JPS6011036B2 - エノンの製法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はプロスタグランジン及びプロスタグランジンに
類似の化合物の製造に有用な方法に関する。

特に公知のプロスタグランジン中間体を製造するための
改善された方法に関する。この改善された方法は特に公
知のＢ系列及びＦ系列の１６−アリールオキシー１７・
１８・１９・２０ーテトラノループロスタグランジン同
族体の製造に有用であるが、類似の改善方法が非常に多
様の別の公知のプロスタグランジン及びプロスタグラン
ジン同族体の合成に適用出来ることが認められるであろ
う。

Ｅ系列及びＦ系列の１６−アリールオキシ−１７・１８
・１９・２０ーテトラノループロスタグランジン同族体
の公知の合成法（例えば西ドイツ国特許公開公報第２２
２３３６５号）においては、基本物質、ヱノン中間体Ｖ
を公知のジメチルアセタール１から４段階工程で合成す
る。

すなわち同ジメチルアセタール１を塩化４−フェニルベ
ンゾィルと反応させてェステルＤを生成させ、これを水
素化トリブチル錫で処理して脱沃素ジメチルアセタール
ｍを生成させる。同脱沃素ジメチルアセタールｍを加水
分解してアルデヒドＮを生成させ、次いでこれを式：（
ＣＨ３０）２Ｐ○・ＣＨ２Ｃ０・ＣＨ２０Ｒ１〔式中：
ＲＩは置換されていてもよいフェニル基又はナフチル基
を表わす）のホスホン酸塩と、強塩基の存在下で、反応
させて基本物質、ェノン中間体Ｖを得る。

この４段階工程は以下の反応図式で示される：ＰＢ＝４
‐フ工二ルベンゾイルところで１からＶを製造する工程
に含まれる４反応を再配列すれば予期されなかった極め
て高い収率増加が達成されることが見出された。

