JPS5832787B2 - 放熱装置 - Google Patents

放熱装置

Info

Publication number
JPS5832787B2
JPS5832787B2 JP55045802A JP4580280A JPS5832787B2 JP S5832787 B2 JPS5832787 B2 JP S5832787B2 JP 55045802 A JP55045802 A JP 55045802A JP 4580280 A JP4580280 A JP 4580280A JP S5832787 B2 JPS5832787 B2 JP S5832787B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
heat
liquid metal
module
dendrite
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP55045802A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS564257A (en
Inventor
ジヨージ・ジヨン・サクセンメイヤー・ジユニア
ルイス・キーテイング・シヤルツ
ロバート・エリス・ヒース
ロバート・バブカ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JPS564257A publication Critical patent/JPS564257A/ja
Publication of JPS5832787B2 publication Critical patent/JPS5832787B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H01L23/4338—Pistons, e.g. spring-loaded members
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3733—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon having a heterogeneous or anisotropic structure, e.g. powder or fibres in a matrix, wire mesh, porous structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253—Bump and layer connectors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は冷却用放熱装置に係る。
ＬＳＩバイポーラ回路においてより高い回路密度及びよ
り高い性能を得る場合の主要な困難点の１つは電気的エ
ネルギーの消費によって発生されるところのチップから
の熱を除去することであることが証明されている。
設計変更を加えることなく単位チップ面積当りの回路を
増すことによって消費電力が増大することはこれと比例
してチップ動作温度が増大することを意味する。
これによって、比例関係ではなくてエクスポネンシャル
に装置の寿命が減じる。
結果として、チップ及びその周辺の環境の間の熱抵抗を
減じうるようにパッケージ技術を改良することに多大の
努力がはられれてきた。
もしもこれが成功するならば、チップの性能及び信頼度
に対して伺ら悪影響を与えることなくチップ回路密度を
増加させることができる。
１９７７年１０月発刊のＩＢＭテクニカル・ディスクロ
ージャ・フリテン（第２０巻、第５号）における第１７
７２乃至１７７３頁に見られるＥ、 Ｂｅｒｎｄｌｍａ
ｉｅｒ等による論文に示される装置においては、チップ
がモジュール内の密封された空洞部内に取付けられてい
る。
そしてその空洞部は蛇腹構造であって、その内部に少量
の液体状金属が入っている。
モジュール・キャンプから伸びる柱状部が、キャップに
対する熱伝導を促進するために液体状金属に対する大き
な表面積を与えるために蛇腹内において熱伝導接触した
状態で配置されている。
そのチップからの熱伝導を促進するための一助として液
体状金属、熱伝導流体もしくはグリースのような熱伝導
媒体を用いることが１９７７年１２月発刊のＩＢＭテク
ニカル・ディスクロージャ・フリテン（第２０巻、第６
号）における第２６７５乃至２６７６頁のＡ、 Ａｒｎ
ｏｌｄ等による論文において示されている。
１９７８年１２月発刊のＩＢＭ ＴＤＢ（第２１巻、
第７号）の第２９１０乃至２９１１頁におけるＡｃｔｏ
ｎｕｃｃｉの論文においてデンドライトの制御された成
長技術がチップとモジュールにおりる基板との間の半田
ボール接続部の引張強度を増大させそして電気的抵抗を
小さくするために用いられることが示されている。
しかしながら上記の従来技術はいずれも満足なものでな
いことが証明された。
例えば半田ボール技術は、その接続部の全断面積がチッ
プの表面面積に比べて小さいので、チップから熱を取り
出すには不十分である。
熱の大部分はチップの上部表面からの自然な熱消散によ
ってチップから取り除かれる。
流体もしくは固体を用いる熱漬媒体を用いることによっ
て限られた範囲ではあるが冷却効率の改良が加えられた
が、それらの改良は新しいパフケージング問題の犠牲に
おいて得られた。
例えば中空でないピストンを用いることによって熱膨張
不整合の故に基板が破壊するという問題を生じた。
流体熱伝導媒体を用いることによってその媒体のマイグ
レーション（ｍｊｇｒａｔｉｏｎ）、モジュール素子間
の相互作用及びもしくはモジュールを封止するための問
題等が生じた。
チップの背面と密着するように配置された高熱伝導性の
固体材料からなるヒート・シンクを用いることによって
、コスト／性能に鑑み相当な改良が加えられたチップの
熱除去技術が提供される。
液体状金属はその技術において更に満足すべきものであ
ることがわかった。
なぜならばそれは高い熱伝導性を示すものであって不当
な機械的圧力が加えられることなくチ゛ノブに対して密
接するように変形し且つ流動しうるからである。
更に液体金属は他に提案された熱伝導性液体及びグリー
スよりも熱伝導性が優れており且つ化学的にも安定であ
ることがわかった。
しかしながら熱的な循環及び機械的な振動の影響によっ
て、液体状金属もしくは任意の他の熱伝導性流体はチッ
プ背面接合部界面から移動し、その結果として冷却効率
が減じることが発見された。
更に液体状金属は熱伝導率を減じ、従ってチップの冷却
効率を減じるところの外部表面酸化フィルムを形成する
ことが発見された。
従って本発明の主な目的はパフケージング・モジュール
に取付れられたＩＣチップの改良された冷却を実施する
優れた装置を与えることにある。
本発明の更に他の目的は熱伝導性流体のマイグレーショ
ンの問題が克服される改良された放熱装置を与えること
