JPS60112687A - 単結晶製造方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の分野 この発明は、回転楕円面鏡の一方焦点に赤外線ランプを
配置し、他方焦点に溶融帯部を配置してなる赤外線加熱
単結晶製造装置における溶融帯部の溶融状況を制御する
方法に関する。

従来技術の説明 第１図は、従来より用いられている単結晶製造装置のｍ
個を示す略図的正面断面図である。第１図を参照して、
この装置は２個の回転楕円面鏡１゜２を結合させた収攬
円形加熱炉８の形態を有する。

各回転楕円面鏡１．２の一方焦点Ｐａ、Ｆｂには、赤外
線ランプとして例えばハロゲンランプ４．５が配置され
ている。また回転楕円面鏡１．２の他方の焦点は一致さ
せてありその他方焦点Ｆ、には、相互に逆方向に回転す
る素材棒６と種結晶７との間に形成された溶融帯部８が
配置されている。この装置では、ハロゲンランプ４．５
から輻射された光が回転楕円面鏡１．２で溶融帯部８に
集中され、それによって素材棒６が加熱溶融され、素材
棒６を移動させることにより結晶成長が行なわれる。第
１図に示した収攬円形加熱炉３のほか、１個の回転楕円
面鏡を用いた単槽円形加熱炉も広く用いられているが、
これらの回転楕円面鏡を用いた赤外線加熱単結晶製造装
置では、安定な出力を得ることができること、成長方向
の組成のずれが生じないこと、ならびに結晶成長の状況
が観察できることなどの優れた利点を有する。

しかしながら、第１図に示したような装置を使用して結
晶成長を持続させるには、溶融帯部８を結晶成長゛に理
想的な大食さおよび形状に維持させることが重要である
。したがって、従来、溶融帯部８を作業者が肉眼で観察
しつつ、素材棒６の下方への供給速度やハロゲンランプ
４．５の電力を手動で制御していた。すなわち、溶融帯
部８の形状が結晶成長に好ましくない形になったときに
は、素材棒６の供給速度を増減し、あるいはハロゲンラ
ンプ４．５への供給電力を調整していた。したがって単
結晶を製造する際には、長時間、作業者が該装置につき
・っきりで調整を行ガわガけにばならなかった。

シカモ、ハロゲンランプ４．５への供給電力を調整した
場合、あるいは素材棒６の供給速度を変化させた場合、
溶融帯部８の溶融状況はこの変化に迅速に追随するもめ
ではなく、かなりの時間が経過した後初めて溶融帯部８
に変化が生じる。したがって、作業者はこの溶融帯部８
の溶融状況変化の時間遅れを予め予想しつつ、ハロゲン
ランプ４．５への供給電力あるいは素材棒６の供給速度
“を変更しなければならない。それゆえに、過大な調整
を避けるあまり、いきおいハロゲンランプ４゜５への供
給電力を少なめに調整するのが常であり、その結果最適
の溶融状況を実現するためには煩雑な調整操作が必要で
あるという問題があった。

発明の目的 それゆえに、この発明の目的は、上述の問題点を解消し
、作業者の煩雑な作業を省略することができ、かつ溶融
帯部の溶融状況を結晶成長にとって最適となるように維
持することができる、赤外線加熱単結晶製造装置の溶融
帯部の溶融状況制御方法を提供することにある。

発明の概要 この発明は、溶融帯部の溶融状況の変化が溶融帯部の直
径または体積または溶融帯部縦断面の面積に現われるこ
とに着目し、これらの直径または体積あるいは面積を制
御することにより、結晶成長に最適な溶融状況を実現せ
んとするものであり、溶融帯部の溶融状況に応じた信号
を取出すために溶融帯部の最小径位置及びこの位置から
所定距離にある位置を走査センシングするイメージセン
サと、該イメージセンサの出力を２値化するための２値
化手段と、２値化手段で２値化されたデータを順次記憶
し、該データに基づいて溶融帯部の直径または体積また
は溶融帯部縦断面の面積を演算し、算出された直径また
は体槓捷たは面積の予め設定された理想直径または体積
または理想面積からの変化分をめ、現在の該変化分とｍ
回（ｍは整数）前の変化分とを用いて、所定の演算式に
従って演算処理し、該演算結果に基づき赤外線ランプへ
の供給電力および素材棒の供給速度の少なくとも一方を
制御する赤外線加熱単結晶製造装置の溶融帯部の溶融状
況制御方法である。

