JPS60139649A - ヒドロキシルアミンの製造方法 - Google Patents
ヒドロキシルアミンの製造方法Info
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- JPS60139649A JPS60139649A JP59256599A JP25659984A JPS60139649A JP S60139649 A JPS60139649 A JP S60139649A JP 59256599 A JP59256599 A JP 59256599A JP 25659984 A JP25659984 A JP 25659984A JP S60139649 A JPS60139649 A JP S60139649A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は次式で表わせるヒドロキシアルアミンの製造方
法に関する。
法に関する。
ＨＯＨ
化合物Ａにおいて、基Ｒ，、Ｒ２，Ｒ，ｅＲ４およびＲ
５はそれぞれ水素原子、ヒト四キシ基、ハ、ｐグン原子
、炭！原子１１［１〜２０の直鎖または盆枝鎖アルキル
基、炭素原子Ｐ１〜２０のアルコクシ基、＆βａペンチ
ル基、シクロでキシル基、フェニル基、）予ニルアルキ
ルｔｆｔＦｉアルキルフェニル基（このアルキル基は１
−７６個の炭素原子をもっている）ｔたはべざゼン環の
隣接する炭素原子に結合し、た基Ｒ，，Ｒ２，Ｒ，，Ｒ
４ｔたはＲ５の２つがそれらが結合しているペン、ゼン
環の２つの炭素Ｍ−ｆ−と共にこのベンゼン環とオルト
縮合している第２のべ、ンゼン環倉ｙ！威している。
５はそれぞれ水素原子、ヒト四キシ基、ハ、ｐグン原子
、炭！原子１１［１〜２０の直鎖または盆枝鎖アルキル
基、炭素原子Ｐ１〜２０のアルコクシ基、＆βａペンチ
ル基、シクロでキシル基、フェニル基、）予ニルアルキ
ルｔｆｔＦｉアルキルフェニル基（このアルキル基は１
−７６個の炭素原子をもっている）ｔたはべざゼン環の
隣接する炭素原子に結合し、た基Ｒ，，Ｒ２，Ｒ，，Ｒ
４ｔたはＲ５の２つがそれらが結合しているペン、ゼン
環の２つの炭素Ｍ−ｆ−と共にこのベンゼン環とオルト
縮合している第２のべ、ンゼン環倉ｙ！威している。
゛ 化合物ＢＩＣおいて基ＲＦｉ、炭素原子数１〜２４
の直鎖ｔたは分枝鎖および／または環状アルキル基を示
す。 。
の直鎖ｔたは分枝鎖および／または環状アルキル基を示
す。 。
基Ｒ１〜Ｒ５またはＲが炭化水素含有基である場合にお
いて、それらは不飽和結合をもつことができ、またアミ
ノ、ヒト四キジルア号ノ、ア、□ ミド、シアノ、とドルキシ、アルコキシ、力ｉホキシル
、オキシカルボニル、′カルボキシ、スルホキシドおよ
びスルホン、のような置換基をもつことができる。基Ｂ
、〜ｐｓｔｆｃｈＲは結合してポリマー構造り一部を形
成してもよい。
いて、それらは不飽和結合をもつことができ、またアミ
ノ、ヒト四キジルア号ノ、ア、□ ミド、シアノ、とドルキシ、アルコキシ、力ｉホキシル
、オキシカルボニル、′カルボキシ、スルホキシドおよ
びスルホン、のような置換基をもつことができる。基Ｂ
、〜ｐｓｔｆｃｈＲは結合してポリマー構造り一部を形
成してもよい。
芳香族ヒト四キシルアミンムは不活性溶媒、白金触媒お
よび窒素含有塩基の存在下に対応するニトセ＃導体を水
素化することによ９得られる。このプロセスは米国特許
明細１第４．９２７１０１号によシ知られている。仁の
特許にはヒドロキシルアミンを十分に高収率で得るため
には有機塩基対工）ａ化合物の重量比は０．１ ： １
以上、好ましくＦｉｏ、５：１．〜５：１とすべきであ
る。と記載されている。
よび窒素含有塩基の存在下に対応するニトセ＃導体を水
素化することによ９得られる。このプロセスは米国特許
明細１第４．９２７１０１号によシ知られている。仁の
特許にはヒドロキシルアミンを十分に高収率で得るため
には有機塩基対工）ａ化合物の重量比は０．１ ： １
以上、好ましくＦｉｏ、５：１．〜５：１とすべきであ
る。と記載されている。
さらに、塩基を少量使用すると水素化反応をヒドロキシ
ルアミン段階で停止することが不可能になると記載され
ている。水素化反応終了後、有機塩基は除去しなけれは
ならない。」：記大量の有機塩奉を使用する仁とによっ
てヒドロキシルアミンを単離する際に問題があることが
見出されている。 ・ 上記プロセスにお−て、窒素含有塩基をニトｐ＃導体の
量を基礎として計算して１０重量％未満の量存在させ、
かつ水素化を三価ｔたは三価の有機リン化合物の存在下
に行うことＫよ〕当量またはそれ以上の収率でヒドロキ
シルアミンを得ることができるということが見出された
。
ルアミン段階で停止することが不可能になると記載され
ている。水素化反応終了後、有機塩基は除去しなけれは
ならない。」：記大量の有機塩奉を使用する仁とによっ
てヒドロキシルアミンを単離する際に問題があることが
見出されている。 ・ 上記プロセスにお−て、窒素含有塩基をニトｐ＃導体の
量を基礎として計算して１０重量％未満の量存在させ、
かつ水素化を三価ｔたは三価の有機リン化合物の存在下
に行うことＫよ〕当量またはそれ以上の収率でヒドロキ
シルアミンを得ることができるということが見出された
。
リン化合物またはニド四誘導体の量に対して１０重量％
未満の量の窒素含有塩基のみを使用した場合にけ、単離
されるヒドロキシルアミンの収量は本発明の方法によっ
て得られるものに比較して著しく低下するということが
見出されｃＯ 特開昭５７−５００９．６号に社この種類の反応におい
て三価のリン化合物を使用する仁とが記載されていると
いう仁とを付轄加えておく必要がある。しかしこの公報
は本発明の窒素含有塩基との組合せについて言及してい
