JPS60116155A - 液冷型高周波固体装置 - Google Patents
液冷型高周波固体装置Info
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- JPS60116155A JPS60116155A JP22310383A JP22310383A JPS60116155A JP S60116155 A JPS60116155 A JP S60116155A JP 22310383 A JP22310383 A JP 22310383A JP 22310383 A JP22310383 A JP 22310383A JP S60116155 A JPS60116155 A JP S60116155A
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- Japan
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- heat
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- stem
- solid
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/44—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements the complete device being wholly immersed in a fluid other than air
- H01L23/445—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements the complete device being wholly immersed in a fluid other than air the fluid being a liquefied gas, e.g. in a cryogenic vessel
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- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
- H01L2924/1616—Cavity shape
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）発明の技術分野
本発明はマイクロ波、ミリ波用の高周波トランジスタ、
半導体ダイオード等の発熱性固体素子を用いて形成した
増幅器、発振器等の固体回路を具備して構成された高周
波同体装置に関し、特に、冷却媒体として液体を用いた
液冷型高周波固体装置に関するものである。
半導体ダイオード等の発熱性固体素子を用いて形成した
増幅器、発振器等の固体回路を具備して構成された高周
波同体装置に関し、特に、冷却媒体として液体を用いた
液冷型高周波固体装置に関するものである。
←）技術の背景
前述したように、この種の高周波固体装置には、高周波
トランジスタ、半導体ダイオード等の発熱性固体素子が
用いられているため、これら固体素子の発生熱を奪熱・
放散して固体素子の機能保証温度を保つ必要がある。
トランジスタ、半導体ダイオード等の発熱性固体素子が
用いられているため、これら固体素子の発生熱を奪熱・
放散して固体素子の機能保証温度を保つ必要がある。
従来の高周波固体装置の冷却法としては、後述するよう
に、自然空冷、強制空冷法があるが、装置の小型比、高
密度化によって、効率的な冷却が困難となっている。と
ころで、冷媒として液体を用いて廃熱体をこの液体中に
浸漬し、液体の気化と凝縮作用によって冷却するという
方法がある。
に、自然空冷、強制空冷法があるが、装置の小型比、高
密度化によって、効率的な冷却が困難となっている。と
ころで、冷媒として液体を用いて廃熱体をこの液体中に
浸漬し、液体の気化と凝縮作用によって冷却するという
方法がある。
この液冷方法は空冷に比べて冷却効率を著しく増大でき
るということが知られており、各技術分野でその応用が
進んでいる。本発明はこの液冷方法を応用して液冷型高
周波固体装置を構成したものである。
るということが知られており、各技術分野でその応用が
進んでいる。本発明はこの液冷方法を応用して液冷型高
周波固体装置を構成したものである。
