JPS60114586A - 陰極の製造法 - Google Patents
陰極の製造法Info
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- JPS60114586A JPS60114586A JP22231383A JP22231383A JPS60114586A JP S60114586 A JPS60114586 A JP S60114586A JP 22231383 A JP22231383 A JP 22231383A JP 22231383 A JP22231383 A JP 22231383A JP S60114586 A JPS60114586 A JP S60114586A
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- dispersant
- cathode
- slurry
- dispersion
- plating
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はハロゲン1アルカリ金属水f6 Bkを1に解
して苛性アルカリを製造する際に使用される低水素過電
圧陰極の製造法に関する。
して苛性アルカリを製造する際に使用される低水素過電
圧陰極の製造法に関する。
低水素過電圧の陰極製造法として各種の方法か提案され
ている。低水素過電圧陰極の構造とじて−まず基体が挙
けられる。基体の材質としテ炭素鋼、ステンレススチー
ル、ニッケル等が知られているが、経済性の考慮により
炭素鋼をf+I4 l1l−4−るのか一般的である。
ている。低水素過電圧陰極の構造とじて−まず基体が挙
けられる。基体の材質としテ炭素鋼、ステンレススチー
ル、ニッケル等が知られているが、経済性の考慮により
炭素鋼をf+I4 l1l−4−るのか一般的である。
基体の上に低水素過電圧の活性層が被覆されるか、低水
素過電圧で運転する際にJ4(体の腐食が懸念される場
合は、)j(体と活性層の中間に耐苛性アルカリ性の緻
密な保11ψ層を設ける必要がある。保護層としてはニ
ッケルめっき体、銅めっき体等が一般的であり、活性層
としては耐アルカリ土類金属を大きい表El!j Jf
ltになるように工夫したものが主流である。例えば″
j不一台合を電気めつきする方法(特公昭28 476
6 、特公昭31−6611、特開昭54−25275
1、う不一台金を分散めっきする方法(特開昭54−6
8795−特開昭54−1127851、ラネー谷金を
溶射、焼結等で(・l’ f7tする方法(特開昭52
−36583、牲開昭fi3−81484−特開昭55
−798031−ニッケル等の金属をm創する方法(特
開昭52−32832.特開昭55−18> 189
)−’ili:l’イ中に犠牲成分が溶出するものを含
むような′111.気めっきをする方法(特開昭53−
115674=特開昭53−22161、特開昭53−
](+2876、特開昭55−100987)等がある
。
素過電圧で運転する際にJ4(体の腐食が懸念される場
合は、)j(体と活性層の中間に耐苛性アルカリ性の緻
密な保11ψ層を設ける必要がある。保護層としてはニ
ッケルめっき体、銅めっき体等が一般的であり、活性層
としては耐アルカリ土類金属を大きい表El!j Jf
ltになるように工夫したものが主流である。例えば″
j不一台合を電気めつきする方法(特公昭28 476
6 、特公昭31−6611、特開昭54−25275
1、う不一台金を分散めっきする方法(特開昭54−6
8795−特開昭54−1127851、ラネー谷金を
溶射、焼結等で(・l’ f7tする方法(特開昭52
−36583、牲開昭fi3−81484−特開昭55
−798031−ニッケル等の金属をm創する方法(特
開昭52−32832.特開昭55−18> 189
)−’ili:l’イ中に犠牲成分が溶出するものを含
むような′111.気めっきをする方法(特開昭53−
115674=特開昭53−22161、特開昭53−
](+2876、特開昭55−100987)等がある
。
しかし、これらの方法で作った低水素過電圧陰極の性能
は工業的に十分使用できるものとはいえなかった。即ち
、水素過電圧が初期低いものは長期耐久性に難点があり
一耐久性のあるものは水素過電圧が高いという欠点かあ
った。
は工業的に十分使用できるものとはいえなかった。即ち
、水素過電圧が初期低いものは長期耐久性に難点があり
一耐久性のあるものは水素過電圧が高いという欠点かあ
った。
本発明者等は低水素過電圧で且つ長期1耐久力のある陰
極製造の研究を続けた結果、次の結論に到達した。即ち
