JPS60124340A - Resistor built in cathode ray tube - Google Patents

Resistor built in cathode ray tube

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JPS60124340A
JPS60124340A JP23166583A JP23166583A JPS60124340A JP S60124340 A JPS60124340 A JP S60124340A JP 23166583 A JP23166583 A JP 23166583A JP 23166583 A JP23166583 A JP 23166583A JP S60124340 A JPS60124340 A JP S60124340A
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JP
Japan
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resistor
voltage
oxide
built
resistor layer
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Application number
JP23166583A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuyuki Oota
太田 一幸
Yoshiro Ishikawa
芳朗 石川
Shinobu Mihashi
三橋 忍
Hiroji Sumiyoshi
住吉 博治
Yuichi Sato
勇一 佐藤
Naoko Kimura
直子 木村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Publication of JPS60124340A publication Critical patent/JPS60124340A/en
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/96One or more circuit elements structurally associated with the tube

Landscapes

  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)

Abstract

PURPOSE:To make it possible to keep changes in the value of a resistor within a small range even when used for a long period of time in the state of a high voltage being applied in a comparatively high temperature by specifying the composition of a resistive material to form resistor layer and also the composition of a material to form an insulated base plate. CONSTITUTION:An insulated base plate 18 is formed using aluminum oxide as a main constituent and a ceramic material containing calcium oxide, magnesium oxide, silicon oxide, etc. On this insulated base plate 18, a voltage-dividing resistor layer 19 is formed as follows: a resistive material in which a glass having a softening temperature of higher than 590 deg.C is mixed with resistant substances for example, an inorganic compound which contains ruthenium oxide, lead oxide, and silicon oxide as main constituents and, additionally, other materials such as aluminum oxide, titanium oxide, and titanium acid barium is melted and mixed up; when this resistive paste is calcined, the desired layer is formed. Furthermore, on the insulated base plate 18, an insulated coating 20 consisting of lead glass is formed to cover the voltage-dividing resistor layer 19.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、カラー陰極線管等の管体内に電子銃と共に組
み込まれる内蔵抵抗器に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a built-in resistor that is incorporated together with an electron gun in a tube such as a color cathode ray tube.

背景技術とその問題点 従来、カラーテレビジョン受像機に用いられるカラー陰
極線管等において、陽極電圧以外に例えばコンバージェ
ンス電極や、フォーカス電極等に供給される高電圧が必
要とされるものがある。斯かる場合、管体内に電子銃と
共に分圧用の抵抗器を内蔵抵抗器として組み込み、これ
によって陽極電圧を分圧して、夫々の高電圧を得るよう
にすることが提案されている。
BACKGROUND ART AND PROBLEMS Conventionally, some color cathode ray tubes and the like used in color television receivers require high voltages to be supplied to convergence electrodes, focus electrodes, etc. in addition to the anode voltage. In such a case, it has been proposed to incorporate a voltage dividing resistor as a built-in resistor together with the electron gun in the tube, thereby dividing the anode voltage to obtain respective high voltages.

斯かる内蔵抵抗器が組み込まれたカラー陰極線管の一例
を第1図に示す。1は管本体であり、この管本体1のネ
ック部りa内には電子銃構体2が配置されており、この
電子銃構体2は3個のカソードKに対して共通に第1グ
リッド電極G1.第2グリッド電極G2.第3グリッド
電極G3.第4グリツド電極G4及び第5グリソト電極
G5が順次同軸上に配列されて形成されている。そして
、第5グリソト電極G5の後段には、コンバージェンス
手段3が配置されている。各グリッド電極G1 、G2
.G3.G4及びG5とコンバージェンス手段3は、相
互に所定の位置関係を保持して、ビーディングガラス4
によって機械的に連結されており、第3グリツド電極G
3と第5グリ・ノド電極G5とは、jn 1i15によ
って、電気的に接続されティる。また、コンバージェン
ス手段3は、導電板6を介して第5グリツド電極G5に
電気的に接続され、相対向する内側偏向電極板3a及び
3bと、その外側にこれら内側偏向電極板3a及び3b
に対向して配置される外側偏向電極板3C及び3dとを
有して形成されている。
An example of a color cathode ray tube incorporating such a built-in resistor is shown in FIG. Reference numeral 1 designates a tube body, and an electron gun structure 2 is disposed within the neck portion a of the tube body 1, and this electron gun structure 2 has a first grid electrode G1 in common for three cathodes K. .. Second grid electrode G2. Third grid electrode G3. A fourth grid electrode G4 and a fifth grid electrode G5 are sequentially arranged coaxially. A convergence means 3 is disposed downstream of the fifth Glysothoelectrode G5. Each grid electrode G1, G2
.. G3. G4 and G5 and the convergence means 3 maintain a predetermined positional relationship with each other, and the beading glass 4
The third grid electrode G
3 and the fifth grid-node electrode G5 are electrically connected by jn 1i15. Further, the convergence means 3 is electrically connected to the fifth grid electrode G5 via the conductive plate 6, and has inner deflection electrode plates 3a and 3b facing each other, and these inner deflection electrode plates 3a and 3b on the outside thereof.
It is formed with outer deflection electrode plates 3C and 3d disposed facing each other.

