JPS60136246A - リ−ドフレ−ムの製造方法 - Google Patents
リ−ドフレ−ムの製造方法Info
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- JPS60136246A JPS60136246A JP24333883A JP24333883A JPS60136246A JP S60136246 A JPS60136246 A JP S60136246A JP 24333883 A JP24333883 A JP 24333883A JP 24333883 A JP24333883 A JP 24333883A JP S60136246 A JPS60136246 A JP S60136246A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 20
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract description 6
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 12
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 5
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- 235000009754 Vitis X bourquina Nutrition 0.000 description 1
- 235000012333 Vitis X labruscana Nutrition 0.000 description 1
- 235000014787 Vitis vinifera Nutrition 0.000 description 1
- 240000006365 Vitis vinifera Species 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4828—Etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はたとえは半導体素子等の実装に適したリード
フレームの製造方法に係わり、船に表面の少なくとも一
部にアルミニウムを被層したニッケルー鉄合金を索材と
して、これからり一ドフレームを製造する方法に関する
。
フレームの製造方法に係わり、船に表面の少なくとも一
部にアルミニウムを被層したニッケルー鉄合金を索材と
して、これからり一ドフレームを製造する方法に関する
。
従来、半導体素子の外部電極引出しのために用いられる
リードフレーム用伺料としていわゆるニッケルー鉄合金
(例えばNi42i組%残部鉄からなる42アロイ、N
i42:&置%、Cr6kt%残部鉄からなる42−6
アロイ、N129N量%、Co17重電%残部鉄からな
るコバ・−ル)を基材とし、その表面の主要部にアルミ
ニウムを被着したものが用いられている(以下、これを
アルミクラツド材と称呼する)。このアルミクラツド材
はその表裏面にレジストパターンを被着させたのち、こ
h’を表捨からエツチング処理して所望のパターンのリ
ードフレームを形成するものであるが、前述のニッケル
ー鉄合金とAeとの間に朗エツチング特性上の大きな差
がめるため、それぞれに分けて2回のエツチング処理を
施す必要があった。すなわち、まずAA’にエツチング
するためたとえはン容剤]型しジスト全用いパターニン
クし、′献解エツチング法又はlO〜20 i櫨%N
a OH系エッチング剤を用いてAlのみを所望のパタ
ーンにエツチングし、ついで、再び、たとえば水溶性レ
ジストパターンを形成したのち、化学エツチング法(た
とえば塩化第二鉄(FeCAs )系エツチング剤)に
よりニッケルー鉄合金のみのエツチングをおこない所望
パターンのリードフレームを形成する方法がおこなわれ
ていた。
リードフレーム用伺料としていわゆるニッケルー鉄合金
(例えばNi42i組%残部鉄からなる42アロイ、N
i42:&置%、Cr6kt%残部鉄からなる42−6
アロイ、N129N量%、Co17重電%残部鉄からな
るコバ・−ル)を基材とし、その表面の主要部にアルミ
ニウムを被着したものが用いられている(以下、これを
アルミクラツド材と称呼する)。このアルミクラツド材
はその表裏面にレジストパターンを被着させたのち、こ
h’を表捨からエツチング処理して所望のパターンのリ
ードフレームを形成するものであるが、前述のニッケル
ー鉄合金とAeとの間に朗エツチング特性上の大きな差
がめるため、それぞれに分けて2回のエツチング処理を
施す必要があった。すなわち、まずAA’にエツチング
するためたとえはン容剤]型しジスト全用いパターニン
クし、′献解エツチング法又はlO〜20 i櫨%N
a OH系エッチング剤を用いてAlのみを所望のパタ
ーンにエツチングし、ついで、再び、たとえば水溶性レ
