JPS60111461A - 画像読取素子 - Google Patents
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- JPS60111461A JPS60111461A JP58219881A JP21988183A JPS60111461A JP S60111461 A JPS60111461 A JP S60111461A JP 58219881 A JP58219881 A JP 58219881A JP 21988183 A JP21988183 A JP 21988183A JP S60111461 A JPS60111461 A JP S60111461A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0384—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including other non-monocrystalline materials, e.g. semiconductor particles embedded in an insulating material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は一次元画像読取素子に関し、特に樹脂分散型セ
レン化カドミウム膜を光電変換素子として用いた密着型
−次元センサに関するものである。
レン化カドミウム膜を光電変換素子として用いた密着型
−次元センサに関するものである。
〈従来技術〉
一次元イメージセンサはファクシミリ、インテリジェン
トコピア等における原稿の読み取り用として知られてい
る。従来、この種の受光センサとしては、−次元の固体
イメージ素子（ＣＣＤあるいはＭＯＳ型）を利用し、原
稿像をスリット露光かつ縮小結像することによシ、対応
した画像情報信号を得ている。この−次元固体イメージ
素子はＩＣ技術を駆使して作製されるため、高々３（Ｊ
ｒｍ程度の大きさの素子であシ、このため原稿からの反
射光を受光部に導くには光路長の長い光学系を用いざる
を得す、装置の小型化が困難である。さらに、このよう
な装置では光学系の複雑な調整が必要であり、また、画
面周辺部の光量低下、分解能の劣化といった問題も生じ
る。
トコピア等における原稿の読み取り用として知られてい
る。従来、この種の受光センサとしては、−次元の固体
イメージ素子（ＣＣＤあるいはＭＯＳ型）を利用し、原
稿像をスリット露光かつ縮小結像することによシ、対応
した画像情報信号を得ている。この−次元固体イメージ
素子はＩＣ技術を駆使して作製されるため、高々３（Ｊ
ｒｍ程度の大きさの素子であシ、このため原稿からの反
射光を受光部に導くには光路長の長い光学系を用いざる
を得す、装置の小型化が困難である。さらに、このよう
な装置では光学系の複雑な調整が必要であり、また、画
面周辺部の光量低下、分解能の劣化といった問題も生じ
る。
これらの問題点の改善のために、原稿幅と同−風
寸←０→麟の長尺イメージ素子を用い、ファイバ−レン
ズアレイを用いて密着結像するいわゆる密着型イメージ
素子が考案されている。この様な密着型素子では大型の
光電変換部が必要で大面積に渡る均一な光電変換膜の形
成が要求される。このような要求に応じ得る光電変換膜
として現在の処、硫化カドニウム（Ｃｄ Ｓ’ ）化学
析出膜とセレン化カドニウム（Ｃｄ’Ｓｅ）との固溶体
膜、プラズマＣＶＤ法による非晶質水素化シリコン膜（
ａ−３ｉ）。
ズアレイを用いて密着結像するいわゆる密着型イメージ
素子が考案されている。この様な密着型素子では大型の
光電変換部が必要で大面積に渡る均一な光電変換膜の形
成が要求される。このような要求に応じ得る光電変換膜
として現在の処、硫化カドニウム（Ｃｄ Ｓ’ ）化学
析出膜とセレン化カドニウム（Ｃｄ’Ｓｅ）との固溶体
膜、プラズマＣＶＤ法による非晶質水素化シリコン膜（
ａ−３ｉ）。
又はＳ ｅ−Ａｓ−Ｔｅ系非晶質膜等が提案されている
。しかし上記従来の光導電膜に用いた密着型画像読取素
子は一長一短があり、総合的に必ずしも十分な特性を持
つ素子が得られていない。例えば、Ｃｄ５−ＣｄＳｅ固
溶体膜の場合 ■ 光応答速度が遅い、■光導電膜の作製工程が複雑で
ある、■明暗比が十分でない、等の欠点があり、又ａ−
３ｉ膜の場合、■光電出力が弱い、■製造コストが高い
、■製造装置が高価である、等の欠点がある。
。しかし上記従来の光導電膜に用いた密着型画像読取素
子は一長一短があり、総合的に必ずしも十分な特性を持
つ素子が得られていない。例えば、Ｃｄ５−ＣｄＳｅ固
溶体膜の場合 ■ 光応答速度が遅い、■光導電膜の作製工程が複雑で
ある、■明暗比が十分でない、等の欠点があり、又ａ−
３ｉ膜の場合、■光電出力が弱い、■製造コストが高い
、■製造装置が高価である、等の欠点がある。
〈発明の目的〉
本発明は上記従来の密着型−次元読取素子の欠点を除去
し、光応答特性、信号出力、ＳＮ比等の読取動作におけ
る光電変換膜に要求される緒特性を向上させ、長尺な寸
法の素子を安定して得ることができる画像読取素子番提
供する。
し、光応答特性、信号出力、ＳＮ比等の読取動作におけ
る光電変換膜に要求される緒特性を向上させ、長尺な寸
法の素子を安定して得ることができる画像読取素子番提
供する。
〈実施例〉
図は一次元画像読取素子の構造を示す断面図で、透光性
絶縁基板１を支持板として、該基板１の表面に画素とな
る間隔ｌを隔ててＡＩ！電極２□、２□が形成され、」
二記間隔ｌ及び電極２１ 、 ２゜の対面する先端部を
被って光導電膜３が形成されている。
絶縁基板１を支持板として、該基板１の表面に画素とな