このような電子銃構体2に対して、内蔵抵抗器7が取り
イて1けられており、この内蔵抵抗器7に設けられた高
圧電極端子8が第5グリ・ノド電極G5に導電性取((
1番月゛、9を介して連結され、コンバ−ジェンス電極
端子(以下、CV電極端子という)10が導電性成イ」
け片11を介してコンバージェンス手段3の外側偏向電
極板3C及び3dに連結され、さらに、アース電極端子
12が、管本体1のネック部1aの基部におりるステム
13に貫通埋設されたアース電極端子ピン14に、導電
性取付は片15を介して連結されている。
A built-in resistor 7 is set aside for such an electron gun structure 2, and a high-voltage electrode terminal 8 provided on this built-in resistor 7 is connected to the fifth grid nod electrode G5 through a conductive connection. ((
The convergence electrode terminal (hereinafter referred to as CV electrode terminal) 10 is electrically conductive.
A ground electrode is connected to the outer deflection electrode plates 3C and 3d of the convergence means 3 via the strip 11, and further has a ground electrode terminal 12 embedded in a stem 13 extending from the base of the neck portion 1a of the tube body 1. The conductive mounting is connected to the terminal pin 14 via a piece 15.

また、管本体1のファンネル部1bの内壁には、ネック
部1aの内壁にまで伸びるグラファイト導電膜16が被
着されており、ファンネル部1bに設けられた高圧供給
ボタン、即ち、陽極ボタン(図示しない)を通じて陽極
電圧が供給される。そして、導電板6には導電スプリン
グ17が設けられていて、この導電スプリング17がグ
ラファイト導電膜16に接触することにより、第5グリ
ッド電極G5.第3グリッド電極G3.コンバージェン
ス手段3の内側偏向電極板3a及び3b、及び、内蔵(
氏抗層7の高圧電極端子8に陽極電圧が供給される。
Further, a graphite conductive film 16 extending to the inner wall of the neck portion 1a is adhered to the inner wall of the funnel portion 1b of the tube body 1, and a high pressure supply button, that is, an anode button (not shown) provided on the funnel portion 1b The anode voltage is supplied through the A conductive spring 17 is provided on the conductive plate 6, and when the conductive spring 17 comes into contact with the graphite conductive film 16, the fifth grid electrode G5. Third grid electrode G3. The inner deflection electrode plates 3a and 3b of the convergence means 3 and the built-in (
An anode voltage is supplied to the high voltage electrode terminal 8 of the damping layer 7 .

このようなカラー陰極線管に組み込まれた内蔵抵抗器7
は、第2図及び第3図に示される如(の構成を有するも
のとされている。第2図は外表部を形成する絶縁被膜上
から透視した状態の内蔵抵抗器7を示し、第3図は第2
図に示される内蔵抵抗器7のm−m線に沿う断面を示す
。この第2図及び第3図に示される従来の内蔵抵抗器7
においては、セラミック板等の絶縁基板18上に、R電
層が被着されて形成された端子部、即ち、陽極電圧が供
給される高圧電極端子8.コンバージェンス電極用の高
電圧、即ら、コンバージェンス電圧が得られるCV電極
端子10及びアース電極端子12が設けられ、また、C
V電極端子10とアース電極端子12との間には所定の
抵抗値を有するジグザグ状パターンとされた抵抗体層1
9aが、高圧電極端子8とCV電極端子10との間には
同じく所定の抵抗値を有する、ジグザグ状パターンと直
線状パターンの組合せとされた抵抗体層19bが、さら
に、抵抗体層19a及び19bとCV電極端子10との
間に微調整用抵抗体層19Cが、夫々被着されて、分圧
抵抗体層19が形成されζいる。そして、第2図の斜線
部分=にには、分圧抵抗体層19を覆って、鉛ガラス等
から成る絶縁液+1120が施されている。なお、微調
整用抵抗体層19Cは、この内蔵抵抗器7の製造工程に
おいて、その一部を削除することにより、各端子間の抵
抗体層19a及び19bの抵抗値を調整することができ
るように設りられている。
Built-in resistor 7 built into such a color cathode ray tube
has the structure shown in FIGS. 2 and 3. FIG. 2 shows the built-in resistor 7 seen through from above the insulating coating forming the outer surface, and the third The figure is the second
3 shows a cross section of the built-in resistor 7 shown in the figure along line m-m. Conventional built-in resistor 7 shown in FIGS. 2 and 3
In 8., a terminal portion is formed by depositing an R electric layer on an insulating substrate 18 such as a ceramic plate, that is, a high voltage electrode terminal 8 to which an anode voltage is supplied. A CV electrode terminal 10 and a ground electrode terminal 12 from which a high voltage for a convergence electrode, that is, a convergence voltage can be obtained, are provided.
Between the V electrode terminal 10 and the earth electrode terminal 12 is a resistor layer 1 having a zigzag pattern having a predetermined resistance value.
Between the high voltage electrode terminal 8 and the CV electrode terminal 10, a resistor layer 19b having a combination of a zigzag pattern and a linear pattern is further provided between the high voltage electrode terminal 8 and the CV electrode terminal 10. Fine adjustment resistor layers 19C are respectively deposited between CV electrode terminals 19b and CV electrode terminals 10 to form voltage dividing resistor layers 19. In the shaded area in FIG. 2, an insulating liquid 1120 made of lead glass or the like is applied to cover the voltage dividing resistor layer 19. Note that by removing a portion of the fine adjustment resistor layer 19C during the manufacturing process of this built-in resistor 7, the resistance value of the resistor layers 19a and 19b between each terminal can be adjusted. It is set in.