しかしながら、この液冷方法を高周波固体装置に応用し
た場合には、冷媒（液体）の比誘電率が電気と異なるた
め筒周波特性の変化（振幅変調等）が生ずるという問題
や、冷媒の湯度上昇に半って生ずる高周波特性の温度依
存性の増大化等の問題がある。従って、液冷型高周波固
体装置としては、良好な冷却構造を肩し、上述した問題
点を解消し得るものであることが望ましい。
た場合には、冷媒（液体）の比誘電率が電気と異なるた
め筒周波特性の変化（振幅変調等）が生ずるという問題
や、冷媒の湯度上昇に半って生ずる高周波特性の温度依
存性の増大化等の問題がある。従って、液冷型高周波固
体装置としては、良好な冷却構造を肩し、上述した問題
点を解消し得るものであることが望ましい。
（ハ）従来技術と問題点
第１図は一例としてマイクロ波増幅器を備えた従来の高
周波固体装置１０を示す図である。同図において、符号
１１は装置本体、１２は栓数詞の放熱フィン１２ａを・
１イし装置６本本１１に密着固定された放熱ブロック金
それぞれ示している。装置本体１１には、発熱性固体素
子である電界効果トランジスタ（Ｆ’ＥＴ ） １３が
搭載され、このＦＥＴ１３の両側にそれぞれ整合回路１
４．１５が形成されかつＦＥＴ １３と電気的に接読さ
れている０符号１６は一方の入力端子あるいは出力端子
であって整合回路１５に電気的に接続されている。この
従来例１０は、ＦＥＴ １３の発生熱が本体１１の底板
を通って放熱ブロック１２に熱伝導し、放熱フィン１２
ａを介して自然空冷又は強制空冷によって放熱されるよ
うに構成されている。しかし、この従来例１Ｏは、自然
空冷の場合で、その冷却能力（放熱能力）が０．２ ｖ
ｒ／ｃｍ２程度であり、強制空冷の場合でもｌψ２程度
であるため、発熱性固体素子１３ｆ：多数個用いて実装
密度を上げると充分な冷却をすることができず、止むを
得ず固体素子１３の相互間隔を広げる必要がある。この
ため、この従来例１０は、固体素子１３相互の接続ライ
ンが長くなり、高周波損失が増大して高周波出力が減少
するという問題がある。
周波固体装置１０を示す図である。同図において、符号
１１は装置本体、１２は栓数詞の放熱フィン１２ａを・
１イし装置６本本１１に密着固定された放熱ブロック金
それぞれ示している。装置本体１１には、発熱性固体素
子である電界効果トランジスタ（Ｆ’ＥＴ ） １３が
搭載され、このＦＥＴ１３の両側にそれぞれ整合回路１
４．１５が形成されかつＦＥＴ １３と電気的に接読さ
れている０符号１６は一方の入力端子あるいは出力端子
であって整合回路１５に電気的に接続されている。この
従来例１０は、ＦＥＴ １３の発生熱が本体１１の底板
を通って放熱ブロック１２に熱伝導し、放熱フィン１２
ａを介して自然空冷又は強制空冷によって放熱されるよ
うに構成されている。しかし、この従来例１Ｏは、自然
空冷の場合で、その冷却能力（放熱能力）が０．２ ｖ
ｒ／ｃｍ２程度であり、強制空冷の場合でもｌψ２程度
であるため、発熱性固体素子１３ｆ：多数個用いて実装
密度を上げると充分な冷却をすることができず、止むを
得ず固体素子１３の相互間隔を広げる必要がある。この
ため、この従来例１０は、固体素子１３相互の接続ライ
ンが長くなり、高周波損失が増大して高周波出力が減少
するという問題がある。
に）発明の目的
本発明の目的は、上記従来技術の問題点に鑑み、液冷法
を応用して構成したものであって、放熱効率が良好で発
熱性固体素子が高密度に実装された場合でも充分に冷却
することができ、高周波損失を低減化でき、しかも高周
波特性が変化（振幅変調等）されにくい液冷型高周波固
体装置を提供することにある。
を応用して構成したものであって、放熱効率が良好で発
熱性固体素子が高密度に実装された場合でも充分に冷却
することができ、高周波損失を低減化でき、しかも高周
波特性が変化（振幅変調等）されにくい液冷型高周波固
体装置を提供することにある。
（ホ）発明の構成
そして、上記目的を達成するために、本発明に依れば、
低沸点の冷却液を封入した密閉冷却容器の上方壁に冷却
液蒸気の吸放熱手段を形成し、前記封入冷却液面下に位
置する容器壁の一部を、高周波トランジスタ、半導体ダ
イオード等の元熱性固体素子全有する固体回路をその表
面に搭載した板状ステム又はキャリアにより形成し、該
ステム又はギヤリアの裏面ケ前ｄ己封入冷却液にｉｆ接
接触せしめるように構成したことを性徴とする液冷型高
周波固体装置が提供される。
