JPS60140318A - 高速スキヤナ用ＧａＰ変調器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はラスター出力スキャナ用の音替−光学変調器に
関し、特に高速ラスター出力スキャナ用の改良形音替−
光学変調器に関する。

（従来技術） 一般的なラスター出力スキャナでは、通常レーザから発
せられた高強疲の放射ビームが生成すべき像を示す電気
信号に従って選択的に変調され、この変調されたビーム
が記録部材の光導電性表面を横切って走査される。一般
に、ビームの走査は正多角形等の多面回転部材を使って
実施される。

変調を行うため、現在の変調器は一般にガラス又はテル
ル二酸化物から成る０しかしこのような変調器は、制限
された帯域中を有し、電力消Ｓｔ力ｉ大きい０ この種のスキャナでは、スキャナ記録部材の所望な斜出
レベルを得るべきであるなら、特に好ましくない像パッ
クグランドが消去されるべきであるなら、記録部材で一
定の最小強度レベル≠（得られねは外らない。そのため
、変調器によって伝送される走査ビームの強度は、例え
ば変調器やその他系の桐成部品における無効性や非点収
差に基く系中の光州を相殺するのに充分でなければなら
ない。最も厳しい解像度モード、つまりハーフトーン印
刷にとって不可欠な／ピクセルオン／／ピクセルオフの
像ＡＩエタノン動作される一般的なパルス像形成スキャ
ナの場合、走査ビームの中心帯域と７次の上下側帯域が
伝送される必要があシ、変調器の帯域中能力がこれを行
うのに充分でなければいけない。ψに、走査エレメント
の面上でビームをトラックするのが好ましく、これは追
加の変調器帯域中を必要とする。

一般的な現在の音響−光学変調器は、ガラス又はテルル
ニー酸化物（Ｔ＠０２）から成る。しかし、これら材料
の基本的逐物質特性のため、これら変調器の動作帯域中
れ制限されておシ、又との種変調器は走査ラインにわた
って必要な強度の走査ビームを伝送し、高速、・高解像
度の像形成に必要な周波数を達成しなから面トラッキン
グを可能とするのに要する帯域中能力を持たない。

（発明の目的と構成） 本発明は上記の問題を解決し、高速／高解像力の走査が
可能であると同時に変調器の動力消費を大巾に減少し得
る改良形変調器を提供するもので、変調器は記録部材、
高強度の電磁放射ビーム、及び配録部材とビームの間に
介在され、ビームを遮断し配録部拐を横切ってビームを
繰返し走査するための複数の面を有する回転走査エレメ
ントを有するスキャナと組合され７更に該変調器は少く
とも５００．ＭＨｚの周波数で動作可能で、像信号の超
高速処理を与えると共に、記録部材上での同時高速印刷
を可能とする実質上純粋な非ドープリン化ガリウム結晶
から成シ、該変向体結晶は中心帯域と一緒に７次対の上
下側帯域を捕えるため解像モードで動作されるノクルス
像形成スキャナに対し比較的広い帯域を有し、スキャナ
記録部材に充分な光強度を与えて、記録部材を嬉出させ
ると共に像を与え；走査エレメントの面が記録部材上へ
の走査のため、中心帯域及び少くとも７次対の上下側帯
域を捕えるのに充分な回申を有する。

（発明の実施例） 回向中特に第１．−図を参照すれば、本発明の改良形音
曽−光孝変調器を具備するのに適した型で、番号１０に
よってその全体を表わした具体例としてのラスタースキ
ャナが示しである。ラスタースキャナ１０けラスター出
力スキャナ（ＲＯ５）型スキャナから成り、変調器１２
により像信号に従って変調された高強度放射つまり光の
ビーム１３が、記録部材１８の光導電面１９を横切って
走査され、記録部材を像の形状に露出する。記録部材１
８は、適切な駆動手段（図示せず）によって矢印１１で
示すように、低速走査すなわちＹ方向に移動されている
。尚、各種のゼログラフィツク及び非ゼログラフィック
記録表面を使用することができる。例えば記録部材１８
は、ドラム、ベルト、グレート、光感知性フィルム、被
覆紙ウェブ又は切断シート等で構成し得る。ビーム１３
は、レーザ１６等電磁放射の適切なビーム源から得られ
る。