ジストパターンを形成したのち、化学エツチング法(た
とえば塩化第二鉄(FeCAs )系エツチング剤)に
よりニッケルー鉄合金のみのエツチングをおこない所望
パターンのリードフレームを形成する方法がおこなわれ
ていた。
しかし、このような2度に互るレジストのパターニング
およびエツチング処理は作業能率上好しいものではなく
、その簡略化が要請されていた。
およびエツチング処理は作業能率上好しいものではなく
、その簡略化が要請されていた。
この発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、ア
ルミクラツド材からのリードフレーム形成工程を簡略化
するため、−回のパターニング、エツチング工程でAl
およびニッケルー鉄合金J―のパターニング?おこなう
ことができる方法全提供すること全目的とする。
ルミクラツド材からのリードフレーム形成工程を簡略化
するため、−回のパターニング、エツチング工程でAl
およびニッケルー鉄合金J―のパターニング?おこなう
ことができる方法全提供すること全目的とする。
すなわち、この発明は表面の少なくとも一部にアルミニ
ウムJ−ヲ被滝されてなるニッケルー鉄合金からなるリ
ードフレーム基材の表裏面に所望パターンのレジスト層
を形成し、塩酸to、02〜1,41量%含有するボー
メ量産含有〜446Be’の塩化第二鉄液を用い、エツ
チング液温20〜35℃の範囲で表裏面からリードフレ
ーム基材のエツチングを行なうことにより、上記レジス
ト層非形成部のアルミニウム層およびニッケルー鉄合金
ケ同時に騙食溶解すること全特徴とするリードフレーム
の製造方法を提供するものである。
ウムJ−ヲ被滝されてなるニッケルー鉄合金からなるリ
ードフレーム基材の表裏面に所望パターンのレジスト層
を形成し、塩酸to、02〜1,41量%含有するボー
メ量産含有〜446Be’の塩化第二鉄液を用い、エツ
チング液温20〜35℃の範囲で表裏面からリードフレ
ーム基材のエツチングを行なうことにより、上記レジス
ト層非形成部のアルミニウム層およびニッケルー鉄合金
ケ同時に騙食溶解すること全特徴とするリードフレーム
の製造方法を提供するものである。
次に本発明の特徴をなすエツチング液の組成条件および
使用条件について詳述する。まず一本発明で用いられる
エツチング液中の塩化第二鉄液のボーメ良度は40〜4
4°、特に、42〜43°の範囲とすることが好ましい
。この下限より小さい場合はエツチング力が弱く、特に
ニッケルー鉄合金に対するエツチング速度が遅すぎるの
で好ましくない。他方、この上限2超えるときはアルミ
ニウムj−のエツチング液戝速度的に起り、アルミニウ
ムのパターン精度が悪くなるので好ましくない。
使用条件について詳述する。まず一本発明で用いられる
エツチング液中の塩化第二鉄液のボーメ良度は40〜4
4°、特に、42〜43°の範囲とすることが好ましい
。この下限より小さい場合はエツチング力が弱く、特に
ニッケルー鉄合金に対するエツチング速度が遅すぎるの
で好ましくない。他方、この上限2超えるときはアルミ
ニウムj−のエツチング液戝速度的に起り、アルミニウ
ムのパターン精度が悪くなるので好ましくない。
本発明のエツチング液の調整法を、市販されているボー
メ濃度47°B5FeCl3液を例にして述べると、4
7°Bあのpecls液100容量部に対して水を5〜
10容量部添加する。これはFeC15液の両度t=4
0〜44’Be’に下げるために必要な水の計に相当す
る。又、塩酸は35%溶液ヲ47°B6FeC1,B液
100容量部に対して0.1〜5容琺部添加すると、4
0〜44°B6′のFeC1;s液に対して塩酸(mc
i)が002〜1.41雇%添加されたことになる。
メ濃度47°B5FeCl3液を例にして述べると、4
7°Bあのpecls液100容量部に対して水を5〜
10容量部添加する。これはFeC15液の両度t=4
0〜44’Be’に下げるために必要な水の計に相当す
る。又、塩酸は35%溶液ヲ47°B6FeC1,B液
100容量部に対して0.1〜5容琺部添加すると、4
0〜44°B6′のFeC1;s液に対して塩酸(mc
i)が002〜1.41雇%添加されたことになる。
この塩酸の添加はCtイオンの補充のためのものであり
、この塩酸量が上記範囲の下限より少ないと、エツチン
グされたリードフレームにピンホールが生じ易く、父上
記上限’t−[えるとエツチング力が強すぎて、レジス
ト膜が侵されるので好ましくない。
、この塩酸量が上記範囲の下限より少ないと、エツチン
グされたリードフレームにピンホールが生じ易く、父上
記上限’t−[えるとエツチング力が強すぎて、レジス
ト膜が侵されるので好ましくない。
エツチング処理はエツチング液温20〜35℃で浸漬法
又はスプレー法等によりおこなうことができるが、この
液温か上記下限より低いとエツチング速度が極端に遅く
なり、置産上好ましくなく、逆に上記上限を超えるとア
ルミニウム層のエツチングがニッケルー鉄合金に較べて