低沸点の冷却液を封入した密閉冷却容器の上方壁に冷却
液蒸気の吸放熱手段を形成し、前記封入冷却液面下に位
置する容器壁の一部を、高周波トランジスタ、半導体ダ
イオード等の元熱性固体素子全有する固体回路をその表
面に搭載した板状ステム又はキャリアにより形成し、該
ステム又はギヤリアの裏面ケ前ｄ己封入冷却液にｉｆ接
接触せしめるように構成したことを性徴とする液冷型高
周波固体装置が提供される。
（へ）発明の実施ｌ９１１
以下、本発明の実施１＋ｔｌ金図面に基づいて詳細に説
明する。
明する。
第２図から第３図は本発明の詳細な説明するための図で
ある。
ある。
第２図は本発明の一実施例の縦断面図である。
同図において、符号２０は装置全体を示し、２１は密閉
冷却容器、２２は放熱ブロック、２３は冷却液、２４は
板状ステム（又はキャリア）、２５は半導体ダイオード
（発熱性固体素子）、２６．２７は整合回路をそれぞれ
示している。放熱ゾロツク２２は上面に複数１固の放熱
フィン２２ａが形成され、そして、下面が箱形状に形成
された冷却容器２１の土壁部２１ａ上（密着固定されて
いる。冷却液２３としては、曲の物質を溶解せず、化学
的に不活性で安定しており、電気絶縁性が優れている等
の性質を有するフレオン、ふっ化炭素等の低沸点液体が
用いられ、液面上に適宜な空隙を残して冷却容器２１中
に封入されている。尚、この空隙部は、通常、冷媒蒸気
で満たされている。板状ステム（又はキャリア）２４は
、その表面側２４ａに半導体ダイオード２５と整合回路
２６．２７が配設され、これによって固体回路が形成さ
れている。尚、符号２８はこの固体回路を気密封止する
ためのキャップを示している。冷却容器２１の底壁部２
１ｂの一部に貫通穴２１ｃが設けられ、この貫通穴２１
ｃを板状ステム（又はキャリア）２４の裏面２４ｂが閉
鎖する形態で板状ステム（又はキャリア）２４が冷却容
器２１の底壁部２１ｂに密着固定されている。これによ
シ、半導体ダイオード２５の配置部分に相当する板状ス
テム（又はキャリア）２４の裏面２４ｂ部分が冷却液２
２に直接接触されることになる。このため、半導体ダイ
オード２５０発生熱は板状ステム２４に熱伝導して板状
ステム２４の裏面２４ｂから冷却液２３中に直接的に効
率良く放散される。この放散熱によって冷却液２３の一
部が沸騰して気化され、沸騰気泡２９となって冷却液２
３中を上昇する。すなわち、このような冷却ｔ２３の気
化熱によって半導体ダイオード２５０発生熱が奪熱され
ることによυ、半導体ダイオード２５が効率良く冷却さ
れることになる。さて、上昇した気泡２９は冷却液２３
の液面に達し、さらに液面から蒸気となって冷却容器２
１の土壁部２１ａに達し、この上壁部２１ａによって吸
熱され、再び液化（凝縮）されて冷却液２３の液面上に
滴下する。一方、土壁部２１ａに吸熱された熱は放熱ブ
ロック２２に熱伝導して放熱フィン２２ａによって外部
に効率よく放散される。尚、この場合、土壁部２１ａの
下面に、上面に設けた放熱フィン２２ａと同様な吸熱フ
ィンを設けて、冷却液２３の蒸気からの吸熱効果を向上
させるこ七ができる。また、土壁部２１と放熱ブロック
２２とを一体化して冷却容器２１の蓋として形成しかつ
下面に吸熱フィンを設けて、さらに吸放熱効果を上げる
ようにすることもできる。
冷却容器、２２は放熱ブロック、２３は冷却液、２４は
板状ステム（又はキャリア）、２５は半導体ダイオード
（発熱性固体素子）、２６．２７は整合回路をそれぞれ
示している。放熱ゾロツク２２は上面に複数１固の放熱
フィン２２ａが形成され、そして、下面が箱形状に形成
された冷却容器２１の土壁部２１ａ上（密着固定されて
いる。冷却液２３としては、曲の物質を溶解せず、化学
的に不活性で安定しており、電気絶縁性が優れている等
の性質を有するフレオン、ふっ化炭素等の低沸点液体が
用いられ、液面上に適宜な空隙を残して冷却容器２１中
に封入されている。尚、この空隙部は、通常、冷媒蒸気
で満たされている。板状ステム（又はキャリア）２４は
、その表面側２４ａに半導体ダイオード２５と整合回路
２６．２７が配設され、これによって固体回路が形成さ
れている。尚、符号２８はこの固体回路を気密封止する
ためのキャップを示している。冷却容器２１の底壁部２
１ｂの一部に貫通穴２１ｃが設けられ、この貫通穴２１
ｃを板状ステム（又はキャリア）２４の裏面２４ｂが閉
鎖する形態で板状ステム（又はキャリア）２４が冷却容
