JPS6010636B2 - Readout device for matrix type thin film EL display device - Google Patents
Readout device for matrix type thin film EL display deviceInfo
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- JPS6010636B2 JPS6010636B2 JP8435277A JP8435277A JPS6010636B2 JP S6010636 B2 JPS6010636 B2 JP S6010636B2 JP 8435277 A JP8435277 A JP 8435277A JP 8435277 A JP8435277 A JP 8435277A JP S6010636 B2 JPS6010636 B2 JP S6010636B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は印加電圧と発光輝度の関係においてヒステリシ
スメモリ−特性をもつ三層構造薄膜EL表示装置のメモ
リー謙出装置に関し、特にマトリックス電極を持つ薄膜
EL表示装置のS/Nを向上した謙出装置に係る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a memory storage device for a three-layer thin film EL display device having hysteresis memory characteristics in the relationship between applied voltage and luminance, and particularly to a memory storage device for a thin film EL display device having a matrix electrode. This invention relates to a lifting device with improved N.
三層構造薄膜EL表示装置は第1図に一部切裁斜視図を
示すように構成される。A three-layer thin film EL display device is constructed as shown in a partially cutaway perspective view in FIG.
ガラス基板1の上に透明電極2を縞状に配置し、この上
に例えばY203,Si3N4,Ti02Aそ2Q等の
誘電物質3を、更にこの上に例えばMnをドープしたZ
nS(黄燈発光)等の蜜光層4を、その上に更にY2Q
,Sjぶ4,Ti02Aそ203等の誘電物質3′を蒸
着法、スパッタ等の薄膜技術により500〜10000
Aの厚さに被着して2重絶縁型3層構造にして、その上
に上記透明電極2と直交する方向に綿状電極5を配置し
マトリックス形電極を構成する。かかる構造の3層構造
薄膜由L表示装置において、第1の電極群2のうちの一
つと第2の電極群のうちの一つを選び適当な交流電圧を
印加すると、この両電極が交差して挟まれた微少面積部
分が発光する。これが画面の−絵素に相当する。これの
組合せによって文字、記号模様等を表示する。このよう
な構造のELは輝度や寿命、安定性の点で従来の分散型
EL素子に比して優れた特性を有しているが、このEL
は新たに印加電圧と発光輝度の間に第2図bに示すよう
なヒステリシス特性を示す。Transparent electrodes 2 are arranged in stripes on a glass substrate 1, and on top of this a dielectric material 3 such as Y203, Si3N4, Ti02A, etc., and on top of this a Z doped with, for example, Mn.
A luminescent layer 4 such as nS (yellow light emitting) is further applied on top of it.
, Sjbu4, Ti02Aso203, etc. by thin film technology such as vapor deposition or sputtering.
It is deposited to a thickness of A to form a double-insulated three-layer structure, and a cotton-like electrode 5 is arranged thereon in a direction perpendicular to the transparent electrode 2 to form a matrix electrode. In a three-layer thin film L display device having such a structure, when one of the first electrode group 2 and one of the second electrode group is selected and an appropriate AC voltage is applied, the two electrodes intersect. The small area sandwiched between the two emits light. This corresponds to a - picture element on the screen. By combining these, characters, symbol patterns, etc. are displayed. EL with such a structure has superior characteristics in terms of brightness, lifespan, and stability compared to conventional dispersion type EL elements, but this EL
newly exhibits a hysteresis characteristic between the applied voltage and the luminance as shown in FIG. 2b.