にある。
本発明の更に他の目的は熱伝導性流体もしくは媒体が少
くともチップの全表面に対して破壊を伴なうことなく密
接に押しつけられる優れた放熱装置を与えることにある
。
本発明の他の目的はチップの配置が簡略化された改良さ
れた放熱冷却装置を与えることにある。
本発明の更に他の目的は実施が簡単でありそして従来技
術及び従来装置よりも優れたコスト／性能の改良を与え
るＩＣチップのための改良された放熱冷却装置を与える
ことにある。
本発明の上記の目的は、モジュールの容器内に設けられ
たデンドライト状突起を有するＩＣチップの背面及びヒ
ート・シンク表面間に液体状金属合金の中間層を配置す
ることによって達成される。
ヒート・シンク、中間液体状金属層及びデンドライト状
突起は適当な偏倚手段によってチップ表面に対して熱伝
導係合するように偏倚されてチップからモジュール・コ
ンテナへの低熱抵抗の熱伝導路を形成する。
第１図は本発明に従って配置されたモジュール１０を示
している。
本発明の駅間を簡単にする目的から第１図においては唯
１個のチップが示されているが、複数個のＩＣチップも
しくは同様なデバイスを含むモジュールにおいても本発
明を適用しうろことはいうまでもない。
モジュール１０はランド領域１６に対して電気的に接続
されている複数個の半田ボール１４上に取付けられたＩ
Ｃチップ１２を有する。
ランド部１６はセラミック基板１８上に形成され、更に
チップ１２を外部回路に接続するために基板１８を通し
てのびるピン２０に接続される。
モジュール１０は気密状に密封されたパンケージを形成
するために密封手段２４によって基板１８のまわりに密
封されるアルミニウムもしくは他の適当な熱伝導性の材
料からなるキャンプ２２によって取り巻かれている。
更に中空でない金属性のヒート・シンク２６が備えられ
ている。
これは図示されているように通常のバネもしくは同様の
手段からなる偏倚手段によってチップ１２に向って下方
に押しつれられている。
キャップ２２及びヒート・シンク２６の間に係合される
偏倚手段２８は熱伝導性の材料ア形成される。
チップ１２とヒート・シンク２６との対面する表面の間
にはそれらの間に伸びる複数個の金属性のデンドライト
突起部３０が設けられている。
このデンドライト突起部３０は特開昭５３−１３３７６
３号公報に示されるようにして各チップ及びヒート・シ
ンクの表面１３及び２７上にメッキすることによって形
成することが好ましい。
上記特開昭公報に示されるように、デンドライト突起部
は高い電流密度を呈し、通常の金属イオン濃度よりも低
い濃度を呈するガルバノ浴（ｇａｌｖａｎｉｃ ｂａｔ
ｈ ）を用いることによってメンキすることができる。
他の技術、例えばＣＶＤ法を用いることによってデンド
ライト突起部３０を形成することが可能である。
液体金属３２からなる中間層はチップ１２及びヒート・
シンク２６の間に配置される。
液体状金属層３２は他のモジュール素子と完全に適合す
る液体状ガリウム合金であることが好ましい。
それは動作状態のもとにおいて実質上ゼロ蒸気圧を呈し
、ヘリウム、窒息もしくはフルオロカーボンのような通
常用いられる熱伝導性流体内で分解もしくは反応しない
。
そのような熱伝導性流体３４がチップの冷却を更に促進
するために用いられ、モジュール１０の内部空間を満た
す。
上記の如くモジュール１０においてチップ１２が取付け
られ、液体状金属３２からなる中間層がその上部表面１
３上に、そこから上方に伸びる金属デンドライト突起部
３０の上へ配置される。
ヒート・シンク２６及び偏倚手段２８が取付けられるギ
ャップ２２が基板１８上に適当に配置され且つ密封され
る。
キャンプ２２が所定の位置に配置されると、それによっ
て偏倚手段２８はヒート・シンク２６及びその下方に伸
びるデンドライト突起部３０を液体状金属層３２に対し
て突き刺すように係合させる力を加える。
従って液体状金属層３２は２組のデンドライト突起部３
００間に挿入され、有効に保持された状態を呈する。
偏倚手段２８によって加えられる圧力によって、液体状
金属はチップ１２及びヒート・シンク２６の間の空間を
満たす。
液体状金属層３２及びデンドライト突起部３０の整合に
よって自動的に位置合せの動作が行なわれる。
即ちそれによって層３２は初期の保合動作の間に所定の
位置に保持され、強い表面張力の故に以後所定の位置に
機械的に保持される。
更に、液体状金属の、熱伝導を制限する表面酸化フィル
ムを形成する傾向が液体状金属層３２内部にデンドライ
ト突起部３０が存在する事によって回避される。
第２図において、液体状金属合金によって被覆されたデ
ンドライト突起部の拡大図が示される。
即ち一旦キャップ２２が所定の位置に配置されそして密
封され、デンドライト突起部３０が液体状金属層３２に
対して突き刺すような関係に係合されると、チップの上
部表面１３、デンドライト突起部３０、液体状金属層３
２、ヒート・シンクの下方表面２７、ヒート・シンク２
６、偏倚手段２８を介してモジュール・キャップ２２へ
向かう一体的な熱伝導路が形成される。
これによって効率のよい、簡単な及びコストの安い方法
でチップから熱を放熱することができる。
前述のように、冷却はモジュール１０の内部を満たす流
体熱伝導媒体３４に対して付加的な熱伝導が行なわれる
ことによって補強される。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図はＩＣチップを含むモジュールについ
て本発明の技術を駅間するための図である。 １０・・・・・・モジュール、１２・・・・・・ＩＣチ
ップ、１３・・・・・・チップ表面、１４・・・・・・
半田ボール、１６・・・・・・ランド部、１８・・・・
・基板、２０・・・・・・ピン、２２・・・・・・キャ
ップ、２４・・・・・・密封手段、２６・・・・・・ヒ
ート・シンク、２７・・・・・・ヒート・シンク表面、
２８・・・・・・偏倚手段、３０・・・・・・金属デン
ドライト突起部、３２・・・・・液体状金属層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 発熱性の電子素子及びヒート・シンクの相対する面
    にそれぞれ多数の互いに咬み合うテンドライド状突起を
    形成し、かつ上記発熱性電子素子と上記ヒート・シンク
    との間に液体状金属を配置してなることを特徴とする電
    子素子用放熱装置。
JP55045802A 1979-06-20 1980-04-09 放熱装置 Expired JPS5832787B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/050,390 US4254431A (en) 1979-06-20 1979-06-20 Restorable backbond for LSI chips using liquid metal coated dendrites