、耐久性か乏しい陰極は活性部の空隙か大き刀・つたり
、粒子間付着力が小さい、即ち機械的強度か小さじため
であり、一方〜水素過電圧が高い1会極は活性部の実際
に作用する面積が小さく、又は単位面積当たりの活性か
乏しいためである、この観点力)ら従来技術を見ると、
電解中に犠牲成分が溶出するものを含むようl′亀気め
つき法で作った陰極は、水素過電圧が下がるために犠牲
成分を多く入れると機械強度か低下し耐久性の/J/な
いものとなる。ニッケル等をm則する方法は、製法上酸
化還元反応か同11、rにおこるだめ、活性被膜は金属
と金属酸化物が共仔することになり、金属と金属酸化物
の密に7性は余り良くないため、もろいという力学上の
欠点があり、割れやすい。一度割れが活性肢膜中に入る
と?L気[1り接続か遮断されるため、活性作用部の減
少、即ち水素過?E圧の上列がおこる。
極製造の研究を続けた結果、次の結論に到達した。即ち
、耐久性か乏しい陰極は活性部の空隙か大き刀・つたり
、粒子間付着力が小さい、即ち機械的強度か小さじため
であり、一方〜水素過電圧が高い1会極は活性部の実際
に作用する面積が小さく、又は単位面積当たりの活性か
乏しいためである、この観点力)ら従来技術を見ると、
電解中に犠牲成分が溶出するものを含むようl′亀気め
つき法で作った陰極は、水素過電圧が下がるために犠牲
成分を多く入れると機械強度か低下し耐久性の/J/な
いものとなる。ニッケル等をm則する方法は、製法上酸
化還元反応か同11、rにおこるだめ、活性被膜は金属
と金属酸化物が共仔することになり、金属と金属酸化物
の密に7性は余り良くないため、もろいという力学上の
欠点があり、割れやすい。一度割れが活性肢膜中に入る
と?L気[1り接続か遮断されるため、活性作用部の減
少、即ち水素過?E圧の上列がおこる。
ラネー合金を溶射又は焼結等でイ・]着する方法は、活
性部≦の表面積が非常に大きいため初期水素過′電圧は
低いが、反面表面偵か大きいということは活性部の空隙
が大きいということであり、機械的強度か非常に小さい
という欠点かある。
性部≦の表面積が非常に大きいため初期水素過′電圧は
低いが、反面表面偵か大きいということは活性部の空隙
が大きいということであり、機械的強度か非常に小さい
という欠点かある。
ラネー合金を分散めっきする方lムは!iJ j小のラ
ネー合金をra 41又はわ゛こ結する方法と比軟する
と、−活性部の1m hk li’J強度か大きいとい
う@徴かあるか5本発明者等の研究ではこの方法でも長
期1耐久力にはい寸だ不十分であることがわ刀1つた。
ネー合金をra 41又はわ゛こ結する方法と比軟する
と、−活性部の1m hk li’J強度か大きいとい
う@徴かあるか5本発明者等の研究ではこの方法でも長
期1耐久力にはい寸だ不十分であることがわ刀1つた。
水素過°電圧を小さくするためには分散めっき被膜中の
゛フネー合金含イl゛率を上けねばならず、その場合に
は活性部の機械的強度が下かつてし1う。ラネー合金を
分散めっき法で抵水素過電圧陰極を作る方法の変法と(
7ては特開昭58−183 ’387に開示されている
。この方法はラネー合金と白金族金属の粉を混合分散さ
せ分散めつきするものである。この方法はラネー合金の
みの分散めっき法エリ、エリ機械的強度が人き(、水素
過電圧の低いものかできるが、まだ満足のいく方法とは
いえない。それはラネ一台金と白金族金属の粒子径、比
重等の差異に起因して均一に分散めっきすることが困難
であるためである。白金族金属はラネー合金と異なり、
ニッケルマトリックス中に埋没すると、もは4や向ら活
性を示すことができない。
゛フネー合金含イl゛率を上けねばならず、その場合に
は活性部の機械的強度が下かつてし1う。ラネー合金を
分散めっき法で抵水素過電圧陰極を作る方法の変法と(
7ては特開昭58−183 ’387に開示されている
。この方法はラネー合金と白金族金属の粉を混合分散さ
せ分散めつきするものである。この方法はラネー合金の
みの分散めっき法エリ、エリ機械的強度が人き(、水素
過電圧の低いものかできるが、まだ満足のいく方法とは
いえない。それはラネ一台金と白金族金属の粒子径、比
重等の差異に起因して均一に分散めっきすることが困難
であるためである。白金族金属はラネー合金と異なり、
ニッケルマトリックス中に埋没すると、もは4や向ら活
性を示すことができない。
本発明者等は、ラネー合金の活性と白金族金属の活性と
を十分発揮できる分散めっき方法を鋭意検討した結果、
ラネー合金の中に第3成分として白金族金属を加える考
えに到達した。即ちニッケル、コバル1−+銀力)ら選
ばれた第一の金1m ト、アルミニウム、マグネシウム