そして、このような構成とされた内蔵抵抗器7が上述の
陰極線管内に電子銃構体2とともに組み込まれた状態で
は、CV電極端子10に、高圧電極端子8に供給される
陽極電圧が抵抗体層19a及び19bにより分圧されて
コンバージェンス電圧が得られ、このコンバージェンス
電圧が外側偏向電極板3C及び3dに供給される。また
、アース電極端子12は、管本体lのアース電極端子ピ
ン14を通じ、通常、1整用外付可変抵抗器を介して接
地される。
When the built-in resistor 7 having such a configuration is installed together with the electron gun assembly 2 in the above-mentioned cathode ray tube, the anode voltage supplied to the high voltage electrode terminal 8 is applied to the CV electrode terminal 10 and the resistor layer A convergence voltage is obtained by dividing the voltage by 19a and 19b, and this convergence voltage is supplied to the outer deflection electrode plates 3C and 3d. Further, the earth electrode terminal 12 is grounded through the earth electrode terminal pin 14 of the tube body 1, and usually via an external variable resistor.

斯かる内蔵抵抗器7においては、CV電極端子10がコ
ンバージェンス手段3の外側偏向電極板3 C及び3d
に一定のコンバージェンス電圧を供給することが要求さ
れ、このコンバージェンス電圧の微調整は、管本体1の
アース電極端子ピン14とアース間に挿入される調整用
外付可変抵抗器によって行われるが、この調整用外付可
変抵抗器としては、精度を向上させるため及び電力消費
の低減をはかるため等の理由から、可変範囲の狭いもの
が用いられる。このため、調整用外付可変抵抗器の狭い
可変範囲での調整を可とずべく、内蔵11(抗層7を分
圧抵抗体層19を形成する抵抗体層1.98及び19b
の夫々の抵抗値をできるだけ一定にずべく、上述した微
調整用抵抗体層19Cによる調整が行われるのである。
In such a built-in resistor 7, the CV electrode terminal 10 is connected to the outer deflection electrode plates 3C and 3d of the convergence means 3.
It is required to supply a constant convergence voltage to the tube body, and fine adjustment of this convergence voltage is performed by an external adjustment variable resistor inserted between the earth electrode terminal pin 14 of the tube body 1 and the earth. As the external variable resistor for adjustment, one with a narrow variable range is used for reasons such as improving accuracy and reducing power consumption. Therefore, in order to enable adjustment in a narrow variable range of the external variable resistor for adjustment, the built-in resistor layer 11 (resistance layer 1.98 and 19b forming the voltage dividing resistor layer 19)
In order to keep the respective resistance values as constant as possible, adjustment is performed using the above-mentioned fine adjustment resistor layer 19C.

しかしながら、内蔵抵抗器7の分圧抵抗体層19の抵抗
値は、電圧印加時間と温度とに影響されて変化するもの
となり、特に、温度が比較的高い状態で高圧が印加され
る条件下では、高い温度と高圧が相乗的に作用し、分圧
抵抗体層19の抵抗値変化が大となって、CV電極端子
10に所定のコンバージェンス電圧が得られなくなる虞
れがある。内蔵抵抗器7の分圧抵抗体層19の温度上昇
は、分圧抵抗体層19自体からのジュール熱、即ち、分
圧抵抗体層19の自己発熱によって生し、さらに、管本
体1に内蔵された電子銃構体2のかくグリッド電極間に
おりる放電、あるいは、ストレーと称される連続的な電
子の放出によって発生ずる電子が、分圧抵抗体層19に
衝突することにより生じるストレー熱によってもたらさ
れる。
However, the resistance value of the voltage dividing resistor layer 19 of the built-in resistor 7 changes depending on the voltage application time and temperature, especially under conditions where a high voltage is applied at a relatively high temperature. There is a possibility that the high temperature and high voltage act synergistically, and the resistance value change of the voltage dividing resistor layer 19 becomes large, making it impossible to obtain a predetermined convergence voltage at the CV electrode terminal 10. The temperature rise in the voltage dividing resistor layer 19 of the built-in resistor 7 is caused by Joule heat from the voltage dividing resistor layer 19 itself, that is, self-heating of the voltage dividing resistor layer 19. Due to the stray heat generated when the electrons generated by the discharge between the grid electrodes of the electron gun structure 2 or the continuous emission of electrons called stray collide with the partial voltage resistor layer 19. brought about.

