JPS6313242A - Resistor incorporated in cathode-ray tube - Google Patents

Resistor incorporated in cathode-ray tube

Info

Publication number
JPS6313242A
JPS6313242A JP15842286A JP15842286A JPS6313242A JP S6313242 A JPS6313242 A JP S6313242A JP 15842286 A JP15842286 A JP 15842286A JP 15842286 A JP15842286 A JP 15842286A JP S6313242 A JPS6313242 A JP S6313242A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
potential difference
resistor
terminal
resistor layer
electrode terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP15842286A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuyuki Oota
太田 一幸
Shinobu Mihashi
三橋 忍
Yoshiro Ishikawa
芳朗 石川
Eiji Munemoto
宗本 英治
Hitoshi Nagashima
仁 永嶋
Tsunenari Saito
恒成 斎藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP15842286A priority Critical patent/JPS6313242A/en
Publication of JPS6313242A publication Critical patent/JPS6313242A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To minimize change in resistance values of resistor layers before or after a knocking process of a cathode-ray tube, by determining the resistance values of the resistor layers so that those in the second pattern part become smaller than those in the first pattern part and then for.ing definite conductive parts. CONSTITUTION:On an insulating substrate 1, a potential rise gradient in the first pattern part of resistor layers 5', ranging from the first terminal to the first high-potential difference part, is made to be more steep than that in the second pattern part of the resistor layers 5', ranging from the first high-potential difference part to the second terminal 2. Potential difference applied across an insulating film 6 covering the resistor layers 5' is thus decreased. On the insulating substrate 1 besides, the resistor layers are made to extend ranging from the first terminal to the second high-potential difference part or this vicinity, and the conductive parts 20a and 20b function as arrester electrodes so that potential difference applied across the insulating film 6 covering the second high-potential difference part and its peripheral resistor layers 5' is more decreased. Hence, the insulating film is not caused to be deteriorated and broken by the potential applied across it.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明を以下の順序で説明する。[Detailed description of the invention] The present invention will be explained in the following order.

A 産業上の利用分野 B 発明の概要 C従来の技術 D 発明が解決しようとする問題点 E 問題点を解決するための手段 F作用 G 実施例 G−1構成(第1図、第2図) G−2陰極線管内における各部の電位関係(第3図) H発明の効果 A 産業上の利用分野 本発明は、カラー陰極線管等の管体内に、電子銃構体と
共に組み込まれる内蔵抵抗器に関する。
A. Field of industrial application B. Overview of the invention C. Prior art D. Problem to be solved by the invention E. Means for solving the problem F. Effect G. Example G-1 configuration (Figures 1 and 2) G-2 Potential relationship of various parts in a cathode ray tube (FIG. 3) Effects of the invention A Industrial field of application The present invention relates to a built-in resistor that is incorporated together with an electron gun assembly into a tube such as a color cathode ray tube.

B 発明の概要 本発明は、陰極線管の管体内に電子銃構体と共に組み込
まれ、陰極線管の陽極電圧を分圧して得られる電圧を電
子銃構体に供給する陰極線管の内蔵抵抗器において、絶
縁基板上における低圧側電極端子と高圧側電極端子との
間にジグザグ状パターンを有し、絶縁被膜で覆われる抵
抗体層を配し、この抵抗体層を、低圧側電極端子と高圧
側電極端子とを結ぶ方向の単位長当たりの抵抗値が、絶
縁被膜の表面と抵抗体層との間の電位差が大とされる絶
縁基板上の第1の高電位差部位と低圧側電極端子との間
の第1のパターン部より、高電位差部位と高圧側電極端
子との間の第2のパターン部の方が小となるものとし、
かつ、絶縁基板上に低圧側電極端子から抵抗体層に接触
することなく突出する導電体部を設け、その導電体部を
、絶縁被膜に覆われることなく、低圧側電極端子から抵
抗体層の第1のパターン部に沿って、第1の端子と第1
の高電位差部位との間における、当該導電体部が無い場
合に絶縁被膜の表面との間の電位差が比較的大とされる
第2の高電位差部位もしくはその近傍まで伸びるものと
することにより、陰極線管に組み込まれ、当該陰極線管
のノンキング処理に際しての高電圧が印加される状況下
におかれる場合に、第1の高電位差部位、さらには、第
2の高電位差部位においても絶縁被膜の絶縁劣化もしく
は破壊の発生を回避でき、その結果、陰極線管のノッキ
ング処理前後での抵抗体層の抵抗値の変化を最小限に抑
えることができるようにしたものである。
B. Summary of the Invention The present invention provides a built-in resistor for a cathode ray tube that is incorporated together with an electron gun assembly in the tube body of the cathode ray tube and supplies a voltage obtained by dividing the anode voltage of the cathode ray tube to the electron gun assembly. A resistor layer having a zigzag pattern and covered with an insulating film is arranged between the low voltage side electrode terminal and the high voltage side electrode terminal on the upper side, and this resistor layer is connected to the low voltage side electrode terminal and the high voltage side electrode terminal. The resistance value per unit length in the direction of connecting the insulating film and the resistor layer is the resistance value per unit length in the direction connecting The second pattern portion between the high potential difference region and the high voltage side electrode terminal is smaller than the first pattern portion,
In addition, a conductor portion that protrudes from the low voltage side electrode terminal without contacting the resistor layer is provided on the insulating substrate, and the conductor portion is connected to the resistor layer from the low voltage side electrode terminal without being covered with an insulating film. Along the first pattern section, a first terminal and a first
By extending to or near a second high potential difference site where the potential difference between the second high potential difference site and the surface of the insulating coating is relatively large in the absence of the conductor portion, When installed in a cathode ray tube and subjected to high voltage application during non-king processing of the cathode ray tube, the insulation of the insulating film at the first high potential difference region and furthermore at the second high potential difference region. This makes it possible to avoid the occurrence of deterioration or destruction, and as a result, it is possible to minimize the change in the resistance value of the resistor layer before and after the knocking treatment of the cathode ray tube.

C従来の技術 従来、カラーテレビジョン受像機に用いられるカラー陰
極線管等において、陽極電圧以外に、例えば、コンバー
ジェンス電極やフォーカス電極等に供給される高電圧が
必要とされるものがある。
C. Prior Art Conventionally, in color cathode ray tubes and the like used in color television receivers, in addition to the anode voltage, high voltages are required to be supplied to, for example, convergence electrodes and focus electrodes.

斯かる場合、管体内に電子銃構体と共に分圧用の抵抗器
を内蔵抵抗器として組み込み、それによって陽極電圧を
分圧して夫々の高電圧を得るようにすることが提案され
ており、このように使用される従来の内蔵抵抗器の一例
として、第4図及び第5図に示される如くのものが知ら
れている。
In such a case, it has been proposed to incorporate a voltage dividing resistor as a built-in resistor together with the electron gun structure in the tube, thereby dividing the anode voltage to obtain the respective high voltages. As an example of the conventional built-in resistor used, those shown in FIGS. 4 and 5 are known.

第4図は、外表部を形成する絶縁被膜上から透視した状
態の従来の内蔵抵抗器7を示し、第5図は、この従来の
内蔵抵抗器7の全体の側面を示す。
FIG. 4 shows the conventional built-in resistor 7 seen through from above the insulating coating forming the outer surface, and FIG. 5 shows the entire side view of the conventional built-in resistor 7.

この第4図及び第5図に示される内蔵抵抗器7において
は、セラミック槻等の絶縁基板1上に、感電層が被着さ
れて形成された端子部、即ち、高電圧が供給される高圧
電極端子2.コンバージェンス電極用の高電圧、即ち、
コンバージェンス電圧が得られるコンバージェンス電極
端子(以下、CV電極端子という)3及びアース電極端
子4が設けられ、また、CV電極端子3とアース電極端
子4との間には所要の抵抗値を有するジグザグ状パター
ンとされた抵抗体層5aが、高圧電極端子2とCV電極
端子3との間には同じく所要の抵抗値を有する抵抗体層
5bが、さらに、抵抗体層5a及び5bとCV電極端子
3の間に微調整用抵抗体層5Cが、夫々被着されて、分
圧抵抗体層5が形成されている。そして、第4図の斜線
部分には、分圧抵抗体層5を覆う絶縁被膜6が施されて
おり、この絶縁被膜6は、鉛ガラス等からなる流動材料
が、乾燥・焼成されて形成されるもので、第5図に示さ
れる如くに、C■電極端子3及びアース電極端子4の夫
々に近接する部分等の端縁部の厚さが小とされる。尚、
微調整用抵抗体層5cは、内蔵抵抗器7の製造過程にお
いてその一部を削除することにより、各端子間の抵抗体
層5a及び5bの抵抗値を調整することができるように
設けられている。
In the built-in resistor 7 shown in FIGS. 4 and 5, a terminal portion is formed by depositing an electric shock layer on an insulating substrate 1 such as a ceramic plate. Electrode terminal 2. High voltage for convergence electrodes, i.e.
A convergence electrode terminal (hereinafter referred to as CV electrode terminal) 3 and a ground electrode terminal 4 from which a convergence voltage can be obtained are provided, and a zigzag shape having a required resistance value is provided between the CV electrode terminal 3 and the ground electrode terminal 4. A patterned resistor layer 5a is provided between the high voltage electrode terminal 2 and the CV electrode terminal 3, and a resistor layer 5b having the same required resistance value is further provided between the resistor layers 5a and 5b and the CV electrode terminal 3. A fine adjustment resistor layer 5C is deposited between them, respectively, to form a voltage dividing resistor layer 5. An insulating coating 6 covering the voltage dividing resistor layer 5 is applied to the shaded area in FIG. 4. This insulating coating 6 is formed by drying and firing a fluid material such as lead glass. As shown in FIG. 5, the thickness of the edge portions, such as the portions adjacent to the C2 electrode terminal 3 and the ground electrode terminal 4, is made small. still,
The fine adjustment resistor layer 5c is provided so that the resistance value of the resistor layers 5a and 5b between each terminal can be adjusted by removing a part of it during the manufacturing process of the built-in resistor 7. There is.