る間隔ｌを隔ててＡＩ！電極２□、２□が形成され、」
二記間隔ｌ及び電極２１ 、 ２゜の対面する先端部を
被って光導電膜３が形成されている。
読取素子の一次元配列は、Ａ、ｌ電極２□、２２が一定
ピッチで基板１」二に平行に形成され、該Ａ−１電極２
□、２゜群を共通に帯状光導電膜３で被うことによって
形成される。電極２□、２゜の間隔ｌに基板側から光を
照射して像露光が行われる。」二記Ａ６電極２□ ２２
ば、蒸着によって形成された約２００ＯＡ厚のＡｎ膜を
フォトリック°ラフ、ｆ技術を用いて、例えば１００μ
ｍピッチ１０本／間の密度で櫛型電極として作成される
。
ピッチで基板１」二に平行に形成され、該Ａ−１電極２
□、２゜群を共通に帯状光導電膜３で被うことによって
形成される。電極２□、２゜の間隔ｌに基板側から光を
照射して像露光が行われる。」二記Ａ６電極２□ ２２
ば、蒸着によって形成された約２００ＯＡ厚のＡｎ膜を
フォトリック°ラフ、ｆ技術を用いて、例えば１００μ
ｍピッチ１０本／間の密度で櫛型電極として作成される
。
ここで光導電膜３は、平均粒径０５〜５μ乳例えば２μ
ｍのＣｄＳｅ粉末と自己架橋型熱硬化性アクリル樹脂と
の混合液を塗布することによって作成されるが、ＣｄＳ
ｅ粉末と樹脂の混合割合は、光導電膜から充分な光電変
換出力が得られ且つ結着強度が保持され得る範囲の割合
で混合される。
ｍのＣｄＳｅ粉末と自己架橋型熱硬化性アクリル樹脂と
の混合液を塗布することによって作成されるが、ＣｄＳ
ｅ粉末と樹脂の混合割合は、光導電膜から充分な光電変
換出力が得られ且つ結着強度が保持され得る範囲の割合
で混合される。
尚混合液は塗布に際して適当量の粘度調整用トルエン溶
媒が添加され、攪拌してＣｄＳｅ粉末と樹脂との濡れを
よくした分散液が用いられる。該分散液は更に超音波分
散装置を用いて調整された後、電極が蒸着された基板１
上にブレード法にて塗布される。塗布膜は充分乾燥させ
たのち、１００℃３０分間続いて１８０℃１０分間空気
中で熱処理硬化が施こされて光導電層が形成される。光
導電物質と樹脂結着剤との混合比は目的に応じ自由に選
択できるが光導電膜中のｅｄｓｅのしめる重量パーセン
トが９０％以上になると結着性が低下して膜の強度が弱
くなる。又６５％以下になると膜抵抗が必要以上に高く
なり、出力が小さくなると同時にキャリアーの移動度も
減少し光応答速度も悪くなる。従ってＣｄＳｅの重量パ
ーセントはｒへ） ６５Ｏ〜９０％の範囲内にする必要がある。最適条件は
８０形程度である。この最適条件において、図に示す構
造の素子を作製し評価を行なった。光応答速度０．８
ｍ、 ｓｅｃ （９０％立上り）、読出し出力２００
ｌｕｘで０．２Ｖ（負荷抵抗１０にΩ）、明暗比（Ｌｉ
ｇｈｔ ２０Ｏｆｆｕｘ時出力／ｄへｒｋ時出力）１１
００倍、素子間のバラツキ７形の非常に良好な特性を有
する一次元画像読取素子を得た。
媒が添加され、攪拌してＣｄＳｅ粉末と樹脂との濡れを
よくした分散液が用いられる。該分散液は更に超音波分
散装置を用いて調整された後、電極が蒸着された基板１
上にブレード法にて塗布される。塗布膜は充分乾燥させ
たのち、１００℃３０分間続いて１８０℃１０分間空気
中で熱処理硬化が施こされて光導電層が形成される。光
導電物質と樹脂結着剤との混合比は目的に応じ自由に選
択できるが光導電膜中のｅｄｓｅのしめる重量パーセン
トが９０％以上になると結着性が低下して膜の強度が弱
くなる。又６５％以下になると膜抵抗が必要以上に高く
なり、出力が小さくなると同時にキャリアーの移動度も
減少し光応答速度も悪くなる。従ってＣｄＳｅの重量パ
ーセントはｒへ） ６５Ｏ〜９０％の範囲内にする必要がある。最適条件は
８０形程度である。この最適条件において、図に示す構
造の素子を作製し評価を行なった。光応答速度０．８
ｍ、 ｓｅｃ （９０％立上り）、読出し出力２００
ｌｕｘで０．２Ｖ（負荷抵抗１０にΩ）、明暗比（Ｌｉ
ｇｈｔ ２０Ｏｆｆｕｘ時出力／ｄへｒｋ時出力）１１
００倍、素子間のバラツキ７形の非常に良好な特性を有
する一次元画像読取素子を得た。
上記実施例は光導電粉末の樹脂結着剤として、耐薬品性
及び取扱いの容易さからアクリル樹脂を用いた場合を挙
げたが、メラニン樹脂、スチレン樹脂、ポリエヌテル樹
脂又はシリコン樹脂のいずれの有機材料を結着剤に用い
ても同様に光出力特性のすぐれた光導電膜を得ることが
できる。
及び取扱いの容易さからアクリル樹脂を用いた場合を挙
げたが、メラニン樹脂、スチレン樹脂、ポリエヌテル樹
脂又はシリコン樹脂のいずれの有機材料を結着剤に用い
ても同様に光出力特性のすぐれた光導電膜を得ることが
できる。
〈効 果〉
以上本発明によれば、ＣｄＳｅ粉末のすぐれた光導電特
性を損うことなく素子を作成することができ、特に素子
作成にあたって、ＣｄＳｅ粉末の時点で種々の処理やチ
ェックを行うことができて製造工程の管理空非常に容易
になるだけではなく、′１、 ＪＩ ” （６） 簡単な工程で長尺の読取素子を作成することができ、高
品質の出力特性をもった一次画像読取装置を経済性よく
得ることができる。
性を損うことなく素子を作成することができ、特に素子
作成にあたって、ＣｄＳｅ粉末の時点で種々の処理やチ
ェックを行うことができて製造工程の管理空非常に容易
になるだけではなく、′１、 ＪＩ ” （６） 簡単な工程で長尺の読取素子を作成することができ、高
品質の出力特性をもった一次画像読取装置を経済性よく
得ることができる。
図は本発明による一実施例の読取素子断面図である。
１：絶縁基板 ２．．２２ ：電極 ３：光導電層代理
人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）１１