このような内蔵抵抗器7の分圧抵抗体層19の抵抗値変
化を低減せしめる方策として、電子銃構体2からの放電
もしくはストレーによる電子の発生を完全に防止するよ
うになすこと、あるいは、放電もしくはストレーによる
電子に対するシールド手段を設けること、さらには、ジ
ュール熱を低下させるべく分圧抵抗体層19の抵抗値を
大とすること、等々が考えられるがいずれの方策も、電
子銃構体2の負担を増大させる。構造の複雑化をまねく
、さらには、コストの上昇をまねく等の不都合を伴い、
良策ではない。
As a measure to reduce such a change in the resistance value of the voltage dividing resistor layer 19 of the built-in resistor 7, it is possible to completely prevent the generation of electrons due to discharge or stray from the electron gun assembly 2, or to prevent the generation of electrons due to discharge or stray. Alternatively, it is possible to provide a shielding means for electrons due to strays, and furthermore, to increase the resistance value of the partial voltage resistor layer 19 in order to reduce Joule heat. increase the burden. This causes inconveniences such as complicating the structure and increasing costs.
It's not a good idea.

発明の目的 斯かる点に鑑み本発明は、絶縁基板上に形成される分圧
抵抗体層の材質、さらには、その上に分圧抵抗体層が形
成される絶縁基板の材質が選定されることにより、比較
的高温の状態で高圧が印加されるような苛酷な条件のも
とで長期にわたって使用されても、分圧抵抗体層の抵抗
値の変化が極めて小となるようにされた陰極線管の内蔵
抵抗器を提供することを目的とする。
Purpose of the Invention In view of the above, the present invention provides a method for selecting the material of the voltage dividing resistor layer formed on the insulating substrate, and furthermore, the material of the insulating substrate on which the voltage dividing resistor layer is formed. As a result, even if the cathode ray is used for a long period of time under harsh conditions such as high pressure being applied at relatively high temperatures, the change in resistance value of the partial voltage resistor layer is extremely small. The purpose is to provide a built-in resistor for tubes.

発明の概要 本発明に係る陰極線管の内蔵抵抗器は、酸化アルミニラ
J、をi:成分とするセラミックで形成された絶縁5板
」二に、複数の電極端子が配されるとともに、これら電
1ηi端子間において、軟化点ン品度が摂氏590度以
上であるガラスに抵抗体物質が混入されて得られる抵抗
材料により形成された抵抗体層とが配され、さらに、こ
の抵抗体層を被覆するガラス等で成る絶縁被膜が設けら
れて構成される。
Summary of the Invention The built-in resistor of a cathode ray tube according to the present invention has a plurality of electrode terminals disposed on five insulating plates made of ceramic whose i component is aluminium oxide J. A resistor layer formed of a resistor material obtained by mixing a resistor substance into glass having a softening point of 590 degrees Celsius or higher is disposed between the terminals, and the resistor layer is further coated. It is constructed by providing an insulating coating made of glass or the like.

また本発明に係る陰極線管の内蔵抵抗器の一例にあって
は、その表面に上述の如くの抵抗体層が形成される絶縁
基板が0.01〜0.1重量パーセントの酸化モリブデ
ンを含有するものとされる。
Further, in an example of the built-in resistor of a cathode ray tube according to the present invention, the insulating substrate on which the above-described resistor layer is formed contains 0.01 to 0.1 weight percent of molybdenum oxide. be taken as a thing.

このように、抵抗体層を形成する抵抗材料の組成、さら
には、絶縁基板を形成する材料の組成が選定されること
により、比較的高温状態で高圧がEll JJllされ
る条件下で、長期間使用されても、11(抗体層の抵抗
値の変化を小なる範囲にとどめることができる。
In this way, by selecting the composition of the resistance material forming the resistor layer and furthermore the composition of the material forming the insulating substrate, it is possible to maintain the resistance for a long period of time under relatively high temperature and high pressure conditions. Even when used, the change in the resistance value of the antibody layer can be kept within a small range.

