JPS60134421A - パタ−ン位置検出装置 - Google Patents

パタ−ン位置検出装置

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JPS60134421A
JPS60134421A JP58242050A JP24205083A JPS60134421A JP S60134421 A JPS60134421 A JP S60134421A JP 58242050 A JP58242050 A JP 58242050A JP 24205083 A JP24205083 A JP 24205083A JP S60134421 A JPS60134421 A JP S60134421A
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JP
Japan
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pattern
slit
signal
converted
referential
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Pending
Application number
JP58242050A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshishige Kurosaki
利栄 黒崎
Shinji Kuniyoshi
伸治 国吉
Akihiro Takanashi
高梨 明紘
Tsuneo Terasawa
恒男 寺澤
Yoshio Kawamura
河村 喜雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS60134421A publication Critical patent/JPS60134421A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はウェーハ上に回路パターンを露光する露光装置
などのパターン位置検出装置に関するものである。
〔発明の背景〕
LSIなどの回路パターンをウェーハ上に露光する装置
や、あるいは露光された回路パターンを検査する装置な
どにおけるパターン位置検出装置は、従来、第1図に示
すように回路パターンが描かれたレティクル1上の基準
パターン2に対するウェーハ3上の検出パターン4の相
対位置を検出する場合、検出すべきパターン4と基準パ
ターン2とが縮小レンズ5および拡大光学系6によって
スリット7の走査面上に拡大投影され、この投影された
像を、モータ8でスリット7を走査することによって、
上記スリット7を通過した光を光電変換器9で受け光電
変換してパターン信号を得ていた。パターン信号は第2
図に示すように、時同Tの経過につれて信号の強度Iが
パターンの明暗に応じ変化して現われる。位置の検出は
あらかじめ設定したいき値りをパターン信号が過ぎる時
点の時間的間隔t1、t2、t3を計測し、これによっ
てパターン2および4の相対的な位置を検出する方式で
行っていた(特公昭53−48077 >。上記方式で
は光電変換された信号のコントラストが悪い場合あるい
は信号に雑音成分が多い場合には検出精度が悪く、高精
度にパターン位置を検出できないという欠点があった。
上記の欠点をなくし高精度なパターン位置検出を可能に
するため、パターン信号をディジタル信号として記憶し
たのち、統計的手法によってパターン位置の演算を行い
パターン位置の検出を行うことが考えられた。このパタ
ーン位置検出装置は第3図に示すようにスリット7と該
スリット7の位置を計測するリニアエンコーダ等の測長
器10とで構成され、スリット7が原点位置(図示せず
)から移動台11によって移動するにしたがって測長器
10からパルスが出力される。一方スリット7の通過光
は光電変換器9で光電変換されたのち、AD変換回路1
2によって測長器10からディジタルカウンタ13を経
たパルス信号に同期してAD変換され、サンプリングが
行なわれる。AD変換された信号は記憶回路14に格納
され、パターン信号の演算処理装置15によってパター
ン位置の演算を行う(特公昭57−48853 )。上
記のパターン位置検出装置では、スリット7の位置を計
測する測長器10の最大応答周波数が50 kHz程度
であるため、サンプリングを高速で行なうことができな
いという欠点があった−0またサンプリングの分解能は
測長器10の分解能で決定されるため限界があった。
〔発明の目的〕
本発明は、パターン位置の検出を行なう際の信号のサン
プリングを高速かつ高精度に行うことができるパターン
位置検出装置を得ることを目的とする。
〔発明の概要〕
上記の目的を達成するために、本発明によるパ・ターン
位置検出装置は、物体上に形成されたパターンの光学的
な拡大投影像をスリットにより走査し、光電的に上記パ
ターンの位置を検出するパターン位置検出装置において
、上記スリットを一定速度で走査させるための走査装置
と、スリットの通過光を検知する光電変換器と、1光電
変換された一パターン信号をクロックパルスに同期させ
てAD変換し、逐次記憶回路に格納するサンプリング回
路と、上記記憶回路に記憶された信号からパターンの位
置を演算処理するための演算処理回路とを備えたことに
より、パターン信号のサンプリングを′高速かつ高精度
に行うものである。
〔発明の実施例〕
つぎに本発明の実施例を図面とともに説明する第4図は
本発明によるパターン位置検出装置の一実施例の構成を
示す図、第5図はスリット走査面に投影されたパターン
の一例を示す図、第6図は記憶回路に記憶された信号例
を示す図である。第4図に示すパターン位置検出装置は
縮小投影露光・装置における実施例を示したものである
。縮小投影露光装置はIC,LSI等の回路パターンが
描かれたレティクル1上の上記回路パターンを縮lJz
レンズ5によりウェーハ3上に縮小投影し、この縮小投
影されたパターンを露光形成するものである。上記縮小
投影露光装置において、すでに前玉・程で形成−された
ウェーハ3上のパターンと新たに形成するパターンとの
位置合わせを行うとき、ウェーハ3上の位置合わせ用パ
ターン4の位置をレティクル1上の基準パターン2に対
して正確にしかも高速で検出する必要がある。一本実施
例においてウェーハ3上の位置合わせ用パターン4と基
準□となるレティクル1上の基準パターン2は、縮11
)レンズ5と拡大光学系6とによってスリット7の走査