表い。さらに米国特許第５，４４１，６１０号に＃ｉミ
ニトロアルカンＮ−アルキル−ヒドロキシルアきンに触
媒水素化することが記載されている。硫酸水溶液と不混
和性有機溶媒の二相ｉ系で、回収されたパラジウム触媒
と、鉄、ニッケルまたはコバルトの陽イオンが使用され
ている。このような酸性媒体においては触媒の損失は相
邑瀝ものとなシ、装置は激しい腐食を受ける。本発明に
よればこのような欠点が取シ除かれる。
未満の量の窒素含有塩基のみを使用した場合にけ、単離
されるヒドロキシルアミンの収量は本発明の方法によっ
て得られるものに比較して著しく低下するということが
見出されｃＯ 特開昭５７−５００９．６号に社この種類の反応におい
て三価のリン化合物を使用する仁とが記載されていると
いう仁とを付轄加えておく必要がある。しかしこの公報
は本発明の窒素含有塩基との組合せについて言及してい
表い。さらに米国特許第５，４４１，６１０号に＃ｉミ
ニトロアルカンＮ−アルキル−ヒドロキシルアきンに触
媒水素化することが記載されている。硫酸水溶液と不混
和性有機溶媒の二相ｉ系で、回収されたパラジウム触媒
と、鉄、ニッケルまたはコバルトの陽イオンが使用され
ている。このような酸性媒体においては触媒の損失は相
邑瀝ものとなシ、装置は激しい腐食を受ける。本発明に
よればこのような欠点が取シ除かれる。
本発明は対応するニド四誘導体を選択的に触媒水素化す
ることによって構造式ＡｔｆｃはＢで示されるヒドロキ
シルアミンを触媒選択的に製造する方法に関する。白金
含有触媒を使用することに伴って生じる問題に、ニトロ
鍔導体が水素化段階においてアミンｋまで還元されるの
を防止するということである。本発明の７′ロセスはこ
のような周知のプロセスの欠点を示すことがない１０七
スを提供するものである。
ることによって構造式ＡｔｆｃはＢで示されるヒドロキ
シルアミンを触媒選択的に製造する方法に関する。白金
含有触媒を使用することに伴って生じる問題に、ニトロ
鍔導体が水素化段階においてアミンｋまで還元されるの
を防止するということである。本発明の７′ロセスはこ
のような周知のプロセスの欠点を示すことがない１０七
スを提供するものである。
有機リン化合物としては三価また社三価の化合物を伴用
することかできる。三価のリン化合物が好ましい。適切
なリン化合物の例としては置換基を有するかｔたは置換
基を有しないアリールまたはアリールオキシ基を含む三
価の化合物が挙げられる。好ましくはアリール基および
アリールオキシ基はフェニルおよびフェニルオキシ基で
ある。このようなリン化合物の例として岨トリフェニル
ホスファイ□ト、ジメチルフェニルホスファイト、トリ
フェニルホスホナイト、）リ−ｐ−り四ロフェニルホ哀
ホナイト、トリーｐ−ニトロフェニルホスホナイトおよ
びトリクレジルホスホナイトが挙けられる。ジ７工二ル
ホスファイト、ジーｐ−り０ｏフエニルホスフアイト、
ジーｐ−ニトロフェニルホスファイトシヨヒジーｐ−メ
チルフェニルホスファイトも適切表リン化合物である。
することかできる。三価のリン化合物が好ましい。適切
なリン化合物の例としては置換基を有するかｔたは置換
基を有しないアリールまたはアリールオキシ基を含む三
価の化合物が挙げられる。好ましくはアリール基および
アリールオキシ基はフェニルおよびフェニルオキシ基で
ある。このようなリン化合物の例として岨トリフェニル
ホスファイ□ト、ジメチルフェニルホスファイト、トリ
フェニルホスホナイト、）リ−ｐ−り四ロフェニルホ哀
ホナイト、トリーｐ−ニトロフェニルホスホナイトおよ
びトリクレジルホスホナイトが挙けられる。ジ７工二ル
ホスファイト、ジーｐ−り０ｏフエニルホスフアイト、
ジーｐ−ニトロフェニルホスファイトシヨヒジーｐ−メ
チルフェニルホスファイトも適切表リン化合物である。
極めて適切なリン化合物は１〜２０個の炭素原子を含む
プルキルまたはアルコキシ基を有するものであふ。特［
８１Ｌいものはトリアルキルホスフィンおよびトリアル
キルホスファイトであって、仁のアルキル基は１〜２０
個の炭素原子を含んでいる。これらの例としてはトリメ
チルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリイソプセ
ビルホスフィン、トリメチルホスフィン ％、 ＩＩ
＋−々手ルホスフインー トリオクタデシルホスフィン
、トリメチルホスファイト、トリエチルホスファイト、
トリイソ７”ロビルホスファイト、トリブチルホスファ
イト、トリへキシルホスファイト、トリへ１チルホスフ
アイト、トリオクチルホスファイト、トリノニルホスフ
ァイト、トリデシルホスファイトおよびトリラウリルホ
スファイトがある。これらのうち最も好ましいものはア
ルキル基が１〜６個の炭素原子を含む化合物であシ、特
に好ましいものはトリエチルホスファイト、トリイソフ
ーロビルホスファイトおよびトリブチルホスファイトで
ある。
プルキルまたはアルコキシ基を有するものであふ。特［
８１Ｌいものはトリアルキルホスフィンおよびトリアル
キルホスファイトであって、仁のアルキル基は１〜２０
個の炭素原子を含んでいる。これらの例としてはトリメ
チルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリイソプセ
ビルホスフィン、トリメチルホスフィン ％、 ＩＩ
＋−々手ルホスフインー トリオクタデシルホスフィン
、トリメチルホスファイト、トリエチルホスファイト、
トリイソ７”ロビルホスファイト、トリブチルホスファ
イト、トリへキシルホスファイト、トリへ１チルホスフ
アイト、トリオクチルホスファイト、トリノニルホスフ
ァイト、トリデシルホスファイトおよびトリラウリルホ