器２１の底壁部２１ｂに密着固定されている。これによ
シ、半導体ダイオード２５の配置部分に相当する板状ス
テム（又はキャリア）２４の裏面２４ｂ部分が冷却液２
２に直接接触されることになる。このため、半導体ダイ
オード２５０発生熱は板状ステム２４に熱伝導して板状
ステム２４の裏面２４ｂから冷却液２３中に直接的に効
率良く放散される。この放散熱によって冷却液２３の一
部が沸騰して気化され、沸騰気泡２９となって冷却液２
３中を上昇する。すなわち、このような冷却ｔ２３の気
化熱によって半導体ダイオード２５０発生熱が奪熱され
ることによυ、半導体ダイオード２５が効率良く冷却さ
れることになる。さて、上昇した気泡２９は冷却液２３
の液面に達し、さらに液面から蒸気となって冷却容器２
１の土壁部２１ａに達し、この上壁部２１ａによって吸
熱され、再び液化（凝縮）されて冷却液２３の液面上に
滴下する。一方、土壁部２１ａに吸熱された熱は放熱ブ
ロック２２に熱伝導して放熱フィン２２ａによって外部
に効率よく放散される。尚、この場合、土壁部２１ａの
下面に、上面に設けた放熱フィン２２ａと同様な吸熱フ
ィンを設けて、冷却液２３の蒸気からの吸熱効果を向上
させるこ七ができる。また、土壁部２１と放熱ブロック
２２とを一体化して冷却容器２１の蓋として形成しかつ
下面に吸熱フィンを設けて、さらに吸放熱効果を上げる
ようにすることもできる。
さて、本実施例２０に依れば、このような吸放熱作用（
冷却作用）が連続的かつ円滑にく９返えされることによ
り、半導体ダイオード（発熱性固体素子）２５が高密度
に実装された場合でも、半導体ダイオード２５０発生熱
を効率良く放熱することができ、半導体ダイオード２５
等の発熱性固体素子を所定の機能保証温度以下に容易に
冷却して保つことができる。このため、本実施例は、実
装密度を上げることができると共に前出の従来例の問題
点であった高周波損失を低減することができる。また、
本実施例２０は、板状ステム（又はキャリア）２４の裏
面２４ｂを冷却液２３’に直接接触させ、半導体ダイオ
ード２５を搭載した板状ステム２４の表面側２４ａを冷
却容器２１の外部に配置しかつキャラｆ２Ｂでシールド
しているので、高周波特性の変化（振幅変調等）をうけ
ることがほとんどない。
冷却作用）が連続的かつ円滑にく９返えされることによ
り、半導体ダイオード（発熱性固体素子）２５が高密度
に実装された場合でも、半導体ダイオード２５０発生熱
を効率良く放熱することができ、半導体ダイオード２５
等の発熱性固体素子を所定の機能保証温度以下に容易に
冷却して保つことができる。このため、本実施例は、実
装密度を上げることができると共に前出の従来例の問題
点であった高周波損失を低減することができる。また、
本実施例２０は、板状ステム（又はキャリア）２４の裏
面２４ｂを冷却液２３’に直接接触させ、半導体ダイオ
ード２５を搭載した板状ステム２４の表面側２４ａを冷
却容器２１の外部に配置しかつキャラｆ２Ｂでシールド
しているので、高周波特性の変化（振幅変調等）をうけ
ることがほとんどない。
第３図は第２図の板状ステム２４の変形例２４′を示す
図で（イ）はその裏１ＩＩＴ２４′ｂ１←）はその表面
側２４′ａを示す図である。この場合は、表面１）１１
１２４’ａに配設された半導体ダイオード（発熱性固体
素子）２５に相当する裏面２４′ｂ上に放熱フィン（放
熱手段）２４’ｃがステム２４と一体状に形成されてい
る。尚、この放熱フィン２４′ｃはこれに代えて、突起
、凹所等で形成してもよい。このような放熱フィン２４
′ｃは半導体ダイオード２５の発生熱をさらに効率良く
放熱することができ、特に、発生熱の多い発熱性固体素
子に対して有用性が高い。
図で（イ）はその裏１ＩＩＴ２４′ｂ１←）はその表面
側２４′ａを示す図である。この場合は、表面１）１１
１２４’ａに配設された半導体ダイオード（発熱性固体
素子）２５に相当する裏面２４′ｂ上に放熱フィン（放
熱手段）２４’ｃがステム２４と一体状に形成されてい
る。尚、この放熱フィン２４′ｃはこれに代えて、突起
、凹所等で形成してもよい。このような放熱フィン２４
′ｃは半導体ダイオード２５の発生熱をさらに効率良く
放熱することができ、特に、発生熱の多い発熱性固体素
子に対して有用性が高い。
尚、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、例
えば、板状ステム２４を冷却容器２１の冷却液２３の液
