JPS60103618A - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ処理装置Info
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- JPS60103618A JPS60103618A JP21080883A JP21080883A JPS60103618A JP S60103618 A JPS60103618 A JP S60103618A JP 21080883 A JP21080883 A JP 21080883A JP 21080883 A JP21080883 A JP 21080883A JP S60103618 A JPS60103618 A JP S60103618A
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- JP
- Japan
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- electrode plate
- earth electrode
- discharge tube
- substrate
- ground electrode
- Prior art date
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- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- UNPLRYRWJLTVAE-UHFFFAOYSA-N Cloperastine hydrochloride Chemical compound Cl.C1=CC(Cl)=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)OCCN1CCCCC1 UNPLRYRWJLTVAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、マイクロ波プラズマ処理装置に関するもので
ある。
ある。
従来のマイクロ波プラズマ処理装置を第１図により説明
する。
する。
＠１図で、真空排気装置１０が連結され、この場合、上
方に開放端を有する真空容器筒には、一方に開放端を有
する放電管（資）が、この場合、上下方向に気密に構設
されている。放電管（資）の外側には、放電管側を含み
導波管和か配設され、導波管４０の外側には、磁場発生
手段、例えば、環状コイル関が高さ方向に３段環装され
ている。導波管荀は、導波管、同軸ケーブル等のマイク
ロ波伝達手段印を介してマイクロ波発生装置７０に連結
されている。
方に開放端を有する真空容器筒には、一方に開放端を有
する放電管（資）が、この場合、上下方向に気密に構設
されている。放電管（資）の外側には、放電管側を含み
導波管和か配設され、導波管４０の外側には、磁場発生
手段、例えば、環状コイル関が高さ方向に３段環装され
ている。導波管荀は、導波管、同軸ケーブル等のマイク
ロ波伝達手段印を介してマイクロ波発生装置７０に連結
されている。
真空容器頷には、放電ガス導入用のノズル４が設けられ
、ノズル４は、ガス導管（資）を介して放電ガス供給装
置匍に連結されている。真空容器筒と放電管間とで形成
された空間１００には、支持軸１１０で支持された基板
電極１２０が、放電管間の軸心を中心として設けられて
いる。支持軸１１０には、高周波電源１３０が接続され
ると共に、アースされた支持管１４０ａで支持されたア
ース電極板１５０ ａが電気的に絶縁して設けられてい
る。なお、この場合、支持管１４０ａは、真空容器Ｉと
も電気的に絶縁されている。
、ノズル４は、ガス導管（資）を介して放電ガス供給装
置匍に連結されている。真空容器筒と放電管間とで形成
された空間１００には、支持軸１１０で支持された基板
電極１２０が、放電管間の軸心を中心として設けられて
いる。支持軸１１０には、高周波電源１３０が接続され
ると共に、アースされた支持管１４０ａで支持されたア
ース電極板１５０ ａが電気的に絶縁して設けられてい
る。なお、この場合、支持管１４０ａは、真空容器Ｉと
も電気的に絶縁されている。
基板型ｆｉ！１２０には、基板１６０が載Ｗ保持され空
間１００は真空排気装置１０により所定圧力まで減圧１
ζ 排気される。その後、空間１００は、放電ガス供給ハ 装置匍よりガス導管閉、ノズル２１を経て放電ガスが所
定流量で導入されると共に、空間１００の圧力は、真空
排気装［１０を引続き駆動し処理圧力に適正調節される
。一方、放電管（９）には、マイクロ波発生装置ｔ７０
で発生したマイクロ波と環状コイル印在する放シタプラ
ズマ化されると共に、基板電極１２０には、高周波電源
１３０より高周波バイアスが印加され、これにより基板
１６０は、高精度並びに高速度（例えば、反応性スパッ
タエツチングでのエツチング速度とほぼ同程度のエツチ
ング速度）にて処理される。
間１００は真空排気装置１０により所定圧力まで減圧１
ζ 排気される。その後、空間１００は、放電ガス供給ハ 装置匍よりガス導管閉、ノズル２１を経て放電ガスが所