スファイトがある。これらのうち最も好ましいものはア
ルキル基が１〜６個の炭素原子を含む化合物であシ、特
に好ましいものはトリエチルホスファイト、トリイソフ
ーロビルホスファイトおよびトリブチルホスファイトで
ある。
本発明忙使用することができるリン化合物の他の例とし
ては三塩化リン、ジメチルホスホクロリダイト、ジエチ
ルホスホクロリダイトおｉびヘキサメチルリン酸トリア
ミドがある。最後の２つの化合物は窒素含有塩基とリン
化合物の機能が組合わされている。このような化合物を
使用する場合、他の窒素含有塩基の倉を減らすことがで
きる。
ては三塩化リン、ジメチルホスホクロリダイト、ジエチ
ルホスホクロリダイトおｉびヘキサメチルリン酸トリア
ミドがある。最後の２つの化合物は窒素含有塩基とリン
化合物の機能が組合わされている。このような化合物を
使用する場合、他の窒素含有塩基の倉を減らすことがで
きる。
もちろん上記リン化合物の混合物も使用する体の量を基
準として、リン化合物０．１〜５重量％、好ましくは０
．２〜２．０重量％、さらに好ましくは０．３〜１．０
重量％を含むべきである。
準として、リン化合物０．１〜５重量％、好ましくは０
．２〜２．０重量％、さらに好ましくは０．３〜１．０
重量％を含むべきである。
適切な窒素含有塩基はアンモニア、モノアルキルアミン
、ジアルキルアミン、トリアルキルアミン、モノアルカ
ノールアミン、ジアルカノール、トリアルカノールアミ
ン、モノ−、ジーｔ＋はトリーアリールアミン、（ポリ
）アルキレンポリアミン、ピロリジンおよびピペリジン
（ピロリジンおよびピペリジンは１〜４１１！’１７）
炭素原子を有する１個ま＊ｉｔ２個のアぶキル基によっ
て置換されていてもよく、また置換“されていなくても
よい）およびピリ”ジン′（１個以上のアルキル、アミ
ン、フェニルアルキルアミン、フェニルアミノまたはピ
ロリ”トン基によって置換されていてもよく、置換され
ていなくてもよい）がある。窪素含有塩基は一級、二級
および一級のアルキルおよび／まｆｃ＃′ｉプルカッ−
ルーを含むことができる。一般に上記特定ｉ″れ゛てい
ないアルキル基およびアへカノール基は１〜２０個、壓
ましく＃−ｉ１〜６個、最も好ましくは１〜４個の炭素
原子を含むことができる。
、ジアルキルアミン、トリアルキルアミン、モノアルカ
ノールアミン、ジアルカノール、トリアルカノールアミ
ン、モノ−、ジーｔ＋はトリーアリールアミン、（ポリ
）アルキレンポリアミン、ピロリジンおよびピペリジン
（ピロリジンおよびピペリジンは１〜４１１！’１７）
炭素原子を有する１個ま＊ｉｔ２個のアぶキル基によっ
て置換されていてもよく、また置換“されていなくても
よい）およびピリ”ジン′（１個以上のアルキル、アミ
ン、フェニルアルキルアミン、フェニルアミノまたはピ
ロリ”トン基によって置換されていてもよく、置換され
ていなくてもよい）がある。窪素含有塩基は一級、二級
および一級のアルキルおよび／まｆｃ＃′ｉプルカッ−
ルーを含むことができる。一般に上記特定ｉ″れ゛てい
ないアルキル基およびアへカノール基は１〜２０個、壓
ましく＃−ｉ１〜６個、最も好ましくは１〜４個の炭素
原子を含むことができる。
七ノー、ジーおよびトリーアルキルアミンの例と寺では
メチルアミン、エチルアミン、ンロビルアミン、ブチル
アジン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘゲチルア
ミン、オクチルアミン、ノニルアミン、オクタデシルア
ミン、ジメチルてジン１、ジエチルアミン、ジプロピル
アミン、ジペンチルアミン、ジアキルアジン、ジエチル
アジン、ジオクチルアミン、ジデシルアミン、ジドデ、
ジルアミン、ジオクタデシルアミン、トリメチルアミン
、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリイソプ
ロピルアミン、トリブチルアミン、、トリペンチルアミ
ン、トリヘキシルアミン、トリへブチルアミン、トリオ
クチ５ル、アミン、トリー２−エチルヘキシルアミン、
トリデシルアミンおよびトリーオク、タデジルアミンが
ある。適切なモノ−、ジーおよびトリーアルカノールア
ミンとしては、１〜２０個、好ましくは１〜４個の炭素
原子を含むアルカノール基を有するものが挙げられ、る
。この例と、してはエタノールアミン、プロパツールア
ミン、ブタノールアミン、ジェタノールアミン、および
トリエタノールアミンがある。
メチルアミン、エチルアミン、ンロビルアミン、ブチル
アジン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘゲチルア
ミン、オクチルアミン、ノニルアミン、オクタデシルア
ミン、ジメチルてジン１、ジエチルアミン、ジプロピル
アミン、ジペンチルアミン、ジアキルアジン、ジエチル
アジン、ジオクチルアミン、ジデシルアミン、ジドデ、
ジルアミン、ジオクタデシルアミン、トリメチルアミン
、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリイソプ
ロピルアミン、トリブチルアミン、、トリペンチルアミ
ン、トリヘキシルアミン、トリへブチルアミン、トリオ
クチ５ル、アミン、トリー２−エチルヘキシルアミン、
トリデシルアミンおよびトリーオク、タデジルアミンが
ある。適切なモノ−、ジーおよびトリーアルカノールア
ミンとしては、１〜２０個、好ましくは１〜４個の炭素
原子を含むアルカノール基を有するものが挙げられ、る
。この例と、してはエタノールアミン、プロパツールア
ミン、ブタノールアミン、ジェタノールアミン、および
トリエタノールアミンがある。
適切なモノ−、ジーおよ６トリーアリールアミントシて
Ｉｄ、Ｎ、Ｎ−ジエチル−Ｎ−フェニルアミン、Ｎエチ