面下に位置する側壁部２１ｄに配設することも可能であ
り、その他種々の変形例にも適用することができる。
えば、板状ステム２４を冷却容器２１の冷却液２３の液
面下に位置する側壁部２１ｄに配設することも可能であ
り、その他種々の変形例にも適用することができる。
（ト）発明の効果
以上、詳細に説明したように、本発明の液冷型高周波固
体装置は、冷却液を封入した冷却容器の液面下に位置す
る容器壁の一部１ｃ発熱性固体素子を表面上に搭載した
板状ステム（又はキャリア）に置き換えて、ステム裏面
金冷却液に直接接触せしめる構造に構成することにより
、例えば、１０Ｗ／Ｃｍ２程度の冷却能力があり、発熱
性固体素子の発生熱を効率良く放熱することを可能とし
、このため固体素子の高密度実装が可能になること、高
周波損失の低減化、高周波特性の変化（振幅変調等）の
抑制、固体素子をその機能保証温度以下に確実に保つこ
とができるといった効果大なるものがあり、製品の信頼
性の向上に寄与するものである。
体装置は、冷却液を封入した冷却容器の液面下に位置す
る容器壁の一部１ｃ発熱性固体素子を表面上に搭載した
板状ステム（又はキャリア）に置き換えて、ステム裏面
金冷却液に直接接触せしめる構造に構成することにより
、例えば、１０Ｗ／Ｃｍ２程度の冷却能力があり、発熱
性固体素子の発生熱を効率良く放熱することを可能とし
、このため固体素子の高密度実装が可能になること、高
周波損失の低減化、高周波特性の変化（振幅変調等）の
抑制、固体素子をその機能保証温度以下に確実に保つこ
とができるといった効果大なるものがあり、製品の信頼
性の向上に寄与するものである。
第１図は従来の高周波固体装置（１０）を示す図、第２
図は本発明の液冷型高周波固体装！（２０）の縦断面図
、第３図は第２図の板ステム２４の変形例２４′を示す
図で、（イ）はその裏面２４’ｂ、（ロ）はその表面側
２４′ａを示す図である、 ２０・・・本発明の液冷型高周波固体装置、２１・・・
密閉冷却容器、２１ａ・・・土壁部、２１ｂ・・・底壁
部、２１ａ・・・貫通穴、２１ｄ・・・側壁部、２２・
・・放熱ブロック、２２ａ・・・放熱フィン（放熱手段
）、２３・・・冷却液、２４．２４’・・・板状ステム
（又はキャリア）、２４ ａ 、 ２４’ａ＝−表面１
Ｌ ２４ ｂ 、 ２４’ｂ−３而、２４′ｃ・・・放
熱フィン（放熱手段）、２５・・・半導体ダイオード（
発熱性固体索子）、２６．２７・・・整合回路、２８・
・・キーＹヮプ、２９・・・沸騰気泡。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内田幸男 弁理士 山 口 昭 之 第１図 第２図 ２６ ２４ａ ２５ ２７ 第 ３図 （ロ）
図は本発明の液冷型高周波固体装！（２０）の縦断面図
、第３図は第２図の板ステム２４の変形例２４′を示す
図で、（イ）はその裏面２４’ｂ、（ロ）はその表面側
２４′ａを示す図である、 ２０・・・本発明の液冷型高周波固体装置、２１・・・
密閉冷却容器、２１ａ・・・土壁部、２１ｂ・・・底壁
部、２１ａ・・・貫通穴、２１ｄ・・・側壁部、２２・
・・放熱ブロック、２２ａ・・・放熱フィン（放熱手段
）、２３・・・冷却液、２４．２４’・・・板状ステム
（又はキャリア）、２４ ａ 、 ２４’ａ＝−表面１
Ｌ ２４ ｂ 、 ２４’ｂ−３而、２４′ｃ・・・放
熱フィン（放熱手段）、２５・・・半導体ダイオード（
発熱性固体索子）、２６．２７・・・整合回路、２８・
・・キーＹヮプ、２９・・・沸騰気泡。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内田幸男 弁理士 山 口 昭 之 第１図 第２図 ２６ ２４ａ ２５ ２７ 第 ３図 （ロ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、低沸点の冷却液を封入した密閉冷却容器の上方壁に
冷却液蒸気の吸放熱手段を形成し、前記封入冷却液面下
に位置する容器壁の一部を、高周波トランジスタ、半導
体ダイオード等の発熱性固体素子を有する固体回路勿そ
の表面に搭載した板状ステム又はキャリアにより形成し
、該ステム又はキャリアの裏面をＭｆＪ ｉｉｅ封入酎
却耐に同棲接触せしめるように構成したこと金材り政と
する液冷型高周波固体装置。 ２、前記冷却液と接）独する前記ステム又はキャリアの
裏面上にフィン、突起、凹所等の放熱手段を形成した特