第6図は、斯かる構成を有する内蔵抵抗器7がカラー陰
極線管に組み込まれた状態を示す。ここで、管体8のネ
ック部りa内に電子銃構体9が配置されており、この電
子銃構体9は、3個のカソードKに対して共通に第1グ
リッド電極Gl、第2グリッド電極G2.第3グリッド
電極G3.第4グリツド電極G4及び第5グリツド電極
G5が順次同軸上に配列されて形成されている。そして
、第5グリツド電極G5の後段には、コンバージェンス
手段10が配置されている。各電極Gl、G2、G3.
G4.G5、及びコンバージェンス手段10は、相互に
所定の位置関係を保持して、ビーディングガラス11に
よって機械的に連結されており、第3グリツド電極G3
と第5グリツド電極G5とは、導線13によって、電気
的に接続されている。また、コンバージェンス手段10
は、導電板14を介して第5グリツド電極G5に電気的
に接続されて、相対向する内側偏向電極板10a及び1
0bと、その外側にこれら電極板10a及び10bと対
向して配置される外側偏向電極板10c及び10dとを
有して形成されている。
FIG. 6 shows a state in which the built-in resistor 7 having such a configuration is incorporated into a color cathode ray tube. Here, an electron gun assembly 9 is disposed within the neck portion a of the tube body 8, and this electron gun assembly 9 has a first grid electrode Gl and a second grid electrode in common for the three cathodes K. G2. Third grid electrode G3. A fourth grid electrode G4 and a fifth grid electrode G5 are sequentially arranged coaxially. A convergence means 10 is arranged after the fifth grid electrode G5. Each electrode Gl, G2, G3.
G4. G5 and the convergence means 10 are mechanically connected by beading glass 11 while maintaining a predetermined positional relationship with each other, and the third grid electrode G3
and the fifth grid electrode G5 are electrically connected by a conductive wire 13. In addition, the convergence means 10
are electrically connected to the fifth grid electrode G5 via the conductive plate 14, and are connected to the opposing inner deflection electrode plates 10a and 1.
0b, and outer deflection electrode plates 10c and 10d arranged on the outside facing these electrode plates 10a and 10b.

このような電子銃構体9に対して、第4図及び第5図に
示される如くの内蔵抵抗器7が取り付けられており、こ
の内蔵抵抗器7の高圧電極端子2が第5グリツド電極G
5に導電性取付は片12を介して連結されている。管体
8のファンネル部8bの内壁には、ネック部8aの内壁
にまで伸びるグラファイト導電膜15が被着されており
、ファンネル部8bに設けられた高圧供給ボタン、即ち
、陽極ボタン(図示しない)を通して陽極電圧が供給さ
れる。そして、導電板14には、導電スプリング16が
設けられていて、この導電スプリング16がグラファイ
ト導電膜15に接触することにより、第5グリッド電極
G5.第3グリッド電極G3.コンバージェンス手段1
0の内側偏向電極板10a及び10b、及び、内蔵抵抗
器7の高圧電極端子2に陽極電圧が供給される。
A built-in resistor 7 as shown in FIGS. 4 and 5 is attached to such an electron gun assembly 9, and the high voltage electrode terminal 2 of this built-in resistor 7 is connected to the fifth grid electrode G.
5 and the electrically conductive attachment is connected via a piece 12. A graphite conductive film 15 extending to the inner wall of the neck portion 8a is adhered to the inner wall of the funnel portion 8b of the tube body 8, and a high-pressure supply button, that is, an anode button (not shown) provided on the funnel portion 8b. Anode voltage is supplied through. The conductive plate 14 is provided with a conductive spring 16, and when the conductive spring 16 comes into contact with the graphite conductive film 15, the fifth grid electrode G5. Third grid electrode G3. Convergence means 1
An anode voltage is supplied to the inner deflection electrode plates 10a and 10b of 0 and the high voltage electrode terminal 2 of the built-in resistor 7.

内蔵抵抗器7のCV電極端子3は、導電性取付は片を介
しコンバージェンス手段10の外側偏向電極板10c及
び10dに連結され、陽極電圧が抵抗体1i5 a及び
5bにより分圧されてCV電極端子3に得られるコンバ
ージェンス電圧が、外側偏向電極板10c及び10dに
供給される。また、内蔵抵抗器7のアース電極端子4が
、管体8のネック部8aの基部におけるステム18に貫
通埋設されたアース電極端子ピン19に導電性取付は片
を介して連結され、直接もしくは調整用外付は抵抗を介
して接地される。
The CV electrode terminal 3 of the built-in resistor 7 is connected to the outer deflection electrode plates 10c and 10d of the convergence means 10 through conductive mounting pieces, and the anode voltage is divided by the resistors 1i5a and 5b to the CV electrode terminal. The convergence voltage obtained in step 3 is supplied to the outer deflection electrode plates 10c and 10d. Further, the ground electrode terminal 4 of the built-in resistor 7 is connected to the ground electrode terminal pin 19 which is embedded through the stem 18 at the base of the neck portion 8a of the tube body 8 via a conductive mounting piece, either directly or by adjustment. The external connection is grounded via a resistor.

斯かるカラー陰極線管にあって、例えば、電子銃構体9
の各部に尖鋭な突起部分等があると、実際の使用にあた
って不所望な放電を生じることになる。そこで、その製
造過程において、電子銃構体9における尖鋭突起部分等
の放電を生じ易い部分については、予め放電を生じさせ
て溶解整形すること等により、完成品とされた後の実際
の使用時の動作を安定化することを目的としたノンキン
グ処理が行われる。このようなノッキング処理工程にお
いては、例えば、カラー陰極線管の実働時に比して2〜
3倍とされた高電圧(ノンキング電圧)が、第3グリッ
ド電極G3.第5グリツド電極G5及び内蔵抵抗器7の
高圧電極端子2に印加され、また、第1.第2及び第4
の各グリッド電極Gl、G2及びG4は接地状態とされ
る。このノッキング処理時には、内蔵抵抗器7の絶縁被
膜6の表面は、一部を除いて、比較的高い電位に帯電せ
しめられ、この絶縁被膜6には、特に、分圧抵抗体層5
を形成する抵抗体層5aの低圧側で、実働時に比して大
なる電位差がかかることになる。
In such a color cathode ray tube, for example, the electron gun assembly 9
If there are sharp protrusions or the like in each part, undesirable discharge will occur during actual use. Therefore, during the manufacturing process, parts of the electron gun assembly 9 that are likely to generate electrical discharge, such as sharp protrusions, are melted and shaped by generating electrical discharge in advance, so that the parts that are likely to generate electrical discharge during actual use after the finished product is Non-king processing is performed for the purpose of stabilizing the operation. In such a knocking treatment process, for example, the
The tripled high voltage (non-king voltage) is applied to the third grid electrode G3. The voltage is applied to the fifth grid electrode G5 and the high voltage electrode terminal 2 of the built-in resistor 7, and the voltage is applied to the first grid electrode G5. 2nd and 4th
Each of the grid electrodes Gl, G2, and G4 is grounded. During this knocking process, the surface of the insulating coating 6 of the built-in resistor 7, except for a part, is charged to a relatively high potential.
On the low voltage side of the resistor layer 5a forming the resistor layer 5a, a larger potential difference is applied than during actual operation.

