JPS6013766U - 基板構造 - Google Patents

基板構造

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JPS6013766U
JPS6013766U JP1983104693U JP10469383U JPS6013766U JP S6013766 U JPS6013766 U JP S6013766U JP 1983104693 U JP1983104693 U JP 1983104693U JP 10469383 U JP10469383 U JP 10469383U JP S6013766 U JPS6013766 U JP S6013766U
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JP
Japan
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glass
inorganic powder
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substrate
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JP1983104693U
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JPH0223010Y2 (ja
Inventor
関川 忠彦
Original Assignee
岡谷電機産業株式会社
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Publication date
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  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は従来の基板構造を示す要部斜視図、第2図は第
1図の断面図、第3図は第1図の外部端子導出部に外部
端子を接続した状態を示す横断面図、第4図は第3図の
縦断面図であり、第5図は本考案の基板構造を示す要部
斜視図、第6図は第5図の断面図、第7図は第5図の外
部導出部に外部端子を接続した状態を示す断面図、第8
図は第7図の部分拡大図である。 11・・・・・・絶縁基板、2・・・・・・導電体層、
3・・・・・・中間層、3a・・・・・・ガラス結晶又
は無機粉体。

Claims (4)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. (1)絶縁基板上に形成した導電体層と上記絶縁基板と
    の間にガラス結晶を含有する結晶化ガラス又は無機粉体
    を混合した非結晶化ガラスより成る中間層を介在させた
    ことを特徴とする基板構造。
  2. (2)結晶化ガラスの結晶化率又は無機粉体の混合率が
    20乃至70%であることを特徴とする実用新案登録請
    求の範囲第1項に記載の基板構造。
  3. (3)ガラス結晶又は無機粉体の大きさが1乃至20μ
    mであることを特徴とする実用新案登録請求の範囲第1
    項又は第2項に記載の基板構造。
  4. (4)  中間層の厚さが5乃至50μmであることを
    特徴とする実用新案登録請求の範囲第1項乃至第3項の
    何れかに記載の基板構造。
JP1983104693U 1983-07-06 1983-07-06 基板構造 Granted JPS6013766U (ja)

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JP1983104693U JPS6013766U (ja) 1983-07-06 1983-07-06 基板構造

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JP1983104693U JPS6013766U (ja) 1983-07-06 1983-07-06 基板構造

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JPS6013766U true JPS6013766U (ja) 1985-01-30
JPH0223010Y2 JPH0223010Y2 (ja) 1990-06-21

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012119619A (ja) * 2010-12-03 2012-06-21 Kyocera Corp 発光素子搭載用基板およびその製造方法
JPWO2013137214A1 (ja) * 2012-03-14 2015-08-03 日本特殊陶業株式会社 セラミック基板およびその製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2012119619A (ja) * 2010-12-03 2012-06-21 Kyocera Corp 発光素子搭載用基板およびその製造方法
JPWO2013137214A1 (ja) * 2012-03-14 2015-08-03 日本特殊陶業株式会社 セラミック基板およびその製造方法

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JPH0223010Y2 (ja) 1990-06-21

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