JPS6013250B2 - ブツシング - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は高電圧機器に使用される破壊電圧を向上しうる
ように改良したブッシングに関するものである。

ブッシングは固体絶縁方式のものを代表として、多くの
種類がある。

この中で、単純でコストも安いブッシングとして高電圧
導体の外側に接地シールド電極を施し、その導体と電極
との中間に電界制御用シールド電極を介在させる構造の
ものがある。この場合、高圧導体と接地シールド電極お
よび電界制御用シールド電極間の絶縁物は、液５体、気
体のいずれでもよいが、ガス絶縁開閉機器に使用する場
合には当然気体が介在することになる。第１図に従来形
のブッシングの例を示す。

がし、管１内に挿通した高電圧中心導体２は、がし、管
１０下部に於て絶縁支持物６により保持されている。尚
、中心導体２の上部は支持金具で支持されている。がし
、管１内の絶縁媒体３は気体（一般にＳＦ６ガス）であ
る。尚、ガスプッシングに限定しなければ絶縁液体でも
良い。がし、管１の下端都内部であって高電圧中心導体
２の外側に接地シールド４を設ける。更に、高電圧中心
導体２と接地シールド４の間に同○的に電界制御用シー
ルド１０を設ける。この電界制御用シールド１０は絶縁
物１１により接地シールド４に固定保持される。これら
シールドと、がし、管１の下端部外側に設けた接地側気
中シールド５と高電圧側気中シールド７とによりがし、
管１のフランジ部８、気中シールド５の表面およびがし
、管１の沿面の電界緩和を図り、耐電圧を向上させてい
る。第１図のブッシングは、ガス絶縁開閉装置のタンク
９に直接取付けられる構造のものであるが、絶縁支持物
６を使用する代りに、下部にがし、管を設け、この下部
がし、管で高電圧中心導体２を保持する場合もある。

このような構造のプッシングの絶縁強度は、がし、管１
の内部絶縁媒体（ＳＦ６ガス）と外部絶縁（空気中）に
よって決まる。内部の絶縁破壊は、高電圧中心導体２又
は、電界制御用シールド１０および接地シールド４の端
部の局所電位便度が両電極間の絶縁物の破壊電位頻度を
越えると破壊に達する。一方、外部の絶縁破壊は、がし
、管フランジ部２８、気中接地シールド５の各表面およ
びがし、管１の沿面の破壊電位頻度を越えるとフラッシ
オーバを生じる。

この構造のブッシングは、一般的に内部よりも、外部絶
縁破壊を生じやすい。

このため、ブッ３シングの耐電圧は外部絶縁によって決
定されると言っても過言ではない。電圧階級が高くなれ
ばなる程、このような鏡向が強くなる。

実際、ブッシング自身の絶縁協調を考えた場合、耐電圧
に十分耐えることは勿論であ３るが、内部フラッシオー
バさせるよりも、外部フラッシオーバさせた方が良いで
あろう。しかしながら、フッシングの標準がし、管は、
耐汚損を考慮した油浸紙形絶縁構造のブッシング用とし
て製作されているためおのずからその構成に基づいてが
４０い管寸法が決められており、綱径もそれによって決
められている。そのため、第１図の構造のブッシングは
、おのずから電圧階級に限度があり、５０■ＫＶクラス
までであろう。従って、本発明の目的は、標準がい管を
使用して耐電圧を向上させることができるブッシングを
得ることにある。

