JPS60104022A - 2,6−ジメチルナフタレンの製造法 - Google Patents

2,6−ジメチルナフタレンの製造法

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JPS60104022A
JPS60104022A JP21225183A JP21225183A JPS60104022A JP S60104022 A JPS60104022 A JP S60104022A JP 21225183 A JP21225183 A JP 21225183A JP 21225183 A JP21225183 A JP 21225183A JP S60104022 A JPS60104022 A JP S60104022A
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JP
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dmn
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zeolite
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dimethylnaphthalene
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真木 隆夫
Tetsuo Masuda
増田 鉄男
Toshiharu Yokoyama
横山 寿治
Yoshio Asahi
佳男 朝日
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Mitsubishi Kasei Corp
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Mitsubishi Kasei Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はエチルナフタレンを含有するジメチルナフタレ
ン(以下DMNと略す)類から効率的に2,6−ジメチ
ルナフタレン(以下1.21A−DMNと略す)を製造
する方法に関するものである。
主空洞の入口が酸素IO員猿よりなるゼオライト上での
DMN類の異性化方法については既に出願されており(
特願昭57−/9657&号)、それによれば従来困難
であったメチル基のβ−β間の異性化が進行し1.2.
7− D M Nからコ、6−DMNへの異性化が可能
であることが見い出されている。
しかしながら商業プロセスに於いてはDMN原料として
は石油系(FCCライトサイクル油)石炭系等のDMN
’i含む留分が利用されるが、これらの原料中にはDM
N以外にエチルナフタレ/類(/−置換体、−一置換体
があシ双方寸とめてENと略す)及びパラフィン類(ア
ルキルベンゼン類金含む)が混入している。従ってこれ
ら原料からコ、4−DMNi得るためにばEN及びパラ
フィン類’IHD M N類に転化するかまたは除去す
る必要があるが、これらをDMN類に転化することは技
術的に極めて困難である。
パラフィン類の除去方法については、既に抽出、吸着分
離等が公知である。そこで、本発明者等はEIJの除去
方法について鋭意検討全行ない、DMNの異性化反応に
使用する触媒’j(ENと接触させたところ、主に不均
化反応が起こり、主としてナフタレンとジエチルナフタ
レン類が生成することを見い出した。ナフタレン(以下
NLと略す)及びジエチルナフタレン(異性体が存在す
るがまとめてDENと略す)@はDMN異性体とは沸点
差が大きいので蒸留分離が可能であり、DMN混合物か
ら、2.&−DMNを分離する方法については錯体分離
法又は吸着分離法等が公知である。これらの結果及び公
知技術を組合せることによシ、従来実質的に使用不可能
であったFCCライトサイクル油等を原料とする経済的
なJ、A−DMN製造プロセスが可能となった。
以下本発明について詳細に説明する。
本発明方法で使用される原料としては、DMN類にEN
類およびこれらと同沸点領域のパラフィン類(アルキル
ベンゼン類ヲ含む)を含む石油系、石炭系混合物が使用
可能であるが、出来るだけDMN類が高濃度であること
が好ましい。′!!、たパラフィン類はあらかじめでき
るかぎシ除去しておくことが好ましい。EN類の濃度は
特に限界的ではないが、経済的にはDMN類と等濃度以
下であることが好ましい。好適には前述のFCCプロセ
スのリサイクル油から蒸留分離されるENN金粉DMN
留分が用いられる。
また、これらのジメチルナフタレン留分の異性化物から
所望の異性体を分取した後のENを含む残渣も本発明方
法の原料とされる。
本発明方法で用いる触媒は、主空洞の入口が酸素/θ員
猿よυなるゼオライトである。このようなゼオライトは
公知であり、その代表的なものにはモーピル社より公表
されたZSM−左、gl 77%のゼオライトがある。
このタイプのゼオライトは通常ペンタシル構造を有して
おり、またそのシリカ/アルミナのモル比は通常/2以
上である。一般にゼオライトはその骨格構造がシリカ−
アルミナよシ成っているが、鉄、クロムその他の金属が
骨格構造の一部をなしている、即ち非交換性金属として
