JPS60113312A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPS60113312A JPS60113312A JP22093083A JP22093083A JPS60113312A JP S60113312 A JPS60113312 A JP S60113312A JP 22093083 A JP22093083 A JP 22093083A JP 22093083 A JP22093083 A JP 22093083A JP S60113312 A JPS60113312 A JP S60113312A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- permeability
- thin
- films
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明ｌ−を磁気記録に便りつれる薄膜プロセスにより
製造される磁りヘソドに関する。
製造される磁りヘソドに関する。
薄膜プロセスにより製造される磁気へメト、いわゆる薄
膜ヘッドは、量産化による低価格化が可能であり、低イ
ンピーダンスの故に高周波領域での使用が可能であり、
フォトエツチング技術の利用による微細加工が可能であ
る等多くの第１１点を有しており、その将来を有望視さ
ねでいるものである。
膜ヘッドは、量産化による低価格化が可能であり、低イ
ンピーダンスの故に高周波領域での使用が可能であり、
フォトエツチング技術の利用による微細加工が可能であ
る等多くの第１１点を有しており、その将来を有望視さ
ねでいるものである。
薄膜ヘッドの断面の一般的概略図を第１図に示す。基板
７の１に高透磁率薄膜１．？、、３により閉磁路が形成
されている。非磁性層５０部分がこの閉磁路の空隙にｔ
ｃりて卦り５のＪワみが磁気ヘッドのギャップ長とｔ「
っている。コイル４はｆｆｆｆｆ縁層４により他の膜と
電り絶縁をイ５゛証さねているにのような構造により辿
常のリング型ヘッドを形成している。この種のヘッドは
狭ルヤソプ、狭Ｉ・ラック化が可能で高密度記録に適１
７てｔ／−すると言わわているが実際は次に示す点にお
いて問題が、＄、る。
７の１に高透磁率薄膜１．？、、３により閉磁路が形成
されている。非磁性層５０部分がこの閉磁路の空隙にｔ
ｃりて卦り５のＪワみが磁気ヘッドのギャップ長とｔ「
っている。コイル４はｆｆｆｆｆ縁層４により他の膜と
電り絶縁をイ５゛証さねているにのような構造により辿
常のリング型ヘッドを形成している。この種のヘッドは
狭ルヤソプ、狭Ｉ・ラック化が可能で高密度記録に適１
７てｔ／−すると言わわているが実際は次に示す点にお
いて問題が、＄、る。
それを第２図に示す。第２図は尚１１値へ・ドのギヤｙ
プ部の発生磁界の分布を示【７て（ハる。ここで注目す
べきＦ′ｉ６１に界分布に極小値が七）ることである。
プ部の発生磁界の分布を示【７て（ハる。ここで注目す
べきＦ′ｉ６１に界分布に極小値が七）ることである。
この極小値の存在により波形の干渉が起こり、結果とし
てピークシフトが大きくなり線記録密度を伸ばすことが
でたないのである。この原因はボール長ＬＰが有限であ
ることにある。ポールのギャヴプ面と反対の工・ノヂ部
から発生する磁界が無視できないのである、この解決策
としてはボール長Ｌｎｆ長くすることである。このため
には高透磁率薄膜１及び３の原人を大株くすることであ
るが、そうすると膜による段差が大角〈なり、プロセス
の田難さが急救に増加するのでヘッドの製造がで六なく
なる。
てピークシフトが大きくなり線記録密度を伸ばすことが
でたないのである。この原因はボール長ＬＰが有限であ
ることにある。ポールのギャヴプ面と反対の工・ノヂ部
から発生する磁界が無視できないのである、この解決策
としてはボール長Ｌｎｆ長くすることである。このため
には高透磁率薄膜１及び３の原人を大株くすることであ
るが、そうすると膜による段差が大角〈なり、プロセス
の田難さが急救に増加するのでヘッドの製造がで六なく
なる。
本発明はこのような問題声を解決し、高密度記録に適し
た薄膜ヘッドを提供しようとするものである。
た薄膜ヘッドを提供しようとするものである。
本発明のへ９ドは高透磁率薄膜１に凹凸をつけることに
よりヘッド先端、即ちギヤリブ部の膜厚ヲ厚くすること
に成功したものであり、かつコイルの形成される部分の
高透磁率薄膜コアの厚みを薄くすることによりプロセス
を容易にすることができるものである。
よりヘッド先端、即ちギヤリブ部の膜厚ヲ厚くすること
に成功したものであり、かつコイルの形成される部分の