実施例 以下、本発明の実施例につい“ζ詳述する。Example Examples of the present invention will be described in detail below.

本発明に係る内蔵抵抗器の一例は、第2図及び第3図に
示される内蔵抵抗器7と同様の構成及び外観形状を備え
、特に、絶縁基板18上に分圧抵抗体層19を形成する
抵抗材料中のガラスが、摂氏590度以1二の軟化点温
度を有するものに選定されたものとして得られる。即ち
、本発明に係る内蔵11(抗層の一例は、第2図及び第
3図に示される如くの絶縁基板18が、酸化アルミニウ
ムを主成分として含有し、他に、酸化カルシウム、酸化
マグネシウム、酸化シリコン等を含有したセラミックで
形成され、この絶縁基板18上に、高圧電極端子8.C
V電極端子10及びアース電極端子12が夫々配され、
また、CV電極端子IOとアース電極端子12との間の
抵抗体層19a、高圧電極端子8とCV電極端子10と
の間の抵抗体層19 b及びこれら両爪抗体層19a及
び19bに接続された微調整用抵抗体層19cで成る分
圧抵抗体層19が、軟化点温度が摂氏590度以上であ
るガラスに抵抗体物質が混入されて成る抵抗材料、例え
ば、酸化ルテニウム、酸化鉛及び酸化シリコンを主成分
として含有し、これに加えて酸化アルミニラ)、、M化
チタン及びチタン酸バリウム等を含有する無機混合物が
溶融、混練されて得られる抵抗体ペーストが焼成される
ことにより形成され、さらに、絶縁基板18上に、分圧
抵抗体層19を被覆する、鉛ガラスで成る絶縁被膜が設
けられて構成される。
An example of the built-in resistor according to the present invention has the same configuration and external shape as the built-in resistor 7 shown in FIGS. 2 and 3, and in particular, a voltage dividing resistor layer 19 is formed on an insulating substrate 18 The glass in the resistive material is selected to have a softening point temperature of 12 or more than 590 degrees Celsius. That is, the built-in substrate 11 according to the present invention (an example of the anti-layer is the insulating substrate 18 as shown in FIGS. 2 and 3) contains aluminum oxide as a main component, and also contains calcium oxide, magnesium oxide, A high-voltage electrode terminal 8.C is formed of ceramic containing silicon oxide, etc., and is mounted on this insulating substrate 18.
A V electrode terminal 10 and a ground electrode terminal 12 are arranged, respectively.
Further, the resistor layer 19a between the CV electrode terminal IO and the earth electrode terminal 12, the resistor layer 19b between the high voltage electrode terminal 8 and the CV electrode terminal 10, and the both claw antibody layers 19a and 19b are connected to each other. The partial voltage resistor layer 19 consisting of the resistor layer 19c for fine adjustment is made of a resistor material made of glass having a softening point temperature of 590 degrees Celsius or higher mixed with a resistor substance, such as ruthenium oxide, lead oxide, and oxide. It is formed by firing a resistor paste obtained by melting and kneading an inorganic mixture containing silicon as a main component and, in addition, aluminum oxide), titanium Mide, barium titanate, etc. Further, an insulating film made of lead glass is provided on the insulating substrate 18 to cover the voltage dividing resistor layer 19.

本願に係る発明者は、第2図及び第3図に示される如く
の構成を有する内蔵抵抗器7として、その分圧11(抗
体層19を高圧電極端子8及びアース電極端子12間の
抵抗値(以下、全体抵抗値という)の目標イ直を600
MΩとするものとなし、これを形成するだめの抵抗材料
中のガラスの軟化点温度を異ならしめたものを種々用意
し、これらを第1図に示される如くの構成を有する2種
の陰極線管A及びBに取りイ」りて、内蔵抵抗器7の高
圧電極端子8とアース電極端子12との間に30KVの
電圧を印加し、この状態を陰極線管Aについては320
0時間、陰極線管Bについては1680時間継続せしめ
るという、分圧抵抗体層19を高温状態で高圧が印加さ
れるという状況に長時間おいた実験から、斯かる電圧印
加状態後における電圧印加状態前に比しての分圧抵抗体
層19の全体抵抗値の変化ΔRと抵抗材料中のガラスの
軟化点温度Tsとの関係について、第4図(縦軸がΔR
(パーセント・%)で、横軸がTs(摂氏温度・ ’c
)である。)に示される如くの第1の実験結果を得てい
る。第4図において、実線曲線が陰極線管Aの場合を示
し、破線曲線が陰極線管Bの場合を示している。この第
1の実験結果から明らかな如く、抵抗材料中のガラスの
軟化点温度Tsが摂氏590度以上の場合には、陰極線
管A及びBのいずれかにかかわらず、斯かる抵抗材料に
より形成された分圧抵抗体層19の全体抵抗値の変化Δ
Rは極めて小なる範囲にとどめられる。
The inventor of the present application has constructed a built-in resistor 7 having a configuration as shown in FIGS. (hereinafter referred to as the overall resistance value) target straightness of 600
MΩ, and prepared various types of glass with different softening point temperatures in the resistance materials used to form them, and used these to form two types of cathode ray tubes having the configuration shown in Figure 1. For cathode ray tubes A and B, a voltage of 30KV is applied between the high voltage electrode terminal 8 and the ground electrode terminal 12 of the built-in resistor 7.
From an experiment in which high voltage was applied to the partial voltage resistor layer 19 at a high temperature for a long period of time, the voltage was applied for 0 hours and for cathode ray tube B for 1680 hours. The relationship between the change ΔR in the overall resistance value of the partial voltage resistor layer 19 compared to the softening point temperature Ts of the glass in the resistance material is shown in FIG.
(percent/%), and the horizontal axis is Ts (temperature in degrees Celsius/'c
). ) The first experimental results were obtained as shown in (). In FIG. 4, the solid line curve shows the case of cathode ray tube A, and the broken line curve shows the case of cathode ray tube B. As is clear from the first experimental results, if the softening point temperature Ts of the glass in the resistive material is 590 degrees Celsius or higher, regardless of whether cathode ray tubes A or B are made of such resistive material, Change Δ in the overall resistance value of the voltage dividing resistor layer 19
R is kept within a very small range.