特に、超々高圧機器に使用するに適したブッシングを得
ることにある。タ 則ち、第２図に本発明のプッシング
の一実施例を示す。

第１図と同一部品に同符号を記した第２図に示したよう
に、がし、管１内で且つ中心導体２の周囲に配置される
電位制御部村としてコンデンサ型絶縁ユニット１２，１
３，１４が鯛方向に積０重ねられてキャパシタンスが直
列接続される。各コンデンサ型絶縁ユニット１２，１３
，１４は上段になる程、円筒半径は小さくなっている。
第３図にコンデンサ型絶縁ユニット１２，１３，１４の
取付の詳細を示す。多層に巻回されるタコンデンサ箔は
モールドされてコンデンサ型絶縁ユニットを形成する。
各コンデンサ型絶縁ユニットは、上下に金物２２が固着
されており、長内層および最外層のコンデンサ箔１２ａ
，１３ａ，１４ａはこの金物２２と同電位である。最下
段のコンデンサ型絶縁ユニット１２は、ケースに取付け
られた支持金物２０の上に設置され、ボルト１８により
、支持金物２０１こ固定される。各コンデンサ絶縁ユニ
ット１２，１３，１４同志は、同じように、接続金物１
７を用いて、ボルト１８により固定されている。このよ
うにしてコンデンサ型絶縁ユニット１２，１３，１４は
、鞠方向に積み重ねられていると同時にこの積み重ねに
より直列に接続される。尚、各コンデンサ型絶縁ユニッ
ト１２，１３，１４が敬付けれる支持金物２０および接
続金物１７のエッジは電界的に厳しくなるので・シール
ド１５，１６により、高電圧中心導体２側とがし、管１
側の電界緩和を図っている。第４図に、最上段のコンデ
ンサ型絶縁ユニット１４の高電圧中心導体２への取付け
構造の詳細を示す。コンデンサ型絶縁ユニット１４の上
部の金物２２に、接触子付支持金物２１がボルト１８で
固定される。この接触子付支持金物２１の接触子部２１
ａに高電圧中心導体２が挿入される。接触子付支持金物
２１のエッジ部分にも、電界緩和のため、シールド１５
が取付けられている。また、このような構造のプッシン
グにおいては、積み重ねられたコンデンサ型絶縁ユニッ
ト１２，１３，１４の高電圧中心導体２側とがい管１側
を気密にすることが可能である。これは、支持金物２０
、接続金物１７および接触子付金物２１とコンデンサ型
絶縁ユニットの金物の間にガスケツト１９を置くことに
より可能である。以上述べたように本発明によるブッシ
ングは複数段のコンデンサ型絶縁ユニットから成るコン
デンサ型絶縁物のキャパシタンスの電位によりがし、管
の長手方向に沿う電位を制御したもので、高耐圧のもの
を容易に提供することができる。

また、コンデンサ型絶縁ユニットを鞠方向に相互一体的
に固着して積重ね、最上段コンデンサ型絶縁ユニット端
部に中心導体接続用接触子付金物を固着し、最下段コン
デンサ型絶縁ユニット機部を支持金物を介して接地ケー
スに固着して各コンデンサ型絶縁ユニットの接続にガス
ケットを用いることにより、高電圧中心導体側とがし、
管側を気密にすることができる。

すなわち、中心導体側に高気圧ガスを、がし、管側に低
気圧ガスを封入することが可能である。このためｈ標準
がし、管を使用しても十分超々高圧用のブッシングの製
作が可能となる。さらに、中心導体を接触子付金物の両
側に分離して接続する構成としたので、芯ずれの吸収に
より組立が容易となるとともに、高圧ガス封入時接触子
付金物の鞠方向への移動へも対処でき機械的信頼性の高
いプッシングとすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のブッシング装置の縦断面図、第２図は本
発明によるブツシングの縦断面図、第３図は本発明によ
るブツシングのコンデンサ型絶縁ユニットの接続を示す
詳細図、第４図は本発明のコンデンサ型絶縁物の高電圧
中心導体への取付け部の詳細図である。 １・・…・がし、管、２・・・・・・高電圧中心導体、
３・・・…絶縁媒体、４・・・・・・接地シールド、５
・・・・・・気中接地シールド、６・…・・絶縁支持物
、７・・・・・・高圧気中シールド、８・・・・・・が
し、管フランジ部、９・・・・・・接地ケース、１０・
・・・・・電界制御用シールド、１１・・・・・・絶縁
物、１２〜１４…・・・コンデンサ型絶縁ユニット、１
５，１６……シールド、１７……接続金物、１８……ボ
ルト、１９……ガスケット、２０・・・・・・支持金物
、２１・・・…接触子付金物、２２・・・・・・金物。 第１図第２図 第３図 第４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 絶縁媒体を満たした碍管内にこれと同心的に中心導
   体を配置したものにおいて、前記碍管の内側に前記中心
   導体と同心的にコンデンサ型絶縁部を配置して成り、こ
   のコンデンサ型絶縁物を、複数個のコンデンサ型絶縁ユ
   ニツトを軸方向に積重ねて相互に一体的に固着して構成
   し且つ上段になる程、コンデンサ型絶縁ユニツトの円筒
   半径を小さくし、更にこのコンデンサ型絶縁ユニツトの
   各キヤパシタンスが直列接続されるように構成し、この
   直列接続部の電位が前記碍管の長手方向に沿う電位分布
   を制御するようにし、最上段コンデンサ型絶縁ユニツト
   端部に前記中心導体を両側に着脱自在に取付ける接触子
   付金物を固着し、最下段コンデンサ型絶縁ユニツト端部
   を支持金物を介して接地ケースに固着し各コンデンサ型
   絶縁ユニツトの接続にガスケツトを用いコンデンサ型絶
   縁物と中心導体との空間およびコンデンサ型絶縁物と碍
   管との空間を気密にし、中心導体側の気密空間には高気
   圧ガスを、碍管側の気密空間には低気圧ガスを封入した
   ことを特徴とするブツシング。 ２ 各コンデンサ型絶縁ユニツトの直列接続部にはシー
   ルドが施されている特許請求の範囲第１項記載のブツシ
   ング。