JPS60118802A - 光学回析格子の製造方法 - Google Patents
光学回析格子の製造方法Info
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- JPS60118802A JPS60118802A JP59238689A JP23868984A JPS60118802A JP S60118802 A JPS60118802 A JP S60118802A JP 59238689 A JP59238689 A JP 59238689A JP 23868984 A JP23868984 A JP 23868984A JP S60118802 A JPS60118802 A JP S60118802A
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- diffraction grating
- layers
- optical diffraction
- manufacturing
- layer
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1847—Manufacturing methods
- G02B5/1857—Manufacturing methods using exposure or etching means, e.g. holography, photolithography, exposure to electron or ion beams
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は表面に等間隔で溝を形成する本体を出発材料と
して光学回析格子を製造する方法に関するものである。
して光学回析格子を製造する方法に関するものである。
上述した方法の一例では、金属本体に例えばダイヤモン
ドにより刻線することによって溝を形成する０ついで斯
かる金属本体をジグとして用いて、例えば支持体として
仕えるガラス板上に存在するラッカ一層にこん跡をつけ
るようにする。最後にラッカ一層に全１ｉ４層を被覆す
る。
ドにより刻線することによって溝を形成する０ついで斯
かる金属本体をジグとして用いて、例えば支持体として
仕えるガラス板上に存在するラッカ一層にこん跡をつけ
るようにする。最後にラッカ一層に全１ｉ４層を被覆す
る。
形成される溝の規則性および形状は回折格子の品質を決
定する。
定する。
上述したような方法には特に１その生産方法が高価であ
り、しかもラッカ一層が傷つけられやす・いと云う欠点
がある。
り、しかもラッカ一層が傷つけられやす・いと云う欠点
がある。
回折格子は一般に、個数が制限され、しかもコストが左
置問題にならない科学的使用に向けられる計測器に用い
られ、これらの計測器の諸要求には一般に種々の条件を
適合させることができる（状態調節）。
置問題にならない科学的使用に向けられる計測器に用い
られ、これらの計測器の諸要求には一般に種々の条件を
適合させることができる（状態調節）。
しかし為回折格子を例えば電気通信に大規模に使用する
場合には、これらの回折格子を廉価に、しかも丈夫にす
る必要がある。
場合には、これらの回折格子を廉価に、しかも丈夫にす
る必要がある。
本発明の目的は斯様な廉価で、しかも丈夫な回折格子の
製造方法を提供することにある。
製造方法を提供することにある。
本発明は特に１溝を形成するのに化学的な方法を用いれ
ば所望な特性を呈する回折格子を得ることができると云
う事実の認識に基づいて成したものである。
ば所望な特性を呈する回折格子を得ることができると云
う事実の認識に基づいて成したものである。
これがため、冒頭にて述べた本発明による方法は、基板
の表面に厚さがほぼ等しい多数の層を設け、所定のエツ
チング剤中での前記層のエツチング速度が、形成する層
の数にほぼ比例して増大するようにし、前記多数の層の
断面をエツチング剤に曝して、溝付きの表面を形成する
ことを特徴と゛する光学回折格子の製造方法にある。
の表面に厚さがほぼ等しい多数の層を設け、所定のエツ
チング剤中での前記層のエツチング速度が、形成する層
の数にほぼ比例して増大するようにし、前記多数の層の
断面をエツチング剤に曝して、溝付きの表面を形成する
ことを特徴と゛する光学回折格子の製造方法にある。
上述した本発明による方法によって得られる回折格子は
廉価で、しかも変形し難い。表面における所定の溝密度
、即゛ちミリメートル当りの回折格子の所定ライン数も
簡単に実現することができる◇さらに、所謂ブレーズ角
、即ち接線が層厚によって細分された個々の層のエツチ
ング深さに相当する角度も簡単に調整することができる
。
廉価で、しかも変形し難い。表面における所定の溝密度
、即゛ちミリメートル当りの回折格子の所定ライン数も
簡単に実現することができる◇さらに、所謂ブレーズ角
、即ち接線が層厚によって細分された個々の層のエツチ
ング深さに相当する角度も簡単に調整することができる
。
上述したようにエツチングした表面を有する本体はジグ
として用いるのではなく、基板として直接用いて、その
基板に金属層を設けることができる。
として用いるのではなく、基板として直接用いて、その
基板に金属層を設けることができる。
なお１個々の層の厚さは１〜８μｍとし、これら個々の
層のエツチング深度を０．１〜０．３μｍとし、ブレー
ズ角を１０〜２０°とするのが好適である０ 不発ｔＨによる方法によって製造される回折格子は特に
、ファイバによってデータ伝送する電気通信事業に好適
である。
層のエツチング深度を０．１〜０．３μｍとし、ブレー
ズ角を１０〜２０°とするのが好適である０ 不発ｔＨによる方法によって製造される回折格子は特に
、ファイバによってデータ伝送する電気通信事業に好適
である。
以下図面を参照して本発明を説明する。
下記に賢ａ〜詳述する実施例の方法では、出発材料を本