、亜鉛、スズから選ばれた第二の金属と、白金、パラジ
ウノ1、ロジウム、ルテ:二1ンム、イ11ンウム、オ
スミラJ−から選ばれた第三の金属との合金を分散剤と
することにより、強度が太きく、長期耐久性のある、L
7かも水素過゛lに圧の低い陰極を作ることがijJ能
となることを見い出し、先に特願昭58−111573
として出願した。
を十分発揮できる分散めっき方法を鋭意検討した結果、
ラネー合金の中に第3成分として白金族金属を加える考
えに到達した。即ちニッケル、コバル1−+銀力)ら選
ばれた第一の金1m ト、アルミニウム、マグネシウム
、亜鉛、スズから選ばれた第二の金属と、白金、パラジ
ウノ1、ロジウム、ルテ:二1ンム、イ11ンウム、オ
スミラJ−から選ばれた第三の金属との合金を分散剤と
することにより、強度が太きく、長期耐久性のある、L
7かも水素過゛lに圧の低い陰極を作ることがijJ能
となることを見い出し、先に特願昭58−111573
として出願した。
本発明は前記−モ元台金の分散めっきにより低水素過“
1圧陰極を製造する方法に関するものであり、その特徴
とするところは311行に並設された陽極と非多孔性甲
板11G造をイ]する被めっき体とで分散めつき414
1!IをI’iA成[−1分散剤スラリーを分散めつき
41□11Iの一方7:J)ら導入し陽極と被めっき体
との間をrl流させ、対向する他力に抄出させながら、
史にはυ1出した分散剤スラリーを分散めつきzlり貯
Jj、llj iこ返送し、分散剤スラリーを分散めっ
き4漕と分散めっきRだ貯槽間で循環しなから展めっき
体の一面のみに分散めっきをすることにある。
1圧陰極を製造する方法に関するものであり、その特徴
とするところは311行に並設された陽極と非多孔性甲
板11G造をイ]する被めっき体とで分散めつき414
1!IをI’iA成[−1分散剤スラリーを分散めつき
41□11Iの一方7:J)ら導入し陽極と被めっき体
との間をrl流させ、対向する他力に抄出させながら、
史にはυ1出した分散剤スラリーを分散めつきzlり貯
Jj、llj iこ返送し、分散剤スラリーを分散めっ
き4漕と分散めっきRだ貯槽間で循環しなから展めっき
体の一面のみに分散めっきをすることにある。
ラネー合金を分散めっきする装置としては、例えば特開
昭5’5−104491に開示されている。し刀)し、
陰極の形状が非多孔性平板であり、且つ一面のみ分散め
っきする場合にはこの方法では均一で堅い分散めっきを
することができない。即ち一従来のラネー合金分散めっ
き法は、気体、振動板、ポンプ等を用いて分散剤スラリ
ーを垂直方向に流す方法であった。しかし木発明者等の
研究によると垂直方向に分散剤スラリーを流しながら分
散めっきする方法は、分散剤の被めっき体への111着
率が悪いことが明ら刀1となった。そのため、垂直方向
に分散剤スラリーを流して分散めっきする場合の分散剤
(=J着率向上領と【7て、ニッケルめっき浴にアルミ
イオンを添加したリースラリ−濃度を3 g、/(1以
上の高いものにすることか行われている(特開昭58−
31091)。垂直方向に分散剤スラリーを流した場合
に(−1着率か低いのは、被めっき体への分散剤粒子の
衡突頻度が少ないためと考えられる。ラネー合金は一般
にめっき浴より密度が太きいため沈降する傾向にある。
昭5’5−104491に開示されている。し刀)し、
陰極の形状が非多孔性平板であり、且つ一面のみ分散め
っきする場合にはこの方法では均一で堅い分散めっきを
することができない。即ち一従来のラネー合金分散めっ
き法は、気体、振動板、ポンプ等を用いて分散剤スラリ
ーを垂直方向に流す方法であった。しかし木発明者等の
研究によると垂直方向に分散剤スラリーを流しながら分
散めっきする方法は、分散剤の被めっき体への111着
率が悪いことが明ら刀1となった。そのため、垂直方向
に分散剤スラリーを流して分散めっきする場合の分散剤
(=J着率向上領と【7て、ニッケルめっき浴にアルミ
イオンを添加したリースラリ−濃度を3 g、/(1以
上の高いものにすることか行われている(特開昭58−
31091)。垂直方向に分散剤スラリーを流した場合
に(−1着率か低いのは、被めっき体への分散剤粒子の
衡突頻度が少ないためと考えられる。ラネー合金は一般
にめっき浴より密度が太きいため沈降する傾向にある。
そのため−分散剤スラリーを垂直方向より水平方向に流
すhが一度めっき体と分散剤粒子の衝突頻度が増え、1
1着率かにがる筈であるとの考えに基づき、本発明をし
古い出したものである。
すhが一度めっき体と分散剤粒子の衝突頻度が増え、1
1着率かにがる筈であるとの考えに基づき、本発明をし
古い出したものである。
本発明を実施■様を示す図面に堰づいて説明する。第1
