ｗ 波長５１４５Ａ）を第８図
のように８０μ慴ピツチの格子状に走査して照射した。
これを再びスパッター装置の基板ホルダーに固定した。
装置内を５Ｘ１０−”）ル以下の真空度になるまで排気
した。アルゴンガス十水素ガス（水素濃度５０％）を５
Ｘ１０＝）ルになるまで導入した。１五５６ＭＨｚ ２
００’Ｗで放電を行い約８μ毒の厚さのａ−ｅｉ：Ｈ層
を形成した。これを電子写真感光板として使用したとこ
ろ８本／鰭の解像度の良好な画像が得られた。
した。アルゴンガス十水素ガス（水素濃度５０％）を５
Ｘ１０＝）ルになるまで導入した。１五５６ＭＨｚ ２
００’Ｗで放電を行い約８μ毒の厚さのａ−ｅｉ：Ｈ層
を形成した。これを電子写真感光板として使用したとこ
ろ８本／鰭の解像度の良好な画像が得られた。
実施例１０
実施例７と同様な方法で、鏡面仕上げをしたアルミニウ
ム基板上に約２μ毒の厚さのａ−８ｉ ： Ｈ層を形成
した。その後、アルゴンガスのみ３×１０−３ トルに
なるまで導入した。１３．５６ ＭＨｚ２００Ｗで放電
を行い、約１０μｍの厚さのａ−８ｉ 層を形成した。
ム基板上に約２μ毒の厚さのａ−８ｉ ： Ｈ層を形成
した。その後、アルゴンガスのみ３×１０−３ トルに
なるまで導入した。１３．５６ ＭＨｚ２００Ｗで放電
を行い、約１０μｍの厚さのａ−８ｉ 層を形成した。
更にターゲットをｃ−８ｉＯ。
に変え、装置内を５ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ 以下に
なるまで排気した。アルゴンガスを３Ｘ１０−’）ルに
なるまで導入して、１３．５６ ＭＨｚ２００ Ｗで放
電を行い約１μ鶏の厚さのａ−８ｉＯ１層を形成した。
なるまで排気した。アルゴンガスを３Ｘ１０−’）ルに
なるまで導入して、１３．５６ ＭＨｚ２００ Ｗで放
電を行い約１μ鶏の厚さのａ−８ｉＯ１層を形成した。
この膜に実施例７６時と同様な方法でＡｒレーザーを照
射してａ−８ｉ層を８０ｐｇピッチの格子状にアニール
した。これを電子写真感光板として使用したところ８本
／１ｍの解像度の良好な画像が得られた。
射してａ−８ｉ層を８０ｐｇピッチの格子状にアニール
した。これを電子写真感光板として使用したところ８本
／１ｍの解像度の良好な画像が得られた。
本発明によれば、ａ−８ｉ、ａ−ｓｔ：ａｇ中に低抵抗
部又は社高抵抗部、０ＧＡ（電荷発生領域）を網点状に
形成できるので高解像度の電子写真感光体の簡便な作製
に効果がある。
部又は社高抵抗部、０ＧＡ（電荷発生領域）を網点状に
形成できるので高解像度の電子写真感光体の簡便な作製
に効果がある。
第１図は円柱部とそれ以外の部分の光の波長と吸光度と
の関係を示すグラフ、第２図は円柱部とそれ以外の部分
の電子プローブ マイクロアナライザーにおける５ｉ−
Ｋａ線強度の比と電子加速電圧との関係を示すグラフ、
第５図は基体上に刻んだ溝のパターン図、第８図はアル
ゴンレーザー照射のパターン図、そして第４図〜第７図
及び第９図〜第１１図は本発明の実施例による電子写真
感光体の断面概略図である。 １：基体、２１：ａ−８ｉＯ１層、２２ ： ａ−８ｉ
：Ｈ層、２３：円柱部、２４：ａ−８ｉ層、２５：レー
ザーアニール部分 ９．１許出願人 株式会社日立製作所 代理人 中 本 宏 光の５皮長〔７′Ｌ爪〕 第１図 電子カロ速電圧（ｋＶ） 第２図 第３図 第５図 第７図 第 ８ 図 ５ 第９図 第１０図 第１／図 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和５８年特許願第２４５５００号乙
発明の名称 電子写真感光体 ５補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区神田駿河台四丁目６番地名 称
（５１０）株式会社日立製作所代表者 三 １）勝
茂 昭和５９年３月７日（発送日昭和５９年３月２７日）（
補正の対象 明細書全文
の関係を示すグラフ、第２図は円柱部とそれ以外の部分
の電子プローブ マイクロアナライザーにおける５ｉ−
Ｋａ線強度の比と電子加速電圧との関係を示すグラフ、
第５図は基体上に刻んだ溝のパターン図、第８図はアル
ゴンレーザー照射のパターン図、そして第４図〜第７図
及び第９図〜第１１図は本発明の実施例による電子写真
感光体の断面概略図である。 １：基体、２１：ａ−８ｉＯ１層、２２ ： ａ−８ｉ
：Ｈ層、２３：円柱部、２４：ａ−８ｉ層、２５：レー
ザーアニール部分 ９．１許出願人 株式会社日立製作所 代理人 中 本 宏 光の５皮長〔７′Ｌ爪〕 第１図 電子カロ速電圧（ｋＶ） 第２図 第３図 第５図 第７図 第 ８ 図 ５ 第９図 第１０図 第１／図 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和５８年特許願第２４５５００号乙
発明の名称 電子写真感光体 ５補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区神田駿河台四丁目６番地名 称
（５１０）株式会社日立製作所代表者 三 １）勝
茂 昭和５９年３月７日（発送日昭和５９年３月２７日）（
補正の対象 明細書全文
Claims (1)
- １、 水素化非晶質シリコン層中に、低抵抗の水素化非
晶質シリコン、非晶質シリコン及び結晶シリコンよ’０
する群から選択した少々くとも１種のものが網点状に分
布した層を含むことを特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24550083A JPS60140353A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24550083A JPS60140353A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140353A true JPS60140353A (ja) | 1985-07-25 |
Family
ID=17134588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24550083A Pending JPS60140353A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60140353A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0618508A1 (en) * | 1992-06-18 | 1994-10-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photoreceptor provided with light-receiving layer made of non-single crystal silicon and having columnar structure regions, and manufacturing method therefor |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP24550083A patent/JPS60140353A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0618508A1 (en) * | 1992-06-18 | 1994-10-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photoreceptor provided with light-receiving layer made of non-single crystal silicon and having columnar structure regions, and manufacturing method therefor |
| EP0618508A4 (en) * | 1992-06-18 | 1994-12-07 | Canon Kk | IMAGE RECEIVING LAYER CONSISTING OF NON-MONOCRISTALLINE SILICON, AND OF COLUMN-LIKE STRUCTURAL AREAS AND THEIR METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF. |
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