この発明のその他の特徴は、以下の実施例の説明により
明らかとなろう。

実施例の説明 上述のように、この発明は結晶成長に最適な溶融状況を
実現するたに溶融帯部の溶融状態を制御する方法である
。すなわち第２図に示すように、素材棒６の下方への供
給速度および赤外線ランプとしてのハロゲンランプへの
供給電力が磨切である場合、溶−帯部８は実線Ｂで示十
ように結晶成長に最適な状態を維持する。しかしながら
、たとえば素材棒６の下方への供給速度が遅くなったり
、あるいはハロゲンランプへの供給電力が小さくなった
場合には、破線Ａで示すように溶融帯部８の直径または
体積あるいは溶融帯部８の縦断面の面積が小さＸなる。

他方、素材棒６の供給速度が速い場合、あるいはハロゲ
ンランプの光量が大＾くなると、逆に破線Ｃで示すよう
に溶融帯部８の直径または体積および溶融帯部８の縦断
面の面積が増大する。

したがって、単結晶の種類にもよるが、単結晶の成長に
最適な溶融帯部８の直径または体積あるいは溶融帯部８
の縦断面の面積を予め設定してお鼻、溶融帯部８の直径
または体積あるいは縦断面の面積がこの理想値からずれ
た場合に素材ｐ４６の供給速度あるいはハロゲンランプ
の光量すなわちハロゲンランプへの供給電力を増減する
ことにより、単結ｄの成長に最適な溶融状況を実現し得
ることがわかる。との発明は、このような溶融帯部８の
直径または体積あるいは溶融帯部８め縦断面面積を測定
し、その測定された値の変化に基づき、素材棒６の下方
への供給速度およびハロゲンランプの光量の少なくとも
一方を変化させて、最適の溶融状況を実現しようとする
ものである。

第３図は、この発明の一実施例に関する制御装置を示す
略図的斜視図である。溶融帯部８は、光学レンズ１１を
介してＣＯＤイメージセンサヲ含むイメージセンサ・カ
メラ１２で測定される。イメージセンサ・カメラ１２に
は、ペロースｌ　８ヲ介してハーフミラ−・ボックス１
４が設けられている。溶融帯部８から入射された光は、
ハーフミラ−・ポ、ソクス１４内のハーフミラ−１５に
より反射され、イメージセンサ・カメラ本体部１２ａ内
のイメージセンサに導かれる。他方ハーフミラ−・ボッ
クス１５には、スクリーン１６も設けられており、肉眼
でも溶融帯部８の状態を観察することができるようにさ
れている。

イメージセンサ・カメラ１２は、コントローラ１７に接
続されており、コントローラ１７はイメージセンサの出
力を２値化するための２値化手段などを含み、２値化さ
れた測定データを順次記憶し、後述の演算式に従って演
算処理し、ハロゲンランプへの供給電力を制御する基準
電力コントローラ（図示せず）あるいは素材棒６の下方
への供給速度を制御するモータ・コントローラ（図示せ
ず）へ出力を与える。コントローラ１７には、タイミン
グパルス発生器１８も接続されており、タイミングパル
ス発生器１８は、種結晶７の回転すなわち溶融帯部８の
回転に応じてタイミングパルスを発生させるものである
。このタイミングパルス発生器１８からのタイミングパ
ルスに基づき、コントローラ１７内の制御手段がイメー
ジセンサからの測定信号を取込むように構成されている
。

第４図は、第８図に示した実施例に関する赤外線加熱小
結晶製造装置の概略ブロック図を示す。

第４図において、１点鎖線Ｅで囲まれる部分が、第３図
に示したコントローラ１７内に含まれる回路を示す。す
なわち、コントローラ１７は、クロック回路イメージセ
ンサ２２からの出力を増幅する増幅器２８、増幅器２８
からの出力を２値化するための比較手段２７、増幅器２
３からの出力のピーク値をホールドするピークホールド
回路２４、増幅器２８の出力の最低値をホールドするボ
トムホールド回路２５、上述の制御手段２６、ならびに
タイミングパルス発生器１８に接続されるブリ士・ソト
カウンタ２８を含む。