図は本発明で分散めっきをする場合の一例を示す概略図
である。(1)は分散めっき液貯槽であり、分散剤が均
一なスラリー濃度になるように1豐拌される。分散剤ス
ラリー(2)はポンプ′(3)により分散めつき槽(−
1) lこ一方より2ふ人され、他方より1′J1出さ
れた分散剤スラリーは分散めっきlf(貯r?fft1
+に返送され、分散めっき液貯4凸!1+と分散めっき
槽(4)との間を循環する。分散剤スラリーは分散めっ
き液貯セ!H1)と分散めっき槽(4)との間をtJi
’i環しなくても均一なめっきが可能であるが、大川の
分散剤スラリーを必要とするため、(J^環する方式か
より好ましい。分散めっき槽(4)は分Kl M>つき
される陰極(6)と陽極(5)を平イ1に並設し、一つ
の密閉された分散めっき室(7〕を構成する。被めっき
面を分散めっき室内側に向けて配置されるのは勿論であ
る。陽極(5)はニッケル電気めっき用陽極として知ら
れている公知のもので良(、形状は平板、穿孔板、網目
状、ニッケルチップ集合体等すべて使用可能であり、特
に限定されない。
図は本発明で分散めっきをする場合の一例を示す概略図
である。(1)は分散めっき液貯槽であり、分散剤が均
一なスラリー濃度になるように1豐拌される。分散剤ス
ラリー(2)はポンプ′(3)により分散めつき槽(−
1) lこ一方より2ふ人され、他方より1′J1出さ
れた分散剤スラリーは分散めっきlf(貯r?fft1
+に返送され、分散めっき液貯4凸!1+と分散めっき
槽(4)との間を循環する。分散剤スラリーは分散めっ
き液貯セ!H1)と分散めっき槽(4)との間をtJi
’i環しなくても均一なめっきが可能であるが、大川の
分散剤スラリーを必要とするため、(J^環する方式か
より好ましい。分散めっき槽(4)は分Kl M>つき
される陰極(6)と陽極(5)を平イ1に並設し、一つ
の密閉された分散めっき室(7〕を構成する。被めっき
面を分散めっき室内側に向けて配置されるのは勿論であ
る。陽極(5)はニッケル電気めっき用陽極として知ら
れている公知のもので良(、形状は平板、穿孔板、網目
状、ニッケルチップ集合体等すべて使用可能であり、特
に限定されない。
本発明による分散めっき被膜内の分散剤含有徂は、被め
っき体の据えつけ方向、分散剤7911131度、分散
めっき室内の平均流速等により変化する。第2図、第3
図は被めっき体の据えつけ方向を示した概略図である。
っき体の据えつけ方向、分散剤7911131度、分散
めっき室内の平均流速等により変化する。第2図、第3
図は被めっき体の据えつけ方向を示した概略図である。
第2図は第1肉と同様に被めっき体が水平方向で上向き
の場合であり、第3図は垂直方向の場合である。本発明
の最も好まし論例は、第1図及び第2図に示す水平方向
で上向きの場合である。第1図及び第2図の逆向きであ
る水平方向で下向きの場合も考えられるか、この場合は
重力にょるイχ1着率向上効果か減少するので一分散削
ス′ラリー濃度を高くしないと第1図及び第2図のもの
と同一のめつき体が得られない。第3文に示した据えつ
け方向は一度の分散めっきで2枚の陰極を1lJQ造す
る場合にイj用である。即ち一被めっき面の背面を合せ
る114造とすることにエリ、2枚の低水素過電圧陰極
を一回の分散め、つきで製造することができる。第3図
の据えつけ方向は、第1図及び第2図の方向と比べ若干
分散剤粒子の衝突頻度が少ないので、よりIXhいスラ
’J−ff−1iで分散めっきをすればよい。
の場合であり、第3図は垂直方向の場合である。本発明
の最も好まし論例は、第1図及び第2図に示す水平方向
で上向きの場合である。第1図及び第2図の逆向きであ
る水平方向で下向きの場合も考えられるか、この場合は
重力にょるイχ1着率向上効果か減少するので一分散削
ス′ラリー濃度を高くしないと第1図及び第2図のもの
と同一のめつき体が得られない。第3文に示した据えつ
け方向は一度の分散めっきで2枚の陰極を1lJQ造す
る場合にイj用である。即ち一被めっき面の背面を合せ
る114造とすることにエリ、2枚の低水素過電圧陰極
を一回の分散め、つきで製造することができる。第3図
の据えつけ方向は、第1図及び第2図の方向と比べ若干
分散剤粒子の衝突頻度が少ないので、よりIXhいスラ
’J−ff−1iで分散めっきをすればよい。
分散剤スラリーの流れ方向は分散めっきイ漕内で実質的
に水平方向でなければならない。実質的に水゛上方向と
は爪ツJjこよる分散剤(=J着効率向−1−を享受で
きる範囲をいい、水平面と分散剤スラリー流線との角度
が上向き又は下向き45以内、DEtlバは30°即下
をいい、0が最も好ましい。また分11夕削スラリーは
