JPS60117618A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS60117618A JPS60117618A JP22564083A JP22564083A JPS60117618A JP S60117618 A JPS60117618 A JP S60117618A JP 22564083 A JP22564083 A JP 22564083A JP 22564083 A JP22564083 A JP 22564083A JP S60117618 A JPS60117618 A JP S60117618A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は半導体装置の製造方法に関し、さらに詳言すれ
ば、レーザ光を照射して一部を加熱また溶融して熱処理
し所望の特性をｆ’Ｊる半導体装置の製造方法に関する
。
ば、レーザ光を照射して一部を加熱また溶融して熱処理
し所望の特性をｆ’Ｊる半導体装置の製造方法に関する
。
発明の背景
半導体装置、特に大規模集積回路装置の製造に当っての
半導体ウェハの処理の過程でウェハ表面にレーザ光を照
射して熱処理を行うレーザアニールと呼ばれる技術が使
用される。これは例えばイオン注入により形成された注
入層の特性を所望の特性にするため、ポリシリコン配線
の抵抗を低抵抗にするため、電界効果トランジスタのチ
ャンネルにおけるキャリア移動度を所望値にするため等
のために、半導体装置にレーザ光を照射して一部を加熱
または溶融して熱処理して所定の特性を得るために利用
される。
半導体ウェハの処理の過程でウェハ表面にレーザ光を照
射して熱処理を行うレーザアニールと呼ばれる技術が使
用される。これは例えばイオン注入により形成された注
入層の特性を所望の特性にするため、ポリシリコン配線
の抵抗を低抵抗にするため、電界効果トランジスタのチ
ャンネルにおけるキャリア移動度を所望値にするため等
のために、半導体装置にレーザ光を照射して一部を加熱
または溶融して熱処理して所定の特性を得るために利用
される。
従来技術と問題点
この場合にレーザ光は半導体ウェハ表面に対物レンズを
介して照射する。この照射は半導体ウェハ表面に光スポ
ットが位置することが要求される。
介して照射する。この照射は半導体ウェハ表面に光スポ
ットが位置することが要求される。
このため半導体ウェハ表面上から対物レンズの焦点距離
離れた位置に対物レンズ位置を制御する必要がある。
離れた位置に対物レンズ位置を制御する必要がある。
しかるに半導体ウェハ表面は完全に平坦でなく、対物レ
ンズの位置が一定のときは半導体ウェハ表面と対物レン
ズとの間の距離が変化し、光スポットの大きさが変化し
て半導体ウェハ表面の加熱状態が甚だしく変化する。こ
の変化の原因としては半導体ウェハ表面の膜厚の変化、
半導体ウェハの反りがあげられる。このため従来は顕微
鏡などで半導体ウェハ表面を観測して対物レンズ位置を
設定しており、この作業は極めて繁雑であり、非能率的
である欠点があった。
ンズの位置が一定のときは半導体ウェハ表面と対物レン
ズとの間の距離が変化し、光スポットの大きさが変化し
て半導体ウェハ表面の加熱状態が甚だしく変化する。こ
の変化の原因としては半導体ウェハ表面の膜厚の変化、
半導体ウェハの反りがあげられる。このため従来は顕微
鏡などで半導体ウェハ表面を観測して対物レンズ位置を
設定しており、この作業は極めて繁雑であり、非能率的
である欠点があった。
発明の目的
本発明は上記にかんがみなされたもので、上記の欠点を
解消して対物レンズ位置の調整を半導体ウェハ表面の凹
凸に応じて自動的に行って非能率な作業を行わなくても
よくした半導体装置の製造方法を提供することを目的と
する。
解消して対物レンズ位置の調整を半導体ウェハ表面の凹
凸に応じて自動的に行って非能率な作業を行わなくても
よくした半導体装置の製造方法を提供することを目的と
する。
発明の構成
半導体ウェハ表面への対物レンズを介してのレーザ光の
照射により熱処理して所望の特性を得る半導体装置の製
造方法において、半導体ウェハ表面の凹凸を超音波によ
って検出し、検出した値に対応して対物レンズ位置を半
導体ウェハ表面と対物レンズとの間の距離が所定値とな
るように調節することを特徴とする。
照射により熱処理して所望の特性を得る半導体装置の製
造方法において、半導体ウェハ表面の凹凸を超音波によ
って検出し、検出した値に対応して対物レンズ位置を半
導体ウェハ表面と対物レンズとの間の距離が所定値とな
るように調節することを特徴とする。
発明の実施例
以下、本発明を実施例により説明する。
第１図は本発明方法を適用した一実施例の構成を示すブ
ロック図である。
ロック図である。
１は半導体ウェハであり、レーザ２からのレーザ光は反
射鏡３で反射して対物レンズ４に入射して対物レンズ４