体１とし、この本体の表面２に溝８を等間隔で形成して
光学回折格子を製造する。
体１とし、この本体の表面２に溝８を等間隔で形成して
光学回折格子を製造する。
本発明によれば、基板４の表面９に厚さがほぼ等しい多
数の層５を設け、所定のエツチング剤中におけるこれら
層のエツチング速度が、形成する層の数にほぼ比例して
増大するようにする。この場合、層５の断面をエツチン
グ剤に曝して、溝３を有する表面を形成する。
数の層５を設け、所定のエツチング剤中におけるこれら
層のエツチング速度が、形成する層の数にほぼ比例して
増大するようにする。この場合、層５の断面をエツチン
グ剤に曝して、溝３を有する表面を形成する。
個々の層６の厚さは１〜８μｍとし、これら各層のエツ
チング深度は０．１へ０．３μｍとするのが好適である
。
チング深度は０．１へ０．３μｍとするのが好適である
。
回折格子の製造に当っては、例えば直径が２０關の石英
ガラス製の１個以上の基板４から出発する。これらの基
板を、容量的に結合させた平板６を有する箱状の反応器
内に入れて、平板６間に１８ ＭＨｚの周波数のＲＦ電
界を発生させる。
ガラス製の１個以上の基板４から出発する。これらの基
板を、容量的に結合させた平板６を有する箱状の反応器
内に入れて、平板６間に１８ ＭＨｚの周波数のＲＦ電
界を発生させる。
基板４に気相から非等温プラズマＧＶＤ法によって層６
を堆積する。
を堆積する。
なお、ここに云う非等温プラズマＯＶＤ法とは、電子だ
けが高い運動エネルギーを有する所謂冷プラズマを使用
するＯＶＤ法のことを意味するものとする。斯様なプラ
ズマによれば、熱的に非反応性である気体混合物でも反
応させることができる。
けが高い運動エネルギーを有する所謂冷プラズマを使用
するＯＶＤ法のことを意味するものとする。斯様なプラ
ズマによれば、熱的に非反応性である気体混合物でも反
応させることができる。
斯かる方法では比較的低い基板温度（６Ｏ〜８０℃）を
首尾良く使用でき、しかも亀裂のない層が得られる〇 層５の堆積中、基板４の温度は６０”Ｃとする。
首尾良く使用でき、しかも亀裂のない層が得られる〇 層５の堆積中、基板４の温度は６０”Ｃとする。
層５はシラン（ＳｉＨ４）、７ン％ニア（ＮＨ３）、フ
ルコン（Ａｒ ）及び量が段階的に低減する二酸化窒素
（Ｎ２０ ）を含んでいるガス流７により堆積する。気
相の組成は、１〜５トルの圧力で数時間内に各々が約１
μｍの厚さの層が約４０００枚堆積されるように通常の
方法で不Ｍ続的に、しかも短い時間間隔で変化させる。
ルコン（Ａｒ ）及び量が段階的に低減する二酸化窒素
（Ｎ２０ ）を含んでいるガス流７により堆積する。気
相の組成は、１〜５トルの圧力で数時間内に各々が約１
μｍの厚さの層が約４０００枚堆積されるように通常の
方法で不Ｍ続的に、しかも短い時間間隔で変化させる。
上記層の組成、即ち酸化珪素（５ｉｎ２）と窒化珪素（
５ｉ８Ｎ、 ） （７） ｍ的ＩＩ係はほぼ等しいステ
ップで変化する。
５ｉ８Ｎ、 ） （７） ｍ的ＩＩ係はほぼ等しいステ
ップで変化する。
斯くして形成した本体１には任意の通常の方法にて１即
ち研削により例えば層５に垂直な表面２を形成すること
ができる。
ち研削により例えば層５に垂直な表面２を形成すること
ができる。
エツチングすべき表面２以外の本体部分は燐酸を主成分
とするエツチング剤に対してマスクし、層５のエツチン
グ速度をこれらの層の組成に比例させる。
とするエツチング剤に対してマスクし、層５のエツチン
グ速度をこれらの層の組成に比例させる。
ついで、Ｎ５をこれらの層の厚さ方向に対してほぼ垂直
にエツチングして、溝８を形成する。
にエツチングして、溝８を形成する。
２つの連続する層間のエツチング速度は比較的低いため
、これらの連続層の境界には殆ど丸みがつかなくなる。
、これらの連続層の境界には殆ど丸みがつかなくなる。
数日以内に連続する層間の段の高さが０．１μｍで、ブ
レーズ角が約１０°の輪郭が得られる。
レーズ角が約１０°の輪郭が得られる。
溝には任意の慣例の方法にて金を主成分とする金属層を
０．１μｍの厚さに被層する。
０．１μｍの厚さに被層する。
出発材料本体１を光学回析格子に直接処理したり、又は
斯かる本体を上述したようにジグとして用いて溝付面を
形成することもできる。
斯かる本体を上述したようにジグとして用いて溝付面を
形成することもできる。
本発明による方法によれば電気通信目的用の光学回析格
子を廉価に、しかも丈夫に製造することができる。
子を廉価に、しかも丈夫に製造することができる。
本発明は上述した例のみに限定されるものでなく幾多の
変更を加え得ること勿論である。
変更を加え得ること勿論である。
第１図は本発明による方法によって光学回析格子を製造
する１つの製造段における出発材料の本体を示す斜視図
１ 第２図は同じく本発明方法による光学回析格子を製造す
るつぎの製造段における本体の断面の一部を示す線図蓼 第８図は本発明による方法を実施するための装置の一例
を示す断面図である。 ■・・・出発材料本体 ２・・・本体表面８・・・溝
４・・・基板 ６・・・層 ６・・・容量的結合平板 ７・・・ガス流 ９・・・基板表面
する１つの製造段における出発材料の本体を示す斜視図
１ 第２図は同じく本発明方法による光学回析格子を製造す
るつぎの製造段における本体の断面の一部を示す線図蓼 第８図は本発明による方法を実施するための装置の一例
を示す断面図である。 ■・・・出発材料本体 ２・・・本体表面８・・・溝
４・・・基板 ６・・・層 ６・・・容量的結合平板 ７・・・ガス流 ９・・・基板表面
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 表面に等間隔で溝を形成する本体を出発材料として
光学回析格子を製造する方法において、基板の表面に厚
さがほぼ等しい多数の層を設け、所定のエツチング剤中