ル−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、
トリー〇−メチルフ千ニルアミン、トリー鵬−メチルフ
ェニルアミン、ト’）−ｐ−メｆルフェニルアミン、ト
リーベン。
Ｉｄ、Ｎ、Ｎ−ジエチル−Ｎ−フェニルアミン、Ｎエチ
ル−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、
トリー〇−メチルフ千ニルアミン、トリー鵬−メチルフ
ェニルアミン、ト’）−ｐ−メｆルフェニルアミン、ト
リーベン。
ジルアミン、Ｎ−ベンジル−Ｎ、Ｎ−シイチルアミン、
Ｎ−ベンジル−Ｎ、Ｎ −ジエチルアミン、Ｈ−ベンジ
ル−Ｎ、Ｎ−ジーイソグロビルア６ミン、Ｎ−ベンジル
−Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ブチルアミンお、よびＮ−ベンジル
−Ｎ、Ｎ−ジーｔａｒｔ、−ブチルアミンがある。適切
な（ポリ）アルキレンポリアミンにはエチレンジアミン
、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラアミン、
テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンへキサジン
がある。 − ピロシリン、および、ビでリジンならびに１〜４個の炭
素原子を有する１〜２個のアルキル基を含む＃換さ、れ
たピロリジンおよびピペリジンも使、用するこ、とがで
きる。これらの好ましい例としてはピロリジン、ピペリ
ジンおよびモノ〜、シー、トリーおよびテ、トシメチル
ピロリジン５ならびにピペリジンがある。
Ｎ−ベンジル−Ｎ、Ｎ −ジエチルアミン、Ｈ−ベンジ
ル−Ｎ、Ｎ−ジーイソグロビルア６ミン、Ｎ−ベンジル
−Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ブチルアミンお、よびＮ−ベンジル
−Ｎ、Ｎ−ジーｔａｒｔ、−ブチルアミンがある。適切
な（ポリ）アルキレンポリアミンにはエチレンジアミン
、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラアミン、
テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンへキサジン
がある。 − ピロシリン、および、ビでリジンならびに１〜４個の炭
素原子を有する１〜２個のアルキル基を含む＃換さ、れ
たピロリジンおよびピペリジンも使、用するこ、とがで
きる。これらの好ましい例としてはピロリジン、ピペリ
ジンおよびモノ〜、シー、トリーおよびテ、トシメチル
ピロリジン５ならびにピペリジンがある。
最も好ましいものは１個以上のアルキル、アミノ、フエ
ニ省、アルキルアミノ、フェニルアミノまたはピロリト
イ基（アクキル基Ｆｉｆｆましくけ１〜６個の炭素弓子
を含んでいる）によって置換さ些たピリジン！た＃′ｉ
置換されていない。
ニ省、アルキルアミノ、フェニルアミノまたはピロリト
イ基（アクキル基Ｆｉｆｆましくけ１〜６個の炭素弓子
を含んでいる）によって置換さ些たピリジン！た＃′ｉ
置換されていない。
ピリジンでめる。。、そ９例としてはピリジン、Ｎ−メ
チルピリジン、２，６−シイチルアジン、４−メチルア
ジン、４−７ミノビリジン、４−ジメチルアミン（リジ
ン、４−ジ−エチルアミノピリジン、４−ジグロビルア
ミノビリジン、４−ジブスルアミノビ、リジンおよび４
−ジフェニルアミノピリジンがある。ジアルキルアミノ
ピリジン、唇に４−ジメチルアミノピリジンが好ましい
・ もちろん上記窒素含有塩基の混合物も使用することがで
きる。反応混合物をニトロ誘導体の量を基準として窒素
含有塩基を１０重量％未満、一般に０．０５〜５％、好
ましくは０．１〜２％、さらに好ましくは０．２〜１％
含むべきである。
チルピリジン、２，６−シイチルアジン、４−メチルア
ジン、４−７ミノビリジン、４−ジメチルアミン（リジ
ン、４−ジ−エチルアミノピリジン、４−ジグロビルア
ミノビリジン、４−ジブスルアミノビ、リジンおよび４
−ジフェニルアミノピリジンがある。ジアルキルアミノ
ピリジン、唇に４−ジメチルアミノピリジンが好ましい
・ もちろん上記窒素含有塩基の混合物も使用することがで
きる。反応混合物をニトロ誘導体の量を基準として窒素
含有塩基を１０重量％未満、一般に０．０５〜５％、好
ましくは０．１〜２％、さらに好ましくは０．２〜１％
含むべきである。
出発物質であるニド目誘導体は次式で表される。
Ｏ２
化合物Ｃ，において基Ｒ１ｅＲ２＊ＲＢｅＲ４およびＲ
５はそれぞれ水素原子、ヒト四キシ基、Ｉｓロゲン原子
、１〜２０個、好ましくは１〜６個の炭素原子を有する
直鎖ｔたは分枝鎖のアルキル基、１〜２０個好首しくは
１〜６個の炭素原子を有するアル；キシ基、シクロペン
チル基、シクロヘキシル基、フェニル基、フェニルアル
キルｔｆｃはアルキルフェニル基（このアルキル基は１
〜６個の炭素原子を有している）またはベンゼン環の隣
接する炭素原子に結合した基Ｒ，，Ｒ２，Ｒ，。
５はそれぞれ水素原子、ヒト四キシ基、Ｉｓロゲン原子
、１〜２０個、好ましくは１〜６個の炭素原子を有する
直鎖ｔたは分枝鎖のアルキル基、１〜２０個好首しくは
１〜６個の炭素原子を有するアル；キシ基、シクロペン
チル基、シクロヘキシル基、フェニル基、フェニルアル
キルｔｆｃはアルキルフェニル基（このアルキル基は１
〜６個の炭素原子を有している）またはベンゼン環の隣
接する炭素原子に結合した基Ｒ，，Ｒ２，Ｒ，。
Ｒ４またはＲ５の２つがそれらが結合しているベンゼン
環の２つの炭素原子と共にこのベンゼン環とオルト縮合
し次第：のベンゼン環を形成している。化合物りにおい