本発明はこれに基ずく。例えばＲＩが３ークロロフェニ
ル基を表わす場合、公知法においては１からＶを約２９
％の全収率で製造するであろう。これに対して本発明の
改善された方法では１からＶを約４７％までの全収率で
製造する。従って所与量のジメチルアセタール１から基
本物質、ェノン中間体Ｖを約６２％く』裏空９髪＝６２
％）多量に製造することが可能である。又本改善方法に
おいて４−フェニルベンゾヱート ェノンＶに相当する
ペンゾェート ェノンを使用する場合には、更なる収率
増加が達成され得ることが見出された。事実Ｖに相当す
るペンゾェート ヱノンは１から約５６％までの全収率
で得ることが出来、又フェニルベンゾェー＊トＶと同じ
方法で上記のＥ系列及びＦ系列の１６−アリールオキシ
−１７・１８・１９・２０ーテトラノルーブロスタグラ
ンジン同族体の合成に使用することが出釆る。かくして
本発明によれば式： 〔式中：Ｒ２は置換されていないか又はハロゲン源Ｚ子
、ヒドロキシ基又はフェニル基、それぞれ１〜４個の炭
素原子を有するアルキル基、アルケニル基、ハロゲノア
ルキル基又はアルコキシ基又は各アルキル基が１〜４個
の炭素原子を有するジアルキルァミノ基から選ばれる１
個以上の置換分を有するフェニル基又はナフチル基を表
わし、Ｒ３はペンゾイル基又は４ーフェニルベンゾィル
基を表わす〕のェノンの製法が提供され、該方法は以下
の連続する４段階からなる：‘１’４３−ジメトキシメ
チル−２・３・粉６一飴Ｂーテトラヒドロ−５Ｑ−ヒド
ロキシー６３ーヨードー２ーオキソシクロベンテ／〔ｂ
〕フラン、（１）を、例えば錆金属水素化物例えば水素
化トリ−ｎ−ブチル錫の過剰を用いて、不活性溶剤、例
えばトルェン中で、常温又は不活性溶剤の鰍′点までの
上昇温度で、薄層クロマトグラフィーによる反応混合物
の試験が出発物質１の完全な消費を示すまで還元して４
８ージメトキシメチルー２・３・傘８・舷８ーテトラヒ
ドロー５Ｑーヒドロキシ−２−オキソシクロベンテノ〔
ｂ〕フランを生成させせる；‘２１ 段階１｝からの生
成物を、例えば過剰の無機酸例えば塩酸と水不混和性有
機溶剤例えばトルェン又はトルェンと石油エーテルとの
混合物からなる２相系中で、室温で２独特間の範囲内で
加水分解して２・３・ＳＰ・既８−テトラヒドロ−５Ｑ
ーヒドロキシー２一オキソシクロベンテノ〔ｂ〕フラン
−４８ーカルブアルデヒドの酸性水溶液を生成させる；
（３’段階‘２）からの生成物を式： （Ｒ４０）２Ｐ０・ＣＨ２ＣＯＣＨ２０Ｒ２〔式中：Ｒ
２は上記のものを表わし、Ｒ４は１〜６個の炭素原子を
有するアルキル基例えばメチル基を表わす〕のホスホン
酸塩の過剰と、水溶液又は水性−有機溶液、例えば水−
テトラヒドロフラン中で塩基例えば炭酸カリウム又は水
酸化ナトリウムの存在下で氷冷下に、薄層クロマトグラ
フィーがすべてのアルデヒド出発材料が消費されたこと
を示すまで反応させ、その後過剰の燐酸塩試薬をケト化
合物、例えばグリオキシル酸の添加により破壊し、かつ
生成物を水不混和性有機溶剤、例えば酢酸エチルで塩基
性水溶液から抽出するか、又は結晶化させて式：〔式中
：Ｒ２は上記のものを表わす〕のェノンを生成させる；
■ 段階‘３’からの生成物肌を安息香酸又は４−フェ
ニル安息香酸の反応性誘導体例えば塩化ペンゾィル又は
塩化４ーフェニルベンゾイルを用いて、有機溶剤、例え
ばトルェン中、場合によりピリジンのような酸結合剤の
存在下にアシル化し、引き続き必要な生成物を水不混和
有機溶剤、例えば酢酸エチルで酸性水溶液から抽出する
。

段階‘１｝、‘２｝及び‘３’で得られた生成物は単離
する必要も精製する必要もなく、得られたま）の状態で
次に続く段階に使用出来ることを理解すべきである。

本発明方法により公知法におけるより高収率で製造され
得る式のの有利なェノンは４８−〔４−（３ークロロフ
エノキシ）一３ーオキソブト−１ートランスーエニル〕
−２・３・＄８・飴８−テトラヒドロー２−オキソ−５
Ｑ−（４ーフエニルベンゾイルオキシ）シクロベンテノ
〔ｂ〕フラン、２・３・粉Ｂ・筋８ーテトラヒドロー２
ーオキソー４８一〔３−オキソー４一（３−トリフルオ
ロメチルフエノキシ）ブト−１−トランス−エニル〕−
５Ｑ−（４−フエニルベンゾイルオキシ）シクロベンテ
ノ〔ｂ〕フラン、５Ｑ−ペンゾイルオキシー４８−〔４
一（３−クロ。

フエノキシ）−３−オキソブトー１ートランスーエニル
〕−２・３・粉８・既８−テトラヒドロー２−オキソシ
クロベンテノ〔ｂ〕フラン及び５Ｑーベンゾイルオキシ
−２・３・＄ａ・既８ーテトラヒドロー２ーオキソー４
８−〔３ーオキソー４一（３ートリフルオロメチルフエ
ノキシ）ブトー１−トランスーエニル〕シクロベンテノ
〔ｂ〕フランである。段階３）の生成物として得られる
式肌のェノンは新規化合物である。

