JPS60103647A - 平形半導体装置 - Google Patents
平形半導体装置Info
- Publication number
- JPS60103647A JPS60103647A JP58211543A JP21154383A JPS60103647A JP S60103647 A JPS60103647 A JP S60103647A JP 58211543 A JP58211543 A JP 58211543A JP 21154383 A JP21154383 A JP 21154383A JP S60103647 A JPS60103647 A JP S60103647A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulator
- cap
- positioning
- semiconductor element
- insulation ring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
- H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は半導体素板とその少なくとも一方の面に固着さ
れた支持板とからなる半導体素子が環状絶縁体の両端面
をそれぞれ閉鎖し半導体素子側に突出部を有する蓋体の
間に位置する平形半導体装置に関する。
れた支持板とからなる半導体素子が環状絶縁体の両端面
をそれぞれ閉鎖し半導体素子側に突出部を有する蓋体の
間に位置する平形半導体装置に関する。
第１図は従来の平形半導体装置の構造例を示し、ｐｎ接
合を有するシリコン板１１はｐｎ接合表面が表面保護材
１３で覆われ、シリコンに近似した熱膨張係数をもつモ
リブデンからなる支持板１２の上に固着されて整流素子
１を構成している。この整流素子１を、例えば銅よりな
る下部蓋体２の中央の突出部２１の上に載せる。下部蓋
体２は、例えばコバールよりなるフランジ３を介してセ
ラミックスなどからなる環状絶縁体４の下端面にろう付
けされている。整流素子１の位置決めのために素子１の
支持板１２と絶縁体４の間にはプラスチックからなる絶
縁Ｗ４５を挿入する。素子１の上には素子の上部電極と
接触する突出部６１を有する、下部蓋体２と同様の材料
からなる上部蓋体６を載せ、フランジ７を環状絶縁体４
の上端面にろう付けされたチ端板８と溶接することによ
り、素子１は絶縁体４と上下両蓋体２．６とからなる容
器内に封入され、内蓋体に加えられる圧力により素子と
蓋体との間に加圧接触が生ずる。容器内のふん囲気は絶
縁体４を貫通するコバールバイブ９により例えば窒素に
より置換される。とこるがこのような半導体装置におけ
る環状絶縁体４はセラミックス等よりなるため、内径の
寸法のばらつきが大きく、この内径に絶縁環５を密着さ
せて整流素子１の位置決めをしている従来構造は、素子
１を容器の中心に位置させることが困難であった。
合を有するシリコン板１１はｐｎ接合表面が表面保護材
１３で覆われ、シリコンに近似した熱膨張係数をもつモ
リブデンからなる支持板１２の上に固着されて整流素子
１を構成している。この整流素子１を、例えば銅よりな
る下部蓋体２の中央の突出部２１の上に載せる。下部蓋
体２は、例えばコバールよりなるフランジ３を介してセ
ラミックスなどからなる環状絶縁体４の下端面にろう付
けされている。整流素子１の位置決めのために素子１の
支持板１２と絶縁体４の間にはプラスチックからなる絶
縁Ｗ４５を挿入する。素子１の上には素子の上部電極と
接触する突出部６１を有する、下部蓋体２と同様の材料
からなる上部蓋体６を載せ、フランジ７を環状絶縁体４
の上端面にろう付けされたチ端板８と溶接することによ
り、素子１は絶縁体４と上下両蓋体２．６とからなる容
器内に封入され、内蓋体に加えられる圧力により素子と
蓋体との間に加圧接触が生ずる。容器内のふん囲気は絶
縁体４を貫通するコバールバイブ９により例えば窒素に
より置換される。とこるがこのような半導体装置におけ
る環状絶縁体４はセラミックス等よりなるため、内径の
寸法のばらつきが大きく、この内径に絶縁環５を密着さ
せて整流素子１の位置決めをしている従来構造は、素子
１を容器の中心に位置させることが困難であった。
その結果例えば整流素子１と蓋体２，６の位置ずれが起
こり、シリコン板１１の表面保護材１３が上部蓋体６の
端面に乗り上げ、特性不良となる場合があった。このよ
うな不良を防ぐために絶縁体４の製造工程において工数
をかけたり、寸法管理に手間をかければ寸法のばらつき
を小さくすることが可能であるが、コスト高となる欠点
があった。
こり、シリコン板１１の表面保護材１３が上部蓋体６の
端面に乗り上げ、特性不良となる場合があった。このよ
うな不良を防ぐために絶縁体４の製造工程において工数
をかけたり、寸法管理に手間をかければ寸法のばらつき
を小さくすることが可能であるが、コスト高となる欠点
があった。
さらに他の欠点として、ガス置換用バイブ９の出口を絶
縁１１５が閉塞してガス置換が不完全となることが挙げ
られる。
縁１１５が閉塞してガス置換が不完全となることが挙げ
られる。
本発明は、平形半導体装置のこのような欠点を除き、内