により半導体ウェハ１の表面に集束するように構成しで
ある。
射鏡３で反射して対物レンズ４に入射して対物レンズ４
により半導体ウェハ１の表面に集束するように構成しで
ある。
対物レンズ４は半導体ウェハｌの表面に対して例えばパ
ルスモータのような駆動源５により第１図において上下
方向に移動可能に設けである。対物レンズ４には超音波
送波器６および超音波受波器７が一体に装着しである。
ルスモータのような駆動源５により第１図において上下
方向に移動可能に設けである。対物レンズ４には超音波
送波器６および超音波受波器７が一体に装着しである。
超音波送波器６から送波された超音波は対物レンズ４の
中心に対向する半導体ウェハ１の表面位置において反射
し超音波受波器７に受波されるように設定しである。
中心に対向する半導体ウェハ１の表面位置において反射
し超音波受波器７に受波されるように設定しである。
超音波送波器６による超音波送波タイミングは超音波送
波器６、超音波受波器７およびパルスモータ５とともに
距離測定制御装置を構成する第２図のブロック図に示す
制御装置８により制御される。
波器６、超音波受波器７およびパルスモータ５とともに
距離測定制御装置を構成する第２図のブロック図に示す
制御装置８により制御される。
制御装置８は発振器９、基準発振器１０、発振器９およ
び基準発振器１０の出力を入力とし出力で超音波送波器
６を制御するアンドゲート１１、超音波受波器７からの
受波出力を積分し波形整形する波形整形回路１２、基準
発振器１０の出力の立上りでセントされかつ波形整形回
路１２の出力の立上りでリセットされるフリップフロッ
プ１３、発振器１４、発振器１４の出力およびフリップ
フロップ１３のＱ出力を入力とするアントゲ−１・１５
、対物レンズ４の焦点距離に対応した値が設定された設
定器１６、アンドゲート１５の出力パルスの計数値と設
定器１６の設定値との減算を行ない減算結果の極性によ
りパルスモータ５の回転方向指示信号および減算結果値
に対応した数の駆動パルスをパルスモータ駆動回路１８
に出力する制御器１７からなっている。
び基準発振器１０の出力を入力とし出力で超音波送波器
６を制御するアンドゲート１１、超音波受波器７からの
受波出力を積分し波形整形する波形整形回路１２、基準
発振器１０の出力の立上りでセントされかつ波形整形回
路１２の出力の立上りでリセットされるフリップフロッ
プ１３、発振器１４、発振器１４の出力およびフリップ
フロップ１３のＱ出力を入力とするアントゲ−１・１５
、対物レンズ４の焦点距離に対応した値が設定された設
定器１６、アンドゲート１５の出力パルスの計数値と設
定器１６の設定値との減算を行ない減算結果の極性によ
りパルスモータ５の回転方向指示信号および減算結果値
に対応した数の駆動パルスをパルスモータ駆動回路１８
に出力する制御器１７からなっている。
以上の如く構成した本発明方法を適用した一実施例にお
いて、レーザ２からのレーザ光は反射鏡３で反射して対
物レンズ４に入射され、対物レンズ４によって集束され
、半導体ウェハ１を加熱する。
いて、レーザ２からのレーザ光は反射鏡３で反射して対
物レンズ４に入射され、対物レンズ４によって集束され
、半導体ウェハ１を加熱する。
一方、発振器９および基準発振器１０は第３図（ａｌお
よび（ｂ）に示す発振を行ない、アンドゲート１１の出
力波形は第３図（Ｃ）に示す波形となり、超音波送波器
６はアンドゲート１１の出力により基準発振器１０のパ
ルス発生期間の間、発振器９の発振周波数に対応して超
音波の送波を行なう。この送波超音波は対物レンズ４の
中心位置に対向する半導体ウェハ１の表面で反射し、反
射超音波は超音波受波器７で受波される。しかし超音波
受波器７による受波時期は対物レンズ４と半導体ウェハ
１との距離に対応した時間遅れている。反射超音波を受
波した超音波受波器７は前記時間遅れて第３図（ｄ）に
示す波形の出力を発生ずる。超音波受波器７のこの出力
は波形整形回路１２において積分のうえ波形整形されて
、波形整形回路１２から第３図Ｔｅｌに示すパルス出力
が発生ずる。フリップフロップ１３は第３図（ｂｌに示
した基準発振器ｌＯの出力パルスの立上りでセントされ
ており、波形整形回路１２の第３図（ｅ）に示す出力パ
ルスの立上りでリセフトされるために、フリップフロッ
プ１３のＱ出力は第３図（ｆｌに示す如くになり、フリ
ップフロップ１３のＱ出力のパルス幅は対物レンズ４と
半導体ウェハ１の表面との距１ｉｌｌｉに対応している
。
よび（ｂ）に示す発振を行ない、アンドゲート１１の出
力波形は第３図（Ｃ）に示す波形となり、超音波送波器
６はアンドゲート１１の出力により基準発振器１０のパ
ルス発生期間の間、発振器９の発振周波数に対応して超
音波の送波を行なう。この送波超音波は対物レンズ４の
中心位置に対向する半導体ウェハ１の表面で反射し、反
射超音波は超音波受波器７で受波される。しかし超音波