これを第2図に従い説明すると、最初第2図aの如く電
圧振幅V,のパルスを印加すると、輝度は同図b,cに
示すように輝度B,のレベルにある。ここで維持電圧V
,は発光閥値電圧VthとするとV,>Vthである。
維持電圧V,の連続印加では輝度Bは維持される。次に
書込み電圧V2を印加すると、輝度は&まで一挙に上昇
し、以後一定時間内に電圧が維持電圧V,に再び戻して
も輝度は先の輝度B.より大きい輝度Bに落着く。維持
電圧V,の連続印加では輝度B2は維持される。この状
態のとき、次に消去電圧V3を印加すると、輝度レベル
は急激に減少し、再び維持電圧V,まで戻すと、輝度B
,に落着く。これらの時間的な関係は第2図aに付され
た記号t,,t2,……,t2,が同図cの同じ記号に
対応させることにより示されている。この履歴現象は第
2図bの紬ク線で示したように書込み電圧の振幅やパル
ス幅(図示せず)、パルス周波数に応じて任意の小ルー
プをとりうる。即ち中間調の表示も可能である。このよ
うに一度書込み電圧、又は消去電圧を与えると、各絵素
は維持パルスによってそれぞれ与えZられた階調を失わ
ずに発光し続けるのが、このEL表示装置の他の表示装
置に無い大きな特徴である。上記の各電圧は組成や膜厚
の物理条件や製造条件「印加波形により大分異なるが、
因みにある試作例ではVthi200V、V,=210
V、V2=210〜Z280y、V3=190yである
。この三層構造薄膜EL表示装置は上記のように印加電
圧、パルス幅、パルス周波数によって書込み、消去、メ
モリーが行える外に、メモリー状態を電気的に謙出すこ
とができる。To explain this according to FIG. 2, when a pulse of voltage amplitude V is first applied as shown in FIG. 2a, the brightness is at the level of brightness B as shown in FIG. 2b and c. Here, the maintenance voltage V
, is the luminous threshold voltage Vth, then V,>Vth.
The brightness B is maintained by continuously applying the sustaining voltage V. Next, when the write voltage V2 is applied, the brightness rises all at once to &, and even if the voltage returns to the sustaining voltage V, within a certain period of time thereafter, the brightness remains the same as the previous brightness B. The brightness settles to a larger brightness B. The brightness B2 is maintained by continuously applying the sustaining voltage V. In this state, when the erase voltage V3 is applied next, the brightness level decreases rapidly, and when it returns to the sustaining voltage V, the brightness level B
, settled on. These temporal relationships are shown by making the symbols t, t2, . . . , t2 attached to FIG. 2a correspond to the same symbols in FIG. 2c. This hysteresis phenomenon can take any small loop depending on the amplitude, pulse width (not shown), and pulse frequency of the write voltage, as shown by the line in FIG. 2b. That is, it is also possible to display halftones. In this way, once a write voltage or an erase voltage is applied, each picture element continues to emit light without losing the gray level given to it by the sustain pulse, which is a major feature of this EL display device that is not found in other display devices. It is a characteristic. Each of the above voltages varies greatly depending on the physical conditions such as composition and film thickness, and manufacturing conditions.
By the way, in the prototype example, Vthi200V, V, = 210
V, V2=210 to Z280y, and V3=190y. This three-layer structure thin film EL display device can not only perform writing, erasing, and memory by changing the applied voltage, pulse width, and pulse frequency as described above, but also can electrically determine the memory state.
2薄膜EL素子は二重の絶縁層で蟹光層
を挟むので、容量性素子と考えることができ、維持電圧
印加の際には変位電流が流れるが、この素子が発光状態
をメモリしているときには、維持電圧の印加により変位
電流に更に発光輝度の大きさに応じた2電流が重畳して
流れる。この電流を分極電流と呼ぶ、実際には消去状態
時に於ても多少のバックグランドの浮上りがあるので、
それに対応してわずかの分極電流が流れる。例えば第3
図aに示すような維持電圧パルスがEL素子に印加され
たと3さ、該素子を流れる電流は消去状態のときは、第
3図bに実線11で示すように変位電流の波形を示すが
、発光状態のときは破線12で示すようにこれに分極電
流を車畳した波形を示す。分極電流の有無を判別するた
めに、本件発明者3等は特関昭51一28446号「発
光素子のメモリー内容検出方法JによってEL素子に流
れる電流がある特定の時点(例えば分極電流がある場合
、そのピークを与える時点)で、変位電流にノイズマー
ジンを加えたある所定レベルを越えるか否かで、全発光
状態が消去状態かを検出する方法及び回路を提案した。Since a two-thin film EL element has a crab light layer sandwiched between two insulating layers, it can be thought of as a capacitive element, and a displacement current flows when a sustaining voltage is applied, but this element remembers the light emitting state. Sometimes, when a sustaining voltage is applied, two currents corresponding to the magnitude of the luminance are superimposed on the displacement current and flow. This current is called a polarization current, and in reality there is some background rise even in the erased state.