速くなりすぎて、アルミニウム層のパターン精度が悪く
なるので好ましくない。
又はスプレー法等によりおこなうことができるが、この
液温か上記下限より低いとエツチング速度が極端に遅く
なり、置産上好ましくなく、逆に上記上限を超えるとア
ルミニウム層のエツチングがニッケルー鉄合金に較べて
速くなりすぎて、アルミニウム層のパターン精度が悪く
なるので好ましくない。
本発明で用いられるフォトレジストの材質としては有機
溶媒可溶型のもの、堝にゴム系のフォトレジストが好ま
しい。その具体例としてはKMER,KTFR(いずれ
も商品名、米国コダック社製)、OMR(商品名、東京
応化工業(イ)’11)、ウェイコート(商品名、米国
ハント社製)などがある。
溶媒可溶型のもの、堝にゴム系のフォトレジストが好ま
しい。その具体例としてはKMER,KTFR(いずれ
も商品名、米国コダック社製)、OMR(商品名、東京
応化工業(イ)’11)、ウェイコート(商品名、米国
ハント社製)などがある。
説明が前後したが、アルミクラツド材について言うと、
第1図に示すように、アルミクラツド材1はニッケルー
鉄合金の基材2の表面に所定の領域すなわちエツチング
して第2図に示すようなリードフレーム4とした場合の
アイランド部5およびインナーリードの先端m6に相当
する部分にアルミニウムの被膜3か所定の厚さ例えば2
〜20ミクロン程度に設けられているものでおる。第1
図の実施例では、アルミニウムの被膜6は、略矩形状に
ある面積を占めて形成され、リードフレーム4とした時
、アルミニウム層がアイランド部5とインナリード先端
部60表面を被覆するようにエツチングを行なうもので
ある。
第1図に示すように、アルミクラツド材1はニッケルー
鉄合金の基材2の表面に所定の領域すなわちエツチング
して第2図に示すようなリードフレーム4とした場合の
アイランド部5およびインナーリードの先端m6に相当
する部分にアルミニウムの被膜3か所定の厚さ例えば2
〜20ミクロン程度に設けられているものでおる。第1
図の実施例では、アルミニウムの被膜6は、略矩形状に
ある面積を占めて形成され、リードフレーム4とした時
、アルミニウム層がアイランド部5とインナリード先端
部60表面を被覆するようにエツチングを行なうもので
ある。
実施例
厚み0.13mmの4270イの片面にアルミニウムを
スポット蒸着(厚み約10μm)し、ついで脱脂処理し
たのち、このアルミクラツド材の表裏面にウェイコート
(商品名、フォトレジスト)を浸漬塗布し、さらに露光
、現像により所望形状にパターニングした。次に47°
B6Fe C1s 650# 、 35%HC/ 20
1.水501からなるエツチング液(ボーメ度42.5
、B≦)葡用い液温30℃、液圧0.8〜1.2 K
y/cm”で上記被エツチング材上にスプレーしてエツ
チング処理した。ついで水洗したのち転輸し、170℃
で20分間ベーキングをおこなったのち、鶴Wf、 I
ti k 用いて上記フオトレジス)tlりi:剥離し
た。
スポット蒸着(厚み約10μm)し、ついで脱脂処理し
たのち、このアルミクラツド材の表裏面にウェイコート
(商品名、フォトレジスト)を浸漬塗布し、さらに露光
、現像により所望形状にパターニングした。次に47°
B6Fe C1s 650# 、 35%HC/ 20
1.水501からなるエツチング液(ボーメ度42.5
、B≦)葡用い液温30℃、液圧0.8〜1.2 K
y/cm”で上記被エツチング材上にスプレーしてエツ
チング処理した。ついで水洗したのち転輸し、170℃
で20分間ベーキングをおこなったのち、鶴Wf、 I
ti k 用いて上記フオトレジス)tlりi:剥離し
た。
七の結果、4270イおよびアルミニウムのバターニン
グ精度の良好なリードフレームを得ることができた。
グ精度の良好なリードフレームを得ることができた。
なお、上記実施例では4270イにアルミニウム層を被
着したアルミクラツド材からリードフレームを得る方法
について述べたが、本発明はNiを厳密に42%含む4
270イに限らすNi含量が29〜42 g甑%の範囲
で、時によりCrやC0が数パーセント含まれる鉄合金
、例えば42−670イやコバールを基材とするものに
ついても当然適用することができるものである。したが
って本明細料においてニッケル鉄合金とは少なくともN
i’i2’9〜42@量パーセント含む鉄合金という意
味で用いられている。又、アルミニウムについても全く
純粋なものに限られるものではない。
着したアルミクラツド材からリードフレームを得る方法
について述べたが、本発明はNiを厳密に42%含む4
270イに限らすNi含量が29〜42 g甑%の範囲
で、時によりCrやC0が数パーセント含まれる鉄合金
、例えば42−670イやコバールを基材とするものに
ついても当然適用することができるものである。したが
って本明細料においてニッケル鉄合金とは少なくともN
i’i2’9〜42@量パーセント含む鉄合金という意
味で用いられている。又、アルミニウムについても全く
