JPS60102289A - 有機樹脂上被膜のレ−ザ加工方法 - Google Patents
有機樹脂上被膜のレ−ザ加工方法Info
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- JPS60102289A JPS60102289A JP58208652A JP20865283A JPS60102289A JP S60102289 A JPS60102289 A JP S60102289A JP 58208652 A JP58208652 A JP 58208652A JP 20865283 A JP20865283 A JP 20865283A JP S60102289 A JPS60102289 A JP S60102289A
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- conductive film
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- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
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- B23K26/362—Laser etching
- B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/16—Composite materials, e.g. fibre reinforced
- B23K2103/166—Multilayered materials
- B23K2103/172—Multilayered materials wherein at least one of the layers is non-metallic
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- Laser Beam Processing (AREA)
- Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、導電膜（以−トｃＴ１・という）」３よひ
昇華性絶縁物（以下これらを合わせて被加工物という）
を有機樹脂薄膜（以下針という）上に形成させ、この被
加工物にパルスレーザ光を照ＡＪ Ｌ、て開溝またば開
孔を形成することを目的とする。
昇華性絶縁物（以下これらを合わせて被加工物という）
を有機樹脂薄膜（以下針という）上に形成させ、この被
加工物にパルスレーザ光を照ＡＪ Ｌ、て開溝またば開
孔を形成することを目的とする。
この発明は、連続使用上限温度が１５０〜３００ ℃に
おいて使用可能な透光性針上に形成された酸化、インシ
ュームまたは酸化ススを主成分とするＣ １’ ｌｉに
対し、先端温度が１７００〜２２００”ｃのパルス状の
レーザ光を照射して走査加工し、ｏ１＋に損傷を与える
ことなくＯＦ上の昇華性である酸化ススまたは酸化・イ
ンジュ−ムを主成分とするＣ ＴＦおよびその」二の他
の昇華性絶縁物である一酸化珪素とを選択的に除去し、
開溝を形成することを目的とする。
おいて使用可能な透光性針上に形成された酸化、インシ
ュームまたは酸化ススを主成分とするＣ １’ ｌｉに
対し、先端温度が１７００〜２２００”ｃのパルス状の
レーザ光を照射して走査加工し、ｏ１＋に損傷を与える
ことなくＯＦ上の昇華性である酸化ススまたは酸化・イ
ンジュ−ムを主成分とするＣ ＴＦおよびその」二の他
の昇華性絶縁物である一酸化珪素とを選択的に除去し、
開溝を形成することを目的とする。
従来、し＝ザ光を用いてＣＴＦおよび絶縁物を除去し開