A correspondingly small polarizing current flows. For example, the third
When a sustaining voltage pulse as shown in Figure 3a is applied to the EL element, the current flowing through the element shows a displacement current waveform as shown by the solid line 11 in Figure 3B when it is in the erased state. In the light emitting state, a broken line 12 shows a waveform obtained by multiplying this by a polarization current. In order to determine the presence or absence of a polarized current, the third inventor of the present invention and others used a method J for detecting memory contents of a light-emitting element in Tokusekiseki Sho 51-28446. We have proposed a method and a circuit for detecting whether the entire light emitting state is the erased state based on whether the displacement current exceeds a certain predetermined level, which is the sum of the displacement current and the noise margin, at the time when the displacement current reaches its peak.
しかし、この方法は特定レベルで変位電流と分極電流を
分離するものであるから、上記特定しべルの設定には慎
重な配慮が必要であるばかりでなく、特定レベルから分
極電流が上まわるレベルの大きさはノイズマージンを差
引し、た分となり、この信号の絶対値は非常に小さくな
る。However, since this method separates the displacement current and polarization current at a specific level, careful consideration is not only required when setting the above-mentioned specific level, but also the level at which the polarization current exceeds the specific level. The magnitude of is equal to the amount obtained by subtracting the noise margin, and the absolute value of this signal becomes very small.
従ってS/Nが悪い。また上記変位電流に相似な電流を
コンデンサ、抵抗等のアナログ素子を用いて消去時等価
回路を構成したり、消去時の波形そのものをROM等に
メモリーすることにより消去時電流を除くことが考えら
れる。Therefore, the S/N is poor. It is also possible to remove the current during erasing by constructing an equivalent circuit for erasing using analog elements such as capacitors and resistors, or by storing the waveform itself during erasing in a ROM etc. .
例えば、特開昭52一30191号rEL表示素子の議
出し装置」に上記方法を記載している。しかし、この方
法もEL素子が単体である場合には消去時波形は一つで
あり、上記考えを適用し得るが、マトリックス素子では
次のような問題ある。■ マトリックス駆動の場合、駆
動方法によってマトリックス数が多くなるに従い周りこ
み等の原因のため、発光絵素数及び消去絵素数に応じて
変位電流の大きさが大幅に変化する。For example, the above method is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 52-30191 entitled "Representation Apparatus for rEL Display Element". However, in this method, when the EL element is a single unit, there is only one waveform at the time of erasing, and the above idea can be applied, but in the case of a matrix element, there is the following problem. (2) In the case of matrix driving, as the number of matrices increases depending on the driving method, the magnitude of the displacement current changes significantly depending on the number of light emitting pixels and the number of erasing pixels due to causes such as interference.