めつき糟の一方刀・ら4人し周面する他方【こ排出させ
るが、全面均一化のため分散めっき操作の途中で導入1
]と排出11を入れ刀・え、流れ方向を逆にすることも
可能である。さらに分散めっきの均一性向上策として、
分散めっき1′凸の人1−1と出[1にJΔ切な設計を
しtこ分散板を設置することが好ましい。分散剤スラリ
ー濃度は0.01 ’f/(1以上89/(1未満が好
ましく、0. U 59/1以上3 f/l米満がより
好ましい。0.01 f/1未満の場合は分散剤含有量
の少ないめっき体し〃)できず、水素1歯電圧が高いも
のとなる。39/1以上の場合は分散剤含有量″量の大
きいめっき体ができ、初期水素過也圧は低いか活性部の
機械的強度が小さく、長期耐久性の乏しいものになる。
に水平方向でなければならない。実質的に水゛上方向と
は爪ツJjこよる分散剤(=J着効率向−1−を享受で
きる範囲をいい、水平面と分散剤スラリー流線との角度
が上向き又は下向き45以内、DEtlバは30°即下
をいい、0が最も好ましい。また分11夕削スラリーは
めつき糟の一方刀・ら4人し周面する他方【こ排出させ
るが、全面均一化のため分散めっき操作の途中で導入1
]と排出11を入れ刀・え、流れ方向を逆にすることも
可能である。さらに分散めっきの均一性向上策として、
分散めっき1′凸の人1−1と出[1にJΔ切な設計を
しtこ分散板を設置することが好ましい。分散剤スラリ
ー濃度は0.01 ’f/(1以上89/(1未満が好
ましく、0. U 59/1以上3 f/l米満がより
好ましい。0.01 f/1未満の場合は分散剤含有量
の少ないめっき体し〃)できず、水素1歯電圧が高いも
のとなる。39/1以上の場合は分散剤含有量″量の大
きいめっき体ができ、初期水素過也圧は低いか活性部の
機械的強度が小さく、長期耐久性の乏しいものになる。
また分散めっき室内の平均スラリー流速は、0.U5r
g、/秒以1.1Qrrl/秒未満が好ましい。0.0
5 rn、/秒未満の場合は分散剤含有量の局部旧バラ
ツキが大きくなり、均一なMi成を有するめっき体が得
られなくなる。
g、/秒以1.1Qrrl/秒未満が好ましい。0.0
5 rn、/秒未満の場合は分散剤含有量の局部旧バラ
ツキが大きくなり、均一なMi成を有するめっき体が得
られなくなる。
10R/秒以上の場合は、分散剤含有量か減少し水素過
電圧が高いものとなったり、循環流量が大きくなるため
による設備費、動力費等で不利となる。
電圧が高いものとなったり、循環流量が大きくなるため
による設備費、動力費等で不利となる。
分散剤スラリーを114成する溶液は通常よく知られて
いるニッケルめつ゛き浴であれば良く、ワット浴、全塩
化ニッケル浴−高塩化ニッケル浴等が使用できる。
いるニッケルめつ゛き浴であれば良く、ワット浴、全塩
化ニッケル浴−高塩化ニッケル浴等が使用できる。
分散剤の1;1.7条は特に限定しないが、1(10メ
ツシュ程瓜以上、好1しくは200メツシユ稈15以1
ζである。
ツシュ程瓜以上、好1しくは200メツシユ稈15以1
ζである。
敲めつき体の;J゛法か非常に大きい場合は、若0)−
の−1−火をするだけで、いくつかに分割して分散めっ
きすることも可能である。
の−1−火をするだけで、いくつかに分割して分散めっ
きすることも可能である。
分散剤の組成はニッケル、コバルト、銀から選ばれた第
一の金属と、フルミニラム、マグネシラノ・、!111
鉛、スズから選ばれた第一の金属と。
一の金属と、フルミニラム、マグネシラノ・、!111
鉛、スズから選ばれた第一の金属と。
白金、パjノシウ11、ロジウム、ルテニウム、イリジ
ウム、オスミウム7INら礪ばれた第三の金属のf[、
σの組合せのもので良い8、第二の金属は分散めっき後
苛性アルカリ溶液中に浸漬することに」二り容易に除去
され、ポーラスな構造になり活性かでてくる。り3:、
の金属の含イj景はコストと活性の両面より考慮すべき
であり、50市J41%以1・が好ましい。また0、0
1jQ’量%未満の場合は、活性向−1,、効果が殆ん
どl(なる。
ウム、オスミウム7INら礪ばれた第三の金属のf[、
σの組合せのもので良い8、第二の金属は分散めっき後
苛性アルカリ溶液中に浸漬することに」二り容易に除去
され、ポーラスな構造になり活性かでてくる。り3:、
の金属の含イj景はコストと活性の両面より考慮すべき
であり、50市J41%以1・が好ましい。また0、0
1jQ’量%未満の場合は、活性向−1,、効果が殆ん
どl(なる。
分散剤スラリー濃度の変化嘉こついては初期一定1i(
iの11Cf力)ら分散めっきを開始し、分散めっき終
了後のスジ11−濃度が初期値より減っている方法も採