溝または開孔（以下単に開溝という）を形成する方法で
は、基板にガラス板、セラミック扱等の鉦１す；ハ性の
７１！、板が用いられてきた。これらはレーザ光のｉ＋
］＋ ／Ｉ！！に対し耐えられる基板であるが、価格が
１ｎｉ価であり、破損しゃずいという欠点を有して い
ノこ。
溝または開孔（以下単に開溝という）を形成する方法で
は、基板にガラス板、セラミック扱等の鉦１す；ハ性の
７１！、板が用いられてきた。これらはレーザ光のｉ＋
］＋ ／Ｉ！！に対し耐えられる基板であるが、価格が
１ｎｉ価であり、破損しゃずいという欠点を有して い
ノこ。
しかし、ディスプレー装置等への応用を考えた時、基板
として安価な可曲性の有機薄膜の使用がめられてきた。
として安価な可曲性の有機薄膜の使用がめられてきた。
本発明はこの計上のＣＴＦおよび昇華性絶縁物特に液晶
の配向処理に用いられる一酸化珪素（ＳｉＯ）に対して
レーザ光を照射して、この叶を損傷せずに被加工物を除
去することができる条件のあることを実験的に検剖した
。その結果、ｊ／−ザ光を１つの場所に長時間（数十ｍ
秒置上）照射することなく、また走査（スキャン）スピ
−１−を適切化することにより被加工物のみを選択的に
除去することがＯＪ能であることを見いだした。
の配向処理に用いられる一酸化珪素（ＳｉＯ）に対して
レーザ光を照射して、この叶を損傷せずに被加工物を除
去することができる条件のあることを実験的に検剖した
。その結果、ｊ／−ザ光を１つの場所に長時間（数十ｍ
秒置上）照射することなく、また走査（スキャン）スピ
−１−を適切化することにより被加工物のみを選択的に
除去することがＯＪ能であることを見いだした。
Ｒ１１Ｉ：）、レーザ光の照射によりＯＦは熱伝導率が
小さい（一般には１〜７ Ｘ １０”Ｃａｌ ／ ｓｅ
ｅ ／ ｃａｌ ／ ’Ｃ／＜：ｍ）ため、同し位置に
繰り返しレーザパルスを加えると、この有機樹脂は劣化
し炭化して切１１１されてしまう。しかしその繰り返し
を１回ないし数回とすると、このＯＦの熱伝導率が被膜
」二物の１／１０３であるため、逆に被加工物のめを選
択的にレーザ光の照射された場所のみ除去Ｊ−ることが
できることを見いだした。
小さい（一般には１〜７ Ｘ １０”Ｃａｌ ／ ｓｅ
ｅ ／ ｃａｌ ／ ’Ｃ／＜：ｍ）ため、同し位置に
繰り返しレーザパルスを加えると、この有機樹脂は劣化
し炭化して切１１１されてしまう。しかしその繰り返し
を１回ないし数回とすると、このＯＦの熱伝導率が被膜
」二物の１／１０３であるため、逆に被加工物のめを選
択的にレーザ光の照射された場所のみ除去Ｊ−ることが
できることを見いだした。
以下にその実施例を図面に従って記す。
ＯＦとして例えば住友ベークライト梨スミライト＋＋ｓ
−１３００を用いた。このＯＦは、連続使用上限温度
１８０℃、熱伝導率４．３ Ｘｌ０−４Ｃａｌ ／ｓｅ
ｃ ／ｃｔＡ／”Ｃ／ｃｍ、光線透光率８６．３％（１
００μの厚さとする）、表面抵抗率５．４ Ｘｌ０１４
Ω、体積抵抗率１．７ Ｘ１０１６ぐ２ｃｍをその代表
例として有する。
−１３００を用いた。このＯＦは、連続使用上限温度
１８０℃、熱伝導率４．３ Ｘｌ０−４Ｃａｌ ／ｓｅ
ｃ ／ｃｔＡ／”Ｃ／ｃｍ、光線透光率８６．３％（１
００μの厚さとする）、表面抵抗率５．４ Ｘｌ０１４
Ω、体積抵抗率１．７ Ｘ１０１６ぐ２ｃｍをその代表
例として有する。
このＯＦ Ｊ二にスパッタ法にてＩＴＯ（２）を７００
人の厚さに形成さ−げた。するとそのシート抵抗は２
００Ω／［」を自していた。
人の厚さに形成さ−げた。するとそのシート抵抗は２
００Ω／［」を自していた。
さらにこの上面に昇華性絶縁物（２２）であるＳｉＯを
斜蒸着法により３００人〜０．３μの厚さに電子ビーム