許請求の範囲第１項に記載の液冷型高周波固体装置痘。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22310383A JPS60116155A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 液冷型高周波固体装置 |
| CA000468677A CA1230184A (en) | 1983-11-29 | 1984-11-27 | Liquid cooling type high frequency solid state device |
| EP84114439A EP0144071B1 (en) | 1983-11-29 | 1984-11-29 | Liquid cooling type high frequency solid state device arrangement |
| DE8484114439T DE3482527D1 (de) | 1983-11-29 | 1984-11-29 | Vorrichtung vom typ fluessigkeitskuehlung einer hochfrequenz-festkoerperanordnung. |
| US07/088,520 US4796155A (en) | 1983-11-29 | 1987-08-20 | Liquid cooling type high frequency solid state device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22310383A JPS60116155A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 液冷型高周波固体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60116155A true JPS60116155A (ja) | 1985-06-22 |
Family
ID=16792870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22310383A Pending JPS60116155A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 液冷型高周波固体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60116155A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07286960A (ja) * | 1994-04-19 | 1995-10-31 | Nippon Jiyaareru H Kk | Ｉｃｐ発光分光分析装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5417675A (en) * | 1977-06-13 | 1979-02-09 | Gen Electric | Thermal energy removing device |
| JPS56165658A (en) * | 1980-05-20 | 1981-12-19 | Nichiban Co Ltd | Tape cutter |
-
1983
- 1983-11-29 JP JP22310383A patent/JPS60116155A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5417675A (en) * | 1977-06-13 | 1979-02-09 | Gen Electric | Thermal energy removing device |
| JPS56165658A (en) * | 1980-05-20 | 1981-12-19 | Nichiban Co Ltd | Tape cutter |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07286960A (ja) * | 1994-04-19 | 1995-10-31 | Nippon Jiyaareru H Kk | Ｉｃｐ発光分光分析装置 |
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