第7図は、横軸に内蔵抵抗器7の絶縁基板1上における
、低圧側とされるアース電極端子4からの高圧側とされ
るCV電極端子3側への距MLをとり、縦軸に電圧■を
とって、ノッキング処理時における内蔵抵抗器7の絶縁
被膜6の表面電位(曲線a)、アース電極端子4とCV
電極端子3との間に配された抵抗体N 5 aの各部の
電位(曲線b)及び両電位の差(曲線C)を示す。
In FIG. 7, the horizontal axis represents the distance ML from the ground electrode terminal 4, which is the low voltage side, to the CV electrode terminal 3, which is the high voltage side, on the insulating substrate 1 of the built-in resistor 7, and the vertical axis represents the distance ML. Taking the voltage ■, the surface potential of the insulating coating 6 of the built-in resistor 7 during knocking treatment (curve a), the earth electrode terminal 4 and CV
The potential of each part of the resistor N 5 a disposed between the electrode terminal 3 (curve b) and the difference between the two potentials (curve C) are shown.

これから明らかなように、例えば、絶縁基板1上の高電
圧が印加される第3グリツド電極G3に近接した位置P
における、比較的低電位とされる抵抗体層5aの部分に
おける、抵抗体層5aと絶縁被膜6の表面との間の電位
差が最大となり、従って、この位置(最大電位差位置)
Pで絶縁被膜6に最大の電位差がかかることになる。こ
のため、第3グリツド電極G3付近の位置が高電位差部
位とされ、その、高電位差部位において絶縁被膜6の耐
圧を越える電位がかかって絶縁被膜6の絶縁劣化もしく
は破壊を生じ、その結果、抵抗体層5aが被害を受けて
その抵抗値が著しく変化してしまう虞れがある。
As is clear from this, for example, a position P close to the third grid electrode G3 on the insulating substrate 1 to which a high voltage is applied
The potential difference between the resistor layer 5a and the surface of the insulating coating 6 is maximum at the portion of the resistor layer 5a that has a relatively low potential at this position (maximum potential difference position).
The maximum potential difference is applied to the insulating film 6 at P. Therefore, the position near the third grid electrode G3 is a high potential difference site, and a potential exceeding the withstand voltage of the insulating coating 6 is applied to the high potential difference site, causing insulation deterioration or breakdown of the insulating coating 6, and as a result, the resistance There is a risk that the body layer 5a will be damaged and its resistance value will change significantly.

斯かる絶縁劣化もしくは破壊による抵抗体層5aの抵抗
値変化の問題に対しては、絶縁被膜6の厚さを大として
、耐圧を高めることが有利となる。
To solve the problem of the change in resistance value of the resistor layer 5a due to insulation deterioration or breakdown, it is advantageous to increase the thickness of the insulating coating 6 to increase the withstand voltage.

即ち、絶縁被膜6の膜厚を大に形成することで、絶縁被
膜6の絶縁劣化もしくは破壊を阻止し、抵抗体層5aの
抵抗値の変化を抑えることが可能となる。しかしながら
、内蔵抵抗器7にとって絶縁被膜6の膜厚が無闇に大と
されることはコストの面で不利となり、また、絶縁基板
1と絶縁被膜6との膨張係数の差に起因する内蔵抵抗器
7の全体の反りを生じ、使用時の昇温及び不使用時の降
温の熱サイクルによって絶縁被膜6が絶縁基板lから剥
離する、あるいは亀裂を生じる等の信頬性の低下につな
がる不都合を伴うことになる。
That is, by forming the insulating film 6 to be thick, it is possible to prevent insulation deterioration or breakdown of the insulating film 6 and to suppress changes in the resistance value of the resistor layer 5a. However, increasing the thickness of the insulating coating 6 for the built-in resistor 7 is disadvantageous in terms of cost. 7, and the insulating coating 6 peels off from the insulating substrate 1 or cracks occur due to the thermal cycle of temperature rise during use and temperature fall when not in use, resulting in inconveniences that lead to a decrease in reliability. It turns out.

そこで、上述の問題に対処すべく、本願の出願人により
特開昭60−130033号公報に記載されている如く
の陰極線管の内蔵抵抗器が提案されている。
Therefore, in order to deal with the above-mentioned problems, the applicant of the present application has proposed a built-in resistor for a cathode ray tube as described in Japanese Patent Application Laid-open No. 130033/1983.

斯かる先に提案された内蔵抵抗器の一例にあっては、そ
の絶縁基板上における低圧側とされるアース電極端子と
高圧側とされるCV電極端子との間にジグザグ状パター
ンを有し、絶縁被膜に覆われて配される抵抗体層が、ア
ース電極端子と高電位差部位との間でのジグザグ状パタ
ーンの蛇行ピッチを、高電位差部位とCV電極端子との
間の部分でのジグザグ状パターンの蛇行ピッチより小と
するものとされて、アース電極端子とCV電極端子とを
結ぶ方向の単位長当たりの抵抗体層の抵抗値が、高電位
差部位とCvt極端子との間におけるより、アース電極
端子と高電位差部位との間における方が大となるように
される。このようにされた内蔵抵抗器にあっては、絶縁
基板上のアース電極端子から高電位差部位へかけての抵
抗体層の電位上昇勾配が急峻なものとされ、抵抗体層の
電位が高電位差部位を中心にし、その両端部を除いて、
全体的に高められ、それにより、絶縁被膜にかかる電位
差が低減されることになる。そのため、カラー陰極線管
の電子銃構体に取り付けられて当該カラー陰極線管のノ
ンキング処理に供される場合、特に大なる電位差がかか
る部分においても、絶縁被膜の絶縁劣化もしくは破壊が
生じることがないようにされて、ノッキング処理前後に
おける抵抗体層の抵抗値の大幅な変化が防止されること
になる。
An example of the previously proposed built-in resistor has a zigzag pattern between the ground electrode terminal on the low voltage side and the CV electrode terminal on the high voltage side on the insulating substrate, A resistor layer covered with an insulating film changes the meandering pitch of the zigzag pattern between the ground electrode terminal and the high potential difference area, and the zigzag pattern between the high potential difference area and the CV electrode terminal. The resistance value of the resistor layer per unit length in the direction connecting the ground electrode terminal and the CV electrode terminal is set to be smaller than the meandering pitch of the pattern, and the resistance value of the resistor layer per unit length in the direction connecting the earth electrode terminal and the CV electrode terminal is It is made to be larger between the ground electrode terminal and the high potential difference site. In such a built-in resistor, the potential rise gradient of the resistor layer from the ground electrode terminal on the insulating substrate to the high potential difference area is steep, and the potential of the resistor layer is Centering on the part, excluding both ends,
The overall potential difference across the insulating coating is thereby reduced. Therefore, when attached to the electron gun assembly of a color cathode ray tube and used for non-king processing of the color cathode ray tube, care must be taken to prevent insulation deterioration or breakdown of the insulation coating, especially in areas where a large potential difference is applied. This prevents a significant change in the resistance value of the resistor layer before and after the knocking treatment.

D 発明が解決しようとする問題点 上述の如くの、ジグザグ状パターンを有した抵抗体層が
配された絶縁基板上におけるアース電極端子とCV電極
端子とを結ぶ方向の単位長当たりの抵抗体層の抵抗値が
、高電位差部位とCV電極端子との間におけるよりアー
ス電極端子と高電位差部位との間における方が大となる
ようにされた内蔵抵抗器にあっては、カラー陰極線管の
電子銃に取り付けられて当該カラー陰極線管のノッキン
グ処理に供される場合、絶縁基板上のアース電極端子か
ら高電位差部位へかけての抵抗体層の電位上昇勾配が急
峻なものとされるが、絶縁基板上のアース電極端子と高
電位差部位との間の位置、例えば、第1グリツド電極G
1もしくは第2グリツド電極G2の近傍の位置において
、抵抗体層と絶縁被膜の表面との間の電位差が比較的大
となる状態が生じ、従って、第1グリツド電極G1もし
くは第2グリツド電極G2の近傍の位置が、上述の第3
グリツド電極G3の付近における高電位差部位とは別の
第2の高電位差部位とされることになってしまう。そし
て、斯かる第2の高電位差部位において、絶縁被膜にそ
の耐圧を越える電位差がかかって絶縁被膜の絶縁劣化も
しくは破壊を生じ、その結果、抵抗体層が被害を受けて
その抵抗値がノッキング処理前後で著しく変化すること
になる虞れがある。
D Problems to be Solved by the Invention As described above, resistor layer per unit length in the direction connecting the earth electrode terminal and the CV electrode terminal on the insulating substrate on which the resistor layer having a zigzag pattern is arranged. If the built-in resistor has a resistance value greater between the ground electrode terminal and the high potential difference part than between the high potential difference part and the CV electrode terminal, the electronic resistance of the color cathode ray tube When the color cathode ray tube is attached to a gun and subjected to knocking treatment, the potential rise gradient of the resistor layer from the ground electrode terminal on the insulating substrate to the high potential difference area is said to be steep. The position between the ground electrode terminal and the high potential difference site on the substrate, for example, the first grid electrode G
A situation occurs in which the potential difference between the resistor layer and the surface of the insulating film becomes relatively large at a position near the first or second grid electrode G2, and therefore, the potential difference between the resistor layer and the surface of the insulating film becomes relatively large. If the nearby position is the third
This results in a second high potential difference site different from the high potential difference site near the grid electrode G3. Then, at this second high potential difference site, a potential difference that exceeds the withstand voltage is applied to the insulating coating, causing insulation deterioration or breakdown of the insulating coating, and as a result, the resistor layer is damaged and its resistance value decreases due to knocking. There is a possibility that there will be a significant change between before and after.

