JPS6011423B2 - カソ−ド面清浄化手段を有するスパツタイオンポンプ - Google Patents
カソ−ド面清浄化手段を有するスパツタイオンポンプInfo
- Publication number
- JPS6011423B2 JPS6011423B2 JP4640382A JP4640382A JPS6011423B2 JP S6011423 B2 JPS6011423 B2 JP S6011423B2 JP 4640382 A JP4640382 A JP 4640382A JP 4640382 A JP4640382 A JP 4640382A JP S6011423 B2 JPS6011423 B2 JP S6011423B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- casing
- pump
- surface cleaning
- cleaning means
- cathode surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J41/00—Discharge tubes for measuring pressure of introduced gas or for detecting presence of gas; Discharge tubes for evacuation by diffusion of ions
- H01J41/12—Discharge tubes for evacuating by diffusion of ions, e.g. ion pumps, getter ion pumps
Landscapes
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はカソード面清浄化手段を有するスパッタイオン
ポンプに関する。
ポンプに関する。
従来この種ポンプは磁場が掛けられたポンプケーシング
内に互に対向させて１対のカソードを設けると共に、そ
の中間に丸形その他の筒状のアノードを設けろを一般と
するもので、その排気速度は該ポンプを〜ガスその他の
希ガス中に於ける放電処理等により活性化された後には
通常の使用時に比べて約３倍に上昇するが、その排気速
度は使用時間の経過と共に低下して、再び通常使用時の
定常的な値に戻ってしまう不都合がある。
内に互に対向させて１対のカソードを設けると共に、そ
の中間に丸形その他の筒状のアノードを設けろを一般と
するもので、その排気速度は該ポンプを〜ガスその他の
希ガス中に於ける放電処理等により活性化された後には
通常の使用時に比べて約３倍に上昇するが、その排気速
度は使用時間の経過と共に低下して、再び通常使用時の
定常的な値に戻ってしまう不都合がある。
この排気速度の低下の原因は、ポンプのカソード面のイ
オン衝撃の比較的小さい領域が不純物ガス原子により次
第に覆われていくためであると考えられる。本発明はこ
うした不都合を解消したイオンポンプを提供するをその
目的としたもので、磁場が掛けられたポンプケーシング
内に、互に対向させて１対のカソードを設けると共にそ
の中間に丸形その他の筒状のアノードを設けるようにし
たものに於て、該アノードをメッシュ状に形成すると共
に該ポンプケーシング内にその外部からの通電により加
熱されるＴｉその他の活性金属からなるゲッターフイラ
メントを設け、さらに該ケーシングに〜ガスその他の希
ガスの導入管を設けてことを特徴とする。
オン衝撃の比較的小さい領域が不純物ガス原子により次
第に覆われていくためであると考えられる。本発明はこ
うした不都合を解消したイオンポンプを提供するをその
目的としたもので、磁場が掛けられたポンプケーシング
内に、互に対向させて１対のカソードを設けると共にそ
の中間に丸形その他の筒状のアノードを設けるようにし
たものに於て、該アノードをメッシュ状に形成すると共
に該ポンプケーシング内にその外部からの通電により加
熱されるＴｉその他の活性金属からなるゲッターフイラ
メントを設け、さらに該ケーシングに〜ガスその他の希
ガスの導入管を設けてことを特徴とする。
本発明の実施例を図面につき説明すると、１は磁場が掛
けられたポンプケーシング、２は該ケーシング１内に互
に対向させて設けた１対のカソード、３は両カソード２
，２間に設けられた丸形その他のアノードを示し、該ア
ノード３はメッシュ状に形成される。
けられたポンプケーシング、２は該ケーシング１内に互
に対向させて設けた１対のカソード、３は両カソード２
，２間に設けられた丸形その他のアノードを示し、該ア
ノード３はメッシュ状に形成される。
４は該ケーシング１内に設けたＴｉその他の活性金属か
らなるゲッターフラメントを示し、該フィラメント４は
該ケーシング１の外部から通電により加熱されるように
した。
らなるゲッターフラメントを示し、該フィラメント４は
該ケーシング１の外部から通電により加熱されるように
した。
５はふガスその他の希ガスをケーシング１内に導入する
導入管である。
導入管である。
尚、図示のものでは該ア／ード３をカソード方向の関口
を有するメッシュ状のアノード単体３ａを複数個連らね
て構成するようにし、またゲッタ‐フィラメント４は該
ケーシング１の側方の絶縁子７を介して導入した電極８
１こ取付けするようにした。
を有するメッシュ状のアノード単体３ａを複数個連らね
て構成するようにし、またゲッタ‐フィラメント４は該
ケーシング１の側方の絶縁子７を介して導入した電極８
１こ取付けするようにした。
該導入管５には流量制御弁６を設けるものとし、任意量
の希ガスを該ケーシング１内に導入可能とした。
の希ガスを該ケーシング１内に導入可能とした。
９は真空室１０‘こ仕切弁１１を介して接続される関口
、１２，１２は磁石である。
、１２，１２は磁石である。
その作動を説明する。該カソード２，２と該メッシュ状
のアノード３との間に高電圧が印加されると、該ケーシ
ング１内の気体がイオン化されてこれがＴｉその他の活
性物質から成るカソード２，２に衝突し活性物質をスパ
ッタする。スパッタされた活性物質はカソード２、アノ
ード３及びケーシング１の内面に附着しゲツタ膜として
気体分子等の瓶集作用を営み、ポンプとして作動する。
のアノード３との間に高電圧が印加されると、該ケーシ
ング１内の気体がイオン化されてこれがＴｉその他の活