このため消去時等価回路を構成したり、消去時波形を作
るのは困難である。■ 薄膜巴L素子の発光を効率よく
外部へ導出するため、少くとも表示側の電極は透明電極
で構成されるが、この電極の抵抗がマトリックス表示の
ように表示密度を高くする必要がある場合には電極線幅
が狭く高抵抗となり、リード線引出部から離れた表示電
極先端部とでは抵抗値に大きな差が現われ、実効印加電
圧が大きく変化する。Therefore, it is difficult to configure an equivalent circuit during erasing or create a waveform during erasing. ■ In order to efficiently guide the light emitted from the thin film Tomoe L element to the outside, at least the electrode on the display side is made of a transparent electrode, but when the resistance of this electrode is high, such as in a matrix display, where the display density needs to be high. Since the electrode line width is narrow and the resistance is high, a large difference in resistance value appears between the display electrode tip part far from the lead wire extraction part, and the effective applied voltage changes greatly.
従って外部から同一パルスを加えても論出し位置に応じ
て電流波形が大きく変化し、それに応じた数だけの消去
時等値回路を備え、また消去時波形を用意しておくこと
は装置を複雑で大型にし、経済的でない。本発明は以上
の点に鑑みて、上記問題を解決するための新規な構成を
もち、簡単確実に分極電流のみを取出すものであり、マ
トリックス型の場合に適するものである。Therefore, even if the same pulse is applied from the outside, the current waveform will change greatly depending on the position of the argument, and it will complicate the device to have a corresponding number of equal value circuits at the time of erasure, and to prepare the waveform at the time of erasure. This makes it large and uneconomical. In view of the above points, the present invention has a novel configuration to solve the above problems, easily and reliably extracts only the polarization current, and is suitable for the matrix type.
本発明はマトリックス型薄膜EL表示装置において、表
示装置の一部分に参照電極を用意しておき、この参照電
極に流れる電流を上記した消去時電流として用い、これ
によって変位電流を相殺して分極電流のみを取出そうと
するものである。以下実施例を用いて本発明を説明する
。第4図に本発明の一実施例の回路図を掲げる。The present invention provides a matrix-type thin film EL display device in which a reference electrode is prepared in a part of the display device, and the current flowing through the reference electrode is used as the above-mentioned erasing current, thereby canceling out the displacement current so that only the polarization current remains. It is an attempt to extract the The present invention will be explained below using Examples. FIG. 4 shows a circuit diagram of an embodiment of the present invention.
本実施例は大きく6つのブロックからなる。第1ブロッ
クは維持駆動回路10である。第4図には3相共振維持
駆動回路を示しているが4相それ以上の多相でもよい。
2つの維持電圧源E,と−E,を用意し、3つのスイッ
チSW,,SW2,SW3が順次動作してEL表示装置
50‘こ3つの電圧、即ちE,,○,一E2を供給する
。This embodiment mainly consists of six blocks. The first block is a sustain drive circuit 10. Although FIG. 4 shows a three-phase resonance maintaining drive circuit, a multi-phase circuit having four or more phases may also be used.
Two sustaining voltage sources E, -E are prepared, and three switches SW, SW2, SW3 are operated in sequence to supply the three voltages E, ○, -E2 to the EL display device 50'. .
トランスTはEL表示装置50の容量成分とともに直列
共振回路を構成し、効率の高い電圧供給をする。第2ブ
ロックは書込み及び読出しスイッチ回路20で、書込位
相において書込みたいラインXに書込電圧Vwと電源E
wよりスイッチWsk(k=1〜m)を介して印加する
回路である。また読出しをしたい場合に読出&相時に議
出しをするライン×に読出駆動回路70より議出し電圧
Vrを印加するスイッチ回路である。読出駆動回路7M
ま維持電圧Vsに等しい電圧を加えるための回路である
。第3ブロックはEL表示素子の透明電極に設けたスイ
ッチ群3川ま維持駆動のとき全て短絡され、書込み消去
及び議出し駆動のとき希望するYラインのみオンされ、
その他はオフされる。The transformer T forms a series resonant circuit together with the capacitive component of the EL display device 50, and supplies voltage with high efficiency. The second block is a write/read switch circuit 20, in which a write voltage Vw and a power supply E are applied to the line X to be written in the write phase.