このような絶縁基板上におけるアース電極端子に比較的
近接した第2の高電位差部位において生じる虞がある絶
縁被膜の絶縁劣化もしくは破壊に対しては、例えば、特
開昭58−102455号公報に記載されている如くに
、絶縁基板上に配されて抵抗体層を覆う絶縁被膜の表面
に、低圧側とされるアース電極端子に接続された避雷針
電極を設けて対処することが考えられる。斯かる避雷針
電極が設けられた内蔵抵抗器にあっては、陰極線管の電
子銃構体に取り付けられてノンキング処理が行われる場
合、絶縁被膜の表面に設けられた避雷針電極により絶縁
被膜の表面の帯電が低減され、その結果、絶縁被膜の絶
縁劣化もしくは破壊が防止されて、ノンキング処理前後
における絶縁被膜に覆われた抵抗体層の抵抗値の変化が
抑制されることが期待される。
Regarding insulation deterioration or breakdown of the insulating coating that may occur at a second high potential difference site relatively close to the ground electrode terminal on such an insulating substrate, for example, there is a method described in JP-A-58-102455. As described above, it is conceivable to provide a lightning rod electrode connected to a ground electrode terminal on the low voltage side on the surface of an insulating film disposed on an insulating substrate and covering a resistor layer. When a built-in resistor equipped with such a lightning rod electrode is installed in the electron gun assembly of a cathode ray tube and non-king processing is performed, the lightning rod electrode provided on the surface of the insulating coating prevents the surface of the insulating coating from being charged. As a result, it is expected that insulation deterioration or breakdown of the insulating film will be prevented, and changes in the resistance value of the resistor layer covered with the insulating film before and after the non-king treatment will be suppressed.

しかしながら、上述の如くの、絶縁基板上に配されて抵
抗体層を覆う絶縁被膜の表面に避雷針電極が備えられた
内蔵抵抗器が用いられる場合には、その内蔵抵抗器が電
子銃構体に取り付けられて陰極線管のネック部内に配さ
れた状態で、絶縁被膜の表面上に設けられた避雷針電極
が陰極線管のネック部内壁に対向せしめられるものとさ
れ、陰極線管におけるノッキング処理時に、陰極線管の
ネック部内壁から避雷針電極への放電が生じ易くなるが
、斯かる放電はネック部内壁から避雷針電極のエツジ部
分に集中し、そのため、避雷針電極のエツジ部分の下方
の絶縁被膜が、避雷針電極のエツジ部分への放電に起因
する小孔や微細なりラックが形成されて、破壊されてし
まうことになる虞れがある。
However, when a built-in resistor is used that has a lightning rod electrode on the surface of an insulating coating placed on an insulating substrate and covering a resistor layer as described above, the built-in resistor is attached to the electron gun assembly. The lightning rod electrode provided on the surface of the insulating coating faces the inner wall of the neck of the cathode ray tube while the lightning rod electrode is placed inside the neck of the cathode ray tube. Discharge from the inner wall of the neck to the lightning rod electrode is likely to occur, but such discharge is concentrated from the inner wall of the neck to the edge of the lightning rod electrode, so that the insulating coating below the edge of the lightning rod electrode There is a risk that small holes or microscopic racks may be formed due to electrical discharge to the parts, which may lead to destruction.

斯かる点に鑑み、本発明は、絶縁基板上に設けられた複
数の電極端子のうちの低圧側とされる第1の端子と高圧
側とされる第2の端子との間にジグザグ状パターンを有
した抵抗体層が形成され、この抵抗体層が絶縁被膜で覆
われる構成を有して、陰極線管に電子銃構体と共に組み
込まれるものとされ、当該陰極線管のノッキング処理に
際しての高電圧が印加される状況下におかれる場合に、
第1の端子に比較的近接した高電位差部位及びそれより
抵抗体層の中央部側における高電位差部位のいずれにお
いても絶縁被膜の絶縁劣化もしくは破壊を効果的に回避
でき、その結果、陰極線管のノッキング処理前後での抵
抗体層の抵抗値の変化を最小限に抑えることができ、し
かも、製造コスト面や信頼性の面での不利をまねかない
ようにされた陰極線管の内蔵抵抗器を提供することを目
的とする。
In view of this, the present invention provides a zigzag pattern between a first terminal on the low voltage side and a second terminal on the high voltage side among the plurality of electrode terminals provided on an insulating substrate. A resistor layer is formed, and this resistor layer is covered with an insulating film, and is incorporated into a cathode ray tube together with an electron gun assembly, so that high voltage during knocking treatment of the cathode ray tube is When placed under conditions where
Insulation deterioration or breakdown of the insulation coating can be effectively avoided in both the high potential difference area relatively close to the first terminal and the high potential difference area closer to the center of the resistor layer, and as a result, the cathode ray tube We provide a built-in resistor for cathode ray tubes that can minimize changes in the resistance value of the resistor layer before and after knocking treatment, and that does not cause disadvantages in terms of manufacturing costs or reliability. The purpose is to

E 問題点を解決するための手段 上述の目的を達成すべく、本発明に係る陰極線管の内蔵
抵抗器は、絶縁基板上におけるそれに形成された複数の
電極端子のうちの低圧側とされる第1の端子と高圧側と
される第2の端子との間に、ジグザグ状パターンを有す
るものとされた抵抗体層が絶縁被膜に覆われて配されて
、この抵抗体層の第1の端子と第2の端子とを結ぶ方向
の単位長当たりの抵抗値が、第1及び第2の端子間にお
いて絶縁被膜の表面との間の電位差が大とされることに
なる第1の高電位差部位と第1の端子との間における抵
抗体層の第1のパターン部より、第1の高電位差部位と
第2の端子との間における抵抗体層の第2のパターン部
の方が小となるものとされ、かつ、第1の端子から抵抗
体層に接触することなく突出する導電体部が設けられ、
この導電体部が、絶縁基板上に配されて、第1の端子か
ら抵抗体層の第1のパターン部に沿って、第1の端子と
第1の高電位差部位との間における、当該導電体部が無
い場合に絶縁被膜の表面との間の電位差が比較的大とさ
れる第2の高電位差部位もしくはその近傍まで伸びると
ともに、絶縁被膜に覆われないものとされて構成される
E. Means for Solving the Problems In order to achieve the above-mentioned object, the built-in resistor of a cathode ray tube according to the present invention is provided with a built-in resistor for a cathode ray tube, which is formed on an insulating substrate and has a low voltage side. A resistor layer having a zigzag pattern is disposed covered with an insulating film between the first terminal and the second terminal on the high voltage side, and the first terminal of this resistor layer is covered with an insulating film. and the second terminal, the resistance value per unit length in the direction connecting the first and second terminals is a first high potential difference site where the potential difference between the first and second terminals and the surface of the insulating coating is large. The second pattern portion of the resistor layer between the first high potential difference portion and the second terminal is smaller than the first pattern portion of the resistor layer between the first high potential difference portion and the first terminal. and a conductor portion protruding from the first terminal without contacting the resistor layer,
The conductor portion is disposed on the insulating substrate and extends from the first terminal along the first pattern portion of the resistor layer to the conductive portion between the first terminal and the first high potential difference portion. It is configured such that it extends to or near a second high potential difference site where the potential difference with the surface of the insulating coating is relatively large when there is no body part, and is not covered with the insulating coating.