径寸法のばらつきのある環状絶縁体を用いても素子と蓋
体との間の位置ずれがなく、また容器内のふん囲気のガ
スによる置換も完全にできる平形半導体装置を提供する
ことを目的とする。
径寸法のばらつきのある環状絶縁体を用いても素子と蓋
体との間の位置ずれがなく、また容器内のふん囲気のガ
スによる置換も完全にできる平形半導体装置を提供する
ことを目的とする。
本発明によれば、平形半導体装置の半導体素子と環状絶
縁体の間に絶縁体の内径より小さい外径と素子の支持板
の外径に等しい内径を有する筒状部と外径は筒状部と等
しく、中央に蓋体の突出部の外径に等しい径をもつ開口
を有する端板部とからなる断面り字状の絶縁環が介在す
ることによって上記の目的が達成される。
縁体の間に絶縁体の内径より小さい外径と素子の支持板
の外径に等しい内径を有する筒状部と外径は筒状部と等
しく、中央に蓋体の突出部の外径に等しい径をもつ開口
を有する端板部とからなる断面り字状の絶縁環が介在す
ることによって上記の目的が達成される。
第２図は本発明の実施例を示し、各部分には第１図と同
一の符号が付されているが、第１図と異なる点は絶縁環
５が断面り字状で筒状部５１は第１図の絶縁環５より肉
薄なため絶縁体４との間に空隙１０が生じており、素子
１と蓋体６との位置決めは、絶縁ｌ１１５の端板部５２
の中央の開口が蓋体乙の突出部６１の側面に嵌まること
によって行われる。従って位置決めが環状絶縁体４の内
径寸法無関係に行われるから、絶縁体の内径寸法のばら
つきがあっても支障が生じない。また絶縁管５とガス置
換用バイブ９の開口部との間が離れているため、ガスに
よる内部ふん囲気の置換が充分に行われる。
一の符号が付されているが、第１図と異なる点は絶縁環
５が断面り字状で筒状部５１は第１図の絶縁環５より肉
薄なため絶縁体４との間に空隙１０が生じており、素子
１と蓋体６との位置決めは、絶縁ｌ１１５の端板部５２
の中央の開口が蓋体乙の突出部６１の側面に嵌まること
によって行われる。従って位置決めが環状絶縁体４の内
径寸法無関係に行われるから、絶縁体の内径寸法のばら
つきがあっても支障が生じない。また絶縁管５とガス置
換用バイブ９の開口部との間が離れているため、ガスに
よる内部ふん囲気の置換が充分に行われる。
本発明は平形半導体装置の半導体素子の容器に対する位
置決めを素子の支持板の側面と容器蓋体の突出部側面を
州とする絶縁管により行い、絶縁管と容器環状絶縁体と
の間に空隙が生ずるようにしたもので、プラスチックか
らなる絶縁管の形状、寸法の変更のみで半導体素子の電
極と蓋体との間の正確な位置合わせができ、容器内のふ
ん囲気の不活性ガスによる置換も完全に行われる平形半
導体装置が低いコストで得られるためその効果は極めて
大きい。そして実施例のダイオードに限らず、サイリス
タ、逆導通サイリスタ、Ｇ’ｌ’Ｏサイリスタの平形半
導体装置にも有効に適用できることは勿論である。
置決めを素子の支持板の側面と容器蓋体の突出部側面を
州とする絶縁管により行い、絶縁管と容器環状絶縁体と
の間に空隙が生ずるようにしたもので、プラスチックか
らなる絶縁管の形状、寸法の変更のみで半導体素子の電
極と蓋体との間の正確な位置合わせができ、容器内のふ
ん囲気の不活性ガスによる置換も完全に行われる平形半
導体装置が低いコストで得られるためその効果は極めて
大きい。そして実施例のダイオードに限らず、サイリス
タ、逆導通サイリスタ、Ｇ’ｌ’Ｏサイリスタの平形半
導体装置にも有効に適用できることは勿論である。
第１図は従来の平形半導体装置の断面図、第２図は本発
明の一実施例の断面図である。 １：半導体素子、２：下部蓋体、３．７：フランジ、４
：環状絶縁体、５：絶縁管、５１ ：筒状部、５２：端
板部、６：上部蓋体、６１：突出部。
明の一実施例の断面図である。 １：半導体素子、２：下部蓋体、３．７：フランジ、４
：環状絶縁体、５：絶縁管、５１ ：筒状部、５２：端
板部、６：上部蓋体、６１：突出部。
Claims (1)
- １）半導体素板とその少なくとも一方の面に固着された
支持板とからなる半導体素子が環状絶縁体の両端面をそ
れぞれ閉鎖し半導体素子側に突出部を有する蓋体の間に
位置するものにおいで、半導体素子と環状絶縁体の間に
該絶縁体の内径より小さい外径と前記素子の支持板の外
径に等しい内径を有する筒状部と、外径は該筒状部と等
しく、中央に蓋体の突出部の外径に等しい径を持つ開口
を有する端板部とからなる断面り字状の絶縁環が介在す
ることを特徴とする平形半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58211543A JPS60103647A (ja) | 1983-11-10 | 1983-11-10 | 平形半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58211543A JPS60103647A (ja) | 1983-11-10 | 1983-11-10 | 平形半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60103647A true JPS60103647A (ja) | 1985-06-07 |
Family
