JPS60130176A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPS60130176A JPS60130176A JP58238665A JP23866583A JPS60130176A JP S60130176 A JPS60130176 A JP S60130176A JP 58238665 A JP58238665 A JP 58238665A JP 23866583 A JP23866583 A JP 23866583A JP S60130176 A JPS60130176 A JP S60130176A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- reflection
- emitting device
- lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は光出力の損失を削減するようにした半導体発
光装置に関する。
光装置に関する。
近年、直流送電システムの分野では光サイリスタが採用
されてきている。光サイリスタのトリガ情光信号によっ
て行なうことができるため、トリが制御用回路を高電圧
側と絶縁することができ、これによって種々の効果を得
ることができる。また上記トリが用の光源としては、Ｇ
ａＡｓまたはＧａＡＬＡｓなどからなる赤外線発光ダイ
オ−−ドが採用されている。
されてきている。光サイリスタのトリガ情光信号によっ
て行なうことができるため、トリが制御用回路を高電圧
側と絶縁することができ、これによって種々の効果を得
ることができる。また上記トリが用の光源としては、Ｇ
ａＡｓまたはＧａＡＬＡｓなどからなる赤外線発光ダイ
オ−−ドが採用されている。
第１図は上記赤外線発光ダイオードの従来の構成を示す
断面図である。このダイオードでは導電性部材からなる
ステムヘッダー１上に、ＧａＡｔＡｓからなる赤外線発
光ダイオードチツゾ２が図示しない導電性の接着剤を介
して固着されている。上記ステムヘッダー１からはアノ
ードリード３が導出されている。さらに上記ステムヘッ
ダー１にはカソードリード４が挿通されておシ、このカ
ソードリード４と上記発光ダイオードチップ２上の図示
しない電極とがＡｕからなるワイヤー５によって電気的
に接続されている。
断面図である。このダイオードでは導電性部材からなる
ステムヘッダー１上に、ＧａＡｔＡｓからなる赤外線発
光ダイオードチツゾ２が図示しない導電性の接着剤を介
して固着されている。上記ステムヘッダー１からはアノ
ードリード３が導出されている。さらに上記ステムヘッ
ダー１にはカソードリード４が挿通されておシ、このカ
ソードリード４と上記発光ダイオードチップ２上の図示
しない電極とがＡｕからなるワイヤー５によって電気的
に接続されている。
さらに上記ステムヘッダ−１には、上記発光ダイオ−ト
チ、プ２から発せられる光音外部に放出するための窓部
６が設けられた金属性部側からなるレンズシェルフがか
ぶせられておυ、上記窓部６にはガラスレンズ８が設け
られているすなわち、この発光ダイオードでは、アノー
ドリード３とカソードリード４との間に所定の電位差を
与えることによりて発光ダイオードチップ２から赤外線
を発生せしめ、この赤外線をガラスレンズ８を介して外
部に導出せしめている。
チ、プ２から発せられる光音外部に放出するための窓部
６が設けられた金属性部側からなるレンズシェルフがか
ぶせられておυ、上記窓部６にはガラスレンズ８が設け
られているすなわち、この発光ダイオードでは、アノー
ドリード３とカソードリード４との間に所定の電位差を
与えることによりて発光ダイオードチップ２から赤外線
を発生せしめ、この赤外線をガラスレンズ８を介して外
部に導出せしめている。
ところで、ガラスに入射される光線はその何チかがガラ
スの界面で反射されることが良く知られている。このた
め、従来の発光ダイオードにおいても、発光ダイオード
チップ２で発生した赤外線の一部がガラスレンズ８で反
射すれ、この結芽、光の損失が生じてしまう。たとえば
、ガラスレンズ８に入射される光信号量をＰｌｎ 。
スの界面で反射されることが良く知られている。このた
め、従来の発光ダイオードにおいても、発光ダイオード
チップ２で発生した赤外線の一部がガラスレンズ８で反
射すれ、この結芽、光の損失が生じてしまう。たとえば
、ガラスレンズ８に入射される光信号量をＰｌｎ 。
ガラスレンズ８から出射する光信号量をＰｏｕｔ 。
ガラスの屈折率ｆｉ＝ｎｇとするとｐｏｕｔは次式で与
えられる。
えられる。
上記（１）式においてｎｇを約１．５とすると、Ｐｏｕ
ｔは約０．９２ Ｐｉｎとなシ、はぼ８チもの赤外線が
ガラス表面で反射されることになる。したがって、従来
の発光ダイオードを直流送電システムのように高信頼性
が要求されるシステムに用いると、上記光損失忙よって
システム全体の信頼性に大きな影響を及ばずことになる
。