本発明による式肌の特に新規なエノンは４８一〔４一（
３ークロロフヱノキシ）−３ーオキソブト−１ートラン
スーヱニル〕−２・３・３８・飴８−テトラヒドロー５
Ｑーヒドロキシ−２一オキソシクロベンテノ〔ｂ〕フラ
ン及び２・３・粉８・舷８ーテトラヒドロー５Ｑ−ヒド
ロキシ−２−オキソ−４６一〔３−オキソ−４−（３ー
トリフルオロメチルフエノキシ）ブト−１ートランスー
エニル〕シクロベンテノ〔ｂ〕フランである。これらの
ェノンは立体選択還元を行ってプロスタグランジン同族
体クロプロステノール及びフルプロステノールを生成さ
せるための基体又は基体への中間体として付加的に有タ
用である。本発明は以下の実施例により詳述されるが、
これに限定されるものではない。

例１ 段階｛１’ ０ ６８−ジメトキシメチル−２・３１３８１舷８ーテ
トラヒドロ−５はーヒドロキシー６８−ヨ−ドー２ーオ
キソシクｏベンテ／〔ｂ〕フラン（８．０夕）と酸化ト
リ−ｎ−ブチル錫（１３．２夕）とをトルヱン（６０の
【）中にアルゴン雰囲気下で加温夕することにより溶か
した。

ポリメチル水素シロキサン（２．５６私）を、又続いて
過酸化ペンゾィル（４ｏｏ雌）を添肌・同混織機拝し、
２歩間８０ｑｏに加熱したが、その場合最初の１時間が
過ぎ０た後で過酸化ペンゾィルの更なる量（４００の９
）を添加した。その様に得られた４８ージメトキシメチ
ルー２・３・粉８・母８ーテトラヒドロー５Ｑーヒドロ
キシー２一オキソシクロベンテノ〔ｂ〕フランの溶液を
冷却し、段階■に使用した。収づ率：８０％段階〔２’ 段階｛１｝からの生成物として得られたトルェン溶液を
鷹拝し、石油エーテル（沸点４０〜６０ｏ０．、６０の
【）で稀釈し、０．５規定の塩酸（３０私）と共に振０
浸した。

同混合物を“／・ィフロ（Ｈｙｆｌｏ）”（登録商標）
珪藤土を通して炉適し、含水酸層を分離した。フィルタ
パッドを０．９算定の塩酸（３０の【）で洗浄し、この
洗液をトルェン溶液の再抽出のために使用した。含水酸
層を分離し、最初の抽出物とター緒に合せ、その場合各
抽出層における洗浄溶剤として０．９規定の塩酸（４私
）を使用した。一緒に合せた酸抽出物を等部ずつの石油
エーテル（沸点４０〜６０午０）とトルェンとの混合物
（３０Ｍ）で洗浄し、次いで一晩放置した。この時間の
間にアセｏタール全部が加水分解されて、アルデヒド、
２・３・粉３・皮８ーテトラヒドロー５Ｑーヒドロキシ
ー２ーオキソシクロベンテ／〔ｂ〕フラン一４８−カル
ブアルデヒドの稀塩酸溶液が得られた。収率：ほぼ１０
０％段階‘３’ 段階【２め）らの生成物として得られたアルデヒドの溶
液を櫨拝し、氷裕中で冷却し、４・量の固体炭酸カリウ
ム（約１．２夕）を添加することにより中和した。