This circuit applies voltage from w via switch Wsk (k=1 to m). It is also a switch circuit that applies a reading voltage Vr from the reading drive circuit 70 to the line x which is reading out at the time of reading & phase. Read drive circuit 7M
This is a circuit for applying a voltage equal to the sustaining voltage Vs. In the third block, all three switch groups provided on the transparent electrodes of the EL display element are short-circuited during maintenance drive, and only the desired Y line is turned on during write/erase and output drive.
Others are turned off.
第4ブロックは書込み議出し分離と、維持振幅保持回路
40である。書込みラインと非書込みラインを分離する
ためと同時に共振駆動振幅保持のためのダイオード回路
である。第5ブロックは第1図に示すマトリックス型3
層構造EL表示装置でありL この図では電極のみを示
す。The fourth block is a write initiation separation and maintenance amplitude holding circuit 40. This is a diode circuit for separating the write line and non-write line and at the same time for maintaining resonance drive amplitude. The fifth block is matrix type 3 shown in Figure 1.
This is a layered EL display device, and only the electrodes are shown in this figure.
透明電極側のパネルの一番端の電極を参照電極rとして
用意している。第6ブロックは本発明の特徴をなす読出
回路60で、各電極1〜nに共通に接続した抵抗R,と
参照電極rに接続した抵抗R2に現われる電圧を同相信
号除去アンプ61で相殺して分極電流のみを取出して出
力する。The electrode at the far end of the panel on the transparent electrode side is prepared as a reference electrode r. The sixth block is a readout circuit 60 which is a feature of the present invention, in which a common mode signal removal amplifier 61 cancels out the voltages appearing in a resistor R commonly connected to each electrode 1 to n and a resistor R2 connected to a reference electrode r. extracts and outputs only the polarized current.
発明者が試作した8吋ELパネルの仕様は次の通りであ
る。The specifications of the 8-inch EL panel prototyped by the inventor are as follows.
線ピッチ:2本/側
Xライン(透明電極)320本
Yライン(山電極)240本
表示文字:5×7ドット構成、64蓮類のローマ字、ア
ラビア数字、記号表示文字数:×方向 5Z文字
Y方向 24行
最大表示文字数 1248文字
有効表示線数;
×方向260ライン(文字間隔 1ライン分)
Y方向168ライン(行間隔、2ライン
分)
さて、第4図に於て、第1タイミングJ,で第1維持ス
イッチSW,が開成されると、第3保持電位VHと第1
電源電位E,との差が容量性素子(本図においてELパ
ネル全体を近似的に一定容量の容量素子Ctと考える。Line pitch: 2 lines/side 320 X lines (transparent electrodes) 240 Y lines (mountain electrodes) Display characters: 5 x 7 dot composition, 64 lotus Roman letters, Arabic numerals, symbols Number of characters displayed: × direction 5Z character Y Direction 24 lines Maximum number of display characters 1248 characters Number of effective display lines; × direction 260 lines (character spacing 1 line) Y direction 168 lines (line spacing 2 lines) When the first holding switch SW is opened, the third holding potential VH and the first holding switch SW are opened.
The difference between the voltage and the power supply potential E is a capacitive element (in this figure, the entire EL panel is considered to be a capacitive element Ct with approximately constant capacitance).
)に印加され、第1保電位はVSI=EI十刀くBI一
V) ………(1)で保持される。), and the first holding potential is maintained at VSI = EI + BI - V) (1).