制御手段２６は、クロリフ回路２１からのクロリフを基
準にして、予め内蔵されているプログラムに従って動作
する。イメージセンサ２２は、クロ、ンク回路２１から
のクロックに応じて、溶融帯部８を走査し、各ラインご
とに溶融帯部８の径に応じた信号を出力する。増幅器２
３は、ピークホールド回路２４、ボトムホールド回路２
５および比較手段２７に接続されてお沙、・・ピークホ
ールド回路２４では増幅器２８の出力信号のピーク値が
ホールドされ、ボトムホールド回路２５では最低値がホ
ールドされる。ピークホールド回路２４およびボトムホ
ールド回路２６の出力は制御手段２６に与えられ、制御
手段２６はピーク値およびボトム値の開の任意の拉、た
とえば両者の２分の１の値を演算し、基準電圧として比
較手段２７に与える。比較手段２７は、このようにして
与えられた基準電圧と、増幅器２８から与えられた測定
信号とを比較し、２値化された信号を制御手段２６に与
える。制御手段２６は、この２値化された信号に基づ負
、後述の演算処理を行ない、制御出力値を出力する。こ
の制御出力値は、プログラム発生器８１からの基準電力
と加算されてハロゲンランプの電力コントローラ８２に
与えられ、同時に素材棒６の供給速度を制御するモータ
速度コントローラ３８にも制御出力値が与えられ得る。

ピークホールド回路２４およびボトムホールド回路２５
を設けるのは、ハロゲンランプの光量が変化したときに
イメージセンサ２２で測定される信号のレベル全体が変
化し、測定値に誤差を与えるのでこれを補償するためで
ある。すなわち第５図（ａ）および（ｂ）で示すように
、ハロゲンランプの光量を増大させると、溶融帯部８の
周辺全体が明るくなり、したがってイメージセンサ２２
かラノ出力波形（実＃ｉｌ　Ｈ，、Ｈ，で示す。）全体
が上方にシフトすることになる。したがって、比較手段
２７における基準電圧を固定レベル（第５図のＲで示す
破線を参照されたい。）とすると、イメージセンサ２２
における溶融帯部８の径の値に誤差を与えることＫなる
。そこで、この実施例では、ピークホールド回路２４お
よびボトムホールド回路２５により、増幅器２８からの
出力の最大値および最小値をホールドし、最大値および
最小値の間の任意の値、たとえば両者の２分の１の値に
基準電圧全設定することＫよシ、ハロゲンランプの光量
ノ父化に基づく光量の誤差が補償される。

また、この実施例では、タイミングパルス発生器１８と
して２個のタイミングバルー１発生器１８ａ、１８ｐを
含み、一方のタイミングパルス発生器１８ａは、溶融帯
部８が１回転するごとに所定の位置で１個のパルス信号
（以下、原点信号と略す。）を発生し、制御手段２５は
原点信号が与えられると、イメージセンサ２２からの測
定データを記憶する。

他方のタイミングパルス発生器１８１）は、溶融帯部８
が１回転する間に１２０僧のパルスを順次発生するもの
であり、プリセットカウンタ２８は、タイミングパルス
発生器ｌｅａからの原点信号によってリセットされ、制
御手段２６から与えられる所定の計数値をプリセットし
、タイミングパルス発生器１８ｂから与えられるパルス
を順次カウトし、カウント値がプリセットされた所定の
数置になったとき、出力信号を制御手段２６に与える。

このタイミングパルス発生器１８ｂおよびプリ上１．ト
カウンタ２８により与えられる信号に応じて、制御手段
２６はイメージセンサ２２からの測定データを記憶する
。したがって、入力手段８４によって任意の値を設定し
、プリセットカウンタ２８が任意の値の数のタイミング
パルスを計数する毎に、溶融帯部８の任意の回転角度で
の径を測定データとして制御手段２６に記憶することが
できる。

原点以外での溶融帯部８を測定するのは、溶融帯部８の
断面が必ずしも真円ではなく、楕円などの他の形状を有
することが多く、複数の角度位置から溶融帯部８を測定
することが好ましいからである。

入力手段８４は、たとえばキーボードなどにより構成さ
れるものであり、結晶成長に最適な溶融帯部８の直径ま
たは体積あるいは溶融帯部８の縦断面面積、ならびに後
述の演算式における定数などを制御手段２６に入力する
ためのものである。