面上に第5図に示すように拡大投影して結像される。第
5図において基準パターン2は明るく位置合わせ用パタ
ーン4は反射投影されるため上記基準パターン2よりも
若干暗くなる。スリット7は回転ドラム16に形成され
、モータ8と該モータ8を例えば位相比較サーボ方式に
より回転制御するモータ制御回路17とからなる走査装
置により位置合わせ用パターン4の拡大投影像を一定速
度で矢印方向に走査する。スリット走査によって生じる
スリット7の通過光の明暗は、例えばホトマルチプライ
ヤのような光電変換器9で光電変換されAD変換回路1
2に入力される。AD変換回路12ではクロックパルス
発生器18から構成される装置クロックパルス信号19
に同期させて、上記光電変換器9からの出力をディジタ
ル化し記憶回路14に入力させる。記憶回路14ではス
リット7が原点(図示せず)を通過した時点から基準ク
ロックパルス信号19を計数するディジタルカウンタ1
3のカウント量に比例してAD変換値を入力し記憶する
第6図に上記記憶回路14に記憶された信号例を示す。
図において横軸は基準クロックパルスのカウント量であ
るが、スリット7が走査装置によって一定速度で走査す
るため上記横軸をスリット7の位置座標Xに変換して考
えることができる。基準クロックパルス信号19のカウ
ント量iとスリット7の位置座標x1との関係は、基準
クロックパルス信号19の周波数fとスリット7の走査
速度Vおよび拡大投影光学系の倍率Aとで決定し次式の
よ1うになる。
X1=(7六)i 上式の(占)はサンプリングの分解能を表わすので、ク
ロックパルス信号19の周波数fを上ケることによって
分解能を高くとることができる。
また同図の縦軸はスリット7の通過光の明暗を示す光電
変換器9の出力を、AD変換回路12でAD変換した値
Yを示している。
上記出力信号からパターン4とパターン2との中心座標
の相対位置Δを演算処理回路15により統計的手法を用
いて処理し検出する。各パターン4および2の中心座標
は、例えばつぎの方法でめることができる。パターン4
の中心座標XWについては、スリット7の任意の位置X
iを仮想中心としてその両側のデータ2m個を重ね合わ
せた場合の、重ね合わせの度合を21とし、そのZiを
計算する。ここでX0位置での出力信号をYiとすれば Z+= Σ(Yt+4 ’ YI−4)2j=i として計算する。このようにして得られた2の変化の中
で2の最小値を与える点が、上記パターン4の中心座標
XWとなる。同様にしてパターン2の中心座標XRもめ
ることができ、これらXwとXRとの差からパターン4
とパターン2との相対位置Δをめることが可能である。
上記のように本発明は検出すべきパターン4を基準パタ
ーン2とともに拡大光学系6で投影結像させ、この投影
像を一定速度で移動するスリット7によって走査し、上
記スリット7通過光の明暗を光電変換器9で検出したの
ち基準クロックパルス信号19と同期させてAD変換し
、記憶回路14に記憶された信号から演算処理回路15
によりパターン位置の検出を行うものである。
上記実施例は縮小投影露光装置におけるパターン位置検
出について記したが、露光されたパターンの検査装置に
おいても、上記実施例と同様にしてパターン位置の検出
を行うことができる。
〔発明の効果〕
上記のように本発明によるパターン位置検出装置は、物
体上に形成されたパターンの光学的な拡大投影像をスリ
ットにより走査し、光電的に上記パターンの位置を検出
するパターン位置検出装置において、上記スリットを一
定速度で走査させるだめの走査装置と、スリットの通過
光を検知する光電変換器と、光電変換されたパターン信
号をクロックパルスに同期させてAD変換し、逐次記憶
回路に格納するサンプリング回路と、上記記憶回路に記
憶された信号からパターンの位置を演算処理するための
演算処理回路とを備えたことにより上記スリットの走査
速度を制限する要素がないためスリットを高速で走査さ
せることができる。このためパターンの位置検出を高速
で行うことが可能であり、本発明によるパターンのサン
プリング速度は従来方式による場合の10倍に向上する
ことが確認された。また基準クロックパルスの周波数を
上げることによってサンプリングの分解能を高くするこ
とができるため、本発明はパターン位置の検出を行う際
の信号のサンプリングを高速かつ高精度に行うことがで
きるパターン位置検出装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のパターン位置検出装置の構成図第2図は
上記従来例のパターン信号を示す図、第3図はパターン
位置検出装置の他の従来例を示す構成図、第4図は本発
明によるパターン位置検出装置の一実施例の構成図、第
5図はスリット走査面に投影されたパターンの一例を示
す図、第6図は記憶回路に記憶された信号の例を示す図
である4・・・位置合わせ用パターン 7・・・スリット 8・・・モータ (走査装置)9・
・・光電変換器 12・・・AD変換回路14・・・記
憶回路 15・・演算処理回路17・・・モータ制御回
路(走査装置)18・・・クロックパルス発生器 19・・・基準クロックパルス信号 代理人弁理士 中村純之助 第1頁の続き 0発 明 者 河 村 喜 雄 国分寺市東恋ケ窪央研
究所内

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 物体上に形成されたパターンの光学的な拡大投□影像を
    スリットにより走査し、光電的に上記パターンの位置を
    検出するパターン位置検出装置において、上記スリット
    を一定速度で走査させるための走査装置と、スリットの
    通過光を検知する光電1変換器と、光電変換されたパタ
    ーン信号をクロッ□ クパルスに同期させてAD変換し、逐次記憶回路に格納
    するサンプリング回路と、上記記憶回路に記憶された信
    号からパターンの位置を演算処理するための演算処理回
    路とを備えたことを特徴とするパターン位置検出装置。
JP58242050A 1983-12-23 1983-12-23 パタ−ン位置検出装置 Pending JPS60134421A (ja)

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JP58242050A JPS60134421A (ja) 1983-12-23 1983-12-23 パタ−ン位置検出装置

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