上述の本発明に係る内蔵抵抗器の一例は、斯かる第1の
実験結果に立脚するものであって、軟化点温度が摂氏5
90度以上であるガラスに抵抗体物質が混入されて成る
抵抗材料によって、分圧抵抗体層1つが形成されている
のである。従って、高温状態で高圧が印加される条件の
もとで、長期にわたって使用されても、その抵抗値変化
が小である分圧抵抗体層19を有した内蔵抵抗器となる
An example of the built-in resistor according to the present invention described above is based on the first experimental result, and has a softening point temperature of 5 degrees Celsius.
One voltage dividing resistor layer is formed of a resistor material made by mixing a resistor material into glass having a temperature of 90 degrees or more. Therefore, the built-in resistor having the voltage dividing resistor layer 19 has a small change in resistance value even if it is used for a long period of time under conditions where high voltage is applied at high temperature.

次に、本発明に係る内蔵抵抗器の他の例は、上述の例に
お番ノる絶縁基板18を形成するセラミックが酸化モリ
ブデンを0.01〜0.1重量パーセント含有ず翼もの
とされて得られる。即ち、この例においては、その上に
、上述の例におけると同様にして、高圧電極端子8.C
V電極端子10及びアース電極端子12が夫々配され、
さらに、軟化点温度が摂氏590度以コニであるガラス
に抵抗体物質が混入されて成る抵抗材料が焼成されて分
圧抵抗体層19が形成される絶縁暴Fi1Bが、酸化ア
ルミニウムを主成分として含有し、他に酸化カルシウム
、酸化マグネシウム、酸化シリコン等を含有するに加え
て、酸化モリブデンをo、oi〜0.1重量バーセン含
有するものとされて構成される。
Next, in another example of the built-in resistor according to the present invention, the ceramic forming the insulating substrate 18 in the above-mentioned example does not contain 0.01 to 0.1 weight percent of molybdenum oxide. can be obtained. That is, in this example, there is also a high voltage electrode terminal 8. as in the above example. C
A V electrode terminal 10 and a ground electrode terminal 12 are arranged, respectively.
Furthermore, the insulating film Fi1B, in which the partial voltage resistor layer 19 is formed by firing a resistor material made by mixing a resistor substance into glass whose softening point temperature is 590 degrees Celsius or higher, is made of aluminum oxide as a main component. In addition to containing calcium oxide, magnesium oxide, silicon oxide, etc., it also contains o, oi to 0.1 weight percent of molybdenum oxide.