性物質から成るカソード２，２に衝突し活性物質をスパ
ッタする。スパッタされた活性物質はカソード２、アノ
ード３及びケーシング１の内面に附着しゲツタ膜として
気体分子等の瓶集作用を営み、ポンプとして作動する。
而してこの場合スパッタされた活性物質はアノード３に
遮ぎられることなくそのメッシュを通過して均一多量に
カソード２の表面に附着するのでその表面を従前のもの
よりも清浄に保つことが出来、同時に気体分子、中性原
子等の運動がアノード３のメッシュを介して行ない得る
のでその瓶集率も高まり排気効率が向上する。この状態
で排気速度が低下した場合にはフィラメント４を通電加
熱してその活性金属を強制的に蒸発させカソード２，２
の表面に附着させることが出来るもので、これによりカ
ソード２の表面が清浄化され低下し勝ちな排気速度を上
昇させ得長時間良好な排気を行なえる。
遮ぎられることなくそのメッシュを通過して均一多量に
カソード２の表面に附着するのでその表面を従前のもの
よりも清浄に保つことが出来、同時に気体分子、中性原
子等の運動がアノード３のメッシュを介して行ない得る
のでその瓶集率も高まり排気効率が向上する。この状態
で排気速度が低下した場合にはフィラメント４を通電加
熱してその活性金属を強制的に蒸発させカソード２，２
の表面に附着させることが出来るもので、これによりカ
ソード２の表面が清浄化され低下し勝ちな排気速度を上
昇させ得長時間良好な排気を行なえる。
ポンプの長時間に亘る使用の後にはこれに例えばＡｒガ
スの希ガスを注入し放電処理して活性化するを要し従来
は該希ガスを真空室を介してケーシング内に導入してい
たが、本発明のものでは該ケーシング１に設けた導入管
５を介して直接希ガスを導入出来るので仕切弁１１を閉
じれば真空室１０内を高い希ガス圧力にさらすこてなく
放電処理出来使用上便利である。このように本発明によ
るときは、アノードをメッシュ状に形成すると共にゲッ
ターフィラメントを設けたので従来の前記したような排
気速度の低下を防止出来ると共に希ガスの導入管をケー
シングに設けたもので真空室内の圧力を低下することな
くポンプの放電再生処理を行なえその使用上便利である
等の効果がある。
スの希ガスを注入し放電処理して活性化するを要し従来
は該希ガスを真空室を介してケーシング内に導入してい
たが、本発明のものでは該ケーシング１に設けた導入管
５を介して直接希ガスを導入出来るので仕切弁１１を閉
じれば真空室１０内を高い希ガス圧力にさらすこてなく
放電処理出来使用上便利である。このように本発明によ
るときは、アノードをメッシュ状に形成すると共にゲッ
ターフィラメントを設けたので従来の前記したような排
気速度の低下を防止出来ると共に希ガスの導入管をケー
シングに設けたもので真空室内の圧力を低下することな
くポンプの放電再生処理を行なえその使用上便利である
等の効果がある。
図面は本発明ポンプの１例の裁断側面図である。
１……ポンプケーシング、２，２……カソード、３……
アノード、４……ゲツターフイラメント、５・・・・・
・導入管。
アノード、４……ゲツターフイラメント、５・・・・・
・導入管。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁場が掛けられたポンプケーシング内に、互に対向
させて１対のカソードを設けると共にその中間に丸形そ
の他の筒状のアノードを設けるようにしたものに於て、
該アノードをメツシユ状に形成すると共に該ポンプケー
シング内にその外部からの通電により加熱されるＴｉそ
の他の活性金属からなるゲツターフイラメントを設け、
さらに該ケーシングにＡｒガスその他の希ガスの導入管
を設けたことを特徴とするカソード面清浄化手段を有す
るスパツタイオンポンプ。 ２ 該導入管には希ガスの流量を制御する可変流量制御
弁を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のカソード面清浄化手段を有するスパツタイオンポンプ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4640382A JPS6011423B2 (ja) | 1982-03-25 | 1982-03-25 | カソ−ド面清浄化手段を有するスパツタイオンポンプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4640382A JPS6011423B2 (ja) | 1982-03-25 | 1982-03-25 | カソ−ド面清浄化手段を有するスパツタイオンポンプ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58164137A JPS58164137A (ja) | 1983-09-29 |
| JPS6011423B2 true JPS6011423B2 (ja) | 1985-03-26 |
Family
ID=12746183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4640382A Expired JPS6011423B2 (ja) | 1982-03-25 | 1982-03-25 | カソ−ド面清浄化手段を有するスパツタイオンポンプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6011423B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2580866B1 (fr) * | 1985-04-23 | 1989-01-06 | Novatome | Pompe ionique a courant proportionnel au debit |
| JP4557681B2 (ja) * | 2004-11-09 | 2010-10-06 | 株式会社アルバック | スパッタイオンポンプ |
-
1982
- 1982-03-25 JP JP4640382A patent/JPS6011423B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58164137A (ja) | 1983-09-29 |
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