当業者には明らかなように、一般的な現在の変調器はビ
ーム１３の進路を横切って配置されたガラス（独国マイ
ンツ所在のＳｃｌ’ｔｏｔｔ　Ａｎｄ　Ｇｅｎｅ社製Ｓ
Ｆ−ｇ変調器等）又はテルルニ酸化物（ＴａＯ２）等の
適切な光学材料から成るブロック状エレメント２０で構
成されている。変換素子２１が変調器エレメント２０の
一面に結合され、変換素子２１で発生された音響波（番
号２２　、２２’　で示す）がビーム１３の軸と略直角
な軸に沿ってエレメント２０中を伝播する。適切な「、
ｆ１発生器２４はライン２５を介し適切な信号ミキサー
２６の一人力に接ＰｉＦ、された出力を有し、ミキサー
２６の出力がライン２７と増巾器２Ｂを介し変換素子２
１０入力に接続されている。任意の適切なソースつまり
通信チャネル、メモリ等から得られる像信号は、ライン
２９を介しξキサー２６の別の入力に接続される。

第２図に示した変陶器は、ブラッグ（ｓｒａｇｇ）の１
１折モードで動作される。像信号の入力が１０＃の場合
、ミキサー２６が）れ止器２４の「、ｆ、出力を抑制す
るため、変調器エレメント２０内に非音響波（番号２２
で示す）が発生する。この状態で、ビーム１３は回折さ
れずにエレメント２０を通過し、０次ビーム１４として
轡、われる。一方像信号の入力が＠／＃の場合は、ミキ
サー２６が発生器２４の「、ｆ、出力を変換素子２１へ
導くため、変換素子２１によって発生された音響波（番
号２２’で示す）がエレメント２０を通過する。音４４
）波がビーム１３を、７次っまし書込みビーム１５に回
折する。図示の構成において、７次ビーム１５が暑込み
ビームとして使われるのに対し、０次ビーム１４は適切
なストツノ４３ｏに衝突する。

７次ビーム１５は像形成レンズ３２を通優し、回転正多
角形３５の形状をした走査エレメントの鏡面３４に入射
する。回転正多角形３５の鏡面で反射されたビーム１゛
５が記録部材１８の光導電面１９に入射し、正多角形３
５の回転動がビーム１５を高速走査つまシＸ方向に光導
電面１９を横切って実質上掃引し、各掃引毎に像ライン
を選択的に無用する。この結果、変調器１２に入力され
た像信号の内容に応じて、導電面上に静電潜像が形成さ
れる。

当業者には明らかなように、記録部材１８の光導電面１
９はビーム１５による蕗出に先立ちコロトロンによって
一様に帯電されている。ビーム１５による話出後、記録
部材１−８の光導電面１９上に形成された静電潜像１８
が現像され、紙等適切なコピー基材へ転写され、次いで
定着されて永久コピーを与える。転写後、光導電面１９
は清掃され、次の帯電前に残っている現像材を除去する
。

次に第３図を参照すると、・臂ルス像形成スキャナの分
野における通常の技術を有する者には明らかなように、
／ピクセルオン／／ピクセルオフ像パターンにおける変
調器１２の出力側に現われるｉＦ込みビーム１５の光分
布形状が、最大強度の主帯域（つまり中心帯域；番号１
５−０で示す）及び徐々に減少する強度の上下側帯域（
それぞれ番号１５＋１　、１５＋２　、　・・・・・−
１５＋ｎと１５−１゜１５−２．・・・・・・１５−ｎ
で示す）として表わしである。ノやルス像形成を可能と
し、最も厳しいスキャナ動作モードと一般に見なされて
いるもの（すなわチ／ビクセルオン／／ピクセルオフ像
パターン）を許容するためには、書込みビーム１５がビ
ームの主帯域１５−０とビームの７次上下側帯域１５＋
１．１５−１から成るのが極めて望ましい。

又それらの帯域を捕えるため、正多角形３５の各面３４
の巾Ｗは、主帯域及び７次の上下側帯域１５−０．１５
＋１．１５−１を充分に包含するものとされる。

主帯域の中心周波数を／ｅ　で表わせば、上下側帯域１
５＋１．１５＋２．・・・・・・１５＋ｎ及び１５−１
　、１５−２　、　＝　１５−　ｎの周波数／ｉｎはそ
れぞれ主帯域１５−０に対して次の関係からめられる： ａｎ　＝／ｃ±ｎル　、／＝ｌ／Ｔ 但しｓ　／ｖ　は主帯域から７次の上方（又は下方）側
帯域までの帯線分離周波数、■は連続する像信号間の時
間（Ｔは第２図に示す）である。