純粋なものに限られるものではない。
又、エツチング液である塩化第二鉄液についてもボーメ
良度40〜44°B6 という範囲は、あくまでもエツ
チング液として調整した時の初期条件であり、エツチン
グに使用することでその磯度に多少の増減が生じること
がある。しかし初期条件をこの範囲に設定することで実
際上エツチングに支障がなく、本発明を遂行できるもの
である。塩酸についても35%凝朋のものに限らず、こ
れより高又は低礎度のものを用い、結果的に本発明のも
のに相当する割合となるようにエツチング液に添加して
使用することができる。
良度40〜44°B6 という範囲は、あくまでもエツ
チング液として調整した時の初期条件であり、エツチン
グに使用することでその磯度に多少の増減が生じること
がある。しかし初期条件をこの範囲に設定することで実
際上エツチングに支障がなく、本発明を遂行できるもの
である。塩酸についても35%凝朋のものに限らず、こ
れより高又は低礎度のものを用い、結果的に本発明のも
のに相当する割合となるようにエツチング液に添加して
使用することができる。
第1図は本発明に用いるアルミクラツド材の一実施例を
示す平面図、第2図は本発明のリードフレームの製造方
法により得られるリードフレームの一例を示す要部拡大
平面図である。 1・・・アルミクラツド材、2・・・基板、3・・・ア
ルミニウムの被膜、4・・・リードフレーム、5・・・
アイランド部、6・・・インナリードの先端部。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 式 豚箱1図 第2図
示す平面図、第2図は本発明のリードフレームの製造方
法により得られるリードフレームの一例を示す要部拡大
平面図である。 1・・・アルミクラツド材、2・・・基板、3・・・ア
ルミニウムの被膜、4・・・リードフレーム、5・・・
アイランド部、6・・・インナリードの先端部。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 式 豚箱1図 第2図
Claims (1)
- 表面の少なくとも一部にアルミニウム層を被着されてな
るニッケルー鉄合金からなるリードフレーム基材の表裏
面に所望パターンのレジスト層?形成し、塩酸を0.0
2〜1.4回匍%含有するボーメ濃度40〜44°B6
の塩化第二鉄液を用い、エツチング液温20〜35℃の
範囲で表裏面からリードフレーム基杓のエツチングを行
なうことにより、上記レジスト層非形成部のアルミニウ
ム層およびニッケルー鉄合金を同時に腐食溶解すること
を%敵とするリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24333883A JPS60136246A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24333883A JPS60136246A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60136246A true JPS60136246A (ja) | 1985-07-19 |
JPS644346B2 JPS644346B2 (ja) | 1989-01-25 |
Family
ID=17102335
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24333883A Granted JPS60136246A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60136246A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01106453A (ja) * | 1987-10-19 | 1989-04-24 | Mitsubishi Electric Corp | リードフレームの製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09319U (ja) * | 1996-04-10 | 1997-06-06 | 船井電機株式会社 | 製パン器 |
-
1983
- 1983-12-23 JP JP24333883A patent/JPS60136246A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01106453A (ja) * | 1987-10-19 | 1989-04-24 | Mitsubishi Electric Corp | リードフレームの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS644346B2 (ja) | 1989-01-25 |
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