F作用 上述の如くに構成される本発明に係る陰極線管の内蔵抵
抗器にあっては、陰極線管に電子銃構体と共に組み込ま
れて陰極線管のノンキング処理に供される場合、高圧側
とされる第2の端子に高圧であるノッキング電圧が供給
されるとともに低圧側とされる第1の端子が接地され、
それにより、第1の端子から伸びる導電体部には接地電
位が与えられる。そして、絶縁基板上における第1の端
子から第1の高電位差部位へかけての抵抗体層の第1の
パターン部の電位上昇勾配が、第1の高電位差部位から
第2の端子へかけての抵抗体層の第2のパターン部の電
位上昇勾配に比して急峻なものとなり、それによって、
抵抗体層の電位が第1の高電位差部位を中心にして全体
的に高められ、抵抗体層を覆う絶縁被膜にかかる電位差
が低減されることになるとともに、それに加えて、絶縁
基板上に第1の端子から第2の高電位差部位もしくはそ
の近傍まで伸びる導電体部が避雷針電極の役割を果たし
、それにより、導電体部の近傍に位置するものとなる、
第2の高電位差部位及びその周辺上における絶縁被膜の
表面の帯電が低減されて、第2の高電位差部位及びその
周辺の抵抗体層を覆う絶縁被膜にかかる電位差が一層低
減される。その結果、抵抗体層を覆う絶縁被膜にかかる
電位差が、第1の高電位差部位のみならず第2の高電位
差部位においても、絶縁被膜が絶縁劣化もしくは破壊を
生じないものとされ、陰極線管のノッキング処理前後で
の抵抗体層の抵抗値の大幅な変化が防止されることにな
る。しかも、第1の端子から第2の高電位差部位もしく
はその近傍まで伸びる導電体部は、絶縁基板上に絶縁被
膜に覆われることなく配されるので、陰極線管のノッキ
ング処理に際して、陰極線管のネック部内壁から導電体
部への放電が生じても、それによって絶縁被膜が破壊さ
れる事態が生じることはない。
F action The built-in resistor of the cathode ray tube according to the present invention configured as described above is set on the high voltage side when it is incorporated into the cathode ray tube together with the electron gun assembly and used for non-king treatment of the cathode ray tube. A high knocking voltage is supplied to the second terminal, and the first terminal, which is on the low voltage side, is grounded,
Thereby, a ground potential is applied to the conductor portion extending from the first terminal. Then, the potential increase gradient of the first pattern portion of the resistor layer from the first terminal to the first high potential difference region on the insulating substrate increases from the first high potential difference region to the second terminal. The potential rise gradient of the second pattern portion of the resistor layer is steeper than that of the second pattern portion of the resistor layer, and as a result,
The potential of the resistor layer is increased as a whole centering on the first high potential difference portion, and the potential difference applied to the insulating film covering the resistor layer is reduced. A conductor portion extending from the first terminal to the second high potential difference site or its vicinity serves as a lightning rod electrode, thereby being located in the vicinity of the conductor portion;
The charging on the surface of the insulating coating on the second high potential difference site and its surroundings is reduced, and the potential difference applied to the insulating coating covering the resistor layer on the second high potential difference site and its surroundings is further reduced. As a result, the potential difference applied to the insulating coating covering the resistor layer does not cause insulation deterioration or breakdown of the insulating coating not only at the first high potential difference site but also at the second high potential difference site, and the cathode ray tube This will prevent a significant change in the resistance value of the resistor layer before and after the knocking treatment. Moreover, since the conductive portion extending from the first terminal to the second high potential difference site or its vicinity is arranged on the insulating substrate without being covered with an insulating film, the neck of the cathode ray tube is Even if discharge occurs from the inner wall of the portion to the conductor portion, the insulating coating will not be destroyed.

G 実施例 G−1構成(第1図、第2図) 第1図及び第2図は、本発明に係る陰極線管の内蔵抵抗
器の一例を示す。この例は、第4図及び第5図に示され
る従来の内蔵抵抗器7と同様に、絶縁基板上に分圧抵抗
体層が配されるとともにこれを被覆する絶縁被膜が設け
られて形成され、第1図においては、外表部を形成する
絶縁被膜上から透視した状態が示されている。なお、第
1図及び第2図において、第4図及び第5図に示される
各部に対応する部分は、第4図及び第5図と共通の符号
が付されて示されており、それらについての詳細説明は
省略される。
G Example G-1 Configuration (FIGS. 1 and 2) FIGS. 1 and 2 show an example of a built-in resistor of a cathode ray tube according to the present invention. Similar to the conventional built-in resistor 7 shown in FIGS. 4 and 5, this example is formed by disposing a voltage dividing resistor layer on an insulating substrate and providing an insulating film to cover this layer. In FIG. 1, the state seen through from above the insulating coating forming the outer surface portion is shown. In addition, in FIGS. 1 and 2, parts corresponding to those shown in FIGS. 4 and 5 are indicated with the same reference numerals as in FIGS. A detailed explanation of is omitted.

斯かる第1図及び第2図に示される例においては、絶縁
基板1上に、CV電極端子3とアース電極端子4との間
に配された、ジグザグ状パターンを有するとともに調整
用抵抗層5゛c1を伴う抵抗体層5°aと、高圧電極端
子2とCV電極端子3との間に配された、抵抗体層5”
b及びHy4整用紙用抵抗体層52とを含んで形成され
た分圧抵抗体層5°が、上述の第4図及び第5図に示さ
れる内蔵抵抗器7における抵抗体層5a及び5bと微調
整用抵抗体層5Cとで形成された分圧抵抗体層5に相当
するものとして設けられている。また、絶縁基板1上に
は、この分圧抵抗体層5″を覆う、例えば、鉛ガラス等
からなる絶縁被膜6が配されている。
In the example shown in FIGS. 1 and 2, a resistive layer 5 for adjustment has a zigzag pattern and is arranged between a CV electrode terminal 3 and a ground electrode terminal 4 on an insulating substrate 1. A resistor layer 5°a with ゛c1 and a resistor layer 5'' disposed between the high voltage electrode terminal 2 and the CV electrode terminal 3.
The voltage dividing resistor layer 5° formed including the resistor layer 52 for adjusting the resistor layers 5a and 5b in the built-in resistor 7 shown in FIGS. 4 and 5 described above is It is provided as a layer corresponding to the voltage dividing resistor layer 5 formed with the fine adjustment resistor layer 5C. Further, on the insulating substrate 1, an insulating coating 6 made of, for example, lead glass is disposed to cover the voltage dividing resistor layer 5''.

分圧抵抗体層5゛は、例えば、略一様な断面積を有し、
均一な抵抗材料、例えば、高抵抗の酸化ルテニウムペー
ストが焼成されて得られる焼成体として形成されている
For example, the voltage dividing resistor layer 5' has a substantially uniform cross-sectional area,
It is formed as a fired body obtained by firing a uniform resistance material, for example, a high resistance ruthenium oxide paste.

分圧抵抗体層5°の一部分を構成する抵抗体層51aは
、アース電極端子4に近接する始端部を除き、一定の蛇
行幅を有したジグザグ状パターンを形成するものとされ
、低圧側であるアース電極端子4と、第4図及び第5図
に示される内蔵抵抗器7における最大電位差位置Pに対
応する、例えば、第6図に示される如(のカラー陰極線
管内に電子銃構体9とともに組み込まれて電圧が印加さ
れたとき、絶縁被膜6の表面電位と抵抗体層5”aの電
位との間の差が最大となる位置である最大電位差位置P
″ との間に配された、ジグザグ状パターンの蛇行ピッ
チを小とする第1のパターン部5’alと、これに続き
、最大電位差位置P”と高圧側であるCv電極端子3と
の間に配された、ジグザグ状パターンの蛇行ピッチを大
とする第2のパターン部5’ahとで構成されている。
The resistor layer 51a constituting a part of the voltage dividing resistor layer 5° forms a zigzag pattern with a constant meandering width except for the starting end near the ground electrode terminal 4, and on the low voltage side Corresponding to the maximum potential difference position P between a certain ground electrode terminal 4 and the built-in resistor 7 shown in FIGS. Maximum potential difference position P, which is the position where the difference between the surface potential of the insulating coating 6 and the potential of the resistor layer 5''a becomes maximum when assembled and a voltage is applied.
The first pattern portion 5'al, which has a small meandering pitch of the zigzag pattern, is disposed between the maximum potential difference position P'' and the Cv electrode terminal 3 on the high voltage side. The second pattern portion 5'ah is arranged in a zigzag pattern with a large meandering pitch.

そして、第1のパターン部5”allは、そのアース電
極端子4に近接する始端部においてはジグザグ状パター
ンの蛇行幅が他の部分より小とされている。
In the first pattern portion 5''all, the meandering width of the zigzag pattern is smaller at the starting end portion close to the ground electrode terminal 4 than at other portions.