高透磁率薄膜コアの厚みを薄くすることによりプロセス
を容易にすることができるものである。
以下、本発明（（ついて実施例に基づき詳細Ｋｉ￥５２
明する。
明する。
本発明の一実施例を筺３図に示す。第３図は本発明の磁
気へヴドの断面を示したものである。高透磁率薄膜８及
び９により閉磁路が形成さｈ、１゜がギャップ部になる
、高透磁率薄膜８け断面がコの空のようｔ「形状ｆして
いる、コイル１１はコの字の内伸１に雫気？縁膵ｉ２，
１３にょｈ ４ｐと絶縁されて配デされている。
気へヴドの断面を示したものである。高透磁率薄膜８及
び９により閉磁路が形成さｈ、１゜がギャップ部になる
、高透磁率薄膜８け断面がコの空のようｔ「形状ｆして
いる、コイル１１はコの字の内伸１に雫気？縁膵ｉ２，
１３にょｈ ４ｐと絶縁されて配デされている。
高透磁率薄膜８．９１−を真空床蓋、スパッタリングの
ような薄膜形成技術によってっぐらｈる。高透磁率薄膜
８の厚みを位置によって変化させるのは容易である。−
例として、８の月質としてａＯ−２ｒ−Ｎｂ系のアモル
ファス高透磁率薄膜の場合について説明する。Ｃｏ −
Ｚｒ −Ｎｂのエツチング液として硝酸第２セリウムア
ンモンを主成分とする液を使用するとＺｒが７αｔｔＩ
）以下、Ｎｂが１ｏａｔ％層下の場合確実にエツチング
できるが、 Ｚｒか６０１係以上、Ｎｂが１２σｔ％以
トではエツチングで＾ない。
ような薄膜形成技術によってっぐらｈる。高透磁率薄膜
８の厚みを位置によって変化させるのは容易である。−
例として、８の月質としてａＯ−２ｒ−Ｎｂ系のアモル
ファス高透磁率薄膜の場合について説明する。Ｃｏ −
Ｚｒ −Ｎｂのエツチング液として硝酸第２セリウムア
ンモンを主成分とする液を使用するとＺｒが７αｔｔＩ
）以下、Ｎｂが１ｏａｔ％層下の場合確実にエツチング
できるが、 Ｚｒか６０１係以上、Ｎｂが１２σｔ％以
トではエツチングで＾ない。
従って高透磁率薄膜８の下の層にｃｏ、２ｚｒ、 Ｎｂ
、□の組成の膜を、上の層にｃｏｇ Ｚｒ７Ｗｂ、ｏの
組成の膜全形成することにより第３図に示すコの♀状の
Ｃｏ −Ｚｒ−ｋＪｂ高透磁率薄嘆は容易にできる。異
たつｆｃａ成の膜はスパ・・夕条件を変えることにより
容易に連続して形成できる。例−えば下の層をＤＣＣス
リりにより、Ｅの層をＲＦスパッタによって製造すｆｌ
ばＬ記のような膜の形成が可能である。真空蒸着でも多
元蒸着により膜組成を変えることはできる高透磁率薄膜
の厚みであるが、従来の膜１．３の典型的例は約２μｍ
である。本発明の典型的な例でＦｉ８．９の厚みは５〜
１０μｍ程度にすることは可能で、コイル位置の８の厚
みは２〜３μｍ程度である。高透磁率薄膜１の厚みを５
μ常以ｔにするとそのとに形成するコイルなどのフォト
エツチングプロセスが非常に困難になるのけ明らかであ
る。
、□の組成の膜を、上の層にｃｏｇ Ｚｒ７Ｗｂ、ｏの
組成の膜全形成することにより第３図に示すコの♀状の
Ｃｏ −Ｚｒ−ｋＪｂ高透磁率薄嘆は容易にできる。異
たつｆｃａ成の膜はスパ・・夕条件を変えることにより
容易に連続して形成できる。例−えば下の層をＤＣＣス
リりにより、Ｅの層をＲＦスパッタによって製造すｆｌ
ばＬ記のような膜の形成が可能である。真空蒸着でも多
元蒸着により膜組成を変えることはできる高透磁率薄膜
の厚みであるが、従来の膜１．３の典型的例は約２μｍ
である。本発明の典型的な例でＦｉ８．９の厚みは５〜
１０μｍ程度にすることは可能で、コイル位置の８の厚
みは２〜３μｍ程度である。高透磁率薄膜１の厚みを５
μ常以ｔにするとそのとに形成するコイルなどのフォト
エツチングプロセスが非常に困難になるのけ明らかであ
る。
＠４図に本発明による磁気ヘッドの発生磁界分布を示す
。図に示すように磁界分布に珍小値を無くすことができ
る。
。図に示すように磁界分布に珍小値を無くすことができ
る。
高透磁率薄膜８．９として真空蒸着、スパッタリング等
の方法により製造された薄膜について述べてきた。本発
明は高透磁率薄膜８．９としてぃわゆる？ｌ１％Ｆ？基
板に貼り付けたものを採用１．てもよい。双ロール法等
で製造され′ｆｃ厚み１０〜３０μ７１１程度のセンダ
スト薄帯、ｃｏ系アモルフコア薄帯である。この場合に
はフォトレジストにより部分的ｌｌ？：ｉ＊ｔ、てエツ
チングを行ない凹凸をつける。
の方法により製造された薄膜について述べてきた。本発
明は高透磁率薄膜８．９としてぃわゆる？ｌ１％Ｆ？基
板に貼り付けたものを採用１．てもよい。双ロール法等
で製造され′ｆｃ厚み１０〜３０μ７１１程度のセンダ
スト薄帯、ｃｏ系アモルフコア薄帯である。この場合に
はフォトレジストにより部分的ｌｌ？：ｉ＊ｔ、てエツ
チングを行ない凹凸をつける。