ID=16607573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58211543A Pending JPS60103647A (ja) | 1983-11-10 | 1983-11-10 | 平形半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60103647A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5369059A (en) * | 1989-12-08 | 1994-11-29 | Cray Research, Inc. | Method for constructing a reduced capacitance chip carrier |
| EP1906443A3 (en) * | 2006-09-26 | 2008-12-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Pressure-contact semiconductor device |
-
1983
- 1983-11-10 JP JP58211543A patent/JPS60103647A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5369059A (en) * | 1989-12-08 | 1994-11-29 | Cray Research, Inc. | Method for constructing a reduced capacitance chip carrier |
| EP1906443A3 (en) * | 2006-09-26 | 2008-12-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Pressure-contact semiconductor device |
| US8456001B2 (en) | 2006-09-26 | 2013-06-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Pressure-contact semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4775916A (en) | Pressure contact semiconductor device | |
| US2881370A (en) | Manufacture of semiconductor devices | |
| JPS60103647A (ja) | 平形半導体装置 | |
| US4374393A (en) | Light triggered thyristor device | |
| GB2180991B (en) | Method for forming silicide electrode in semiconductor device | |
| JPS5856357A (ja) | 半導体装置用パツケ−ジ | |
| JPS5548940A (en) | Semiconductor device | |
| JPS6012287Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6321340B2 (ja) | ||
| JPH0625005Y2 (ja) | 圧接型半導体装置 | |
| US3591837A (en) | Glass-sealed alloyed semiconductor device | |
| JP2682582B2 (ja) | 圧接型半導体装置 | |
| JP2685886B2 (ja) | 電子装置用ステム | |
| US3196326A (en) | Transistor with mounting providing efficient heat dissipation through an envelope and method of making the same | |
| JPH0219974Y2 (ja) | ||
| JPH0530364Y2 (ja) | ||
| GB834000A (en) | Improvements in or relating to semi-conductor devices | |
| JPH04305989A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| KR200167581Y1 (ko) | 플라즈마 식각장치용 포커스링 | |
| JPH0432761Y2 (ja) | ||
| JPS6218047Y2 (ja) | ||
| JPS5814542A (ja) | 平型半導体装置 | |
| JPS63289940A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61156768A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6320442U (ja) |