定流量で導入されると共に、空間１００の圧力は、真空
排気装［１０を引続き駆動し処理圧力に適正調節される
。一方、放電管（９）には、マイクロ波発生装置ｔ７０
で発生したマイクロ波と環状コイル印在する放シタプラ
ズマ化されると共に、基板電極１２０には、高周波電源
１３０より高周波バイアスが印加され、これにより基板
１６０は、高精度並びに高速度（例えば、反応性スパッ
タエツチングでのエツチング速度とほぼ同程度のエツチ
ング速度）にて処理される。
このようなマイクロ波プラズマ処理装置では、次のよう
な欠点があった。
な欠点があった。
（１）処理速度を高速化するには、基板電極に印加され
る高周波バイアスの内でマイナス成分を太き（する必要
が、そのためには、アース電極板の必要な有効面積を基
−板電極の面積に対して３倍以上にしなければならない
。したがって、アース電極板の寸法が大きくなり、これ
で決定される放電管の径が必要以上に太き（なり装置が
大型化するため、装置の専有床面積が増大する。
る高周波バイアスの内でマイナス成分を太き（する必要
が、そのためには、アース電極板の必要な有効面積を基
−板電極の面積に対して３倍以上にしなければならない
。したがって、アース電極板の寸法が大きくなり、これ
で決定される放電管の径が必要以上に太き（なり装置が
大型化するため、装置の専有床面積が増大する。
（２）装置の大型化に伴い、そのメンテナンス性が低下
する。
する。
本発明の目的は、放電管の径を決定するアース電極板の
寸法を必要な有効面積を維持して小さく］ノ、これによ
り放電管の径の余分な増大を抑制し装置を小型化するこ
とで、装置の専有床面積を狭小化できるマイクロ波プラ
ズマ処理装置を提供することにある。
寸法を必要な有効面積を維持して小さく］ノ、これによ
り放電管の径の余分な増大を抑制し装置を小型化するこ
とで、装置の専有床面積を狭小化できるマイクロ波プラ
ズマ処理装置を提供することにある。
本発明は、アース電極板を必要な有効面積を維持しつつ
分割し、該分割されたアース電極板を基・ ３ ・ 板電極の支持軸方向に、かつ、基板電極と電気的に絶縁
して多段に設けたことを特徴とするもので、放電管の径
を決定するアース電極板の寸法を必要な有効面積を維持
して小さくし、これにより放電管の径の余分な増大を抑
制し装置を小型化しようとしたものである。
分割し、該分割されたアース電極板を基・ ３ ・ 板電極の支持軸方向に、かつ、基板電極と電気的に絶縁
して多段に設けたことを特徴とするもので、放電管の径
を決定するアース電極板の寸法を必要な有効面積を維持
して小さくし、これにより放電管の径の余分な増大を抑
制し装置を小型化しようとしたものである。
本発明の一実施例を第２図により説明する。なお、第２
図で、第１図と同−装置等は同一符号で示し説明を省略
する。
図で、第１図と同−装置等は同一符号で示し説明を省略
する。
第２図で、アース電極板は、必要な有効面積を維持して
、この場合、アース電極板１５０ｂ〜１５０ｄに分割さ
れている。この内、アース電極板１５０ｃは、支持軸１
１０に電気的に絶縁して環装されアースされた支持管１
４０ｂに略水平に支持されて設けられている。支持軸１
１０の外側で、かつ、アース電極板１５０ｃの上方位置
には、アース電極板１５０ｂが取付具１７０ａによりア
ース電極板１５０Ｃに略平行に取付けられると共に、支
持軸１１０ 、支持管１４０ｂの外側で、かつ、アース
電極板１５０Ｃの下方位置には、アース° ４ ′ 電極板１５０ｄが取付具１７０ｂによりアース電極板１
５０ｃに略平行に取付けられている。なお、この場合、
アース電極板１５０ｂの外周辺は上方にテーパ状に折曲
され、また、アース電極板１５０ｄと真空容器１０とは
電気的に絶縁されている。本実施例のようなマイクロ波
プラズマ処理装置における基板の処理操作は、従来技術
と同様であるため、説明を省略する・ 本実施例のようなマイクロ波プラズマ処理装置では、次
のような効果が得られる。
、この場合、アース電極板１５０ｂ〜１５０ｄに分割さ
れている。この内、アース電極板１５０ｃは、支持軸１
１０に電気的に絶縁して環装されアースされた支持管１
４０ｂに略水平に支持されて設けられている。支持軸１
１０の外側で、かつ、アース電極板１５０ｃの上方位置
には、アース電極板１５０ｂが取付具１７０ａによりア
ース電極板１５０Ｃに略平行に取付けられると共に、支
持軸１１０ 、支持管１４０ｂの外側で、かつ、アース
電極板１５０Ｃの下方位置には、アース° ４ ′ 電極板１５０ｄが取付具１７０ｂによりアース電極板１
５０ｃに略平行に取付けられている。なお、この場合、
アース電極板１５０ｂの外周辺は上方にテーパ状に折曲
され、また、アース電極板１５０ｄと真空容器１０とは
電気的に絶縁されている。本実施例のようなマイクロ波
プラズマ処理装置における基板の処理操作は、従来技術
と同様であるため、説明を省略する・ 本実施例のようなマイクロ波プラズマ処理装置では、次
のような効果が得られる。
（１）放電管の径を決定するアース電極板の寸法を必要
な有効面積を維持して小さくできるため、放電管の径の
余分な増大を抑制して装置を小型化でき、装置の専有床