次いで同中性溶液を、テトラヒドロフラン（４０のＺ）
と水（１０ｗ‘）中のジメチル〔３一（３ークロロフエ
ノキシ）−２ーオキソプロピル〕ホスホン酸塩（９．６
６夕）と炭酸カリウム（４．５６夕）との強力に鷹拝さ
れている混合物に２び分間にわたって添加し、氷裕中で
冷却することにより５〜７℃に保持した。同混合物を・
享時間損拝し、次いでグリオキシル酸（５．４夕）と炭
酸カリウム（１３．６夕）を添加し、同混合物を更に１
５分間擬拝してホスホン酸塩試薬の過剰分を水溶性誘導
体に変換させた。次いで同混合物を酢酸エチル（２×５
０の【）で抽出し、抽出物を一緒に合せ、飽和塩水：水
１：１で洗浄し、乾燥し、溶剤を蒸発させて４８一〔４
一（３ークロロフエノキシ）一３ーオキソブト−１ート
ランスーエニル〕一２・３・粉３・段８ーテトラヒドロ
ー５Ｑ−ヒドロキシ−２−オキソシクロベンテノ〔ｂ〕
フラン（約７．６のをゴム状物質として得た。これは直
接段階｛４）に使用することが出来るか又は酢酸エチル
の１５％エーテル溶液から結晶化して融点１０３〜１０
４ｑｏの結晶性生成物を得ることが出釆る。収率：約６
０％段階‘４’段階‘３｝からの粗生成物（７．６夕）
をドライ トルェン（３０の【）とピリジン（８．４舷
）中に溶かし、同溶液をアルゴン下で機拝しその間塩化
４−フェニルベンゾィル（７．０６夕）を添加した。

１時間後に同溶液を酢酸エチル（５０凧‘）で稀釈し、
２規定の塩酸（１×５０、２×２５の‘）、飽和車炭酸
ナトリウム溶液（５０の【）及び塩水（２５泌）で洗浄
した。

有機溶液を硫酸マグネシウム上で乾燥し、炉過し、溶剤
を蒸発させて４８一〔４一（３ークロロフエノキシ）一
３ーオキソプトー１−トランスーエニル〕一２・３・粉
８・舷８−テトラヒドロー２−オキソー５Ｑ−（４ーフ
エニルベンゾイルオキシ）シクロベンテノ〔ｂ〕フラン
をゴム状物質として得た。これを等部ずつのメタノール
とエーテルとの混合物と一緒に磨砕して固体生成物とし
、これを炉別し、ヱーテルで洗浄した（収率：ほぼ１０
０％、５．６０夕、４段階を通しての全収率４６．８％
）、ＲＦ＝約０．７（イソプロパノールの１５％トルェ
ン溶液を展開液として、シリカゲル上での薄層クロマト
グラフィー）。段階２、３及び４は通常連続して一緒に
行なわれ、この３段階すべてでの収率は５９．３％であ
った。例２ 例１に記載の工程を繰返したが、相異点として段階【州
こおいて塩化４−フェニルベンゾイルの代りに当量の塩
化ペンゾィルを使用した。

第２、３０及び４段階を連続的に行なった収率は７０．
０％であり、その結果全４段階を通じての全収率５６％
で５Ｑーベンゾイルオキシー４８一〔４−（３ークロロ
フエノキシ）一３−オキソブトー１−トランスーエニル
〕一２・３・ＳＰ・斑８ーテトラヒドロタ−２ーオキソ
シクロベンテ／〔ｂ〕フランを得た、ＲＦ＝約０．７（
イソプロパノールの１５％トルェン溶液を展開液として
、シリカゲル上での薄層クロマトグラフィー）。ジユー
テロクロロホルム中での核磁気共鳴スペクトルは以下の
様な特性シグ０ナル（６値）を示した：２．２‐３．２
、細、多重線、‐ＣＨ２‐及びシクｏベンテン壕の＞Ｃ
Ｈ−夕４．６４ ２日、単線、一Ｃ比０一 ４．８‐５．４−、が、多重線、２ｘーＣＨ．ｏ−６．
４７、ＩＨ、二重線、一ＣＨ：ＣＨ・ＣＯ−０６．６５
−８．１、１皿、多重線、‐ＣＨ：ＣＨ・ＣＯ−及び芳
香族陽子。

例３ 例１に記載の工程を繰返したが、相異点は以下の様であ
った：・夕｛ａ｝ 段階【１｝においてアルゴン雰囲気
と過酸化ペンゾィルの２回にわたる添加とを省略した：
【ｂ｝ 段階【３｝‘こおける反応混合物を飽和塩水：
水１：１で洗浄するところまでは例１に記載と同様に処
理した。