本願に係る発明者は、上述の実験結果とは別に、第2図
及び第3図に示される如くの構成を有する内蔵抵抗器7
として、その分圧抵抗体層19の全体抵抗値の目標値を
600MΩとするものとなすとともに、これを軟化点温
度を略摂氏940度とするガラスに抵抗体物質が混入さ
れた抵抗材料で、酸化モリブデンを含有するセラミック
による絶縁基板18上に形成するものとなし、この絶縁
基板18中に含有される酸化モリブデンの量を異ならし
めたものを種々用意し、これらを第1図に示される如く
の構成を有する2種の陰極線管C及びDに取り付けて、
内蔵抵抗器7の高圧電極端子8とアース電極端子12と
の間に30KVの電圧を印加し、この状態を陰極線管C
については3200時間、陰極線管りについては168
0時間継続せしめるとしう、分圧抵抗体層19を高温状
態で高圧が印加されるという状況に長時間おいた実験か
ら、斯かる電圧印加状B後における電圧印加状態前に比
しての分圧抵抗体層19の全体抵抗値の変化ΔR° と
絶縁基板中の酸化モリブデンの量Mとの関係について、
第5図(縦軸がΔR’ (パーセント・%)で、横軸が
M(重噴パーセント・%)である。)に示される如くの
第2の実験結果をも得ている。第5図において、実線曲
線が陰極線管Cの場合を示し、破線曲線が陰極線管りの
場合を示している。そして、この第2の実験結果から明
らかな如く、絶縁ノに板中の酸化モリブデンの量Mが0
.01〜0.1重量パーセントの範囲にある場合には、
陰極線管C及びDのいずれかにかかわらず、斯かる絶縁
端板上に形成された分圧抵抗体層19の全体抵抗値の変
化ΔR゛は極めて小なる範囲にとどめられる。
Apart from the above-mentioned experimental results, the inventor of the present application has discovered that a built-in resistor 7 having a configuration as shown in FIGS. 2 and 3
As such, the target value of the overall resistance value of the partial voltage resistor layer 19 is set to 600MΩ, and this is made of a resistor material in which a resistor material is mixed into glass having a softening point temperature of approximately 940 degrees Celsius. The insulating substrate 18 was formed on a ceramic insulating substrate 18 containing molybdenum oxide, and various insulating substrates 18 with different amounts of molybdenum oxide were prepared, as shown in FIG. Attached to two types of cathode ray tubes C and D having the configuration of
A voltage of 30 KV is applied between the high voltage electrode terminal 8 and the earth electrode terminal 12 of the built-in resistor 7, and this state is maintained at the cathode ray tube C.
3200 hours for Cathode Ray Tube, 168 hours for Cathode Ray Tube
From an experiment in which the voltage-dividing resistor layer 19 was left in a high-temperature state and high voltage applied for a long period of time, it was found that the voltage difference after voltage application state B compared to before the voltage application state Regarding the relationship between the change ΔR° in the overall resistance value of the piezoresistive layer 19 and the amount M of molybdenum oxide in the insulating substrate,
A second experimental result as shown in FIG. 5 (vertical axis is ΔR' (percent/%) and horizontal axis is M (heavy injection percentage/%)) was also obtained. In FIG. 5, the solid line curve shows the case of the cathode ray tube C, and the broken line curve shows the case of the cathode ray tube. As is clear from the results of this second experiment, the amount M of molybdenum oxide in the insulation board is 0.
.. In the range of 0.01 to 0.1 weight percent,
Regardless of whether the cathode ray tubes C or D are used, the change ΔR' in the overall resistance value of the voltage dividing resistor layer 19 formed on the insulating end plate is kept within an extremely small range.

上述の本発明に係る内蔵抵抗器の他の例は、前述の第1
の実験結果に加え、斯かる第2の実験結果にも立脚する
ものであって、軟化点温度が摂氏590度以上であるガ
ラスに抵抗体物質が混入されて成る抵抗材料による分圧
抵抗体層19が、酸化モリブデンが0.01〜0.1重
量パーセント含有されたセラミックによる絶縁基板18
上に形成されているのである。従って、高温状態で高圧
が印加される条件のもとで、長期にわたって使用されて
も、分圧抵抗体層19の抵抗値変化が、前述の一例の場
合よりさらに小に抑えられる内蔵抵抗器となる。
Another example of the built-in resistor according to the present invention described above is the first built-in resistor described above.
In addition to the above experimental results, this is also based on the second experimental result, and is based on a partial voltage resistor layer made of a resistive material made of glass having a softening point temperature of 590 degrees Celsius or more mixed with a resistive material. 19 is an insulating substrate 18 made of ceramic containing 0.01 to 0.1 weight percent of molybdenum oxide.
It is formed on top. Therefore, even if the built-in resistor layer 19 is used for a long period of time under high temperature and high voltage conditions, the change in the resistance value of the voltage dividing resistor layer 19 can be suppressed to a smaller value than in the case of the above-mentioned example. Become.

発明の目的 以上の説明から明らかな如く、本発明に係る陰極線管の
内蔵抵抗器は、絶縁基板上に設けられる各電極間に分圧
」氏抗体層を形成する抵抗材料の組成が選択されること
により、さらには、その表面に分圧抵抗体層が配される
絶縁基板を形成するセラミックの組成が選択されること
により、分圧抵抗体層に、それが比較的高温とされた状
態で、高い電圧が印加されるような条件のもとて長期間
使用されても、分圧抵抗体層の抵抗値変化が極めて小に
おさえられるものとなる。
Purpose of the Invention As is clear from the above description, in the built-in resistor of the cathode ray tube according to the present invention, the composition of the resistive material is selected to form a partial voltage resistor layer between each electrode provided on an insulating substrate. Furthermore, by selecting the composition of the ceramic forming the insulating substrate on the surface of which the voltage-dividing resistor layer is arranged, it is possible to Even if the device is used for a very long period of time under conditions where a high voltage is applied, the change in resistance value of the voltage dividing resistor layer can be kept extremely small.

