JPS6013169Y2 - マグネトロンの陽極構体 - Google Patents

マグネトロンの陽極構体

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JPS6013169Y2
JPS6013169Y2 JP3968681U JP3968681U JPS6013169Y2 JP S6013169 Y2 JPS6013169 Y2 JP S6013169Y2 JP 3968681 U JP3968681 U JP 3968681U JP 3968681 U JP3968681 U JP 3968681U JP S6013169 Y2 JPS6013169 Y2 JP S6013169Y2
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JP
Japan
Prior art keywords
strap ring
anode structure
magnetron
vane
strap
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Expired
Application number
JP3968681U
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English (en)
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JPS57152760U (ja
Inventor
雅弘 久米
紀夫 田代
Original Assignee
株式会社 東芝
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Publication date
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Description

【考案の詳細な説明】 この考案はマグネトロンの陽極構体に関する。
一般にマグネトロンは陽極構体を備えているが、この陽
極構体は、従来第1図及び第2図に示すように構成され
、銅等で形成された陽極円筒1の内側には銅等が形成さ
れた短冊状のベイン2が複数個放射状に配設されている
更に各ベイン2には径が大小の合計4個の内側及び外側
ストラップリング(均圧環)3,4が1つおきに連結さ
れている。
この場合、各ストラップリング3,4は断面形状はいず
れも同一になってる。
尚、破線で示す5は陽極円筒1の軸心に沿って配設され
る陰極である。
ところが上記のような従来の陽極構体では、ストラップ
リング3,4のために歪まされた電界Eが第2図の矢印
で示したように生じ、この電界Eのために中央の陰極5
が励振される。
この結果、マグネトロンの入力部と電子作用空間が結合
し、負荷安定度の低下、陰極逆衝撃の増大等、特性に悪
影響を与える。
そこで、入力部と電子作用空間の結合を防ぐ構造として
、第3図に示すようなストラップリング4が位置する溝
6が上下対称になったベイン7が考えられた。
この構造のベインとストラップリングの関係は第4図の
aで示されるものとbに示されるものとが交互に現われ
るために、あるベインは上下とも内側ストラップリング
3,3と連結すれ、その隣りのベインは上下とも外側ス
トラップリング4,4と連結しされる。
そして一方、ベインの電位は第5図に示されるように先
端近く高く、外側へ行くに従い急激に低下する。
従来のストラップリングは内外共に高さ、厚さ、ベイン
との間隔がほぼ同一に選ばれているために、電位の高い
部分と結合している内側ストラップリング3は外側スト
ラップリング4より静電容量が大となリ、そのため、第
4図aのベインと第4図すのベインでは先端から作用空
間に生ずる高周波電界の強さが異なり、負荷安定度の低
下、不要輻射の増大が生ずる。
この考案は上記従来の欠点を除去したマグネトロンの陽
極構体を提供することを目的とする。
以下、図面を参照してこの考案の一実施例を詳細に説明
するが、この考案は前記上下対称のベイン構造にのみ有
効であり、第2図の如き上下非対称のストラップ接続構
造に対しては、前に述べた非対称性による電界の歪みの
影響のために大きな効果は望めない。
一般的なマグネトロンの場合、内側ストラップリングと
外側ストラップリングの各電位の比は、陽極円筒の電位
を零とした場合、次のようになる。
そこで従来の欠点を改善するためには、内側ストラップ
リングとベイン、及び外側ストラップリングとベインの
容量(つまり対向面積)を上記比の逆数程度とすればよ
く、この考案ではストラップリングの断面積が外側の方
が内側の方よりも大きいことを特徴としている。
即ち、この考案の陽極構体は第6図乃至第7図に示すよ
うに構成され、第6図は平面図、第7図a、bはベイン
とストラップリングの連結関係を示している正面図であ
る。
図示のように銅材で形成された陽極円筒8の内側には、
銅等で形成された短冊状のベイン9が複数個放射状に配
設されている。
更に各ベイン9には径が大小の合計4個の内側及び外側
ストラップリング(均圧環)10゜11が1つおきに連
結されている。
そしであるベインは上下とも内側ストラップリングで、
また隣りのベインは上下とも外側ストラップリングと接
続されている。
この場合、両ストラップリング10.11は断面積が異
なり、既述の如く外側ストラップリング11の方が内側
ストラップリング10よりも大きい。
つまり、第7図a、bからも明らかなように内側ストラ
ップリング10の断面形状は従来と同様であるが、外側
ストラップリング11の断面は管軸方向に長い形状であ
る。
尚、図中、破線で示す12は陽極円筒8の軸心に沿って
配設される陰極である。
この考案の陽極構体は上記説明及び図示のように構成さ
れ、外側ストラップリング11の断面積を内側ストラッ
プリング10の断面積よりも大きくするように形成して
いるので、ストラップリングとベインとの高周波におけ
る容量の不均衡が是正され、この結果、陰極へのスプリ
アス重畳を防止することができる。
尚、第8図乃至第10図はこの考案の変形例を示したも
ので、上記実施例と同様効果が得られる。
即ち、第8図a、bは外側ストラップリング11の断面
が管軸方向に幅広の形状である場合を示している。
又、第9図a、bは外側ストラップリング11とベイン
9との間隔13を、内側ストラップリング10とベイン
9との間隔14よりも小さい場合である。
更に第10図は、内側ストラップリング10が固着され
るベイン9aの厚みを、外側ストラップリング11が固
着されるベイン9bの厚みより厚く形成した。
以上説明したようにこの考案によれば、工業的価値大な
るマグネトロンの陽極構体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は従来の陽極構体を示す平面図と断面
図、第3図は他の従来の陽極構体を示す断面図、第4図
a、 bは第3図の陽極構体における2種のベインを示
す正面図、第5図は同じくベイン上の電位を示す特性曲
線図、第6図はこの考案の一実施例に係るマグネトロン
の陽極構体を示す平面図、第7図a、 bは第6図の陽
極構体における2種のベインを示す正面図、第8図乃至
第10図はいずれもこの考案の変形例を示す正面図、平
面図である。 8・・・・・・陽極円筒、9・・・・・・ベイン、10
・・・・・・内側ストラップリング、11・・・・・・
外側ストラップリング、12・・・・・・陰極。

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. (1)陽極円筒の内壁に複数のベインを放射状に配設固
    着し、該ベインの上下各端部をそれぞれ径大な外側スト
    ラップリングと径小な内側ストラップリングからなる1
    組のストラップリングで交互に1つおきに連結されたマ
    グネトロンの陽極構体において、上下の該内側ストラッ
    プリングが同一のベインと結合され、且つ、前記ストラ
    ップリングの断面積が外側の方が内側の方よりも大きい
    ことを特徴としたマグネトロンの陽極構体。
  2. (2)前記外側ストラップリングの断面が管軸方向に長
    い形状である実用新案登録請求の範囲第1項記載のマグ
    ネトロンの陽極構体。
  3. (3) 前記外側ストラップの断面が管径方向に幅広
    の形状である実用新案登録請求の範囲第1項記載のマグ
    ネトロンの陽極構体。
JP3968681U 1981-03-20 1981-03-20 マグネトロンの陽極構体 Expired JPS6013169Y2 (ja)

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JPS57152760U JPS57152760U (ja) 1982-09-25
JPS6013169Y2 true JPS6013169Y2 (ja) 1985-04-26

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