での前記層のエツチング速度、が、形成する層の数にほ
ぼ比例して増大するようにし、前記多数の層の断面をエ
ツチング剤に曝して、溝付きの表面を形成することを特
徴とする光学回析格子の製造方法。 ２ 個々の層の厚さを１〜８μｍとすることを特徴とす
る特許請求の範囲１記載の光学回析格子の製造方法。 ＆ 個々の層のエツチング深さを０．１〜０．８μｍと
することを特徴とする特許請求の範囲１又は２のいずれ
かに記載の光学回析格子の製造方法。 表 ブレーズ角を１０〜２０°とすることを特徴とする
特許請求の範囲１〜８のいずれかに記載の光学回析格子
の製造方法。 氏 個々の層を非等温プラズマＧＶＤ法によって形成す
ることを特徴とする特許請求の範囲１〜４のいずれかに
記載の光学回析格子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8303906 | 1983-11-15 | ||
| NL8303906A NL8303906A (nl) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | Werkwijze voor het vervaardigen van een tralie en toepassing van het vervaardigde tralie. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60118802A true JPS60118802A (ja) | 1985-06-26 |
Family
ID=19842712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59238689A Pending JPS60118802A (ja) | 1983-11-15 | 1984-11-14 | 光学回析格子の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4610757A (ja) |
| EP (1) | EP0145059B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60118802A (ja) |
| DE (1) | DE3472013D1 (ja) |
| NL (1) | NL8303906A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS622207A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Hitachi Ltd | 回折格子およびその製法 |
| US4780175A (en) * | 1986-10-27 | 1988-10-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for the production of an optical phase-shifting board |
| JP2910546B2 (ja) * | 1993-12-28 | 1999-06-23 | 日本電気株式会社 | 反射板の製造方法 |
| DE102008016696A1 (de) * | 2007-03-30 | 2008-12-11 | Rev Renewable Energy Ventures, Inc. | Plasmaunterstützte Organofunktionalisierung von Siliciumtetrahalogeniden oder von Organohalogensilanen |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3542453A (en) * | 1967-10-25 | 1970-11-24 | Frederick W Kantor | Grating device composed of elongated layers |
| US4243398A (en) * | 1978-02-09 | 1981-01-06 | Nippon Electric Co., Ltd. | Method of producing dielectric diffraction gratings or dielectric multilayer interference filters |
-
1983
- 1983-11-15 NL NL8303906A patent/NL8303906A/nl not_active Application Discontinuation
-
1984
- 1984-11-13 US US06/671,152 patent/US4610757A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-11-13 EP EP84201640A patent/EP0145059B1/de not_active Expired
- 1984-11-13 DE DE8484201640T patent/DE3472013D1/de not_active Expired
- 1984-11-14 JP JP59238689A patent/JPS60118802A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3472013D1 (en) | 1988-07-14 |
| NL8303906A (nl) | 1985-06-03 |
| EP0145059B1 (de) | 1988-06-08 |
| US4610757A (en) | 1986-09-09 |
| EP0145059A1 (de) | 1985-06-19 |
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