従って、本発明に係る陰極線管の内蔵抵抗器の内蔵I■
(抗層によれば、構成の複雑化や電子銃構体の負担の増
大等をなんら生ぜしめることなく、陰極線管内の比較的
高い定電圧を必要とする部分、例えば、コンバージェン
ス電極に、要求される一定の電圧を経時変化をほとんど
伴うことなく、安定に供給することができる。また、陰
極線管の外部に配される調整用外付可変抵抗器の可変範
囲を、より狭くすることが可能であり、それによって、
調整用外付可変抵抗器の精度の向上及び電力消費のイ氏
η表をさらにJ壮めることができる。
Therefore, the built-in I■ of the built-in resistor of the cathode ray tube according to the present invention
(According to the anti-layer structure, it is possible to apply the required voltage to parts of the cathode ray tube that require a relatively high constant voltage, such as the convergence electrode, without complicating the structure or increasing the load on the electron gun structure.) It is possible to stably supply a constant voltage with almost no change over time.Also, it is possible to narrow the variable range of the external adjustment variable resistor placed outside the cathode ray tube. ,Thereby,
It is possible to improve the accuracy of the external variable resistor for adjustment and to further improve the power consumption.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は内蔵抵抗器が組み込まれた陰極線管の要部を示
す概略構成図、第2図は第1図に示す陰極線管に組み込
まれる内蔵抵抗器を詳細に示す平面図、第3図は第2図
におけるIII−III線断面図、第4図は本発明に係
る陰極線管の内蔵抵抗器の一例の説明に供される一実験
結果を示す図、第5図は本発明に係る陰極線管の内蔵抵
抗器の他の例の説明に供される他の実験結果を示す図で
ある。 図中、2は電子銃構体、7は内蔵抵抗器、8は高圧電極
端子、10はコンバージェンス電極端子、12はアース
電極端子、18は絶縁基板、19は分圧抵抗体層、1!
la、19b及び19Cは、夫々、分圧抵抗体層19を
形成する抵抗体層及び微調整用抵抗体層、20は絶縁被
膜である。 第1図 第2図 第3図 第4図 515 540 565 590 6+5 640 ”
(−〒=−
Fig. 1 is a schematic configuration diagram showing the main parts of a cathode ray tube in which a built-in resistor is incorporated, Fig. 2 is a plan view showing details of the built-in resistor incorporated in the cathode ray tube shown in Fig. 1, and Fig. 3 is a FIG. 2 is a sectional view taken along the line III-III in FIG. 2, FIG. 4 is a diagram showing the results of an experiment used to explain an example of the built-in resistor of the cathode ray tube according to the present invention, and FIG. 5 is a cross-sectional view of the cathode ray tube according to the present invention. FIG. 6 is a diagram showing other experimental results for explaining another example of the built-in resistor of FIG. In the figure, 2 is an electron gun structure, 7 is a built-in resistor, 8 is a high voltage electrode terminal, 10 is a convergence electrode terminal, 12 is a ground electrode terminal, 18 is an insulating substrate, 19 is a voltage dividing resistor layer, 1!
1a, 19b and 19C are a resistor layer and a fine adjustment resistor layer forming the voltage dividing resistor layer 19, respectively, and 20 is an insulating film. Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4 515 540 565 590 6+5 640
(-〒=-

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1) #化アルミニウムを主成分とするセラミックで
形成された絶縁基板上に、複数の電極端子と、該電極端
子間において、軟化点温度が摂氏590度以上であるガ
ラスに抵抗体物質が混入されて得られる抵抗材料で形成
された抵抗体層とが配されるとともに、上記抵抗体層を
被覆する絶縁被膜が設けられた陰極線管の内蔵抵抗器。
(1) A plurality of electrode terminals on an insulating substrate made of ceramic whose main component is aluminum oxide, and a resistor material mixed into glass whose softening point temperature is 590 degrees Celsius or higher between the electrode terminals. A built-in resistor for a cathode ray tube, which is provided with a resistor layer made of a resistive material obtained by the above-mentioned method, and an insulating coating covering the resistor layer.
(2)上記絶縁裁板が0.01〜0.1重量パーセント
の酸化モリブデンを含有するものとされた特許請求の範
囲第1項記載の陰極線管の内蔵fl(抗層。
(2) The built-in fl of the cathode ray tube according to claim 1, wherein the insulating shredded plate contains 0.01 to 0.1 weight percent of molybdenum oxide.
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