JPS5994224A - 薄膜磁気ヘツドの構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （ａ）　　発明の技術分野 本発明は磁気記録装置に係り、媒体に記録されたビラト
ラ読みとる場合に用いられる薄膜磁気ヘッドの構造に関
する。

（ｂ）　　従来技術と問題点 磁気記録の高密度化は最近益＾進展し、媒体に記録され
るビットの大きさも益々小さくな夛、そのビットの大き
さはμｍのオーダとなってきている。このような微少容
積のビットでは媒体磁性体の磁気エネルギーは微少であ
り、必然的に出力はｌトさくなる。

このような小さい出力を読み出すには、パーマロイの磁
気抵抗効果素子を利用したヘッドが有効であるとされて
いる。この代表的なものとして、第１図の断面図に示す
ように、２層の磁気シールド層（薄膜パーマロイ）１，
２の間の狭ギヤツプ３中に、磁気抵抗素子（薄膜パーマ
ロイ）４を配置し、媒体５から洩れてくる磁場で、磁気
抵抗素子４が影響されて抵抗値が変化し、その抵抗変化
を読みとりヘッド出力としている。なお、ギャップ３は
Ｓｉｎ、の絶縁層で形成され、媒体５に記録されている
ビット長と見合うようにし、読み出しビットが前後ビッ
トの磁化力を受けないようにしている。又磁気抵抗素子
４が２層の場合もある。

第２図は第１図の薄膜磁気ヘッドの抵抗素子部の平面図
で、多数個並んでいる磁気抵抗素子４がストライプ状の
磁気シールド層１，２で上下からサンドイッチ状にはさ
み込んでいる。

この上下磁気シールド／１ｉｔｌ、　　２はヘッド特性
を良好にするために、磁気抵抗素子４の並びの方向に一
動り異雪廷（ｍｌｋ幻且頗ｌ。）シｒ糾七身−一一　フ
この磁化容易軸ａが附与されたパーマロイ膜は膜内の磁
化の向きがａ、　　ｂのように循環しく第３図）磁化エ
ネルギーが最小になるような形になって安定する。今磁
気ヘッドの上下磁気シールド層１゜２にこれと直交する
方向すの成分が有ると膜自体の特性が洛ちる０即ち、上
下磁気シールドＪ−１゜２の透磁率が落ち、磁気ヘッド
の記録特性が落ちるという欠点があった。

（ｃ）　　発明の目的 本発明の目的は上下磁気シールド層両端の絶縁層に穴を
明け、該上下磁気シールド層をクローズドルーズにし、
磁気シールド層の磁気特性を向上した薄膜磁気ヘッドの
構造を提供することにある。

（ｄ）　　発明の構成 そしてこの目的は本発明によ五ば、上、下２層の磁気シ
ールド層の間に、磁気抵抗素子を持つ構造の薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、前記上下の磁気シールドｍｔ４手方向の
両端でコン、タクトさせたことを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッドの構造を提供することによって達成される。

以下本発明の実施例を図面によって詳述する。

第４図は本発明の薄膜磁気ヘッドの１実施例を説明する
ための図で、（イ）は正面図、（ロ）は断面図である。

図において、多数個並んでいる磁気抵抗素子４がストラ
イブ状の磁気シールドｒｆ！に６，７により上下から絶
縁層（５ｉＯ２ｏｒ　Ａ１２０ｓ）　８ｔ　９　ｋ介し
てサンドイッチ状にはさみ込まれている。上下の磁気シ
ールド層６，７の長手方向の両端において、絶縁層８，
９に穴をあけ上下磁気シールド層６゜７をコンタクト（
点１０，１１で）し、クローズドルーズにして磁気ヘッ
ドを構成する。

上下磁気シールド＃６ｔ７’ｔ”上記のようにクローズ
トループにすることによシ、該磁気シールド層６，７に
磁気抵抗素子４の並び方向に一軸異方性が付与されても
、従来のように磁気シールド層６．７が独立してないの
で、該磁気シールド層６゜７内でこれと直交する方向の
磁界がおきることなく、磁路が該上下磁気シールド層６
，７内で、矢３− 印のように循環して磁化エネルギーが最小となり安定す
る。従って上下磁気シールド層６，７の透磁率が落ち、
磁気ヘッドの記録特性が落ちるようなことはない。