抵抗体層5”aを構成する第1のパターン部5”al及
び第2のパターン部5’ahが上述の如くのジグザグ状
パターンを有するものとされることにより、絶縁基板1
上のアース電極端子4と最大電位差位置P゛ との間の
単位長内における第1のパターン部5”alの実効長は
、そのアース電極端子4に近接する始端部を除いて、絶
縁基板1上の最大電位差位置P゛ とCV電極端子3と
の間の単位長内における第2のパターン部5’ahの実
効長より大となり、従って、アース電極端子4と最大電
位差位置P”との間の単位長当りの抵抗体層51aの抵
抗値は、最大電位差位置P゛とCV電極端子3との間の
単位長当りの抵抗体層5+aの抵抗値より大となる。ま
た、第1のパターン部5’alのアース電極端子4に近
接する始端部が配された領域においては、単位長内にお
ける第1のパターン部5’a7!の実効長は、第1のパ
ターン部5゛a1の他の部分が配された領域に比して小
となり、例えば、最大電位差位置P゛とCV電極端子3
との間の単位長当りの抵抗体層51aの抵抗値と同等程
度となる。
Since the first pattern portion 5''al and the second pattern portion 5'ah forming the resistor layer 5''a have a zigzag pattern as described above, the insulating substrate 1
The effective length of the first pattern portion 5''al within the unit length between the upper earth electrode terminal 4 and the maximum potential difference position P' is the same as that of the insulating substrate 1 except for the starting end close to the earth electrode terminal 4. It is larger than the effective length of the second pattern portion 5'ah within the unit length between the upper maximum potential difference position P'' and the CV electrode terminal 3, and therefore, between the earth electrode terminal 4 and the maximum potential difference position P'' The resistance value of the resistor layer 51a per unit length is greater than the resistance value of the resistor layer 5+a per unit length between the maximum potential difference position P' and the CV electrode terminal 3. Furthermore, in the area where the starting end of the first pattern portion 5'al close to the ground electrode terminal 4 is arranged, the first pattern portion 5'a7! within the unit length is located within the unit length. The effective length is smaller than the area where other parts of the first pattern portion 5'a1 are arranged, and for example, the effective length between the maximum potential difference position P' and the CV electrode terminal 3
The resistance value per unit length of the resistor layer 51a is about the same as that of the resistor layer 51a.

また、絶縁基板1上には、アース電極端子4の両側部よ
りCV電極端子3側に向かって突出する導電体層部20
a及び20bが設けられている。
Further, on the insulating substrate 1, conductive layer portions 20 protruding from both sides of the earth electrode terminal 4 toward the CV electrode terminal 3 side.
a and 20b are provided.

これら導電体層部20a及び20bは、高圧電極端子2
.CV電極端子3及びアース電極端子4と同様に、例え
ば、極めて低抵抗化された酸化ルテニウムペーストが焼
成されて得られるものとされ、アース電極端子4と一体
に形成されている。そして、導電体層部20a及び20
bの夫々は、絶縁基板1上を、アース電極端子4から抵
抗体層5’aに接触するこふなくその第1のパターン部
5’aAのアース電極端子4に近接する始端部に沿って
、例えば、第6図に示される如くのカラー陰極線管内に
電子銃構体9とともに組み込まれて電圧が印加されたと
き、アース電極端子4と最大電位差位置P″ との間に
おける、導電体層部20a及び20bが無い場合に絶縁
被膜6の表面と抵抗体層5°aにおける第1のパターン
部5”alとの間の電位差が比較的大とされる高電位差
位置Qもしくはその近傍まで伸びるものとされている。
These conductor layer parts 20a and 20b are connected to the high voltage electrode terminal 2.
.. Like the CV electrode terminal 3 and the earth electrode terminal 4, it is obtained by firing a ruthenium oxide paste with extremely low resistance, for example, and is formed integrally with the earth electrode terminal 4. Then, the conductor layer portions 20a and 20
Each of b is formed on the insulating substrate 1 along the starting end of the first pattern portion 5'aA that is close to the earth electrode terminal 4 without contacting the resistor layer 5'a from the earth electrode terminal 4. For example, when the electron gun assembly 9 is incorporated into a color cathode ray tube as shown in FIG. 6 and a voltage is applied, the conductor layer portion 20a between the ground electrode terminal 4 and the maximum potential difference position P'' and extends to or near a high potential difference position Q where the potential difference between the surface of the insulating coating 6 and the first pattern portion 5''al in the resistor layer 5°a is relatively large when there is no 20b. has been done.

斯かる高電位差位置Qは、例えば、第6図に示される如
くのカラー陰極線管内に電子銃構体9とともに組み込ま
れた状態で、電子銃構体9における第2グリツド電極G
2に対応する位置となり、また、抵抗体層5′aにおけ
る第1のパターン部5’alのアース電極端子4に近接
する始端部は、アース電極端子4から高電位差位置Qま
での範囲に亙るものとされている。そして、このように
絶縁基板1に配された導電体層部20a及び20bは、
絶縁被膜6に覆われることなく絶縁基板1上に露出する
ものとされる。
Such a high potential difference position Q is located at the second grid electrode G in the electron gun assembly 9 when it is incorporated together with the electron gun assembly 9 in a color cathode ray tube as shown in FIG.
2, and the starting end of the first pattern portion 5'al in the resistor layer 5'a close to the ground electrode terminal 4 extends from the ground electrode terminal 4 to the high potential difference position Q. It is considered a thing. The conductor layer parts 20a and 20b thus arranged on the insulating substrate 1 are
It is assumed that it is exposed on the insulating substrate 1 without being covered with the insulating coating 6.

G−2陰極線管内における各部の電位関係(第3図) 上述の如くに構成された第1図及び第2図に示される内
蔵抵抗器が、第6図に示される如くのカラー陰極線管の
電子銃構体9に、従来の内蔵抵抗器7と同様にして取り
付けられ、当該カラー陰極線管のノッキング処理時にお
いて、高圧電極端子2にノンキング電圧が印加され、ア
ース電極端子4が接地される場合には、絶縁被膜6の表
面電位及び抵抗体層51aの各部の電位は、第3図に示
される如くとなる。
Potential relationship of each part in the G-2 cathode ray tube (Fig. 3) The built-in resistor shown in Figs. It is attached to the gun assembly 9 in the same manner as the conventional built-in resistor 7, and when a non-king voltage is applied to the high voltage electrode terminal 2 and the earth electrode terminal 4 is grounded during the knocking process of the color cathode ray tube. The surface potential of the insulating film 6 and the potential of each part of the resistor layer 51a are as shown in FIG.

第3図は、横軸に絶縁基板1上におけるアース電極端子
4からのCvt極端子3側への距離りをとり、縦軸に電
圧Vをとって表されたグラフを示す、これから明らかな
如く、抵抗体層5°aの各部の電位は、曲線b′で示さ
れる如く、抵抗体層5°aのアース電極端子4と最大電
位差位置P°との間に配された第1のパターン部5゛a
1におけるその始端部の後端から最大電位差位置P°へ
かけての電位上昇勾配が急峻なものとなり、また、最大
電位差位置P゛とCV電極端子3との間に配された第2
のパターン部5°ahにおける最大電位差位置P゛から
CV電極端子3へかけての電位上昇勾配が緩やかになる
。従って、抵抗体層5“aの各部の電位は、第7図に曲
線すで示される従来の内蔵抵抗器7の場合における抵抗
体層5の各部の電位に比して、最大電位差位置P°を中
心にして全体内に高められることになる。この結果、第
3図において曲線a″で示される第1図の内蔵抵抗器の
絶縁被膜6の表面電位と抵抗体層5taの電位との差、
即ち、絶縁被膜6にかかる電位差が、従来の内蔵抵抗器
7の場合に比して、絶縁被膜6の全体に亙って低減され
、特に、最大電位差位置P′及びその近傍において顕著
に低減されることになる。そして、第1図に示される内
蔵抵抗器にあっては、このように低減される最大電位差
位置P゛において絶縁被膜6にかかる電位差が絶縁被膜
6の耐圧限界より小となるように、抵抗体層5”aの第
1のパターン部5°alの実効長及び第2のパターン部
5°ahの実効長が選定される。
FIG. 3 shows a graph in which the horizontal axis represents the distance from the ground electrode terminal 4 on the insulating substrate 1 to the CVT electrode terminal 3 side, and the vertical axis represents the voltage V. , the potential of each part of the resistor layer 5°a is determined by the first pattern portion arranged between the ground electrode terminal 4 of the resistor layer 5°a and the maximum potential difference position P°, as shown by the curve b'. 5゛a
1, the potential rise gradient from the rear end of the starting end to the maximum potential difference position P° is steep, and the second CV electrode terminal 3 disposed between the maximum potential difference position P
The potential rise gradient from the maximum potential difference position P' to the CV electrode terminal 3 at the pattern portion 5°ah becomes gentle. Therefore, the potential of each part of the resistor layer 5"a is higher than the potential of each part of the resistor layer 5 in the case of the conventional built-in resistor 7, which is shown by the curve in FIG. 7, at the maximum potential difference position P°. As a result, the difference between the surface potential of the insulating coating 6 of the built-in resistor in FIG. 1 and the potential of the resistor layer 5ta, shown by curve a'' in FIG. ,
That is, the potential difference applied to the insulating coating 6 is reduced over the entire insulating coating 6 compared to the case of the conventional built-in resistor 7, and is particularly significantly reduced at the maximum potential difference position P' and its vicinity. That will happen. In the built-in resistor shown in FIG. 1, the resistor is adjusted so that the potential difference applied to the insulating coating 6 is smaller than the withstand voltage limit of the insulating coating 6 at the maximum potential difference position P' where the potential difference is reduced in this way. The effective length of the first patterned portion 5°al and the effective length of the second patterned portion 5°ah of the layer 5″a are selected.