で、基Ｒは１〜２４個の炭素原子を有する直鎖または分
枝鎖のおよび／ま７’（け環状のアルキル基を示す。
環の２つの炭素原子と共にこのベンゼン環とオルト縮合
し次第：のベンゼン環を形成している。化合物りにおい
で、基Ｒは１〜２４個の炭素原子を有する直鎖または分
枝鎖のおよび／ま７’（け環状のアルキル基を示す。
基Ｒ１〜Ｒ５まｆｃはＲが炭化水素含有基である場合に
おいてはこれらの基は不飽和結合をもつことができ、ま
たアミノ、アミド、ニトロ、ニドｐソ、シアノ、ヒト四
キシ、アルコキシ、カルボニル、オキシカルボニル、カ
ルボキシ、スルホキシドおよびスルホンのような置換基
を含むことができる。このような置換基が結合されてポ
リマー構造の一部を形成してもよい。
おいてはこれらの基は不飽和結合をもつことができ、ま
たアミノ、アミド、ニトロ、ニドｐソ、シアノ、ヒト四
キシ、アルコキシ、カルボニル、オキシカルボニル、カ
ルボキシ、スルホキシドおよびスルホンのような置換基
を含むことができる。このような置換基が結合されてポ
リマー構造の一部を形成してもよい。
芳香族ニトロ誘導体の例としてはニトロベンゼン、０−
ニトロトルエン、ｍ−ニトロトルエン、ｐ−工）Ｉｌｌ
）ルエン、ｐ−イソグロビルニトロベンゼン、鳳−ブチ
ルエトｐベンゼン、盲、５−ジメチル−（２または岬、
または、５）ニドｏ ＜ ｙゼン、曹、３，５−トリメ
チを−２−二トロベンゼン、４−ニドａ−ビフェ、ニル
、バ２クロロニドｐベンゼンおよび（１１ｆｃは２ｔ＊
祉３）二）Ｉｌ−フタレンがある。ニトロベンゼ／カ好
ましい。
ニトロトルエン、ｍ−ニトロトルエン、ｐ−工）Ｉｌｌ
）ルエン、ｐ−イソグロビルニトロベンゼン、鳳−ブチ
ルエトｐベンゼン、盲、５−ジメチル−（２または岬、
または、５）ニドｏ ＜ ｙゼン、曹、３，５−トリメ
チを−２−二トロベンゼン、４−ニドａ−ビフェ、ニル
、バ２クロロニドｐベンゼンおよび（１１ｆｃは２ｔ＊
祉３）二）Ｉｌ−フタレンがある。ニトロベンゼ／カ好
ましい。
脂肪族ニトロ化合物の例、とじ工はニドｐエタン、ニト
ロフ“ロパン、２−メチル−２−ニトセプｑパン、９−
二トｐ−９−メチル−言、６−デ触媒は白金を含むべき
でア舊゛、支持体に担持されていても、されていなくて
もよい。適切な担体材料はカーボンブラック、アルミナ
、シリカ、炭酸カルシウム、硫酸バリウムなどである。
ロフ“ロパン、２−メチル−２−ニトセプｑパン、９−
二トｐ−９−メチル−言、６−デ触媒は白金を含むべき
でア舊゛、支持体に担持されていても、されていなくて
もよい。適切な担体材料はカーボンブラック、アルミナ
、シリカ、炭酸カルシウム、硫酸バリウムなどである。
白金を担体に担持する場合、こ゛の触媒組成物は一般に
０．１〜２０、好ましくは１〜１０％の白、金！含んで
いる。、これらの弊媒仲この技術分野において周知の方
法、、、によｐ調造、することができる。一般に反応混
合物はニトロ誘導体の量を基１にトＬテｏ、００１〜５
重量％、好ましくＦｉｏ−、ｏｔ〜１重量％の白金を含
んでいる。
０．１〜２０、好ましくは１〜１０％の白、金！含んで
いる。、これらの弊媒仲この技術分野において周知の方
法、、、によｐ調造、することができる。一般に反応混
合物はニトロ誘導体の量を基１にトＬテｏ、００１〜５
重量％、好ましくＦｉｏ−、ｏｔ〜１重量％の白金を含
んでいる。
水素化反応は一般に不活性溶媒の存在下に行われる。使
用する溶媒はそれが形成されるヒトレキジルアミンと反
応しないものであるａシ特に制限°はない。適切な溶媒
は水、メタノール、エタノール、°プ四パノール、イソ
プ四パノールのような低級アルコール、゛・トルエンお
よびヘキサンのような芳香族および脂肪族炭化水素であ
る。低級アルコールが好ましい。上記溶媒の混合物４使
用する仁とができ、る。反応混合物は好ましく＃ｉ５〜
８０重量％の溶媒を含んでいる。
用する溶媒はそれが形成されるヒトレキジルアミンと反
応しないものであるａシ特に制限°はない。適切な溶媒
は水、メタノール、エタノール、°プ四パノール、イソ
プ四パノールのような低級アルコール、゛・トルエンお
よびヘキサンのような芳香族および脂肪族炭化水素であ
る。低級アルコールが好ましい。上記溶媒の混合物４使
用する仁とができ、る。反応混合物は好ましく＃ｉ５〜
８０重量％の溶媒を含んでいる。
選択的な水素化反応１４ｔ Ｏ−２，０００ｋＰａ、好
ましくｌ；ｉｌ ＤＯ〜５００ｋＰａの水素圧においテ
、Ｏｔ：’ 〜１５ ’ＯＣ’、好まし・く＃−１５Ｃ
〜５ｏＣにおいて行うことができる。
ましくｌ；ｉｌ ＤＯ〜５００ｋＰａの水素圧においテ
、Ｏｔ：’ 〜１５ ’ＯＣ’、好まし・く＃−１５Ｃ
〜５ｏＣにおいて行うことができる。
以下の実施例によシ本発明を説明する。
実施例１
メタノール８０−に溶解したニトロベンゼン２４．６
Ｊｌｌを６００−のオートクレーブに充填する。白金と
カーボンブラックからなル、白金３％を含む触媒ａ、５
５ｇを加える。次に０．ｌｊｌの４−ジメチルアミノピ
リジンと０．２５Ｉのトリブチルホスファイトをこのオ
ートクレーブ忙加える。次にこのオートクレーブを密封
し、真空ポンプを用いて空気を抜き取る。次いで４１４
ｋＰａｌｃｋいて１０Ｃで％時間水素化を行う。その後
理論量の水素が吸収される。Ｐｔ１０触媒を濾過した後
、濾液をロータリーエバポレーターを用いて４５〜５５
Ｃ（浴温）で減圧蒸留する。
Ｊｌｌを６００−のオートクレーブに充填する。白金と
カーボンブラックからなル、白金３％を含む触媒ａ、５
５ｇを加える。次に０．ｌｊｌの４−ジメチルアミノピ
リジンと０．２５Ｉのトリブチルホスファイトをこのオ
ートクレーブ忙加える。次にこのオートクレーブを密封
し、真空ポンプを用いて空気を抜き取る。次いで４１４
