JPS60107917A - 複合形半導体スイッチ - Google Patents

複合形半導体スイッチ

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Publication number
JPS60107917A
JPS60107917A JP58215778A JP21577883A JPS60107917A JP S60107917 A JPS60107917 A JP S60107917A JP 58215778 A JP58215778 A JP 58215778A JP 21577883 A JP21577883 A JP 21577883A JP S60107917 A JPS60107917 A JP S60107917A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gto
capacitor
gate
gto1
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58215778A
Other languages
English (en)
Inventor
Masami Ichijo
一条 正美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Fuji Electric Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd, Fuji Electric Manufacturing Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP58215778A priority Critical patent/JPS60107917A/ja
Publication of JPS60107917A publication Critical patent/JPS60107917A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/567Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT

Landscapes

  • Power Conversion In General (AREA)
  • Thyristor Switches And Gates (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、ゲートターンオフサイリスク(以下GTOと
称す)を用いた複合形半導体スイッチに関する。
〔従来技術とその問題点〕
GTOはゲートに順方向電流を流すと導通し、逆方向電
流を流すと遮断するサイリスクである。
2種類以上の、あるいは2素子以上の半導体素子を組合
せて制御弁を構成する複合形半導体スイッチにこのGT
Oを用いる場合でも、順、逆それぞれのゲート電流を供
給する回路を必要とし、駆動回路がかなり複雑になって
いた。
しかし、最近になって、GTOのカソード側にスイッチ
素子を直列接続することにより駆動回路の簡略化ならび
にGTOのターンオフ時間短縮が可能であることが報告
された。まず、このような回路について説明し、よって
本発明の目的を明らかにする。
第1図はかかる複合形スイッチの基本原理を示す回路図
で、図中1は負荷電流を制御するためのGTOで、この
GTO1のカソード側に別のGTOやバイポーラトラン
ジスタあるいは電界効果トランジスタなどの自己消弧形
スイッチ素子2が直列に接続され、GTO1のゲートと
該スイッチ素子2のGT01と反対側の端子との間に、
GTO1に順方向にゲート電流を流す極性の電圧源4と
抵抗5の直列回路からなる駆動回路が接続されている。
さらに、GTOlのゲートとスイッチ素子2のGTOl
と反対側の端子との間に定電圧ダイオード3が接続され
ている。
このような回路で、ターンオンについて説明すると、ス
イッチ素子2を導通させると電圧源4→抵抗5→GTO
1のゲート−カソード→スイッチ素子2の経路で610
1に順方向のゲート電流が供給され、GTO1は導通ず
る。
一方、ターンオフについて述べると、スイッチ素子2を
遮断させるとGTO1のアノード電流はGTOlのアノ
ード−GTOのゲート→定電圧ダイオードの経路に転流
する。このように、GTO1はアノードからゲートの方
向に流れる電流によって素子の内部に蓄積したキャリア
が引き出され遮断する。
なお、かかる電流は本質的にカソード→ゲートの経路で
流す逆方向ゲート電流と同じ作用を有するものである。
このようにして、第1図に示した原理的な回路により比
較的簡単な回路構成でGTOの制御が可能となるが、実
用化に際しては電圧源4は、変圧器、ダイオード整流器
、平滑回路などで構成された複雑なものになる。
〔発明の目的〕
本発明の目的はこのような不都合を解消し、独自のゲー
ト駆動用電源を不要として回路構成を簡素化して、高圧
の直流スイッチ回路などに適用するのに、非席に有利な
複合形半導体スイ・ノチを提供することにある。
〔発明の要点〕
この目的は本発明によれば、GTOのカソードに自己消
弧形スイッチ素子を直列に接続したものにおいて、該G
TOのゲートとスイッチ素子のGTO側と反対側の端子