例えばｓ　Ｔ　＝　２　Ａ、Ａ　７　ｎ５ｅｃ　で俊信
号速度が７５　Ｍ　ｂｌｔｓ／ｓ＠ｃ　とすると、主帯
域と７次の上方（又は下方）側帯線間の帯域介離（／ｖ
・）は列６．乙りｎ５ｅｃ　つまり３り、５ＭＨｚと成
る。従って、７次の上下側帯域１５＋１．１５−１は主
帯替からそれぞれ＋３７Ａ；　ＭＨｚ　、　−３７，！
；　ＭＨｚだけ肇位し、コ次の上下側帯域１５＋２．１
５−２は主帯域から＋／　／　２．５　ＭＨｚ　、　−
／　／　２Ｊ　ＭＨｚだけ変位し、等々と成る。主帯域
１５−Ｏ及び７次の上下側帯＃１５＋１　、１５−１を
捕えるのに充分力面中Ｗ（周波ｅ範囲）を有する多角形
３５にとって必要な帯域中は、次の関係によってめられ
る：　Ｗ＝＝　／、２　Ａ；　（，２７Ｖ）ｏ従ってこ
の場合は、Ｗ＝２．！ｒ　／ｖ　＝　（２，３）　（３
７，３）　＝９　ｌｌＭＨｚ　である０ 空間的範囲の点から見ると、血中Ｗｓ　は次の式％式％
： 但し、λは光の波長、Ｆは（変―器と正多角形藺）の変
調器後方光学系の爽効焦点距ｆｉＶａ　は変調器内の音
速、１は正多角形の鏝面における光λ射角である。

正多角形を妥尚なサイズとし、ＲＯ９の性能を高めるた
めにけ、ビームが記録部材１８の光導電面１９を横切っ
て走査開始（ＳＯＳ）位置３７から走査中心（ＣＯＳ）
位置３８を通り走査終了（ＥＯ５）位置３９へと走査さ
れるとき、書込みビーム１５を正多角形３５の移動面３
４上でトラックするのが望ましい。これを行うには、第
１Ｉｆ’ｉ？１を参照すれば明らかなように、追加の帯
域が必要である。すなわち、第１の例において主帯域１
５−〇と７次の上下側帯域１５＋１．１５−１から成る
Ｎ込みビーム１５を与えるのに約９　ｌｌＭＨｚの帯域
中を賛するとすれば、面が薔込みビーム１５をトラック
するのに、すなわちビーム１５が移動面に入射する点を
変位させ、ビーム入射点を実質上固定した面上に保持す
るのに、更に追加の帝城巾７　ｊ；　ＭＨｚが必要であ
る。従ってこ＼で論じている側において、所要強度の書
込みビーム１５を与え、ビームを正多角形３５の移動面
３４上でトラックするのに必要々全帯域中は、約／　６
９　ＭＨｚ（つまり９　’ｌ　ＭＨｚ　＋７　！ｒ　Ｍ
Ｈｚ　）となる。

高速、高解像力の像形成を可能とするためには、り０θ
ＭＨｚ又はそれ以上の中心周波数／ｃ　が望ましい。第
り図には、ＣＯ５位置における中心周波数をＳＯθＭＨ
ｚとした場合における上下側帯域周波数ｆ土、とＳＯ５
及ＥＯ８位置３７．３９における中心周波数がそれぞれ
示しである。

特に第Ｓ図を参照すると、一般的なガラス変調器（番号
４２で表わす）とＴｅ　Ｏ２変調器（番号４３で衣わす
）についてのブラッグ回折の強度曲線が示しである。同
図から明らかなように、強度的＃４１４２　、４３．特
にガラス変調器についての強度曲線４２は比較的狭い。

この結果、一般的な動作強度レベル（つまり相対強度０
．９）で得られる帯域中は制限されている。すなわちガ
ラス変調器の場合（曲線４２）の帯域中は約３７　ＭＨ
２、Ｔ＠１０２変調器の場合（曲線４３）の帯域中は約
９３　ＭＨｚである。

第６，７１菌には、上記のガラス及びＴｅＯ□　変調器
で得られる制限された帯域中の影響が各々示しである。

図中ガラス及びＴｅ　Ｏ２変調器における露出分布は極
めて厳しい／ビクセルオン／／ビクセルオフ像ノ母ター
ンについて示してあり、ＳＯＳ。

ｃｏｓ及びＥＯ５の各位置３７，３８．３９についてそ
れぞれプロットされている。線４５が、像のパックグラ
ンド領域における記録部材１８の光導電面１９で最適な
放電をもたらし、好ましくないパックランドを取除くの
に必要と一般に考えられる露出レベルを表わしている。