さらに、アース電極端子4から高電位差位置Qに亙る抵
抗体層5°aの第1のパターン部5”alの始端部にお
いては、ジグザグ状パターンの蛇行幅が他の部分に比し
て小とされているので、電位上昇勾配は、第1のパター
ン部5°altの始端部の後端から最大電位差位置P゛
へかけての電位上昇勾配に比して緩やかになる。しかし
ながら、アース電極端子4から高電位差位置Qまでの範
囲においては、そこに配される絶縁被膜6の外部近傍に
、接地されたアース電極端子4から突出し、従って、接
地電位が与えられた導電体層部20a及び20bが伸び
ており、それらが避雷針電極の役割を果たして、カラー
陰極線管のネック部内壁から導電体層部20a及び20
bへの放電が生じ易い状態とされているので、絶縁被膜
6の表面の帯電が低減され、絶縁被膜6の表面電位は、
第3図において曲線a°で示される如くに顕著に低下し
たものとされる。その結果、電子銃構体9における第2
グリツド電極Gに対応する位置となる高電位差位置Q及
びその周辺において、抵抗体層5+aを覆う絶縁被膜6
にかかる電位差は充分に低減されたものとされ、絶縁被
膜6の耐圧限界を越える虞がないものとなる。
Furthermore, at the starting end of the first pattern portion 5''al of the resistor layer 5°a extending from the ground electrode terminal 4 to the high potential difference position Q, the meandering width of the zigzag pattern is smaller than that at other portions. Therefore, the potential increase gradient is gentler than the potential increase gradient from the rear end of the starting end of the first pattern portion 5°alt to the maximum potential difference position P. 4 to the high potential difference position Q, conductive layer portions 20a and 20b protrude from the grounded earth electrode terminal 4 and are therefore provided with a ground potential near the outside of the insulating coating 6 disposed there. extend from the inner wall of the neck portion of the color cathode ray tube to the conductive layer portions 20a and 20.
Since the state is such that discharge to b is likely to occur, the charge on the surface of the insulating coating 6 is reduced, and the surface potential of the insulating coating 6 is
As shown by the curve a° in FIG. 3, there has been a significant decrease. As a result, the second
An insulating coating 6 covers the resistor layer 5+a at and around the high potential difference position Q corresponding to the grid electrode G.
The potential difference applied thereto is sufficiently reduced, and there is no possibility that the withstand voltage limit of the insulating coating 6 will be exceeded.

なお、抵抗体1i5’aにおける第1のパターン部5”
alの始端部は、ジグザグ状パターンの蛇行幅が他の部
分に比して小とされることにより、導電体層部20a及
び20bとの間に、それらとの間で放電が生じないよう
にするに充分な間隔が得られるものとされている。また
、アース電極端子4から高電位差位置Qまでの範囲にお
いては、そこに配される絶縁被膜6の外部近傍に接地電
位が与えられた導電体層部20a及び20bが伸びて避
雷針電極の役割を果たすものとされ、カラー陰極線管の
ネック部内壁から導電体層部20a及び2obへの放電
が生じるが、導電体層部20a及び20bは絶縁基板1
上に絶縁被膜6で覆われることなく配されているので、
斯かる放電に起因して絶縁被膜6が破壊されることはな
い。
Note that the first pattern portion 5'' in the resistor 1i5'a
By making the meandering width of the zigzag pattern smaller than other parts, the starting end of al is designed to prevent discharge from occurring between the conductor layer parts 20a and 20b. It is assumed that sufficient spacing can be obtained. Further, in the range from the ground electrode terminal 4 to the high potential difference position Q, the conductor layer parts 20a and 20b to which the ground potential is applied extend near the outside of the insulating coating 6 disposed there, and play the role of a lightning rod electrode. Therefore, a discharge occurs from the inner wall of the neck portion of the color cathode ray tube to the conductor layer parts 20a and 2ob, but the conductor layer parts 20a and 20b
Since it is arranged without being covered with the insulating film 6 on top,
The insulating coating 6 will not be destroyed due to such discharge.

上述の如くにして、第1図及び第2図に示される内蔵抵
抗器にあっては、第6図に示される如くのカラー陰極線
管の電子銃構体9に、従来の内蔵抵抗器7と同様にして
取り付けられて、当該カラー陰極線管のノッキング処理
に供される場合において、絶縁基板1上における最大電
位差位置P゛においても、また、高電位差位置Qにおい
ても、絶縁被膜6の絶縁劣化もしくは破壊を生じること
が回避され、その結果、抵抗体層51aの抵抗値のノッ
キング処理前後での変化が抑制される。
As described above, in the built-in resistor shown in FIGS. 1 and 2, the same as the conventional built-in resistor 7 can be used in the electron gun assembly 9 of the color cathode ray tube as shown in FIG. In the case where the color cathode ray tube is subjected to knocking treatment, the insulation coating 6 may deteriorate or break at the maximum potential difference position P' on the insulating substrate 1 and also at the high potential difference position Q. As a result, changes in the resistance value of the resistor layer 51a before and after the knocking treatment are suppressed.

H発明の効果 以上の説明から明らかな如く、本発明に係る陰極線管の
内蔵抵抗器は、陰極線管の管体内に電子銃構体と共に組
み込まれて電圧印加状態とされるとき、その絶縁基板上
に低圧側とされる第1の端子と高圧側とされる第2の端
子との間にジグザグ状パターンを有して配された抵抗体
層の電位が、第1の端子から絶縁基板上の第1の端子と
第2の端子との間に形成される第1の高電位差部位へか
けてのその上昇勾配が急峻なものとなるようにされて、
絶縁基板上で抵抗体層を被覆する絶縁被膜の表面電位と
抵抗体層の電位との間の電位差が、特に、第1の高電位
差部位において顕著に低減せしめられ、また、絶縁基板
上における第1の端子に比較的近接した位置となる第2
の高電位差部位及びその近傍においては、絶縁基板上に
避雷針電極の役割を果たす導電体部が配されて、抵抗体
層を被覆する絶縁被膜の帯電が低減され、絶縁被膜の表
面電位と抵抗体層の電位との間の電位差が充分に低下せ
しめられるので、陰極線管のノンキング処理に際して高
電圧が印加される状況下におかれる場合に、第1及び第
2の高電位差部位のいずれにおいても、絶縁被膜の絶縁
劣化もしくは破壊が生じる戊がないものとなる。しかも
、第2の高電位差部位及びその近傍における絶縁被膜の
表面電位と抵抗体層の電位との間の電位差を低下させる
、避雷針電極の役割を果たす導電体部は、絶縁基板上に
抵抗体層を被覆する絶縁被膜によって覆われることなく
配されるので、それに対する放電が生じても、その放電
により抵抗体層を被覆する絶縁被膜が撰傷を受ける虞れ
がなく、従って、陰極線管のノッキング処理に際しての
高電圧が印加されるときにも、抵抗体層の抵抗値の変化
を最小限に抑制することができる優れた特性を示すもの
となる。
H Effects of the Invention As is clear from the above explanation, when the built-in resistor of the cathode ray tube according to the present invention is incorporated together with the electron gun assembly into the tube of the cathode ray tube and a voltage is applied, The potential of the resistor layer arranged in a zigzag pattern between the first terminal on the low voltage side and the second terminal on the high voltage side is transferred from the first terminal to the second terminal on the insulating substrate. The rising slope toward the first high potential difference region formed between the first terminal and the second terminal is made steep;
The potential difference between the surface potential of the insulating coating covering the resistor layer on the insulating substrate and the potential of the resistor layer is significantly reduced, especially at the first high potential difference site, and The second terminal is located relatively close to the first terminal.
In areas with high potential difference and in the vicinity thereof, a conductive part that serves as a lightning rod electrode is arranged on the insulating substrate, reducing the charge on the insulating film covering the resistor layer, and reducing the surface potential of the insulating film and the resistor. Since the potential difference between the layer potential and the potential of the cathode ray tube is sufficiently reduced, when a high voltage is applied during the non-king process of the cathode ray tube, both the first and second high potential difference parts There is no hole that could cause insulation deterioration or breakdown of the insulation coating. In addition, the conductor portion, which plays the role of a lightning rod electrode that reduces the potential difference between the surface potential of the insulating coating and the potential of the resistor layer at the second high potential difference site and its vicinity, has a resistor layer on the insulating substrate. Since it is arranged without being covered by the insulating film covering the resistor layer, even if a discharge occurs against it, there is no risk that the insulating film covering the resistor layer will be damaged by the discharge, thus preventing knocking of the cathode ray tube. Even when a high voltage is applied during processing, it exhibits an excellent property of minimizing changes in the resistance value of the resistor layer.