用できるし、分散めつきrllにスラリー化槽へ分散剤
を連続又は定期市に供給し、スラリー濃度変化をなくす
ことも1.小さくすることも、又は逆に分散めっき開始
時よりXいスラリー濃度にすることも可能である。
iの11Cf力)ら分散めっきを開始し、分散めっき終
了後のスジ11−濃度が初期値より減っている方法も採
用できるし、分散めつきrllにスラリー化槽へ分散剤
を連続又は定期市に供給し、スラリー濃度変化をなくす
ことも1.小さくすることも、又は逆に分散めっき開始
時よりXいスラリー濃度にすることも可能である。
分散めっきされた陰極はよく水洗・、乾燥することによ
り、長期間性能変化なく保存できる。
り、長期間性能変化なく保存できる。
低水素過“電圧陰極とし、て使用するには第二の金属を
苛性アルカリ溶液で処理する必要がある。
苛性アルカリ溶液で処理する必要がある。
この処理は陰極を電解槽にとりつける前でも後でもよい
が、電解槽にとりつけてからの方がよりμflしい。
が、電解槽にとりつけてからの方がよりμflしい。
水酸化アルカリ金属水浴液をイオン父換膜法又は隔11
Z法で製造Tるための陰極は孔のおいているエキスバン
ドメタル、穿孔板又は網状IfVj造のものか一般的で
ある。し刀)し本発明名等の研究によると、水平型のイ
オン交換膜電解槽で使用する陰極としては、非多孔性平
板で一面のみ分散めっきしたものが最適であることがわ
刀為つた。またイi J’!it隔膜を使用1−る隔膜
法電解槽をイオン父換;Iの法′電解(:11!Iに転
換する場合においても。
Z法で製造Tるための陰極は孔のおいているエキスバン
ドメタル、穿孔板又は網状IfVj造のものか一般的で
ある。し刀)し本発明名等の研究によると、水平型のイ
オン交換膜電解槽で使用する陰極としては、非多孔性平
板で一面のみ分散めっきしたものが最適であることがわ
刀為つた。またイi J’!it隔膜を使用1−る隔膜
法電解槽をイオン父換;Iの法′電解(:11!Iに転
換する場合においても。
非多孔性・14板(1/7造で目、つ−面のみ分散めっ
きした陰極は′屯IQ’i′屯厘か低いという事実を見
い出しfこ。非多孔性、′lI Afj l tj造の
長所は電流分布の均一性が高いこと、導体抵抗を小さく
できること、製作りの・1法TSt度を」二げることが
できること等である。
きした陰極は′屯IQ’i′屯厘か低いという事実を見
い出しfこ。非多孔性、′lI Afj l tj造の
長所は電流分布の均一性が高いこと、導体抵抗を小さく
できること、製作りの・1法TSt度を」二げることが
できること等である。
本発明はη′−かる有用’Ixrr幌解槽、即精検従来
よりいわれていた非多孔性平板陰極は11L解゛屯圧が
11゛ういという当業名には周知の知識(例えば特開昭
fi7−174477.1−ソーダと塩素」32.28
1 (1981,1)を覆した低水素踊?■圧陰(・軌
を製造する方法であり、その工業的、(支)、義は非常
に高いものである。
よりいわれていた非多孔性平板陰極は11L解゛屯圧が
11゛ういという当業名には周知の知識(例えば特開昭
fi7−174477.1−ソーダと塩素」32.28
1 (1981,1)を覆した低水素踊?■圧陰(・軌
を製造する方法であり、その工業的、(支)、義は非常
に高いものである。
以1・、実施例で本発明を説明するが、この実施(り」
て本発明か限定されないのは勿論である。
て本発明か限定されないのは勿論である。
実施イゴン11 1
660闘X2,000緒の′)1′多孔性jIL板(炭
素鋼製)を脱脂、酸洗し、厚さ30 It mになるよ
うに化学めっき法でニッケルめっきをした。この平板2
枚を背中合せにし、第3図シこ示すように垂直に据えつ
けた。陽極にッケル′亀気めつき用ニッケルモツプをチ
タンの金網で旭んだもの)を並設して、非多孔性平板と
陽極の間をハードラバーライニングの鉄製枠て固定し、
分散めつき槽を構成した。一方、l、’ 3 yyfの
分散めつき貯槽で、ラネー合金分散剤(組成Aβ;N1
:wt%、 wt%、wt%、in(M2 U URυ
=50 .45 .5 メツシユ以下)のスラリーをニッケルめっき浴(NxC
52・6EI20 3009/l、HaBO8389/
l 、 pH2〜25)を1母液とし−スラリー濃度2
9/(lになるようにしたもの1.5 ni’を調製し
た。分散めつき貯槽を攪拌しながらポンプでスラリーを
抜き出[2、分散めつき室の一方より供給し、スラリー
を水平方向に流した。渚【度50°C,電流密度3 A
/dyd一時間90分、分散めっき室内の平均スラリー
流速1.0mルの条件で分散めっきをした。分散めっき
後のめつき被膜は堅く、均一な1草みを仔していた。こ