含水層を分離して廃棄し、有機０ 層は約５０ｏｏ／２
５仇岬Ｈｇ圧で溶剤を蒸発させることにより、容量が約
４０羽に減じるまで濃縮した。トルェン（８０の【）を
添加し、容量が約５０ｍ‘に減じ沸点が約６０〜６５℃
に達するまで蒸留を続けた。その様に得られた酢酸エチ
ル５〜１０％を含有する４３−〔４一（３ークロロフェ
ノキシ）−３ーオキソブト−１ートランスーエニル〕−
２・３・＄６・斑８ーテトラヒドロ−５Ｑ−ヒドロキシ
−２−オキソシクロベンテノ〔ｂ〕フランのドライ ト
ルェン中の温溶液を冷却し、ピリジン（８．４机【）で
処理し、次いで例１の段階｛４に記載されている様に塩
化４−フェニルベンゾイルで処理した。又は上記の様に
得られた高温の濃厚溶液を冷却し、いまら〈放置し、そ
れにより生成物を結晶化し、それを炉則し、エーテルで
洗浄し、酢酸エチルノェ−テルから結晶化することによ
り段階‘３ーの生成物を単離した、融点１０３〜１０４
午０。

各段階の収率は例１とほぼ同じであった。例４ ジメチル〔３一（３ークロロフヱノキシ）−２ーオキソ
プロピル〕ホスホン酸塩の代りに当量のジメチル〔２−
オキソー３一（３−トリフルオロメチルフヱノキシ）プ
ロピル〕ホスホン酸塩を使用して例１の工程を繰返し、
２・３・粉８・皮８−テトラヒドロー２−オキソ−４８
一〔３ーオキソ−４一（３ートリフルオロメチルフエノ
キシ）ブト−１−トランスーエニル〕一５Ｑ−（４ーフ
エニルベンゾイルオキシ）シクロベンテノ〔ｂ〕フラン
を得た、融点１２５〜１２７℃、ＲＦ＝０．７（シリカ
ゲル、酢酸エチルの２０％塩化メチレン溶液で展開）。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 式： ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中：Ｒ＾２は置換されていないか、又はハロゲン原
   子、ヒドロキシ基又はフエニル基、それぞれ１〜４個の
   炭素原子を有するアルキル基、アルケニル基、ハロゲノ
   アルキル基又はアルコキシ基又は各アルキル基が１〜４
   個の炭素原子を有するジアルキルアミノ基から選ばれる
   １個以上の置換分を有するフエニル基又はナフチル基を
   表わし、Ｒ＾３はベンゾイル基又は４−フエニルベンゾ
   イル基を表わす〕のエノンを製造するに当り、以下の連
   続する４段階：（１）４β−ジメトキシメチル−２・３
   ・３ａβ・６ａβ−テトラヒドロ−５α−ヒドロキシ−
   ６β−ヨード−２−オキソシクロペンテノ〔ｂ〕フラン
   を水素化トリブチル錫を用いて還元して４β−ジメトキ
   シメチル−２・３・３ａβ・６ａβ−テトラヒドロ−５
   α−ヒドロキシ−２−オキソシクロペンテノ〔ｂ〕フラ
   ンを生成させる；（２）段階（１）からの生成物を加水
   分解して２・３・３ａβ・６ａβ−テトラヒドロ−５α
   −ヒドロキシ−２−オキソシクロペンテノ〔ｂ〕フラン
   −４β−カルブアルデヒドを生成させる；（３）段階（
   ２）からの生成物を式： （Ｒ＾４Ｏ）＿２ＰＯ・ＣＨ＿２ＣＯＣＨ＿２ＯＲ＾２
   〔式中：Ｒ＾２は上記と同じものを表わし、Ｒ＾４は１
   〜６個の炭素原子を有するアルキル基を表わす〕のホス
   ホン酸塩と、塩基の存在下で、反応させて式：▲数式、
   化学式、表等があります▼ のエノンを生成させる； （４）段階（３）からの生成物を安息香酸又は４−フエ
   ニル安息香酸の反応性誘導体でアシル化する；からなる
   ことを特徴とするエノンの製法。