人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）１１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光導電層と、該光導電層上に形成された平面平行電
極とからなる一次元画像読取素子に於て、光導電層はセ
レン化カドニウムを主成分とする光導電物質粉末を樹脂
結着剤に混合分散してなることを特徴とする画像読取素
子。 ２ 前記光導電物質粉末平均粒径は０．５〜５μｍ光導
電物質に対する結着剤の重景比は１０：１〜１０：５で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の画像
読取素子。 ３ 樹脂結着剤はアクリル樹脂、メラニン樹脂、スチレ
ン樹脂、ポリエステル樹脂、シリコン樹脂のいずれかを
主成分とする有機材料であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の画像読取素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58219881A JPS60111461A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 画像読取素子 |
| US06/670,869 US4650985A (en) | 1983-11-22 | 1984-11-13 | Image readout element |
| DE19843442367 DE3442367A1 (de) | 1983-11-22 | 1984-11-20 | Bildwandlerelement |
| GB08429543A GB2150351B (en) | 1983-11-22 | 1984-11-22 | Photoconductive member |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58219881A JPS60111461A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 画像読取素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60111461A true JPS60111461A (ja) | 1985-06-17 |
| JPH0458699B2 JPH0458699B2 (ja) | 1992-09-18 |
Family
ID=16742515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58219881A Granted JPS60111461A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 画像読取素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4650985A (ja) |
| JP (1) | JPS60111461A (ja) |
| DE (1) | DE3442367A1 (ja) |
| GB (1) | GB2150351B (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4828876A (en) * | 1985-02-06 | 1989-05-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Production of photoelectric conversion film and contact type image sensor |
| JPS6235564A (ja) * | 1985-08-08 | 1987-02-16 | Sharp Corp | 光電変換素子の作製方法 |
| DE3825704A1 (de) * | 1988-07-28 | 1990-02-01 | Siemens Ag | Roentgenstrahlenempfindlicher festkoerperbildwandler |
| JPH04334056A (ja) * | 1991-05-09 | 1992-11-20 | Toshiba Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| JP2002080903A (ja) * | 2000-09-08 | 2002-03-22 | Japan Science & Technology Corp | 分散安定化機能性金族微粒子及び半導体微粒子およびその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5349981A (en) * | 1976-10-18 | 1978-05-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Photoelectric conversion element |
| JPS577981A (en) * | 1980-06-18 | 1982-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device |
| JPS5729076A (en) * | 1980-07-28 | 1982-02-16 | Minolta Camera Co Ltd | Powder image transfer type electrophotographic copying method |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE538610A (ja) * | 1954-06-02 | |||