ガラス＃訳器の醋出分布から明らかなように、この場合
最適なパックグランド露出に必要な強Ｖレベルはｓｏｓ
　、ｃｏｓ又ＥＯ５位敏のいずれにおいても達せられて
いない。他方一般的なＴｅ　Ｏ２変調器の場合、量適な
ノぐツクグランド露出に必要な強度レベルはｓｏｓとｃ
ｏｓでのみ達せられているが、ＥＯ８位置では達せられ
ていない。

更に、ガラスとテルル二酸化物の物質特性により、この
糧の変調器は変換素子から発生された音響音場の強い吸
収物となる傾向を有する。音４ｆ吸収は周波数の平方と
略比例しているので、変調器材料の音響吸収が高け−れ
は使用可能な音響周波数はそわだけ低くなる。又ｓｆ’
）ラグ変調器の帯域中は音響中心周波数に比例している
。その結果、ガラス及びテルル二酸化物の両変調器につ
いて上記の帯域中３７ＷＩＨｚ、９３ＭＨｚをそれぞれ
達成するのに必要なガラス及びテルルニ瞬化物型変調器
の量適中心周波＃　（／Ｃ）　は比較的低く、一般にガ
ラスの場合／θｊ　ＭＨｚ　、テルル二酸化物の場合２
４　ｋ　ＭＨｚである。すなわち、高速・高解像力の走
査に必要な約ＳθＯＭＨｚという高周波数の音響駆動は
使用不能である。

上記から明らかと思われるが、高速・高解像度の像処理
用であると同時に１移動する正多角形上における書込み
ビームの所望な面トラッキングを可能とする上述のよう
なガラス及びＴｅＯ２型変調器等現在使われている従来
の変調器の有用性は、これらの型の変調器に固有な材料
と帯域中の制限によって制約されている。更に、現在使
われている変調器の電力消費は比較的大きい。例えば、
上記ガラス型変調器の場合、変調器を駆動するのに必要
が電力は約−ワットである。又Ｔ＠　０２　型変詞器の
場合、変調器を駆動するのに必要な動力は約／ワットで
ある。

当然理解されるごとく、帯域中が高まることによる顕著
な利点は、変調器の能力がより高速でより多くのデータ
を処理できるようになることにある。インチ毎のスイッ
ト数が増加するため、配録部材でのビームスポットサイ
ズが小さくなり、従って面サイズが増大し、より高い変
調器の帯域を必要とする。

次に図面の第ｇ、９図を参照すれば、番号１２’で全体
を示した本発明の改良形変調器が示しである。ｆａ器１
２’　は、前述したガラス及びＴｅＯ２型変調器等の現
在使われている変−器より著しく大きい帯域でｓ　！；
　００　ＭＨｚ又はそれより高い中心周波数において動
作可能であシ、このためよシ小さいスポットサイズを用
いよシ高速で像データを処理することができる。更に、
変調器１２’　は大巾に少い電力つまシ約ｏ、ｌＩワッ
トでよく、赤外域において伝送可能である。

第ざ、９図において、変調器１２’　の結晶基板５０は
高純度（非ドープ）のリン化ガリウム（ＧａＰ）結晶又
は幾分ｎ−ドーグされた材料で、好ましくけ３×ｌ０ｃ
ＩＩＬ　以下のキャリア１１とダＸ　／　０”　ｃｒｎ
−２以上の転位密劇を有する材料から成る。全体がほぼ
矩形状の基板５０は、レーデビーム１３が入射する研磨
入力面５１と０次及び７次両ビーム１４．１５がそれぞ
れそこから出射する研磨出力面５２を有する。基鈑５０
の側面５３は、音ψ反射を抑制するため斜めにカットす
るのが好ましい。

例えばリチウムニオブ酸塩（ＬｉＮｂｏ３）　から成る
ピエゾ電気変換素子６０が設けられ、該変換素子６０は
頂部及び反対電極６３．６４の間に挾持されている。所
望の高い中心−波数／Ｃ（っま）りθθＭＨｚ　）を得
るため、ピエゾ電気変換素子６０は極めて薄く、約７．
４ｔμｍの厚さを有する。