ｋＰａｌｃｋいて１０Ｃで％時間水素化を行う。その後
理論量の水素が吸収される。Ｐｔ１０触媒を濾過した後
、濾液をロータリーエバポレーターを用いて４５〜５５
Ｃ（浴温）で減圧蒸留する。
次に残った微量の溶媒をオイルポンプを用いて除去スる
。２０，５．９の粗ンエニルヒドロキシルアミンが得ら
れる。次に仁の粗生成物を７５−のへキサンで処理し、
次にこの混合物を攪拌し、濾過する。最終的に１７，７
１１の精製フェニルヒドロキシルアミンが得られる（収
率８１．２％、ｍ、ｐ、８１ Ｃ，工Ｒおよび１日の結
果も正しい）。
。２０，５．９の粗ンエニルヒドロキシルアミンが得ら
れる。次に仁の粗生成物を７５−のへキサンで処理し、
次にこの混合物を攪拌し、濾過する。最終的に１７，７
１１の精製フェニルヒドロキシルアミンが得られる（収
率８１．２％、ｍ、ｐ、８１ Ｃ，工Ｒおよび１日の結
果も正しい）。
比較例Ａ
以下の量の出発物質および実繍例１と同様の条件を用い
て４−ジメチルアミノピリジンの不存在下に水素化を行
う。
て４−ジメチルアミノピリジンの不存在下に水素化を行
う。
ニトロベンゼン ｌ ２．５．９
メタノール ４０ シ
トリ−エチルホスファイト ０．５２２ ＃５％Ｐｔ／
ＯＯ，４００ｊｌ 水素圧 ４１４ ｋＰａ 温度 １０Ｃ 時 間 １％ 時間 最終的に９．４Ｉの油状物質が得られる。この油状物質
は結晶化せずフェニルヒドロキシルアミンを与えなかっ
た。トリエチルホスファイトの代わＤＫ）リプチルホス
ファイト０．２５ｊｌヲＪｉｌいて同様の結果が得られ
た。
ＯＯ，４００ｊｌ 水素圧 ４１４ ｋＰａ 温度 １０Ｃ 時 間 １％ 時間 最終的に９．４Ｉの油状物質が得られる。この油状物質
は結晶化せずフェニルヒドロキシルアミンを与えなかっ
た。トリエチルホスファイトの代わＤＫ）リプチルホス
ファイト０．２５ｊｌヲＪｉｌいて同様の結果が得られ
た。
比較例Ｂ
次の量の出発物質および実施例１と同様の条件を用いて
トリアルキルホスファイトの不存在下に水素化を行う。
トリアルキルホスファイトの不存在下に水素化を行う。
ニトロベンゼン ２４．６ ｇ
メタノール ８０ Ｎ
４−ジメチルアミノピリジン ２日
５％Ｐｔ／ＣＯ０４１
水素圧 ４１４ｋＰａ
温度 １０ Ｃ
時 間 １％ 時間
最終的に２ｊＪ＋の油状物質が得られる。この油状物質
をヘキサン（１００＋＋＋ｊ）で処理し、次いで一５０
Ｃまで冷却するとｌ０ＪＦの結晶フェニルヒドロキシル
アミンが得られる（収率４５．９％、閣、ｐ、８０ Ｃ
）。
をヘキサン（１００＋＋＋ｊ）で処理し、次いで一５０
Ｃまで冷却するとｌ０ＪＦの結晶フェニルヒドロキシル
アミンが得られる（収率４５．９％、閣、ｐ、８０ Ｃ
）。
実施例２
リン化合物と有機塩基のさまざまな組合せを添加しｆｃ
ｓ合の効果を次のように評価した。有機塩基およびリン
化金物を以下の表に示すように代えた他に、一般的な方
法＃ｉ笑維例１２同じであった。この実験では水素圧は
２１２ｋＰａＫ保持し、最終反応混合物は気体液体クロ
マトグラフィーを用いて分析した。
ｓ合の効果を次のように評価した。有機塩基およびリン
化金物を以下の表に示すように代えた他に、一般的な方
法＃ｉ笑維例１２同じであった。この実験では水素圧は
２１２ｋＰａＫ保持し、最終反応混合物は気体液体クロ
マトグラフィーを用いて分析した。
表 １
実施例５ ゛ □
次の量の出発物置および実り例１と同じ条件を用いて前
記の通シ水素化を行う。
記の通シ水素化を行う。
２−ニド讃トルエン ２７．４２ ｊ’メタノール ８
０ゴ ４−ＤＭＡＰ ＯｏＩ ＪＦ トリブチルホスファイト ０．２５０ ＃３％ｐｔ／
ａ Ｏ６５５１ 水ｔ、圧２１２ｋＰａ 温 度 ３２ Ｃ 時 間 ４時間 ２１．９９の油状物質が得られる。この油状物質をヘキ
サン（１０口０で処理し、次に約−３０Ｃまで冷却する
と＋＜、７６１（ＤＮ−ｏ−トリルヒドロキシルアミン
が得られる（収率６０％、加、ｐ、４４０％ ＩＲおよ
びＮＭＲスペクトルは正しい）。
０ゴ ４−ＤＭＡＰ ＯｏＩ ＪＦ トリブチルホスファイト ０．２５０ ＃３％ｐｔ／
ａ Ｏ６５５１ 水ｔ、圧２１２ｋＰａ 温 度 ３２ Ｃ 時 間 ４時間 ２１．９９の油状物質が得られる。この油状物質をヘキ
サン（１０口０で処理し、次に約−３０Ｃまで冷却する
と＋＜、７６１（ＤＮ−ｏ−トリルヒドロキシルアミン
が得られる（収率６０％、加、ｐ、４４０％ ＩＲおよ
びＮＭＲスペクトルは正しい）。
実施例４
次の量の出発物質および実施例１と同じ条件を用いて上
記のごとく水素化を行う。
記のごとく水素化を行う。
４−ニトロトルエン ２７，４２ ｊｌメタノール ８
０ １１ｊ ４−ＤＭＡＰ 、Ｏｊ Ｉ トリブチルホスファイト ０．２５ｊ１３％Ｐｔ／ ０
０，５５１ 水素圧 ２１２ ｋＰａ 温度 ２５ Ｃ 時 間 １ 時間 ２４．５ ＃の油状物質が得られる。これをヘキサン（
１００ａｌりで処理し、次いで約−３０Ｃまて冷却する
と１４．２ ＪｌのＮ−（ｐ−）リル）ヒドロキシルア
ミンが得られる（収率５７．７％、ｍ、ｐ、９ ｆ〜９
９Ｃ，Ｉ ＲおｊひＮＭ Ｒスペク）ルは正しい）。
０ １１ｊ ４−ＤＭＡＰ 、Ｏｊ Ｉ トリブチルホスファイト ０．２５ｊ１３％Ｐｔ／ ０
０，５５１ 水素圧 ２１２ ｋＰａ 温度 ２５ Ｃ 時 間 １ 時間 ２４．５ ＃の油状物質が得られる。これをヘキサン（
１００ａｌりで処理し、次いで約−３０Ｃまて冷却する
と１４．２ ＪｌのＮ−（ｐ−）リル）ヒドロキシルア
ミンが得られる（収率５７．７％、ｍ、ｐ、９ ｆ〜９
９Ｃ，Ｉ ＲおｊひＮＭ Ｒスペク）ルは正しい）。
実施例５
次の量の出発物質および実り例１と同じ条件を用いて上
記の通シ水素化を行う。
記の通シ水素化を行う。