含まれているものも存在する。
本発明方法ではいずれのゼオライトラ用いることもでき
るが、通常は骨格がシリカ−アルミナよりなるアルミノ
シリケートを用いる。これらのゼオライトは酸型体とし
て反応に用いられる。周知のように、酸型のゼオライト
とは、カチオンとしてプロトンや希土類イオン等の多価
カチオンを有するものである。通常は水素型のゼオライ
トとして反応に供する。なお、ゼオラ共に成型して用い
てもよい。
本発明方法で触媒として用いる主空洞の入口が酸素10
Jii、環よシなるゼオライトは、その製造条件により
酸含有量が異なる。本発明者等の検討によれば、特願昭
37−/9Ak’1g号に示した気体塩基吸着法によ請
求められる300Cに於けるmMlがθ、/ mrno
l/?以上のものを用いることが有利であシ、特にO,
ダ左mmot/f以上の酸量のものを用いるのが好まし
いことが判明した。
本発明方法によるENN金粉DMNの異性化方法は気相
、液相のいずれの方法で行なっても良い0 気相法について以下記述する。反応P、j:通常固定床
反応装置4を用いて行なわれるが、流動床や移動床等を
用いて行なうこともできる。−反応温度は2jkO−5
50℃、好ましくは300〜47左θCであり、圧力は
θ、/〜100気圧、好で希釈して接触させる。全ガフ
91ロ1速度は標準条件(NTP)で/θθ〜/Qθθ
Ohr−’ 、好ましくはSOθ〜り000 hr−”
程度であり、原料の液重量空間速度(WH8V)は通常
0.0 / 〜/ 00Td、/y−Cat’hr、好
ましくはθ、/〜/θme/ f−cat−hr T:
ある。
次に液相法について記述する。反応は通常)踵濁床ある
いは固定床反応装置音用いて行なわれる。反応温度は通
常λSθ〜5soC,好甘しくi300−+ 、t O
’CT:あり、圧力は原料が液相状態を保つに十分であ
れば過度の圧力は必要でなく、経済的あるいは技術上の
配慮によって指定され、常圧〜SO気圧である。懸濁床
の場合は回分法、流通法のいずれでも行なうことができ
る。原料に対する触媒の仕込み割合は通常O0S〜SO
重量係、好ましくは/〜20重童チ、反応時間は0,7
〜10時間位で行なわれる。固定床の場合、原料の液空
間速度(LbIsv)はθ、/〜/ 00 hr の範
囲内で適宜選択される。
DMNは単独で、または水素、窒素、炭酸ガス等の雰囲
気下で触媒と接触させる。
かくして本発明においてはENを含有するDMNを異性
化し、反応混合物から軽沸物、高沸物および、2.A−
DMNの少なくとも一部を除去し、残りの留分の少なく
とも一部全異性化反応帯域にリサイクルする。ここで軽
沸物とは、ENの不均化等で生成するNL、および副生
じてくるメチルナフタレン類(以下MNと略す)あるい
はガス留分等であ)、高沸物とはトリメチルナフタレン
類(以下TMNと略す)およびDEN等であり、軽沸物
および高沸物ともにDMNから蒸留により分離できるも
のを指す。残シの留分とはλ、A−DMNの少くとも一
部を除去したDMN留分、および未反応のE N f、
f含有し、λ、A−DMNとは蒸留により分離困難な留
分である。
本発明の好貰しい態様全図−/に示す。
まず原料からパラフィン類およびλ、A−DMN全分離
する。
パラフィン類の分離は公知であり、例えば特公昭左?−
/1.YAJ号公報に示される抽出方法が適用できる。
またゼオライトによる吸着分離も可能である。DMN混
合物から、2.4−DMNを分離する方法は例えば特公
昭、lt、2−9り5号公報に記載されている方法に準
じて行なうことができる。
以上のようにパラフィン類および2.6−DMNを分離
した後、異性化反応を行なう。異性化反副生じたMNお
よびガス等の軒擲分?魚宙にょシ除去し、次いでDMN
留分と高沸物であるTMNおよびDEN留分を蒸留によ
り分離する。
DMN留分には2.t−DMN、およびその他のDMN
さらに未反応のEN等が混入してお9これらを蒸留によ
シ分離することは困難であり、上述の特公昭!2−9’
74号公報に開示されている方法によりλ、乙−DMN
の少なくとも一部全分離し、残シの留分は、新たな原料
と共に異性化反応帯域にリサイクルされる。
本発明方法によれば、原料のDMN類に含有するため、
生成物中に混入するENt減少させることができ、また
INをDMN混合物から分離する格別な方法を採用する
ことなく異性化反応帯域に再度供給することができる。
以下本発明を実施例によp更に具体的に説明するが、本
発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定さ
れるものではない。
また、実施例における転化率および選択率は、ガスクロ
マトグラフィーにより検出した下記の成分に基づいて、
下記式により算出した。
検出成分:す7タレン、αおよびβ−メチルナフタレン
、αおよびβ−エチル ナフタレン、ジメチルナフタレン の各異性体、 転化率(%) 実施例1 (1) ゼオライトの合成 内容積10θtのステンレス製圧力容器に、コロイド状
シリカ(シリカ分20.’7 亜4F−4(%)3.2
.ダ7/Kg、水t g、g Kグ、およびジグリコー
ルアミン7.2.2gKgを加え攪拌した◇これに、水
10Kgにアルミン酸ナトリウム(含有愈? 0.3重
量%)4(??、JIFおよび水酸化ナトリウム726