の−面のみ分散めっき[、た・ir板陰極を26枚同一
条件で製作し、それをイi#i口′・h膜゛1−1解(
1!シ(フッカ−社、n=4型)にとりつけ、セル組立
て後、25%NaOHで3時間活性化処理を行なった。
素鋼製)を脱脂、酸洗し、厚さ30 It mになるよ
うに化学めっき法でニッケルめっきをした。この平板2
枚を背中合せにし、第3図シこ示すように垂直に据えつ
けた。陽極にッケル′亀気めつき用ニッケルモツプをチ
タンの金網で旭んだもの)を並設して、非多孔性平板と
陽極の間をハードラバーライニングの鉄製枠て固定し、
分散めつき槽を構成した。一方、l、’ 3 yyfの
分散めつき貯槽で、ラネー合金分散剤(組成Aβ;N1
:wt%、 wt%、wt%、in(M2 U URυ
=50 .45 .5 メツシユ以下)のスラリーをニッケルめっき浴(NxC
52・6EI20 3009/l、HaBO8389/
l 、 pH2〜25)を1母液とし−スラリー濃度2
9/(lになるようにしたもの1.5 ni’を調製し
た。分散めつき貯槽を攪拌しながらポンプでスラリーを
抜き出[2、分散めつき室の一方より供給し、スラリー
を水平方向に流した。渚【度50°C,電流密度3 A
/dyd一時間90分、分散めっき室内の平均スラリー
流速1.0mルの条件で分散めっきをした。分散めっき
後のめつき被膜は堅く、均一な1草みを仔していた。こ
の−面のみ分散めっき[、た・ir板陰極を26枚同一
条件で製作し、それをイi#i口′・h膜゛1−1解(
1!シ(フッカ−社、n=4型)にとりつけ、セル組立
て後、25%NaOHで3時間活性化処理を行なった。
この電解槽はデュポン社の[NΔJ?丁0N09(+1
J膜を使用した。温度90°C1°屯流密J!Z 2
3.5 A/C1,ztl 、 NaOH32%で〕電
解電属は3.4Vであり、陰極の水素過電圧は0゜(1
7Vであった。
J膜を使用した。温度90°C1°屯流密J!Z 2
3.5 A/C1,ztl 、 NaOH32%で〕電
解電属は3.4Vであり、陰極の水素過電圧は0゜(1
7Vであった。
実施例2
1、8 U O朋Xll、IJOO*mの寸法を有する
水銀uニア電解槽の陰極底板(炭素鋼製)を平滑に研摩
後、厚さ3 U II l叫こなるように化学めっき法
でニッケルめっきをした。これを横方向に6分割し、第
1図及び第2図に示すように、水平方向で、〜Uめっき
面が上に向くように構成した。
水銀uニア電解槽の陰極底板(炭素鋼製)を平滑に研摩
後、厚さ3 U II l叫こなるように化学めっき法
でニッケルめっきをした。これを横方向に6分割し、第
1図及び第2図に示すように、水平方向で、〜Uめっき
面が上に向くように構成した。
各区分ごとに実施例lと全く同じ条件・方法で分散めっ
きを施した。分散めっき後のめつき被11ψは堅く、6
区分ともほぼ同一の厚みを有していた。この陰極で水平
型イオン父換膜電解槽を構成し、セル組立て後実施例1
と同一・の条件で■ 活性化処理をした。デュポン社のr NAF工ON 9
01」膜を使用した時の性能は温度9−0°C−%流V
q 50 A/cb1i、 NaOH32%、電解電
圧3.45■であり陰極の水素過電圧は0. I U
Vであった。
きを施した。分散めっき後のめつき被11ψは堅く、6
区分ともほぼ同一の厚みを有していた。この陰極で水平
型イオン父換膜電解槽を構成し、セル組立て後実施例1
と同一・の条件で■ 活性化処理をした。デュポン社のr NAF工ON 9
01」膜を使用した時の性能は温度9−0°C−%流V
q 50 A/cb1i、 NaOH32%、電解電
圧3.45■であり陰極の水素過電圧は0. I U
Vであった。
第1図は本発明で分散めっきする場合の一例を示す概略
図、第2図は被めっき面が水平方向(X) る。 1・・・分散めっき敢貯糟 2・・・分散剤スラリー3
・・・ポンプ 4・・・分散めつき檜5 ・ ・ ・
陽極 6 ・ ・ ・ 陰イNJi7・・・分散めっき
室
図、第2図は被めっき面が水平方向(X) る。 1・・・分散めっき敢貯糟 2・・・分散剤スラリー3
・・・ポンプ 4・・・分散めつき檜5 ・ ・ ・
陽極 6 ・ ・ ・ 陰イNJi7・・・分散めっき
室
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 11分114Iめつき糟かjlf行に並設された陽極と
非多孔性1乙(反(1°4に5をイ]する波めつき体と
からなり、分散剤スラリーを6iJ記めつき搏の一方か
ら導入し陽極と被めっき体の間を貫流させ、7・1向−
[る能力にり1出させなから被めっき体の−・面のみに
分散めっきすることを特徴とする低水素過電圧陰極の製