面積を狭小化できる（例えば、基板が６インチの場合、
放電管の径は従来的４００ｎでありだが、この場合、約
２５０ｎ以下に小さ畷できる。） （２） 装置が小型化するため、それに伴ってメンテナ
ンス性が向上する。
な有効面積を維持して小さくできるため、放電管の径の
余分な増大を抑制して装置を小型化でき、装置の専有床
面積を狭小化できる（例えば、基板が６インチの場合、
放電管の径は従来的４００ｎでありだが、この場合、約
２５０ｎ以下に小さ畷できる。） （２） 装置が小型化するため、それに伴ってメンテナ
ンス性が向上する。
なお、本実施例の他にアース電極板、支持管と真空容器
とを電気的に絶縁せず真空容器をアースするようにして
も良い。
とを電気的に絶縁せず真空容器をアースするようにして
も良い。
本発明は２以上説明したように、アース電極板を必要な
有効面積を維持して分割し、該分割されたアース電極板
を基板電極の支持軸方向に、かつ、基板電極と電気的に
絶縁して多段に設けたことで、放電管の径を決定するア
ース電極板の寸法を必要な有効面積を維持して小さくで
きるので、放電管の径の余分な増大を抑制して装置を小
型化でき装置の専有床面積を狭小化できる効果がある。
有効面積を維持して分割し、該分割されたアース電極板
を基板電極の支持軸方向に、かつ、基板電極と電気的に
絶縁して多段に設けたことで、放電管の径を決定するア
ース電極板の寸法を必要な有効面積を維持して小さくで
きるので、放電管の径の余分な増大を抑制して装置を小
型化でき装置の専有床面積を狭小化できる効果がある。
第１図は、従来のマイクロ波プラズマ処理装置の要部縦
断面図、＄２図は、本発明によるマイクロ波プラズマ処
理装置の一実施例を示す要部縦断面図である。 （９）・・・・・・放電管、４０・・・・・・導波管、
関・・・・・・環状コイル、ω・・・・・・マイクロ波
伝達手段、７０・・・・・・マイクロ波発生装置、１１
０・・・・・・支持軸、１２０・・・・・・基板電極、
１３０・・・・・・高周波電源、１５０ｂないし１５０
ｃ・・・・・・アース電極板
断面図、＄２図は、本発明によるマイクロ波プラズマ処
理装置の一実施例を示す要部縦断面図である。 （９）・・・・・・放電管、４０・・・・・・導波管、
関・・・・・・環状コイル、ω・・・・・・マイクロ波
伝達手段、７０・・・・・・マイクロ波発生装置、１１
０・・・・・・支持軸、１２０・・・・・・基板電極、
１３０・・・・・・高周波電源、１５０ｂないし１５０
ｃ・・・・・・アース電極板
Claims (1)
- １、 マイクロ波発生装置と、該装置とマイクロ波伝達
手段を介して連結された導波管と、該導波管の内側に配
設された放電管と、磁場発生手段とを有し、該手段によ
る磁場と前記マイクロ波発生装置によるマイクロ波とが
印加される前記放電管内で放電ガスをプラズマ化すると
共に基板電極に高周波バイアスを印加して該電極に載置
保持された基板を処理する装置において、アース電極板
を必要な有効面積を維持して分割し、該分割されたアー
ス電極板を前記基板電極の支持軸方向に、かつ、・基板
電極と電気的に絶縁して多段に設けたことを特徴とする
マイクロ波プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21080883A JPS60103618A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21080883A JPS60103618A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60103618A true JPS60103618A (ja) | 1985-06-07 |
| JPH0516171B2 JPH0516171B2 (ja) | 1993-03-03 |
Family
ID=16595472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21080883A Granted JPS60103618A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60103618A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0774160A (ja) * | 1994-08-24 | 1995-03-17 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
-
1983
- 1983-11-11 JP JP21080883A patent/JPS60103618A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0774160A (ja) * | 1994-08-24 | 1995-03-17 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0516171B2 (ja) | 1993-03-03 |
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