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS564257A JPS564257A (en) 1981-01-17
JPS5832787B2 true JPS5832787B2 (ja) 1983-07-15

Family

ID=21964986

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP55045802A Expired JPS5832787B2 (ja) 1979-06-20 1980-04-09 放熱装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4254431A (ja)
EP (1) EP0020981B1 (ja)
JP (1) JPS5832787B2 (ja)
DE (1) DE3065445D1 (ja)

Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1983002363A1 (en) * 1981-12-29 1983-07-07 Hassan, Javathu, K. Cooling means for integrated circuit chip device
EP0130279B1 (en) * 1983-03-25 1989-03-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Heat radiator assembly for cooling electronic parts
JPH0673364B2 (ja) * 1983-10-28 1994-09-14 株式会社日立製作所 集積回路チップ冷却装置
USRE35721E (en) * 1983-12-14 1998-02-03 Hitachi, Ltd. Cooling device of semiconductor chips
JPS60126853A (ja) * 1983-12-14 1985-07-06 Hitachi Ltd 半導体デバイス冷却装置
JPS60160149A (ja) * 1984-01-26 1985-08-21 Fujitsu Ltd 集積回路装置の冷却方式
JPH06101523B2 (ja) * 1985-03-04 1994-12-12 株式会社日立製作所 集積回路チツプ冷却装置
US4924353A (en) * 1985-12-20 1990-05-08 Hughes Aircraft Company Connector system for coupling to an integrated circuit chip
US4800956A (en) * 1986-04-25 1989-01-31 Digital Equipment Corporation Apparatus and method for removal of heat from packaged element
US4730666A (en) * 1986-04-30 1988-03-15 International Business Machines Corporation Flexible finned heat exchanger
US5022462A (en) * 1986-04-30 1991-06-11 International Business Machines Corp. Flexible finned heat exchanger
US4768581A (en) * 1987-04-06 1988-09-06 International Business Machines Corporation Cooling system for semiconductor modules
GB2214719B (en) * 1988-01-26 1991-07-24 Gen Electric Co Plc Housing for electronic device
US5137461A (en) * 1988-06-21 1992-08-11 International Business Machines Corporation Separable electrical connection technology
US5185073A (en) * 1988-06-21 1993-02-09 International Business Machines Corporation Method of fabricating nendritic materials
US5089936A (en) * 1988-09-09 1992-02-18 Hitachi, Ltd. Semiconductor module
US5291371A (en) * 1990-04-27 1994-03-01 International Business Machines Corporation Thermal joint
US5265670A (en) * 1990-04-27 1993-11-30 International Business Machines Corporation Convection transfer system
US5118299A (en) * 1990-05-07 1992-06-02 International Business Machines Corporation Cone electrical contact
US5131456A (en) * 1991-07-01 1992-07-21 Ibm Corporation Bimetallic insert fin for high conduction cooling structure
US5213868A (en) * 1991-08-13 1993-05-25 Chomerics, Inc. Thermally conductive interface materials and methods of using the same
US5146981A (en) * 1991-11-14 1992-09-15 Digital Equipment Corporation Substrate to heatsink interface apparatus and method
US5201866A (en) * 1992-02-03 1993-04-13 International Business Machines Corporation Structure for dissipation of heat having slidably engaged fins for conformal disposition against a heat generating surface
US5268814A (en) * 1992-05-20 1993-12-07 International Business Machines Corporation Module packaging
US5283467A (en) * 1992-06-05 1994-02-01 Eaton Corporation Heat sink mounting system for semiconductor devices
JPH0846098A (ja) * 1994-07-22 1996-02-16 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 直接的熱伝導路を形成する装置および方法
US5808874A (en) 1996-05-02 1998-09-15 Tessera, Inc. Microelectronic connections with liquid conductive elements
US5786635A (en) * 1996-12-16 1998-07-28 International Business Machines Corporation Electronic package with compressible heatsink structure