反対ｖＬ極６４は、基板５０の側面５５上に付着された
クロム−金又はニッケルークロム合金から成るのが好ま
しい。反対電極６４はインジウム（Ｉｎ）又はスズ（Ｔ
Ｉ）から成る適切な適合接着剤６１で変換素子６０へ結
合され、適合接着剤６１け両者間にトラップされた埃等
のいかなる微粒子もが極めて薄いピエゾ電気変換素子６
０を歪ませるのを防ぐ役割を果す。結合力を高めるため
、変換素子６０が基板５０へ圧着される前に、クロム・
−金又はニッケルークロム合金を変換素子６０上に付着
してもよい。頂部ｔｌＩｉ、６３は、ピエゾ電気変換素
子６０の外表面上に付着させた金から成るのが好ましい
〇 ピエゾ電気変換素子６０は２車ラインコネクタ６８によ
って増巾器２８の出力側へ電気的に接続され、コネクタ
６８の一方のリード６９は頂部電極６３へ電気的に接続
されている。アースリードの役割を果す他方のり−ド７
０は、反対電極６４へ電気的に接続されている。

第１θ図を参照すると、変調器１２′　を用いた場合の
露出分布が、従来形のガラス及びＴｅ　Ｏ２変調器につ
いて先に示したのと同じ最も厳しい／♂クセルオン／／
ビク七シルオフ像パターン関し。

それぞれｓｏｓ　、ｃｏｓ及びＥＯ８（７）各位［３７
１３８，３９につきプロットしである。同図から明らか
なように、変調器１２’　で得られる露出レベルはｓｏ
ｓとｃｏｓの駒位置３７．３８について、最適なパック
グランド除去（ライン４５で表わす）に必要なレベルを
けるかに上回っている。又変調器１２′　で得られる捲
出レベルは、ＥＯ８位置３９についてもガラス及びＴｅ
Ｏ２型変調器で得られるレベルよりはるかに高く、Ｅｏ
ｓ位置について変調器１２１　で得られる露出レベルは
最適なパックグランド除去に必要な露出レベルと略等し
い。

Ｅに、変調器１２′　によって得られる走査線の横断方
向に沿った像の一様性と像のコントラストは、ガラス及
びＴｅＯ２型変−器で得られるものより大巾に優れてい
る。

再び第９図を参照すると、変り鳩器１２’　による回折
強度曲線が番号４９で示しである。これから明らかなよ
うに、変−器１２’　の帯域中は約／７ＳＭＨｚで、現
在最良の変調器つｔねＴｅｏ２　型置―器の略コ倍であ
る。

以上本発明を例示の構造を参照して説明したが、本発明
は上述の詳細に限定されるものでなく、特許請求の範囲
に記載の範囲に入る変更や変形も本発明に含まれるもの
である。

【図面の簡単な説明】

第１図は像信号の入力に応じて走査ビームを質請する音
響−光学型置１ｌｌｌｌ器により、記録部材の光導電面
を楊切って高強奪のビームを走査するための回転正多角
形を備えた具体例としてのラスター出力スキャナーを示
す概略図； 第２図は第１嫡に示したスキャナーの変調器部分の拡大
図； 第３図はスキャナ正多角形の一面の拡大図で、走査ビー
ムの中心弗域と７次の上下側帝城を示す図； 第ｑ図線第３図に示した正多角形の面の別の図で、面を
横切ってビームを走査する面トラッキングの結果を示す
図； 第Ｓ図はガラス及びテルル二酸化物等一般的な変調器の
周波数応答を本発明の変調器と比較したグラフ； 第６図は一般的なガラス型変調器に関する／ビク士ルオ
ン／／ピクセルオフ像ノリーンの露出プロットで、走査
ビームの露出を走査線に沿った各点につきパックグラン
ドの除去に必要な最適強度レベルと比較ｌ−た図； 第７図は一般的なテルルニ酔化物型変調器に関する／ピ
クセルオン／／ピクセルオフ像パターンの露出プロット
で、走査ビームの露出を走査線に沿った各点につきパッ
クグランドの除去に必要な最適強度レベルと比較した図
； 第ｇ図は本発明の変１＃器の拡大等角投影図；第９図は
第ｇ図に示した変調器の断面図で、変換素子の構造を詳
細に示す図；及び 第７０図は本発明の変調器に関する／ピクセルオン／／
ビクセルオフ像パターンの露出プロットで、走査ビーム
の露出を走査線に沿った各点につきノ々ツクグランドの
除去に必要な最適強度レベルと比較した図である。 ｌＯ・・・・・・スキャナ、１２′・・・・・・変調器
、１３・・曲ヒーム、１８・・・・・・記録部材〜、２
４・・・・・・・・・標準信号発生手段、２６・・面信
号混合手段（ミキサー）、２９・・曲第１接続手段（ラ
イン）、３４・・・・・・走査エレメントの面、３５・
・四走査エレメント（回転正多角形）、５ｏ・・曲結晶
基板、６０・・・・・・ピエゾ電気変換素子、６１・・
・・・・第１１接続手段（接着剤）、６３．６４・・曲
電極、６９・・・・・・第、２接続手Ｒ（リード）、７
ｏ・曲・第３接続手段（リード）％　ｗ・・曲面中。 ＦＩＧ、　３ ＦＩＧ、　４ ＦＩＧ５ “ｃＩｆＩ誘ｆｊ ―　安策〜橢■