| BE591164A (ja) * | 1959-05-29 | |||
| GB984371A (en) * | 1962-02-09 | 1965-02-24 | Derby Luminescents Ltd | Improvements in or relating to photoconductive materials |
| US3238150A (en) * | 1962-09-12 | 1966-03-01 | Xerox Corp | Photoconductive cadmium sulfide powder and method for the preparation thereof |
| GB1063484A (en) * | 1962-11-20 | 1967-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid-state image intensifier |
| GB1064140A (en) * | 1964-12-19 | 1967-04-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | A process for the production of a light-sensitive body |
| GB1148537A (en) * | 1965-10-30 | 1969-04-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | Improvements in and relating to photoconductive insulating material |
| JPS4813277B1 (ja) * | 1968-02-02 | 1973-04-26 | ||
| GB1330486A (en) * | 1970-10-20 | 1973-09-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of photosensitive stannic oxide and devices |
| JPS52110577A (en) * | 1976-03-13 | 1977-09-16 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Photoconductive material |
| US4405915A (en) * | 1980-03-28 | 1983-09-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric transducing element |
| JPS5846195B2 (ja) * | 1980-09-09 | 1983-10-14 | 日本電信電話株式会社 | 密着形イメ−ジセンサの製造方法 |
| JPS58207766A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-03 | Fuji Xerox Co Ltd | イメ−ジセンサ |
-
1983
- 1983-11-22 JP JP58219881A patent/JPS60111461A/ja active Granted
-
1984
- 1984-11-13 US US06/670,869 patent/US4650985A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-11-20 DE DE19843442367 patent/DE3442367A1/de active Granted
- 1984-11-22 GB GB08429543A patent/GB2150351B/en not_active Expired
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5349981A (en) * | 1976-10-18 | 1978-05-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Photoelectric conversion element |
| JPS577981A (en) * | 1980-06-18 | 1982-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device |
| JPS5729076A (en) * | 1980-07-28 | 1982-02-16 | Minolta Camera Co Ltd | Powder image transfer type electrophotographic copying method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2150351B (en) | 1987-11-25 |
| JPH0458699B2 (ja) | 1992-09-18 |
| US4650985A (en) | 1987-03-17 |
| GB2150351A (en) | 1985-06-26 |
| DE3442367C2 (ja) | 1990-02-08 |
| GB8429543D0 (en) | 1985-01-03 |
| DE3442367A1 (de) | 1985-05-30 |
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