ｔは約０．９２ Ｐｉｎとなシ、はぼ８チもの赤外線が
ガラス表面で反射されることになる。したがって、従来
の発光ダイオードを直流送電システムのように高信頼性
が要求されるシステムに用いると、上記光損失忙よって
システム全体の信頼性に大きな影響を及ばずことになる
。
この発明は上記のような事情を考慮してなされたもので
あシ、その目的は、反射による光損失の少ない半導体発
光装置を提供することにある。
あシ、その目的は、反射による光損失の少ない半導体発
光装置を提供することにある。
この゛発明による半導体発光装置では発光紫子から発せ
られる光を外部に導くガラスレンズの表面に上記光に対
する反射防止ＢｔＪ’ｒ設けることによって、ガラスレ
ンズ表面における反射による損失を削減するようにして
いる 〔発明の実施例〕 以下図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
られる光を外部に導くガラスレンズの表面に上記光に対
する反射防止ＢｔＪ’ｒ設けることによって、ガラスレ
ンズ表面における反射による損失を削減するようにして
いる 〔発明の実施例〕 以下図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
この発明による半導体発光装置では、前記第１図に示す
従来の赤外線発光ダイオードにおいて前記のような光の
反射を防止するため、第２図の断面図に示すように、ガ
ラスレンズ８の両面に第１層目としてＭｇＦ２からなる
薄膜９１ 。
従来の赤外線発光ダイオードにおいて前記のような光の
反射を防止するため、第２図の断面図に示すように、ガ
ラスレンズ８の両面に第１層目としてＭｇＦ２からなる
薄膜９１ 。
９２それぞれと、第２Ｎ目としてＳｌＯからなる薄膜１
θｌ 、１０２それぞれとからなシ前記発光ダイオード
チップ２から発せられる光に対する反射防止膜をたとえ
ば蒸着法によって形成するようにしたものである。
θｌ 、１０２それぞれとからなシ前記発光ダイオード
チップ２から発せられる光に対する反射防止膜をたとえ
ば蒸着法によって形成するようにしたものである。
ここで、上記第１層目の薄膜９１．９．の屈折率′ｆｔ
ｎ’ｓ膜厚をｄｉ、第２層目の薄膜１０１．１０２の屈
折率をｎ２ 、膜厚ｅｄｚとし、かつ発光ダイオードチ
ップ２から発せられる光のピーク波長をλｐとすれば、
下記の（２）式を満足するようにｎｌ＋ｎ２およびｄｌ
、ｄｘが設定されている。
ｎ’ｓ膜厚をｄｉ、第２層目の薄膜１０１．１０２の屈
折率をｎ２ 、膜厚ｅｄｚとし、かつ発光ダイオードチ
ップ２から発せられる光のピーク波長をλｐとすれば、
下記の（２）式を満足するようにｎｌ＋ｎ２およびｄｌ
、ｄｘが設定されている。
ｎｌ −ｄｌ ＝ｎｚ 拳ｄ２ ＝λｐ ／ ４ −（
２）たとえば、λｐが８８０ ｎｍ （赤外発光色）で
ある場合、ＭｇＦ２の屈折率ｎ１は約１．３８でありか
つＳｉＯの屈折率ｎ２が約１．７８であるため、薄膜９
１．９．それぞれの膜厚ｄｌは１５９ ＯＸに、薄膜１
０１．１０２それぞれの膜厚ｄ２は１２４０１ｉそれぞ
れ設定される。ただし、ガラスの屈折率ｎｇは１．５と
した。
２）たとえば、λｐが８８０ ｎｍ （赤外発光色）で
ある場合、ＭｇＦ２の屈折率ｎ１は約１．３８でありか
つＳｉＯの屈折率ｎ２が約１．７８であるため、薄膜９
１．９．それぞれの膜厚ｄｌは１５９ ＯＸに、薄膜１
０１．１０２それぞれの膜厚ｄ２は１２４０１ｉそれぞ
れ設定される。ただし、ガラスの屈折率ｎｇは１．５と
した。
このようにガラスレンズ８０両面に反射防止膜を設ける
ことによって、ガラスレンズ８画面での発光ダイオード
チップ２から発せられる光（赤外線）に対する反射を減
少させることができ、この反射による光損失を全光儒の
約１％にすることができた。これによシ、光出力は従来
のものに比べて約７％も増加させることができ、直流送
電システムに用いた場合にその信頼性を大幅に向上させ
ることができる。
ことによって、ガラスレンズ８画面での発光ダイオード
チップ２から発せられる光（赤外線）に対する反射を減
少させることができ、この反射による光損失を全光儒の
約１％にすることができた。これによシ、光出力は従来
のものに比べて約７％も増加させることができ、直流送
電システムに用いた場合にその信頼性を大幅に向上させ
ることができる。
なお、この発明は上記、した実施例に限定されるもので
はなく種々の変形が可能であることはいうまでもない。
はなく種々の変形が可能であることはいうまでもない。
たとえば、上記実施例では、発光ダイオードチップ２か
ら発せられる光を外部に漕く光透過性部材がガラスレン
ズ８である場合について説明したが、これは他に合成樹
脂からなるレンズもしくは平板状のものについても実施
が可能である。さらに上記実施例では反射防止膜がＭｇ
Ｆ２． ＳｉＯからなる２層の薄膜で構成される場合に
ついて説明したが、これはいずれか一方の薄膜のみで構
成するようにしてもよく、さらにはＴｉＯ２、ＣｅＯ２