受波器７による受波時期は対物レンズ４と半導体ウェハ
１との距離に対応した時間遅れている。反射超音波を受
波した超音波受波器７は前記時間遅れて第３図（ｄ）に
示す波形の出力を発生ずる。超音波受波器７のこの出力
は波形整形回路１２において積分のうえ波形整形されて
、波形整形回路１２から第３図Ｔｅｌに示すパルス出力
が発生ずる。フリップフロップ１３は第３図（ｂｌに示
した基準発振器ｌＯの出力パルスの立上りでセントされ
ており、波形整形回路１２の第３図（ｅ）に示す出力パ
ルスの立上りでリセフトされるために、フリップフロッ
プ１３のＱ出力は第３図（ｆｌに示す如くになり、フリ
ップフロップ１３のＱ出力のパルス幅は対物レンズ４と
半導体ウェハ１の表面との距１ｉｌｌｉに対応している
。
フリップフロップ１３のＱ出力が正の期間、アンドゲー
ト１５ばそのゲートを開きアントゲ−１・１５から発振
器１４の出力パルスが出力されることになり、アントゲ
−１−１５の出力は第３図（ｇ）に示すパルスが出力さ
れる。
ト１５ばそのゲートを開きアントゲ−１・１５から発振
器１４の出力パルスが出力されることになり、アントゲ
−１−１５の出力は第３図（ｇ）に示すパルスが出力さ
れる。
アンドゲート１５の出力パルスは制御器１７により計数
される。この計数値Ｘは対物レンズ４と半導体ウェハ１
の表面との距離に対応しており、制御器１７において設
定器１６の設定値ｙと減算される。設定器１６の設定器
ｙは対物レンズ４の焦点距離に対応して設定しである。
される。この計数値Ｘは対物レンズ４と半導体ウェハ１
の表面との距離に対応しており、制御器１７において設
定器１６の設定値ｙと減算される。設定器１６の設定器
ｙは対物レンズ４の焦点距離に対応して設定しである。
そこで制御器１７ば（ｙ−ｘ）の演算を行ないｙ−ｘ＞
Ｑのときは方向制御信号として正電位出力と１ｙ−ｘｌ
値に対応した数の駆動パルスをパルスモータ駆動回路１
８に出力し、ｙ−ｘ＜Ｑのときは方向制御信号として負
電位出力とｌ ｙ−ｘ ｌ値に対応した数ノ駆動パルス
をパルスモーク駆動回路１８に出力する。この結果、前
者のときは対物レンズ４は半導体ウェハ１の表面から離
れる方向にパルスモータ６によって駆動され、後者のと
きは対物レンズ４は半導体ウェハの表面に近ずく方向に
駆動され、対物レンズ４の位置が半導体ウエノ＼１の表
面から焦点距離の位置にあるように制御される。
Ｑのときは方向制御信号として正電位出力と１ｙ−ｘｌ
値に対応した数の駆動パルスをパルスモータ駆動回路１
８に出力し、ｙ−ｘ＜Ｑのときは方向制御信号として負
電位出力とｌ ｙ−ｘ ｌ値に対応した数ノ駆動パルス
をパルスモーク駆動回路１８に出力する。この結果、前
者のときは対物レンズ４は半導体ウェハ１の表面から離
れる方向にパルスモータ６によって駆動され、後者のと
きは対物レンズ４は半導体ウェハの表面に近ずく方向に
駆動され、対物レンズ４の位置が半導体ウエノ＼１の表
面から焦点距離の位置にあるように制御される。
したがって対物レンズ４の位置は半導体ウニ）ｚｌの表
面から対物レンズ４の焦点距離だけ離れた位置に制御さ
れることになって、レーザ２からのレーザ光は常に半導
体ウェハｌの表面に集束されることになり、半導体ウェ
ハ１の表面上の光スポツト径に変化は無くなって、半導
体ウエノＸ１の加熱、熱処理の状態が変化させられるこ
とはなくなる。
面から対物レンズ４の焦点距離だけ離れた位置に制御さ
れることになって、レーザ２からのレーザ光は常に半導
体ウェハｌの表面に集束されることになり、半導体ウェ
ハ１の表面上の光スポツト径に変化は無くなって、半導
体ウエノＸ１の加熱、熱処理の状態が変化させられるこ
とはなくなる。
なお、以上説明した本発明方法を適用した一実施例にお
いては対物レンズ４の位置を超音波により測定し半導体
ウェハｌの表面から対物レンズ４の焦点距離だけｔｌれ
た位置に制御する場合を例示したが、超音波により半導
体ウェハ１の表面の凹凸を検出し、検出した凹凸に対応
して対物レンズ４の半導体ウェハｌの表面に対する位置
を手動により調整するようにしても、従来の如く顕微鏡
による半導体ウェハｌの表面の凹凸検出に比較して極め
て容易であり、作業ｆｉＬ率も格段に向上する。
いては対物レンズ４の位置を超音波により測定し半導体
ウェハｌの表面から対物レンズ４の焦点距離だけｔｌれ
た位置に制御する場合を例示したが、超音波により半導
体ウェハ１の表面の凹凸を検出し、検出した凹凸に対応
して対物レンズ４の半導体ウェハｌの表面に対する位置
を手動により調整するようにしても、従来の如く顕微鏡
による半導体ウェハｌの表面の凹凸検出に比較して極め
て容易であり、作業ｆｉＬ率も格段に向上する。
発明の効果
本発明によれば半導体ウェハ表面の凹凸を超音波により
測定するために、半導体ウェハ表面の凹凸に対応して対
物レンズ位置の調整が容易となり、半導体ウェハの加熱
、Ｑ処理作業の能率がきわめて向上する。