造法。 2、rJl出分散バ+1スグリーを分散めつきi+1g
lこ74r循環さぜる特11゛1請求の:nll囲第
t間第+、化緘の製造法。 3、 分1!父蒼11がニツ々−ル−二1バlしl゛−
JIJかc、 ;i r!れた第一・の金属と、7′ル
ミニウム、マグ不シウノ・、0鉛、スズf))ら選ばれ
た第二の金属と、白金、バクシウム、11シウム、ルテ
ニウム、411シ17J・、オスミラl−から選ばれた
第五の4′l属との合金である特許請求の範囲第1LA
記−1戊 の 製4ス1人 。 4、 分散剤スラリーを構成する溶液がニッケルめっき
浴である特許請求の範囲第1項記載の製造法。 5、 分散剤スラリー濃度がo、otg/1以上39/
1未満である特許請求の範囲第1項記載の製造l去。 6 分散剤スラリーの分散めりき槽内の平均流速が(3
05m1以上101TI//秒未満である特許請求の範
囲第1項記戦の製造法。 7 分散剤スラリーの流れ方向が分散めつき槽内で実質
的に水平方向である特許請求の範囲第1項記戦の製造法
。−
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22231383A JPS60114586A (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | 陰極の製造法 |
DE8484106905T DE3469042D1 (en) | 1983-06-20 | 1984-06-16 | A low hydrogen overvoltage cathode and method for producing the same |
EP84106905A EP0129231B1 (en) | 1983-06-20 | 1984-06-16 | A low hydrogen overvoltage cathode and method for producing the same |
CA000456868A CA1260427A (en) | 1983-06-20 | 1984-06-19 | Low hydrogen overvoltage cathode and method for producing the same |
IN454/MAS/84A IN161189B (ja) | 1983-06-20 | 1984-06-23 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22231383A JPS60114586A (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | 陰極の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60114586A true JPS60114586A (ja) | 1985-06-21 |
Family
ID=16780400
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22231383A Pending JPS60114586A (ja) | 1983-06-20 | 1983-11-25 | 陰極の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60114586A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55104491A (en) * | 1979-02-06 | 1980-08-09 | Asahi Glass Co Ltd | Preparation of electrode |
JPS58133387A (ja) * | 1982-02-02 | 1983-08-09 | Asahi Glass Co Ltd | 低水素過電圧陰極及びその製法 |
-
1983
- 1983-11-25 JP JP22231383A patent/JPS60114586A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55104491A (en) * | 1979-02-06 | 1980-08-09 | Asahi Glass Co Ltd | Preparation of electrode |
JPS58133387A (ja) * | 1982-02-02 | 1983-08-09 | Asahi Glass Co Ltd | 低水素過電圧陰極及びその製法 |
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