上述のように、この実施例では、所定の演算式により素
材棒６の供給速度およびハロゲンランプへの供給電力の
少なくとも一方を制御するものである。この実施例では
、所定の演算式の一例としてＰＩＤ演算式が用いられる
。ここにＰＩＤ演算式とは、溶融帯部８の体積を測定デ
ータとして用いる場合には、微分形表現では Δｙ＝ｐ　（ΔＸｐ＋Ｉ　ＸＩ）＋ＤΔ″ｘ　ｐ　）　
−−−−−−（１）で表わされ、式（１）においてｘｐ
は現在の理想体積からの変化分すなわち５−Ｖ（Ｓは溶
融帯部８の埋植体積値を示し、Ｍは測定された溶融帯部
８の体積を示す。）である。すなわち式（１）は、溶融
帯部８の理想体積Ｓからの変化分を基礎にハロゲンラン
プへの供給電力および素材棒６の供給速度の制御分Δｙ
をめるものである。なお、式（１）において、Ｐ、Ｉ、
Ｄはそれぞれ定数である。

なお、溶融帯部８の体積は、制御手段２６において次の
ようにして算出される。すなわち、イメージセンサ２２
により溶融帯部８を順次走査し、得られた溶融帯部８の
谷径のうち最小径の部分（第２図の１点鎖線Ｏで示す部
分）の径をサーチし−、この１点鎖＃ｉ！０から上下方
向へ士りだけ離れたところに２本のラインＰ、Ｑを設定
する。この２本のラインＰ、Ｑの設定は、たとえば制御
手段２６からの出力が与えられるＣＲＴディスプレイ８
６を肉眼で観察しつつ、予め設定しておくことができる
。次に、ラインＰおよびＱで囲まれた部分での溶融帯部
８の径を基準とし、断面が円形であると近似して、谷径
が測定されたところの横断面の面積を演算し、これを加
算することにより、ラインＰとラインＱとで囲まれた部
分の体積が算出される。

最小径部分０を中心として２本のラインＰ、Ｑを設定し
たのは、イメージセンサ２２が素材棒６あるいは種結晶
７０部分の径をも出力するおそれがあるからである。す
なわち好ましくは２本のラインＰ、Ｑを溶融帯部−８の
上下に位置する各固液界面に設定すれば溶融帯部８の体
積は最も正確にめられるが、現実にはこのような固液界
面に正確に一致させることが極めて困難であるため、最
小径ライン０から所定距離りだけ隔てた２本のラインＰ
、Ｑを設定するものである。

上述した式（１）において、ΔｘｐおよびΔ２　ＸＰは
、次の式（２）および（３）でめられる。

ムＸｐ＝ｘｐ−Ｘ、・・・・・・・・・・・・・・・・
・・　（２）Δ２　Ｘｐ−Δｘｐ−ΔＸ、　・・・・・
・（３）ここでＸ“ｐは、現在の測定データＶを用いて
計算されたものであり、Ｘ、はｍ回前の測定データＶを
用いてめられたものである。したがって、制御出力Δｙ
は、現在の測定データとｍ回前の測定データをもとに算
出される。このようにｍ回前のデータを用いるのは、ハ
ロゲンランプへの供給電力あるいは素材棒６の供給速度
を変化させても、溶融帯部８にその変化の影響が舅われ
るのは若干の時間が経過してからであるという知見に基
づくものである。また、後述するように、この実施例で
は溶融帯部８の測定データはｎ回の鮭ｒを平均して採月
される。したがって各測定データを取込む時間ならびに
ｍ回前の測定データと現在の測定データとを比較するこ
とにより、制御出力Δｙは、溶融帯部８の変化に対して
一定時間遅れて追随することになる。

第６図は、第８図および第４図に示した実施例に関する
装置の全体の動作を説明するためのフロー図である。

次に、第８図、第４図および第６図を参照してこの実施
例を含む装置の全体の動作説明を行なう。

この発明の制御装置は、溶融帯部８の体積変化に基づい
て溶融状況を結晶成長にとって最適な状態に維持するも
のである。したがって、種結晶７（第４図を参照）上で
最初に素材棒６を溶融させ、溶融帯部８を形成するとこ
ろまでは従来と同じく手動で行なわれる。次に、形成さ
れた溶融帯部８が結晶成長に最適な状態に維持される。