、５ｂ２０５等からなる薄膜のいずれか１つもしくはＭ
ｇＦ２ ＊ ８１０２を含むこれらのうちから２つ以上
を組合せて構成するようにしてもよい。
ら発せられる光を外部に漕く光透過性部材がガラスレン
ズ８である場合について説明したが、これは他に合成樹
脂からなるレンズもしくは平板状のものについても実施
が可能である。さらに上記実施例では反射防止膜がＭｇ
Ｆ２． ＳｉＯからなる２層の薄膜で構成される場合に
ついて説明したが、これはいずれか一方の薄膜のみで構
成するようにしてもよく、さらにはＴｉＯ２、ＣｅＯ２
、５ｂ２０５等からなる薄膜のいずれか１つもしくはＭ
ｇＦ２ ＊ ８１０２を含むこれらのうちから２つ以上
を組合せて構成するようにしてもよい。
以上説明したようにこの発明によれば、発光素子からの
光を外部に導く光透過性部材の表面に反射防止膜を設け
るようにしたので、反射による光損失の少ない半導体発
光装置を提供することができる。
光を外部に導く光透過性部材の表面に反射防止膜を設け
るようにしたので、反射による光損失の少ない半導体発
光装置を提供することができる。
第１図は従来の赤外線発光ダイオードの構成を示す断面
図、第２図はこの発明の一実施例に係る半導体発光装置
のガラスレンズを示す断面図である。 １・・・ステムヘッダー、２・・・赤外線発光ダイオー
ドチップ、３・・・アノードリード、４・・・カソード
リード、５・・・ワイヤー、６・・窓部、７・・・レン
ズシェル、８・・・ガラスレンズ、９□ 、９□・・・
ＭｇＦ２からナル薄膜、１０１． 、１０２・８１０か
らなる薄膜。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 音信 、シに 筒２図 擁 病
図、第２図はこの発明の一実施例に係る半導体発光装置
のガラスレンズを示す断面図である。 １・・・ステムヘッダー、２・・・赤外線発光ダイオー
ドチップ、３・・・アノードリード、４・・・カソード
リード、５・・・ワイヤー、６・・窓部、７・・・レン
ズシェル、８・・・ガラスレンズ、９□ 、９□・・・
ＭｇＦ２からナル薄膜、１０１． 、１０２・８１０か
らなる薄膜。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 音信 、シに 筒２図 擁 病
Claims (2)
- （１）半導体発光素子と、この発光素子からの光を外部
に導く光透過性部材と、この光透過性部材の表面に設け
られ上記発光素子からの光の反射全防止する反射防止膜
とを具備したことを特徴とする半導体発光装置。 - （２）前記反射防止膜は、ＭｇＦ２ 、８１０ 、 ’
ｒｉｏ。 ＣｅＯ２および５ｂ２ｏ３そハぞれからなる膜を少なく
と’ｌｋ−、、、ｉ・層壱している特許請求の範囲第１
項の記載の半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58238665A JPS60130176A (ja) | 1983-12-17 | 1983-12-17 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58238665A JPS60130176A (ja) | 1983-12-17 | 1983-12-17 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60130176A true JPS60130176A (ja) | 1985-07-11 |
Family
ID=17033500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58238665A Pending JPS60130176A (ja) | 1983-12-17 | 1983-12-17 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60130176A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005004246A1 (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-13 | Kenichiro Miyahara | 発光素子搭載用基板及び発光素子 |
-
1983
- 1983-12-17 JP JP58238665A patent/JPS60130176A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005004246A1 (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-13 | Kenichiro Miyahara | 発光素子搭載用基板及び発光素子 |
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