同様に第2タイミング)2第2維持スイッチSW2が閉
成されると、第2保持電位は−VS2=−E2一り(V
I+E2) …………【2)になり、その後第3タイ
ミングJ3 で第3維持スイッチSW3が閉成されると
、第3保持電位はVH=刀V2
…””“…{31になる。このようにして3相維持
駆動が実現される。3相維持駆動は、中間保持電位(こ
の実施例では第3保持電位VH)で書込みを行なうこと
によってスイッチDs,〜nの耐圧要求を軽減すること
ができる。Similarly, when the second holding switch SW2 is closed (at the second timing), the second holding potential is -VS2=-E2 (V
I+E2) ......[2), and then when the third holding switch SW3 is closed at the third timing J3, the third holding potential becomes VH=Katana V2
..."""...{31.Thus, three-phase sustain drive is realized.Three-phase sustain drive is performed by writing at the intermediate hold potential (in this embodiment, the third hold potential VH), so that the switch The withstand voltage requirements of Ds, to n can be reduced.
書込みは、中間保持電圧(VH期間)中に、書込み絵素
M(i,i)のX,Y側を夫々書込み及び議出しスイッ
チ回路20及びスイッチ回路30で選択して書込み電圧
Vwを印放して行う。For writing, during the intermediate holding voltage (VH period), the X and Y sides of the write picture element M (i, i) are selected by the write and output switch circuits 20 and 30, respectively, and the write voltage Vw is released. I will do it.
消去も書込みと同じ要領で行われるが、但し消去電圧(
図示せず)Veが選択された絵素に供給される。次に本
発明の要旨である論出し駆動について説明する。Erasing is performed in the same manner as writing, except that the erase voltage (
(not shown) is supplied to the selected picture element. Next, the issue drive, which is the gist of the present invention, will be explained.
謙出駆動時には議出し選択点M(i,i)に相当する×
側スイッチDSjとY側スイッチWSiが選択されて閉
成され維持パルス電圧Vsが印加される。このパルス電
流が抵抗K,に現われてアンプ61の十端子に供給され
る。同時に参照電極rの参照点P(i,r)の参照電流
が抵抗R2に現われる。参照ラインrは書込まれること
がないので、常に消去電流、つまり変位電流のみを出力
する。これがアンプ61の一端子に供給される。しかし
てアンプ61では講出し絵素点の変位電流のみが抵抗R
2に現われる電流によって相殺されて、即ち差の電圧が
導出されて、読出し絵素点が書込み状態のときは分極電
流だけを出力する。議出し絵秦点が消去状態のときは全
て相殺されてしまうので出力は0となる。こようにして
議出し動作が行われる。When driving, it corresponds to the selection point M(i, i)
The side switch DSj and the Y side switch WSi are selected and closed, and the sustain pulse voltage Vs is applied. This pulse current appears in the resistor K and is supplied to the terminal of the amplifier 61. At the same time, a reference current at the reference point P(i, r) of the reference electrode r appears at the resistor R2. Since the reference line r is never written to, it always outputs only an erase current, that is, a displacement current. This is supplied to one terminal of the amplifier 61. However, in the amplifier 61, only the displacement current at the starting picture element point is the resistance R.
2, a differential voltage is derived, and when the read pixel point is in the write state, only the polarization current is output. When the proposed picture point is in the erased state, all the points are canceled out, so the output becomes 0. In this way, the motion for proposing a proposal is performed.
本発明は薄膜EL表示装置中の1本の透明電極を参照電
極として用意するから、電極抵抗の影響、書込み絵秦点
の多少を含めてこの参照電極からの出力は常に議出し絵
素点の変位電流に等しい変位電流を得ることができ、ほ
ぼ理想に近い程度にS/Nの大きい信号を得ることが可
能である。なお、本発明の他の実施例では分極電流の検
出に差動トランスを用いることもできるが、上記実施例
のようにアンプを用いる場合には同相分(変位電流)除
去だけでなく所要のレベルまで増幅できるので、より有
利である。Since the present invention prepares one transparent electrode in a thin film EL display device as a reference electrode, the output from this reference electrode is always equal to the output pixel point, including the influence of electrode resistance and the amount of written picture element points. It is possible to obtain a displacement current that is equal to the displacement current, and it is possible to obtain a signal with a large S/N ratio close to the ideal. Note that in other embodiments of the present invention, a differential transformer can be used to detect the polarization current, but when using an amplifier as in the above embodiment, it is possible to not only remove the common mode component (displacement current) but also to detect the required level. It is more advantageous because it can amplify up to
また参照電極は薄膜EL表示装置の端部の電極でなく、
中央部その他の位置の電極を参照電極として用いてもよ
い。In addition, the reference electrode is not an electrode at the end of the thin film EL display device, but
Electrodes at the center or other locations may be used as reference electrodes.