以ヒ述ぺて六たように本発明による磁気ヘッドは従来の
薄膜ヘッドに特有のピークシフトが大きくなる問題を解
決することができるものであり、高密度磁気記録用ヘッ
ドとして優れ′ｆＣ特性を有するもので、本発明の効果
は大きいものがある。
薄膜ヘッドに特有のピークシフトが大きくなる問題を解
決することができるものであり、高密度磁気記録用ヘッ
ドとして優れ′ｆＣ特性を有するもので、本発明の効果
は大きいものがある。
第１図は従来の薄膜ヘッドの断面図である。
第２図は第１図の磁タヘッドのギャップ近傍の発生磁界
分布を示す。 第３図は本発明の磁気ヘッドの一実施例のｌ！ＦＩ而図
で面る。 第４図は第３図の磁気ヘッドのギャップ近傍の発生磁界
分布を示す。 １、２．３・・・・・・高透磁率薄膜 ４．１１・・・・・・コイル ５．１０・・・・・・非磁性誘雷層 ６．１２．１３・・・・・・雷、槃絶縁嘆７・・・・・
・基板 ８．９・・・・・・高透磁率薄膜 ｐノ１：： 出願人 株式会社 諏訪精工台 代理人 弁理士 最 Ｌ 務 第１図 第２図
分布を示す。 第３図は本発明の磁気ヘッドの一実施例のｌ！ＦＩ而図
で面る。 第４図は第３図の磁気ヘッドのギャップ近傍の発生磁界
分布を示す。 １、２．３・・・・・・高透磁率薄膜 ４．１１・・・・・・コイル ５．１０・・・・・・非磁性誘雷層 ６．１２．１３・・・・・・雷、槃絶縁嘆７・・・・・
・基板 ８．９・・・・・・高透磁率薄膜 ｐノ１：： 出願人 株式会社 諏訪精工台 代理人 弁理士 最 Ｌ 務 第１図 第２図
Claims (1)
- 凹凸のある高透磁率薄膜を含む複数の高透磁率薄膜コア
からなる空隙を設は大閉磁路、該高透磁率薄膜コアの凹
部を通るように配置され六薄膜コイルからｔｒることｆ
ｔ特徴とする磁気へソド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22093083A JPS60113312A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22093083A JPS60113312A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60113312A true JPS60113312A (ja) | 1985-06-19 |
Family
ID=16758778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22093083A Pending JPS60113312A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60113312A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6278711A (ja) * | 1985-10-01 | 1987-04-11 | Sony Corp | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS6278712A (ja) * | 1985-10-01 | 1987-04-11 | Sony Corp | 薄膜磁気ヘツド |
| EP0218445A2 (en) * | 1985-10-01 | 1987-04-15 | Sony Corporation | Thin film magnetic heads |
-
1983
- 1983-11-24 JP JP22093083A patent/JPS60113312A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6278711A (ja) * | 1985-10-01 | 1987-04-11 | Sony Corp | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS6278712A (ja) * | 1985-10-01 | 1987-04-11 | Sony Corp | 薄膜磁気ヘツド |
| EP0218445A2 (en) * | 1985-10-01 | 1987-04-15 | Sony Corporation | Thin film magnetic heads |
| EP0218445A3 (en) * | 1985-10-01 | 1989-08-30 | Sony Corporation | Thin film magnetic heads |
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