DE19732738A1 (de) * 1997-07-30 1999-02-04 Asea Brown Boveri Leistungshalbleiterbauelemente mit druckausgleichender Kontaktplatte
US6108208A (en) * 1997-12-08 2000-08-22 Unisys Corporation Testing assembly having a pressed joint with a single layer of thermal conductor which is reused to sequentially test multiple circuit modules
US6211566B1 (en) * 1998-03-24 2001-04-03 Sun Microsystems, Inc. Method and apparatus to improve the thermal interface between a heat sink and a semiconductor
US6281573B1 (en) 1998-03-31 2001-08-28 International Business Machines Corporation Thermal enhancement approach using solder compositions in the liquid state
US6331119B1 (en) 1999-12-28 2001-12-18 International Business Machines Corporation Conductive adhesive having a palladium matrix interface between two metal surfaces
US6372997B1 (en) * 2000-02-25 2002-04-16 Thermagon, Inc. Multi-layer structure and method for forming a thermal interface with low contact resistance between a microelectronic component package and heat sink
US6984685B2 (en) * 2000-04-05 2006-01-10 The Bergquist Company Thermal interface pad utilizing low melting metal with retention matrix
US6339120B1 (en) 2000-04-05 2002-01-15 The Bergquist Company Method of preparing thermally conductive compounds by liquid metal bridged particle clusters
US6797758B2 (en) * 2000-04-05 2004-09-28 The Bergquist Company Morphing fillers and thermal interface materials
EP1350276A2 (en) * 2000-10-25 2003-10-08 Washington State University Research Foundation Piezoelectric micro-transducers, methods of use and manufacturing methods for same
US7385821B1 (en) 2001-12-06 2008-06-10 Apple Inc. Cooling method for ICS
DE10159860C2 (de) * 2001-12-06 2003-12-04 Sdk Technik Gmbh Wärmeübertragungsfläche mit einer aufgalvanisierten Mikrostruktur von Vorsprüngen
WO2004047133A2 (en) * 2002-11-18 2004-06-03 Washington State University Research Foundation Thermal switch, methods of use and manufacturing methods for same
US7288839B2 (en) * 2004-02-27 2007-10-30 International Business Machines Corporation Apparatus and methods for cooling semiconductor integrated circuit package structures
US7188667B2 (en) * 2004-07-29 2007-03-13 International Business Machines Corporation Liquid cooling structure for electronic device
US20060060328A1 (en) * 2004-09-21 2006-03-23 Ingo Ewes Heat-transfer devices
US7408780B2 (en) * 2005-06-14 2008-08-05 International Business Machines Corporation Compliant thermal interface structure utilizing spring elements with fins
US7709951B2 (en) * 2007-03-16 2010-05-04 International Business Machines Corporation Thermal pillow
US7763973B1 (en) * 2007-04-05 2010-07-27 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Integrated heat sink for a microchip
JP5243975B2 (ja) * 2008-02-04 2013-07-24 新光電気工業株式会社 熱伝導部材を有する半導体パッケージ放熱用部品及びその製造方法
JP5082970B2 (ja) * 2008-03-25 2012-11-28 富士通株式会社 回路基板装置
WO2015064240A1 (ja) * 2013-10-29 2015-05-07 ポリマテック・ジャパン株式会社 液体封入放熱部材
US9939210B2 (en) * 2014-09-29 2018-04-10 International Business Machines Corporation Pin fin compliant heat sink with enhanced flexibility
GB2543549B (en) * 2015-10-21 2020-04-15 Andor Tech Limited Thermoelectric Heat pump system
JP6638338B2 (ja) * 2015-11-11 2020-01-29 Tdk株式会社 支持部材および電源装置
JP7203214B2 (ja) * 2018-10-19 2023-01-12 ヒタチ・エナジー・スウィツァーランド・アクチェンゲゼルシャフト 浮動性実装を有する電力半導体装置
CN113257759A (zh) * 2020-02-10 2021-08-13 华为技术有限公司 散热器、单板、电子设备及制造方法
CN114024048B (zh) * 2021-11-04 2024-02-06 中南大学 锂离子电池负极析锂的恢复方法
CN115692345A (zh) * 2023-01-03 2023-02-03 成都天成电科科技有限公司 一种芯片高效散热结构及散热设备