との間に、コンデンサと抵抗の直列回路を接続し、該コ
ンデンサに並列に定電圧素子を接続し、GTOに順方向
のゲート電流を阻止する方向でダイオードを前記抵抗に
並列に接続し、該抵抗とコンデンサの接続点とGTOの
アノードあるいは、このスイッチ回路が適用される主回
路電源の正極との間に第2の抵抗を接続することにより
達成される。
〔発明の実施例〕
以下、図面について本発明の実施例を詳細に説明する。
第2図は本発明の複合形半導体スイッチの実施例を示す
回路図で、前記第1図と同様の構成要素には同一の参照
番号を付したものである。
負荷電流を制御するためのGTO1のカソードに自己消
弧形スイッチ素子2が直列接続されていて、GTO1の
ゲートとスイッチ素子2のGTOのカソード側と接続さ
れていない側の端子間には抵抗5とコンデンサ6の直列
回路が接続されている。
さらに、抵抗5とコンデンサ6の接続点とGTOlのア
ノーー(あるいはこのスイッチ回路が適用される主回路
電源の正極)との間に第2の抵抗8が接続されている。
また、コンデンサ6と並列に定電圧ダイオード3が接続
されている。
なお、この定電圧ダイオード3の替りに、複数個のダイ
オードを直列接続した回路を定電圧素子として用い、そ
の順電圧降下を利用するようにしてもよい。
第1の抵抗5にはGTO1の順方向ゲート電流を阻止す
る方向でダイオード7が並列接続されている。
次に動作について説明すると、本スイッチが遮断してい
る期間中に、コンデンサ6は抵抗8を通して定電圧ダイ
オード3で制限される電圧に充電される。
次にスイッチ素子2を導通させると、コンデンサ6に蓄
積されていた電荷が抵抗5−GTO1(ゲート−カソー
ド)−スイッチ素子2の経路で放電しGTO1を導通さ
せる。GTO1のアノード電流が保持電流以上であれば
、前記の順方向ゲート電流が流れなくなった後もGTO
1に導通し続ける。
次いでスイッチ素子2を遮断させると、負荷電流はGT
O1(アノード−ゲート)−ダイオード7→コンデンサ
6の経路に転流する。
コンデンサ6の端子電圧が定電圧ダイオード3を超える
時点よりコンデンサ6を流れていた電流は定電圧ダイオ
ード3に転流し、GTO1が遮断するまでの期間流れ続
りる。GTO1においてアノード−ゲートの方向で流れ
る電流は通常行われるカソード−ゲート方向のゲート電
流印加、すなわち、逆方向ゲート電流印加と同様の効果
を有し、GTOlはこの電流によって遮断する。
第3図は本発明の他の実施例を示ず回路図で、本実施例
では第2図の回路に対して第2のダイオード9、第2の
コンデンサ10による直列回路が第1のコンデンサ6と
並列に接続されている。
このような追加回路を設ければ、第2のコンデンサ10
には定電圧ダイオード3で制限された安定な直流電圧が
発生するので、この電圧を他の例えばスイッチ素子2な
どの制御回路11のための電源として利用することがで
きる。
なお、以上の実施例ではスイッチ素子2として用いる自
己消弧形スイッチ素子としてMOSFET (MO5形
電界効果トランジスタ)を採用しているが、この他にバ
イポーラトランジスタ、GTOなどの素子も適用できる
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明の複合形半導体スイッチは、G
TOのカソードに自己消弧形スイッチ素子を直列に接続
したものにおいて、電圧源を抵抗とコンデンサのみで構
成される極めて簡単な回路にすることで、独自のゲート
駆動用電源を不要とし、特にこの部分の電気的絶縁がか
なり困難となる高圧の直流スイッチ回路などに通用した
場合は、非常に有利になるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の複合形半導体スイッチ回路図、第2図は
本発明の実施例を示す回路図、第3図は本発明の他の実
施例を示す回路図である。 1・・・GTO2・・・スイッチ素子 3・・・定電圧ダイオード 4・・・電圧源 5・・・抵抗 6・・・コンデンサ 7・・・ダイオード8・・・抵抗
 9・・・ダイオード

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. GTOのカソードに自己消弧形スイッチ素子を直列に接
    続したものにおいて、該GTOのゲートと該スイッチ素
    子のGTO側と反対側の端子との間に、コンデンサと抵
    抗の直列回路を接続し、該コンデンサに並列に定電圧素
    子を接続し、GTOに順方向のゲート電流を阻止する方
    向でダイオードを前記抵抗に並列に接続し、該抵抗とコ
    ンデンサの接続点とGTOのアノードあるいは、このス
    イッチ回路が適用される主回路電源の正極との間に第2
    の抵抗を接続したことを特徴とする複合形半導体スイッ
    チ。
JP58215778A 1983-11-16 1983-11-16 複合形半導体スイッチ Pending JPS60107917A (ja)

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS637992U (ja) * 1986-06-28 1988-01-19
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