まず、予め入力手段８４により、溶融帯部８の理想体積
、理想直径演算式の定数、プリセットカウンタ２８のプ
リセ・フト値などが入力される。タイミングパルス発生
器１８ａは、溶融帯部８が１回転するごとに回転信号す
なわち原点信号を制御手段２６に与える。また、タイミ
ングパルス発生器１８ｂは、溶融帯部８が１−ＰＪ転す
るごとに予め設定された複数個の角度位置において回転
信号を制御手段２６に与える。制御手段２６は、この回
転信号が与えられたとき、イメージセンサ２２、増幅器
２３および比較手段２７を経て２値化された溶融帯部８
の測定データを取込み記憶する。次に、回転信号がｎ回
出力されたとき、すなわち制御手段２６にｎ個の測定デ
ータが取込まれたと負、制御手段２６はｎ個の測定デー
タの平均値を算出し、それを測定データとして記憶する
。

次に、制御手段２６は、記憶された測定データを読出し
溶融帯部８の径の最小径部分をサーチし、最小径部分の
上下に予め設定された１ｈだけ離れたラインデータをサ
ーチする。この動作により読出された上ライン（第２図
のラインＰを参照）および下ライン（第２図のラインＱ
を参照）間の各測定径をもとに、溶融帯部８が断面円形
であると近似して、溶融帯部８の第２図におけるライン
Ｐ。

Ｑ間の体積Ｖが演算される。次に、制御手段２６は、予
め入力手段８４により設定された溶融帯部８の理想体積
Ｓと測定データＶとの差Ｘを演算し、Ｘを記憶する。し
ｋがって、測定データＶ、　、　Ｖ、・・・のそれぞれ
に対応して、順次Ｘ、　、ｘｌ・・が記憶される。同様
に、溶融帯部８の各角度位置におけるｘ′。

ｘ／、・・・・・・も制御手段２６に記憶される。

上述のように測定データ■および溶融帯部８の２本のフ
ィンＰ、Ｑで囲まれた部分の体積の変化分Ｘが順次記憶
された状態で、制御手段２６をコントロールモードにす
ると、制御手段２６は現在の体積変化分ｘｐとｍ回前の
体積変化分Ｘ、の差Δｘｐを演算し、さらにΔｘｐ−Δ
ｘ０を演算してΔ雪　ｘｐを算出する。なお、各Ｘとし
ては、複数個の角度位置で測定されたｘ、ｘ’・・・・
・のうち最も変化分の大きかったものが採用される。溶
融帯部８の変化に迅速に追随させるためである。このよ
うにしてめられたｘｐ、ΔｘｐおよびΔ’ｘｐならびに
予め設定された定数Ｐ、工、およびＤにより、 Δｙ＝ｐ　（ΔＸｐ＋ＩＸｐ＋ＤΔｘｐ　）の演算が行
なわれ、制御出力Δｙｐがめられる。

この制御出力Δｙｐは制御手段２６よりハロゲンラング
の電力コントローラ８２に与えられ、プログラム発生器
８１からの基準電力値Ｙ、に加算され、ハロゲンランプ
の供給電力Ｙｐ＝Ｙ、＋Δｙｐが出力される。同様に、
モータ速度コントローラ８８にも、制御出力Δｙが出力
されるが、ハロゲンランプの光量、ならびに素材棒６の
供給速度を変化させるモータの速度の一方のみに制御出
力Δｙが与えられてもよく、あるいはこれらの双方に振
分けられてもよい。

制御出力Δｙが出力された後、演算に用いられた現在の
データｘｐ、Δｘｐ、Δｌ　ｘｐおよびＹｐが、制御手
段２６に前回のデータとして記憶される。

次に、入力する定数の変更があれば入力手段により設定
し、再度演算処理が行なわれるが、変更がない場合には
そのまま次回の演算処理が行なわれる。このようにして
、ハロゲンランプへの供給電力および素材棒６の供給速
度を変化させるモータの速度が溶融帯部８の体積に応じ
て側御される。