測定するために、半導体ウェハ表面の凹凸に対応して対
物レンズ位置の調整が容易となり、半導体ウェハの加熱
、Ｑ処理作業の能率がきわめて向上する。
第１図は本発明方法を適用した一実施例のプ１：Ｊツク
図、第２図は前記−実ｈ’を例における距離測定制御装
置の一例を示すブロック図、第３図は本発明方法を適用
した一実施例の作用の説明に供する波形図である。 １・・・・・・半導体ウェハ、２・・・・・・レーザ、
３・旧・・反射ｍ、４・・・・・・対物レンズ、５・・
・・・・パルスモータ、６・・・・・・超音波送波器、
７・・・・・・超音波受波器、８・・・・・・距離測定
制御装置、９および１４・・・・・・発振器、１０・・
・・・・基準発振器、１２・・・・・・波形整形回路、
１３・・・・・・フリップフロップ、１６・・・・・・
設定器、１７・・・・・・制御器、１８・・・・・・パ
ルスモータ駆動回路。 特許出願人 富 士 通 株式会社 第１図 （ｂ）」ニー」丁− （Ｃ）」聞１１１１１Ｌ−−−」量器■（９） 」曲Ｌ
ＪＩＩ聞ｍ
図、第２図は前記−実ｈ’を例における距離測定制御装
置の一例を示すブロック図、第３図は本発明方法を適用
した一実施例の作用の説明に供する波形図である。 １・・・・・・半導体ウェハ、２・・・・・・レーザ、
３・旧・・反射ｍ、４・・・・・・対物レンズ、５・・
・・・・パルスモータ、６・・・・・・超音波送波器、
７・・・・・・超音波受波器、８・・・・・・距離測定
制御装置、９および１４・・・・・・発振器、１０・・
・・・・基準発振器、１２・・・・・・波形整形回路、
１３・・・・・・フリップフロップ、１６・・・・・・
設定器、１７・・・・・・制御器、１８・・・・・・パ
ルスモータ駆動回路。 特許出願人 富 士 通 株式会社 第１図 （ｂ）」ニー」丁− （Ｃ）」聞１１１１１Ｌ−−−」量器■（９） 」曲Ｌ
ＪＩＩ聞ｍ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体ウェハ表面への対物レンズを介してのレーザ光の
照射によって熱処理して所望の特性を４＝＋する半導体
装置の製造方法において、半導体つ：〔凸表面の凹凸を
超音波によって検出し、検出した値に対応して対物レン
ズ位置を半導体ウェハ表面と対物レンズとの間の距離が
所定値となるように調節することを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22564083A JPS60117618A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22564083A JPS60117618A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60117618A true JPS60117618A (ja) | 1985-06-25 |
Family
ID=16832465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22564083A Pending JPS60117618A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60117618A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62296509A (ja) * | 1986-06-17 | 1987-12-23 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH10270360A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Seiko Epson Corp | 結晶性半導体膜の製造方法、およびアニール装置および薄膜トランジスタの製造方法および液晶表示装置用アクティブマトリクス基板 |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP22564083A patent/JPS60117618A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62296509A (ja) * | 1986-06-17 | 1987-12-23 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH10270360A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Seiko Epson Corp | 結晶性半導体膜の製造方法、およびアニール装置および薄膜トランジスタの製造方法および液晶表示装置用アクティブマトリクス基板 |
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