また、絶縁被膜の絶縁劣化もしくは破壊を防ぐべく、そ
の膜厚を増大するという手法等がとられるものではない
ので、絶縁基板と絶縁被膜との熱膨張係数の差に起因す
る全体の反りや絶縁被膜の絶縁基板からの剥離等が生じ
る欠点が伴われることがなく、さらに、安価に製造する
ことができるものとなる利点を有している。
In addition, in order to prevent insulation deterioration or breakdown of the insulating coating, methods such as increasing the thickness of the insulating coating are not taken, so overall warping and insulation due to the difference in thermal expansion coefficient between the insulating substrate and the insulating coating are not taken. It has the advantage that it does not have the disadvantage of peeling of the coating from the insulating substrate, and can be manufactured at low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明に係る陰極線管の内蔵抵抗器の一例を示
す平面図、第2図は第1図に示される例の側面図、第3
図は第1図に示される例が陰極線管に組み込まれた場合
の各部における電位関係の説明に供される特性図、第4
図及び第5図は従来の陰極線管の内蔵抵抗器を示す平面
図及び側面図、第6図は第4図及び第5図に示される内
蔵抵抗器が組み込まれた陰極線管の要部を示す概略構成
図、第7図は第6図に示される陰極線管内における内蔵
抵抗器に関連した電位関係の説明に供される特性図であ
る。 図中、1は絶縁基板、2は高圧電極端子、3はコンバー
ジェンス電極端子、4はアース電極端子、5及び5゛は
分圧抵抗体層、5’aは分圧抵抗体層5′を構成する抵
抗体層、5’alは第1のパターン部、5’ahは第2
のパターン部、6は絶縁被膜、9は電子銃構体、20a
及び20bは導電体層部である。 実施例の平面図 第2図 1°絶縁基板         5′a=分圧抵抗体贋
3°コンバージェンス電極端子  6  ゛絶縁積層4
:アース電極端子      20a、20b:導電体
層部第6図
FIG. 1 is a plan view showing an example of a built-in resistor of a cathode ray tube according to the present invention, FIG. 2 is a side view of the example shown in FIG. 1, and FIG.
Figure 4 is a characteristic diagram used to explain the potential relationship in each part when the example shown in Figure 1 is incorporated into a cathode ray tube.
5 and 5 are plan and side views showing the built-in resistor of a conventional cathode ray tube, and FIG. 6 shows the main part of the cathode ray tube in which the built-in resistor shown in FIGS. 4 and 5 is incorporated. The schematic configuration diagram, FIG. 7, is a characteristic diagram used to explain the potential relationship related to the built-in resistor in the cathode ray tube shown in FIG. In the figure, 1 is an insulating substrate, 2 is a high-voltage electrode terminal, 3 is a convergence electrode terminal, 4 is a ground electrode terminal, 5 and 5゛ are voltage-dividing resistor layers, and 5'a is a voltage-dividing resistor layer 5'. 5'al is the first pattern part, 5'ah is the second pattern part.
, 6 is an insulating coating, 9 is an electron gun structure, 20a
and 20b are conductor layer parts. Plan view of the embodiment Fig. 2 1° insulating substrate 5'a = partial voltage resistor fault 3° convergence electrode terminal 6 ゛Insulating laminated layer 4
: Earth electrode terminal 20a, 20b: Conductor layer part Fig. 6

Claims (1)

【特許請求の範囲】  絶縁基板と、該絶縁基板上に形成された複数の電極端
子と、上記絶縁基板上における上記複数の電極端子のう
ちの低圧側とされる第1の端子と高圧側とされる第2の
端子との間にジグザグ状パターンを有して配された抵抗
体層と、上記絶縁基板上における上記第1の端子と第2
の端子との間に上記抵抗体層を覆う状態とされて設けら
れた絶縁被膜と、上記第1の端子から上記抵抗体層に接
触することなく突出して設けられた導電体部とを備えて
成り、 上記抵抗体層の上記第1の端子と第2の端子とを結ぶ方
向の単位長当たりの抵抗値が、上記第1及び第2の端子
間において上記絶縁被膜の表面との間の電位差が大とさ
れることになる第1の高電位差部位と上記第1の端子と
の間における上記抵抗体層の第1のパターン部より、上
記第1の高電位差部位と上記第2の端子との間における
上記抵抗体層の第2のパターン部の方が小とされ、かつ
、上記導電体部が、上記絶縁基板上に配されて、上記第
1の端子から上記抵抗体層の第1のパターン部に沿って
、上記第1の端子と上記第1の高電位差部位との間にお
ける、該導電体部が無い場合に上記絶縁被膜の表面との
間の電位差が比較的大とされる第2の高電位差部位もし
くはその近傍まで伸びるとともに、上記絶縁被膜に覆わ
れないものとされたことを特徴とする陰極線管の内蔵抵
抗器。
[Scope of Claims] An insulating substrate, a plurality of electrode terminals formed on the insulating substrate, a first terminal on the low voltage side of the plurality of electrode terminals on the insulating substrate, and a first terminal on the high voltage side. a resistor layer disposed in a zigzag pattern between the first terminal and the second terminal on the insulating substrate;
an insulating coating provided between the first terminal and the resistor layer so as to cover the resistor layer; and a conductor portion provided to protrude from the first terminal without contacting the resistor layer. The resistance value per unit length of the resistor layer in the direction connecting the first terminal and the second terminal is the potential difference between the first and second terminals and the surface of the insulating coating. The first pattern portion of the resistor layer between the first high potential difference region and the first terminal, where the potential difference is to be large, A second pattern portion of the resistor layer between the resistor layers is smaller, and the conductor portion is disposed on the insulating substrate to connect the first terminal to the first pattern portion of the resistor layer. Along the pattern portion, the potential difference between the first terminal and the first high potential difference portion and the surface of the insulating coating is relatively large when the conductor portion is not present. A built-in resistor for a cathode ray tube, characterized in that the built-in resistor extends to or near a second high potential difference site and is not covered by the insulating film.
JP15842286A 1986-07-04 1986-07-04 Resistor incorporated in cathode-ray tube Pending JPS6313242A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15842286A JPS6313242A (en) 1986-07-04 1986-07-04 Resistor incorporated in cathode-ray tube

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15842286A JPS6313242A (en) 1986-07-04 1986-07-04 Resistor incorporated in cathode-ray tube

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6313242A true JPS6313242A (en) 1988-01-20

Family

ID=15671410

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15842286A Pending JPS6313242A (en) 1986-07-04 1986-07-04 Resistor incorporated in cathode-ray tube

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6313242A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5530609A (en) * 1993-05-31 1996-06-25 Tdk Corporation Magnetic recording/reproducing method using a thin film magnetic
US6133683A (en) * 1997-06-17 2000-10-17 Hitachi, Ltd. Color cathode ray tube having an internal voltage divider

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58102445A (en) * 1981-12-14 1983-06-18 Sony Corp Voltage dividing resistor in electron gun structure
JPS60130033A (en) * 1983-12-16 1985-07-11 Sony Corp Built-in resistor of cathode ray tube

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58102445A (en) * 1981-12-14 1983-06-18 Sony Corp Voltage dividing resistor in electron gun structure
JPS60130033A (en) * 1983-12-16 1985-07-11 Sony Corp Built-in resistor of cathode ray tube

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5530609A (en) * 1993-05-31 1996-06-25 Tdk Corporation Magnetic recording/reproducing method using a thin film magnetic
US6133683A (en) * 1997-06-17 2000-10-17 Hitachi, Ltd. Color cathode ray tube having an internal voltage divider

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR910009245B1 (en) Resistors for cathode ray tube
KR920005003B1 (en) Resistor performing on the beadglass of crt
CN1106668C (en) resistance element and cathode ray tube
JPS6313242A (en) Resistor incorporated in cathode-ray tube
US6005472A (en) Inner resistor for cathode-ray tube
JPS61250935A (en) Inner resistor of cathode-ray tube
KR100659050B1 (en) Electron gun with resistor and capacitor
JPH0552621B2 (en)
JPS63184231A (en) Knocking process for cathode-ray tube
JPS60107242A (en) Built-in resistor of cathode ray tube
JPS60124339A (en) Resistor built in cathode ray tube
JPS60239001A (en) Coating insulating resistor
JP2646578B2 (en) Built-in cathode ray tube low resistance
JPS60227342A (en) Cathode-ray tube device
JP3527112B2 (en) Color cathode ray tube with built-in split resistors
JPS63231847A (en) Color cathode ray tube
JPS6035957Y2 (en) cathode ray tube
JPS61250934A (en) Inner resistor of cathode-ray tube
JPH0785403B2 (en) Built-in resistor of cathode ray tube
JP3673906B2 (en) Resistor, cathode-ray tube electron gun using the same, and resistor manufacturing method
JPH0740295Y2 (en) Cathode ray tube
JPH07123028B2 (en) Cathode ray tube knotting method
JPS5829894Y2 (en) electron gun structure
JPH065224A (en) Resistor built-in crt
JPH11213911A (en) Electron gun structure and electron tube