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ｌ　記録部材を走査し該記録部材上に像を生成する解像
   モードで動作可能であシ；高強度の電磁放射線ビームを
   出力し、上記記録部材とビーム間に介在された回転走査
   エレメントを含み、該走査エレメントがビームを遮断し
   記録部材を横切ってビームを繰返し走査するための複数
   の面を有するノ４ルス像形成スキャナにおいて：像信号
   に応じて上記ビームを変調し、像信号の信号内容に応じ
   て上記記録部材上に像を形成する音響−光学型置■器を
   備え、この変陶器が、実質上純粋な非ドーグ・リン化ガ
   リウム結晶から成）、少くともＳθθＭＨｚの中心動作
   周波数を有し、高速・高解像縦走査のため像信号に応じ
   てビームの高周披変刺を可能にし、更にビームの中心帯
   域と少くと吃ビームの上、下側波帝埴を捕えるため約７
   ９！ｒｅ＆４χの動作帯域中を有し、走査エレメント面
   におけるビームの面トラッキングを可能としながら、記
   録部材を上記高層周波数で露出するのに充分な強度を与
   えており、上記走査エレメント面が、ビームの中心及び
   １次の上下１１ｔＩＩＦ帯域を捕えるのに充分な回申を
   有し、強度を損わすにビームを記録部材を横切って走査
   していることを特徴とするスキャナ。 コ、前記結晶に動作接続されたピエゾ電気変換素子； 少くとも３００　ＭＨｚの周波数で安定状態の標準信号
   を生ずる信号発生手段； ７つの入力が上記信号発生手段の出力に接続された信号
   混合手段； 前記像信号用像信号源； 上記信号混合手段の他の入力に像信号源に接続する第１
   の手段７ 上記信号混合手段が信号発生手段から出力された標準信
   号を像信号源から出力された像信号に組合せ、変調駆動
   信号を与えるとと；及び上記信号混合手段の変調駆動信
   号出力を上記結晶へ接続することによシ、結晶が像信号
   に応じて結晶中を通る高周波の音曹波を発生するように
   成す第コの手段； を備えた特許請求の範囲第１項記載のスキャナ。 ３　前記変換素子がメタル電極間に挾持された薄いピエ
   ゾ層から成り； 前記第コ接続手段が信号混合手段を上記電極の一方に接
   続し； 第３の手段が上記電極の一方を前記結晶に接続し；更に
   、 第ダの手段が他方の電極を結晶に接続し、上記ピエゾ層
   と他方の電極間における異物の存在に伴う薄いピエゾ層
   の歪みを避けるため適合接着剤から成る； 特許請求の範囲第一項記載のスキャナ。 ｊ　入力される高周波の像信号に応じて高強度の走査ビ
   ームを変調し、高速の走査及び像処理を可能とする・千
   ルス像形成及びその他の高速・高解像度スキャナで使用
   するのに適した改良形音響−光学変調器であってニ リン化ガリウム結晶材料から成る基板で、該リン化ガリ
   ウム結晶材料が実質上非ドープで、上記走査ビームの複
   数帯域を通過させると共に、少くともＳθθＭＨｚの周
   波数において変Ｖ＠器が駆動するのを可能として上記の
   高速を達成するのに充分な帯域中能力を与える基板；及
   び上記結晶の一壁面に動作接続され、上記像信号に応じ
   て変調された高周波音波を結晶内において、上記ビーム
   が結晶に入射する方向と略直角な軸に沿って発生さる薄
   層のピエゾ電気−音を変換素子； を備えた変調器。 左　前記帯域中能力が少くとも／θＯＭＨｚである特許
   請求の範囲第ダ項記載の変調器。 ム　異物粒状体が前記変換素子と結晶間にトラップされ
   た場合に変換素子が変形するのを防ぐため、変換素子と
   結晶間に適合接着剤を含んだ特許請求の範囲第グ項記載
   の変調器。