ｐ−りシロニド四ベンゼン ５１．５１ ＃メタノール
８０ ｍ ４−ＤＭＡＰ Ｏ，１＆ トリブチルホスファイト ０．２５ Ｉｉ５ ％ Ｐｔ
／ ＣＯ１３５１１ 水素圧 ４．１４ ｋＰａ 温度 ２５Ｃ 時 間 −２時間 ２ ｓ、ｚ Ｉの油状物質が得られる。これをヘキサン
（１２５ｓｔｊ）て処理し、次に約−３ＤＣまで冷却す
ると１８．５２．９のｐ−クジロフェニルーヒド四キシ
ルアミンが得られる（収率６４．５％、ｍ、ｐ、８ ｔ
〜８４ｒ、ＩＲおよびＮＭＲスペクトルは正しい）。
８０ ｍ ４−ＤＭＡＰ Ｏ，１＆ トリブチルホスファイト ０．２５ Ｉｉ５ ％ Ｐｔ
／ ＣＯ１３５１１ 水素圧 ４．１４ ｋＰａ 温度 ２５Ｃ 時 間 −２時間 ２ ｓ、ｚ Ｉの油状物質が得られる。これをヘキサン
（１２５ｓｔｊ）て処理し、次に約−３ＤＣまで冷却す
ると１８．５２．９のｐ−クジロフェニルーヒド四キシ
ルアミンが得られる（収率６４．５％、ｍ、ｐ、８ ｔ
〜８４ｒ、ＩＲおよびＮＭＲスペクトルは正しい）。
−実施例６
次の量の出発物質および実施例１と同じ条件を用いて上
記の通シ水素化を行った。
記の通シ水素化を行った。
１−二）ｔｆ７０パン ｌ ７，８２ ＃トリエチルア
ミン ０．１０．９ トリエチルホスフアイト ０．１６６１３％Ｐｔ ／
ｃ Ｏ０３５１ 水素圧 ５４５ ｋＰａ 温 度 ４０ Ｕ 反応時間 約η時間 粗混合物を濾過しｐｔ７ｃを除去して次に使えるように
した。有機層を濃塩酸で処理し、室温以下に冷却すると
Ｎ−（１−７ｏピル）ヒト胃キシルアミン塩酸塩（１７
，８４Ｉｉ）が収率８０％で得られた。
ミン ０．１０．９ トリエチルホスフアイト ０．１６６１３％Ｐｔ ／
ｃ Ｏ０３５１ 水素圧 ５４５ ｋＰａ 温 度 ４０ Ｕ 反応時間 約η時間 粗混合物を濾過しｐｔ７ｃを除去して次に使えるように
した。有機層を濃塩酸で処理し、室温以下に冷却すると
Ｎ−（１−７ｏピル）ヒト胃キシルアミン塩酸塩（１７
，８４Ｉｉ）が収率８０％で得られた。
実施例７
次の量の出発物質および実施例１と同じ条件＆用いて１
−ニトロプロパン、２−ニトロプロパン、２−メチル−
２−ニトロソーロバｙ オｊ Ｕ９−メチル−９−二ト
ロー１，６−ゾカジエンの水素化を上記の：ｉＩり行う
。
−ニトロプロパン、２−ニトロプロパン、２−メチル−
２−ニトロソーロバｙ オｊ Ｕ９−メチル−９−二ト
ロー１，６−ゾカジエンの水素化を上記の：ｉＩり行う
。
脂肪族ニドｉ化合物 ０．２モル
４−ジメチルアミノピリジン ０．１ｇトリブチルホス
ファイト ０．２５Ｊ＋５％Ｐｔ ／ ＣＯｊ ５１ 水素圧 ４１４ ｋＰａ 温度 ４０Ｃ 反応時間 約％時間 粗生成物を７５ａｊのヘキサンで処理し、次に激しく攪
拌し濾過した。１−ニトロプロパン、２−ニトロプロパ
ン、２−メチル−２−ニトロ１０パンおよび９−メチル
−９−二トロー１，６−ゾカジエンから、それぞれＮ−
（＄−プロピル）ヒドロキシルアミン、Ｎ−（２−プ四
ビル）ヒドロキシルアミン、Ｎ−（２−メチル１０ピル
）ヒドロキシルアミンおよび９−ヒドロキシル−アミノ
−９−メチル−１，６−ゾカジエンがそれぞれ６０．６
７．６７および６０％の収率で得られた。
ファイト ０．２５Ｊ＋５％Ｐｔ ／ ＣＯｊ ５１ 水素圧 ４１４ ｋＰａ 温度 ４０Ｃ 反応時間 約％時間 粗生成物を７５ａｊのヘキサンで処理し、次に激しく攪
拌し濾過した。１−ニトロプロパン、２−ニトロプロパ
ン、２−メチル−２−ニトロ１０パンおよび９−メチル
−９−二トロー１，６−ゾカジエンから、それぞれＮ−
（＄−プロピル）ヒドロキシルアミン、Ｎ−（２−プ四
ビル）ヒドロキシルアミン、Ｎ−（２−メチル１０ピル
）ヒドロキシルアミンおよび９−ヒドロキシル−アミノ
−９−メチル−１，６−ゾカジエンがそれぞれ６０．６
７．６７および６０％の収率で得られた。
代理人 江崎光好
代理人 江崎光史
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｔ 灰式 ・・ ・ ・ 、 ＨＯＨ 〔上記式中ｎ、、ｎ２．ｎ、、ｉ４藝よびＲ５はそれぞ
れ水素原子、ヒドロキシ基、ハ四ゲン原子、炭素原子数
１〜２００直鎖または分岐鎖アルキル基、゛炭素原子数
１〜シ０のフルプキシ基、シフ−ペンチル基、シクロヘ
キシル基、フェニル基、フェニルアルキル基ｔ′大社ア
ルキル′７立ニル基（このアルキル基祉１〜６個の炭素
原子をもっている）を示”し―・また祉ベンゼン糟の隣
接する炭素原生に結合した基Ｒ，，Ｒ，。 Ｒ３，Ｒ４ｔたはＲ５の２つ力１それらが結合している
ベンゼン環の・２つの責素原子と共にこのベンゼン環と
オルト縮合している第２のベン・ゼン環を形赦し、Ｒは
炭素原子数１〜２４の直鎖また祉分枝鎖のおよび／ｌた
は環状のアルキル基を示す。〕で表される゛ヒドロキシ
ルアミンの製造方法□てあって、前記ヒドロキシルアミ
ン位不活性溶媒、白金触媒および簡素゛含有塩基必存在
下に対組するニトロ誘一体を水素化することｋよりそ得
られるものである方法において、窒素含有塩基がニド四
誘導体の量に基らいて計算して１ｏＮ量％未滴の量で存
在し、水素化が三−首ｆｃは三価の有機リン化合物の存
゛在下に行われることを特徴とす１ ２ ヒドロ苓シルアオンがＡ：の構造をもっている特許
請求の範囲第１項記載の方法。 ＆ とド四キシルチミンがＢの構造をもっている特許請
求６ｍ−’第１項記載の方法。 ４、リン化合物が、炭素−十数１〜２ｏの少なくとも１
個のフルキル基ま′たは少なくとも１個のアリニル基ｔ
たは了り−ルオキシ基を含んている特許請求の範囲第菅
項、第２項または第３項記載の方法。 ５、リン化合’Ｍｆ、）リフェニルホスフィンおよび／
ｌたはトリフェニルホスファイトである特許請求の範囲