1を溶解した溶液を加え、密閉後、攪拌しながら160
Cに3日間加熱した。得られた生成物を約/ 00 K
9の水で洗浄し、/3θCで乾燥した。得た生成物は、
シリカ/アルミナ比がJ?で、粉末X線回折分析による
回折パターンは特開昭!;A−92/I’1号公報の実
施例/に記載のものと同様であシ、主空洞の入口が酸素
10員項よシなるペンタシル型ゼオライトであることを
確認した。
(11)酸型ゼオライトへの転化 塩化アンモニウム!r 、3..3 ? f水soom
lに溶解した水溶液中に上記のゼオライト全362仕込
み、コ時間還流を行なった。沖過したのち、同様の還流
操作を更に2回繰返した。
ついで脱塩水を用い、塩素イオンがなくなるまで洗浄し
た(塩素イオンの検出は、0.I N硝酸銀水溶液によ
9行なった)。その後、13θCで乾燥し、粉末打錠成
型機によシ成型後、破砕して10〜20メツシユに整粒
した。これf!OOCで3時間空気中で加熱焼成して酸
型のゼオライトとした。
01D反 応 上記で得られた酸型のゼオライ)10ml(左、? r
 ) i内径/?tnrnの5Us31/、製加熱炉付
反応器に充填した。反応温度3soC1H2加圧下、反
応圧力/ OKy / crllGでβ−エチルナフタ
レン(β−EN)およびH2ガス全β−E N °9 
ml/hr (53mmot/hr )、H2/β−E
 N ; / 、2.s//(mot) で導入し、反
応開始90〜/Ωθ分後の反応生成液を捕集した。
反応生成液の一部會抜き出してガスクロマトグラフィー
によシ分析した。結果を表−/に示す。
実施例コ 表−コに示す原料を使用したこと以外は実施例1と同様
の方法で反応を行なった。結果全表−2に示す。
実施例3 内径/9frrrnのガラス反応器に実施例/で調製し
た触媒7.]m6’(II、2 F )’i充填し常圧
で反応を行なった。原料は実施例−で使用したものを用
いた。反応条件は3!;QC1原料/、331/hr(
7,g / mmol/hr )、H2家、g t/h
r(N T P )、反応開始、70−40分後の反応
生成液を捕集し、一部抜き出してガスクロマトグラフィ
ーにより分析した。結果全表−コに示す。
表−/ (*/)NL:ナフタレン、(*λ)DENニジエチル
ナフタレン、(*、?) ΣDhll :全ジメルナフ
タレン 実施例コおよび実施例3で得られた留分中の成分の沸点
は次の通りである。
従ってNLとMNは軽沸物として、またTMNとDFi
Nは高沸物として、ENおよびDMN留分から蒸留によ
り分離できる。ENおよびDMN留分からコ、A−DM
N全分離する方法は吸着剤としてはアンモニウムY型(
SK−1I/:ユ他は特公昭12−94’j号公報に記
載されている実施例SK準拠して実施することができる
脱離剤としてはトルエンを用い、吸着剤としてのアンモ
ニウムY型およびナトリウムX型のゼオライトラ重量比
7:3の割合で使用する。温度7.20Cの条件下分離
すると、最初に/、7−DMNが脱離され、次いでコ、
A−DMNが、次いでその他の成分が脱離される。/、
’l−D M N成分は1.2.A−DMNが分離され
たその他の成分と混合され、トルエンを分離して異性化
反応帯域ヘリサイクルされる。
出 願 人 三菱化成工業株式会社 代 理 人 弁理士 長谷用 − (ほか7名)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) エチルナフタレン類全含有するジメチルナフタ
    レン類を主空洞の入口が酸素/θ員環よシなるゼオライ
    トと接触異性化させ、反応混合物から、軽沸物、高沸物
    およびコア6−シメチルナフタレンの少なくとも一部を
    除去し、残シの留分の少なくとも一部を、異性化反応帯
    域にリサイクルすることを特徴とするコア6−シメチル
    ナフタレンの製造法
JP21225183A 1983-11-11 1983-11-11 2,6−ジメチルナフタレンの製造法 Granted JPS60104022A (ja)

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JP21225183A JPS60104022A (ja) 1983-11-11 1983-11-11 2,6−ジメチルナフタレンの製造法

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JPS60104022A true JPS60104022A (ja) 1985-06-08
JPH0461855B2 JPH0461855B2 (ja) 1992-10-02

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DE69522079T2 (de) 1994-11-29 2002-04-25 Sankin Kogyo K.K., Otawara Orthodontisches Bracket

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JPH0461855B2 (ja) 1992-10-02

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