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3226608A (en) * 1959-06-24 1965-12-28 Gen Electric Liquid metal electrical connection
US3248615A (en) * 1963-05-13 1966-04-26 Bbc Brown Boveri & Cie Semiconductor device with liquidized solder layer for compensation of expansion stresses
US3271638A (en) * 1963-11-04 1966-09-06 Emil M Murad Encased semiconductor with heat conductive and protective insulative encapsulation
US3328642A (en) * 1964-06-08 1967-06-27 Sylvania Electric Prod Temperature control means utilizing a heat reservoir containing meltable material
CS182611B1 (en) * 1976-03-18 1978-04-28 Pavel Reichel Power semiconducting element

Also Published As

Publication number Publication date
EP0020981A1 (de) 1981-01-07
EP0020981B1 (de) 1983-11-02
DE3065445D1 (en) 1983-12-08
US4254431A (en) 1981-03-03
JPS564257A (en) 1981-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5832787B2 (ja) 放熱装置
US4203129A (en) Bubble generating tunnels for cooling semiconductor devices
US5367193A (en) Low cost, thermally efficient, and surface mountable semiconductor package for a high applied power VLSI die
US5880524A (en) Heat pipe lid for electronic packages
US4323914A (en) Heat transfer structure for integrated circuit package
US5444909A (en) Method of making a drop-in heat sink
US6219243B1 (en) Heat spreader structures for enhanced heat removal from both sides of chip-on-flex packaged units
CA1073555A (en) Heat transfer mechanism for integrated circuit package
US4069498A (en) Studded heat exchanger for integrated circuit package
US5097385A (en) Super-position cooling
GB1569453A (en) Circuit packages and methods for making circuits packages
US4860444A (en) Method of assembling a fluid-cooled integrated circuit package
US5057909A (en) Electronic device and heat sink assembly
JPH0315341B2 (ja)
JPH0220049A (ja) 電子回路装置冷却モジユール
GB1569452A (en) Conduction-coled circuit package and method of fabrication
GB1598174A (en) Cooling electrical apparatus
EP0001153B1 (en) Cooling heat generating electrical components in an electrical apparatus
JPS5891665A (ja) パツケ−ジ
US5169805A (en) Method of resiliently mounting an integrated circuit chip to enable conformal heat dissipation
JPH09213851A (ja) Ｉｃデバイスの放熱方法及び放熱手段
US4897764A (en) Conductive cooling cup module
US7227257B2 (en) Cooling micro-channels
JP2506885B2 (ja) 半導体装置
JPS60257156A (ja) 熱伝導冷却モジユ−ル装置