したがって、作業者単結晶製造装置につきつ六りで監視
する必要はなく、自動的に無人で単結晶に成長させるこ
とが可能となる。

ところで、上述の実施例では、溶融帯部８の体積をもと
に溶融帯部８の制御を行なっていたが、上述のように溶
融帯部８の縦断面の面積を用いてハロゲンランプの光量
および素材棒６の供給速度を変化させるモータの速度を
制御してもよい。この場合には、イメージセンサ２２か
らの各ラインにおける溶融帯部径を２本のラインｐ、ｑ
（第２図を参照）間で単に加算すれば、溶融帯部８のラ
インＰ、Ｑ間の面積が算出される。したがって、上述の
実施例と同様に処理することができる。また、素材棒６
の供給速度とハロゲンランプの光量のいずれを制御する
かは、溶融帯部８の体積が同一であってもその形状によ
って異なる。したがって、より好ましくは、第２図の８
本のライン０、Ｐ、Ｑにおける径に応じて、ハロゲンラ
ンプおよび素材棒を供給用モータのいずれかを調整する
ことにより、より一層最適の溶融状況を実現することが
できる。

発明の効果 以上のように、この発明によれば、溶融帯部の溶融状況
に応じた信号を取出すためのイメージセンサと、該イメ
ージセンサの出力を２値化するための２値化手段と、２
値化手段で２値化されたデータを順次記憶し該データに
基づいて溶融帯部の直径または体積または縦断面面積を
演算し、算出された体積または面積の予め設定された理
想体積または理想面積からの変化分をめ、現在の該変化
分とｍ回前の変化分とを用いて所定の演算式に従って演
算処理し、該演算結果に基づき赤外線ランプへの供給電
力および素材棒の供給速度の少なくとも一方を制御する
制御手段とを備えるため、溶融帯部の溶融状況を単結晶
の成長に最適となるように制御することがでキ、シたが
って作業者の煩雑な作業を解消することができ、はぼ無
人で単結晶の成長を行なわせることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明が適用される従来の赤外線加熱単結
晶製造装置の一例を示す正面断面図である。第２図は、
第１図に示した赤外線加熱単結晶製造装置の溶融帯部を
拡大して示す部分正面図である。第３図は、この発明の
一実施例に関する装置の構成を示す略図的斜視図である
。第４１ン１は、第３図に示した実施例に関する赤外線
加熱単結晶製造装置のブロック図である。第５図は、増
幅器の出力波形を示す図である。第６図は、第３図およ
び第４図に示した実施例に関する赤外線加熱単結晶製造
装置の全体の動作を説明するためのフロー図である。 １．２・・・・・・回転楕円面積、 ４．５・・・・・・赤外線ランプ、 ６・・・・・・・・・・・・・素材棒、７・・・・・・
・・・・・・・種結晶、８・・・・・・・・・・・・・
溶融帯部、１２・・・・・・・・・　イメージセンサ・
カメラ、１７・・・・・・・・・　制御手段を含むコン
トローラ、２２・・・・・・・・・　イメージセンサ、
２６・・・・・・・・・制御手段、 ２７・・・・・・・・・・・・２値化手段としての比較
手段、０、Ｐ、Ｑ・・・・・　センシングライン。 第１図 第２図 第５図 第６図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 回転楕円面鏡の一方焦点に熱源として赤外線ランプを配
   置し、他方焦点に相互に同方向又は逆方向に回転する素
   材棒および種結晶の間に形成された溶融帯部を配置して
   なる赤外線加熱単結晶製造装置の溶融帯部の溶融状況制
   御について、溶融帯部の溶融状況に応じた信号を取出す
   ために溶融帯部の最小径位置及びこの位置から所定距離
   にある位置を走査センシングするイメージセンサと、 該イメージセンサの出力を２値化するための２値化手段
   と、 前記２値化されたデータを順次記憶し、該データに基づ
   いて溶融帯部の直径または体積または溶融帯部縦断面の
   面積を演算し、算出された直径または体積または面積の
   予め設定された理想直径または理想体積または理想面積
   からの変化分をめ、聯在の該変化分と、ｍ回（ｍは整数
   ）前の変化分とを用いて所定の演算式に従って演算処理
   し、該演算結果に基づき、赤外線ランプへの供給電力お
   よび素材棒の供給速度の少なくとも一方を制御すること
   によって単結晶成長に最適な溶融状況となるように赤外
   線ランプへの供給電力および素材棒の供給速度を維持す
   ることを特徴とする、赤外線加熱単結晶製造装置の溶融
   帯部の溶融状況制御方法・