第1図は三層構造薄膜EL表示装置の−部切戦斜視図、
第2図は該装置の動作を説明するための印加電圧と発光
輝度の特性曲線図、第3図は該装置の議出し動作の際の
電流波形図「第4図は本発明装置の一実施例の回路図を
示す。
2川ま書込み論出しスイッチ回路、WS.〜WSmはス
イッチ、30‘まスイッチ回路、50はマトリックス型
薄膜EL表示装置、6川ま読出し回路、70は書込み議
出し電圧源、R,,R2は抵抗、rは参照電極、61は
アンプである。
そー図
オ3図
ぞ2図
そ4図Figure 1 is a perspective view of a three-layer thin film EL display device;
Fig. 2 is a characteristic curve diagram of applied voltage and luminance for explaining the operation of the device, and Fig. 3 is a current waveform diagram during the start-up operation of the device. An example circuit diagram is shown. 2 channels are write logic output switch circuits, WS. to WSm are switches, 30' are switch circuits, 50 is a matrix type thin film EL display device, 6 channels are read circuits, 70 is a write logic output voltage. source, R,, R2 are resistors, r is a reference electrode, and 61 is an amplifier.
Claims (1)
に配置した電極間に、誘電層で挾まれた螢光層を介在せ
しめ、印加電圧と発光輝度特性にヒステリシス現象を現
わす薄膜EL表示装置において、読出し用の電圧を印加
する電極群に交差して、書込まれることのない一本の参
照電極を上記薄膜EL表示装置に設け、該参照電極より
得られる電流と上記読出し用電圧印加時の読出電流との
差を導出する回路手段を備えてなることを特徴とするマ
トリツクス型薄膜EL表示装置の読出装置。1. In a thin film EL display device in which a phosphor layer sandwiched between dielectric layers is interposed between electrodes arranged in a matrix shape, at least one of which is a transparent electrode, and a hysteresis phenomenon appears in the applied voltage and luminance characteristics. A single reference electrode that is not written on is provided in the thin film EL display device, crossing the electrode group to which a voltage of 1. A readout device for a matrix type thin film EL display device, comprising circuit means for deriving a difference between the two.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8435277A JPS6010636B2 (en) | 1977-07-13 | 1977-07-13 | Readout device for matrix type thin film EL display device |
US05/923,646 US4225807A (en) | 1977-07-13 | 1978-07-11 | Readout scheme of a matrix type thin-film EL display panel |
DE2830872A DE2830872C3 (en) | 1977-07-13 | 1978-07-13 | Display arrangement with an electroluminescent display panel |
FR7821023A FR2397696A1 (en) | 1977-07-13 | 1978-07-13 | ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE |
GB7829700A GB2002561B (en) | 1977-07-13 | 1978-07-13 | Readout scheme of a matrix type thin-film el display panel |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
JP8435277A JPS6010636B2 (en) | 1977-07-13 | 1977-07-13 | Readout device for matrix type thin film EL display device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5419334A JPS5419334A (en) | 1979-02-14 |
JPS6010636B2 true JPS6010636B2 (en) | 1985-03-19 |
Family
ID=13828116
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8435277A Expired JPS6010636B2 (en) | 1977-07-13 | 1977-07-13 | Readout device for matrix type thin film EL display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6010636B2 (en) |
-
1977
- 1977-07-13 JP JP8435277A patent/JPS6010636B2/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5419334A (en) | 1979-02-14 |
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