以下、磁気抵抗素子４が２層の場合の本発明の磁気ヘッ
ドの概略の製造工程を第５図を用いて説明する。

■　基板１２上に、スパッタｏｒ蒸着により下部磁気シ
ールド層（パーマロイＮｉ　−Ｆｅ　）１３を作る。（
下部シールド層は、磁性基板を使用しこれで代用するこ
とも可能） （イ）その上にスパッタによシ絶縁層Ｓｉｎ、　　ｏｒ
ＡｉｊｔＯｓ　１４を作る。

（つ）磁気抵抗素子工層（パーマロイＮ１−Ｆｅ）１５
を蒸着する。

に）その上にスパッタＯｒ蒸着によシ絶縁＃３１０ｔＯ
ｒ　Ａ４０ｓ　１６を作る。

（３）次に磁気抵抗素子■層（パーマロイＮｉ　−Ｆｅ
）１７を蒸着する。

４− ソチングを行う。

（ホ）磁気抵抗素子１層１５のバターニング、エツチン
グを行う。

（至）下部磁気シールド層１３のバターニング、エツチ
ングを行う。

←）次に、絶縁層Ｓｉｎ、　ｏｒ　Ａ４０３１８　ｋス
パッタｏｒ蒸着で作る０ に）上下磁気シールド層接続用スルーホール、バターニ
ング、プラズマエツチングを行い穴１９を明ける。図（
７）（社）は上図までと直角方向の断面を示す、図に）
は本発明の工程追加である。

（ロ）上部磁気シールド層（パーマロイＮ１−Ｆｅ）２
０をスパッタで作る。

（書　上部磁気シールド層２０をバターニング、エツチ
ングする。

以下端子形成工程へ。

第６図は上記方法で製作した本発明の薄膜磁気ヘッドと
従来の薄膜磁気ヘッドの特性を比較した図である。図に
おいて２１は従来の薄膜磁気ヘッの特性を示す。孤立波
の１／２の出力が出る記録密度をＤ　５　ｏといい、笑
際の記録に重要であり、このＤ５ｏについて、本発明の
ヘッドの特性２２が従来のヘッドの特性２１より約１０
％程度伸びる効果があった。

（ｆ）　　発明の効果 以上、詳細に説明したように、本発明の薄膜磁気ヘッド
の構造は上下磁気シールド層両端の絶縁層に穴を明け、
該上下シールド層をクローズドルーズにすることによシ
、従来のように上下磁気シールド層内での磁化容易軸と
直交する方向の反磁界が起きずに、上下磁気シールド層
を循環した磁路が形成され、磁気特性が向上する効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の薄膜磁気ヘッドの断面図、第２図は第１
図の薄膜磁気ヘッドの平面図、第３図は磁気シールド層
内の磁路を説明するための平面図、第４図は本発明の薄
膜磁気ヘッドの１実施例を説明するだめの図で、（イ）
は正面図、（ロ）は断面図、第５図は本発明の薄膜磁気
ヘッドの概略の製造工程７− 全説明する図で、（７）〜（財）は断面図、第６図は本
発明の薄膜磁気ヘッドの効果を示すグラフである。 図において、４，１５．１７は磁気抵抗素子、６．２０
は上部シールド層、７．１３は下部シールド層、８，９
，１４，１６．１８は絶縁層、１０゜１１はコンタクト
、１２は基板、１９は穴、２１は従来の薄膜磁気ヘッド
の特性、２２は本発明の薄膜磁気ヘッドの特性を示す。 第３　図 葛４−馴 〆λ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 上、下２層の磁気シールド層の間に、磁気抵抗素子を備
   えた薄膜磁気ヘッドにおいて、前記上。 下の磁気シールド層を長手方向の両端で接続したことを
   特徴とする薄膜磁気ヘッドの構造。