第４項記載の方法。 ６ リン化合物がトリアルキルホスフィンおよび／また
はトリフェニルホスファイトである、特許請求の範囲第
４項記載の方法。 ｌ リン化合物がトリアルキルホスファイトであシ、ア
ルキル基が１〜６個の炭素原子を含んでいる特許請求の
範囲第６項記載の方法。 ８、 リン化合物がトリエチルホスファイト、トリプロ
ピルホスファイトおよび／ま７’ｃ＃ｉ）リプテーホ＝
ファイトである特許請求の範囲第ニア項記載の方法。
” ９ 窒素含有塩基がジーまｆｃはトロリーアルキルアミ
ンで１Ｌアルキル基が１〜６個の炭素原子を含んでいる
前記特許請求の範囲のいずれか一項に記載の方法。 １α 窒素含有塩基がトリエチルアミンである特許請求
の範囲第９項記載の方法。 １ｔ 窒素含有塩基が、ピリジン、１ｆｔは１個以上？
アルキル、アミノ、フェニル、アルキルアミノ、フェニ
ルアミノまたはピロリドン基によって置換されたピリジ
ンであ如、アルキル基が１〜６個の炭素原子を含んでい
る特許請求の範囲第１項〜第８項のいずれか一項に記載
の方法。 １２、窒素含有塩基がジアルキルアミノピリジンである
特許請求の範囲第１１項記載の方法。 ｔ３． ｆｊｊ’＠含有塩基がジメチルアミノピリジン
である特許請求の範囲第１２項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8332555 | 1983-12-06 | ||
| GB838332555A GB8332555D0 (en) | 1983-12-06 | 1983-12-06 | Preparation of aromatic hydroxylamine |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60139649A true JPS60139649A (ja) | 1985-07-24 |
| JPH0469626B2 JPH0469626B2 (ja) | 1992-11-06 |
Family
ID=10552912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59256599A Granted JPS60139649A (ja) | 1983-12-06 | 1984-12-06 | ヒドロキシルアミンの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60139649A (ja) |
| CA (1) | CA1218676A (ja) |
| GB (1) | GB8332555D0 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008117844A1 (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-02 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | アリールヒドロキシルアミンの製造法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58164549A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-09-29 | マリンクロツト・インコ−ポレイテツド | アリ−ルヒドロキシルアミンの製造方法 |
-
1983
- 1983-12-06 GB GB838332555A patent/GB8332555D0/en active Pending
-
1984
- 1984-12-03 CA CA000469212A patent/CA1218676A/en not_active Expired
- 1984-12-06 JP JP59256599A patent/JPS60139649A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58164549A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-09-29 | マリンクロツト・インコ−ポレイテツド | アリ−ルヒドロキシルアミンの製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008117844A1 (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-02 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | アリールヒドロキシルアミンの製造法 |
| US8455690B2 (en) | 2007-03-27 | 2013-06-04 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Method for producing arylhydroxylamine |
| JP5425619B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2014-02-26 | 和光純薬工業株式会社 | アリールヒドロキシルアミンの製造法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB8332555D0 (en) | 1984-01-11 |
| JPH0469626B2 (ja) | 1992-11-06 |
| CA1218676A (en) | 1987-03-03 |
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