蒸着法またはＳｉＯ用タンタル・ルツボにより真空范着
を行った。
斜蒸着法により３００人〜０．３μの厚さに電子ビーム
蒸着法またはＳｉＯ用タンタル・ルツボにより真空范着
を行った。
さらにここにＹＡＧレーザ（発光波長１．０６μ、焦点
距離５０ｍｍ、光径５０μ）を照射した。その条件とし
て、繰り返し同時に６ＫＩｌｚ、平均出力１．３Ｗ、パ
ルス中１００ｎ秒〜１μ秒、スキャンスピード（走査速
度、以下ＳＳという） ６０ｃｍ／分とした。すると第
１図に示すごとき開溝（１０＞、＜１０９を得ることが
できた。そしてこの開溝で２つの被膜は概略同一形状を
有していた。
距離５０ｍｍ、光径５０μ）を照射した。その条件とし
て、繰り返し同時に６ＫＩｌｚ、平均出力１．３Ｗ、パ
ルス中１００ｎ秒〜１μ秒、スキャンスピード（走査速
度、以下ＳＳという） ６０ｃｍ／分とした。すると第
１図に示すごとき開溝（１０＞、＜１０９を得ることが
できた。そしてこの開溝で２つの被膜は概略同一形状を
有していた。
この時、電子顕微鏡にて調べたが、叶表面ば何等の損傷
もまた部分的な劣化も見られなかった。
もまた部分的な劣化も見られなかった。
このレーザ光ば１８００℃以上の温度を有すると推察さ
れるが、連続使用上限温度が１８０ ”ｅ程度の低い耐
熱性しか有さないＯＦに何等田傷を与えなかっ）こ。
れるが、連続使用上限温度が１８０ ”ｅ程度の低い耐
熱性しか有さないＯＦに何等田傷を与えなかっ）こ。
即ら、叶−にの被加工物に対し、選択的に開溝（１（１
）、＜ １０ ’）を作製−」゛ることができることが
わがっノこ。第１し１はこの叶（１）ｊ二のＣＴＦ （
２）に対しＳｉＯ（２２）を盲進させてプｔ」−ブ（３
）、＜ ４ ＞、テスタ（５）の２端子法にてその抵抗
を測定した。その結果、５ （］ （］ ｌ（Ω以上の
抵抗く中は１ｃ、ｍとする）を開溝（１０）により得る
ことができた。
）、＜ １０ ’）を作製−」゛ることができることが
わがっノこ。第１し１はこの叶（１）ｊ二のＣＴＦ （
２）に対しＳｉＯ（２２）を盲進させてプｔ」−ブ（３
）、＜ ４ ＞、テスタ（５）の２端子法にてその抵抗
を測定した。その結果、５ （］ （］ ｌ（Ω以上の
抵抗く中は１ｃ、ｍとする）を開溝（１０）により得る
ことができた。
この開溝が形成し得る理由は、シー１Ｊ＝光の！！Ｑ
Ｊｌによる熱エネルギが下地の叶の熱伝導度力（きわめ
て少ないためＣＴＦ内に保存され、かつこの熱Ｇこより
ＣＴＰとＳｉＯとが昇華、即ら、液体にならず固（本よ
り気体に気化してしまうためであるとｆｌ＋定される。
Ｊｌによる熱エネルギが下地の叶の熱伝導度力（きわめ
て少ないためＣＴＦ内に保存され、かつこの熱Ｇこより
ＣＴＰとＳｉＯとが昇華、即ら、液体にならず固（本よ
り気体に気化してしまうためであるとｆｌ＋定される。
さらにこの気化と同時に気化熱を奪い、結果として、有
機樹脂が熱反応をしてしまうのに必要な時間よりはるか
に短い時間で比較的低い温度−ご保存さ−１ることがで
きているためであると考えられる。
機樹脂が熱反応をしてしまうのに必要な時間よりはるか
に短い時間で比較的低い温度−ご保存さ−１ることがで
きているためであると考えられる。
第２図はレーザ光の繰り返し周波数を可変にしたもので
、開溝が形成される場合の電気抵抗を示す。
、開溝が形成される場合の電気抵抗を示す。
図面において、ＳＳ （ｉｏｃｍ ／分の平均出力０，
８凱光１Ｍ５０７］の冒Ｇレーデを用いた６−１るとそ
の周波数をｌ ＯＩ（１１２より一トげてゆくと、曲線
（９）は７８１１７゜以下で急激に５０ＯＫΩ以上とな
ツ′（電気的にアイソレイションを行うことができるよ
うにな〜またごとが判明した。
８凱光１Ｍ５０７］の冒Ｇレーデを用いた６−１るとそ
の周波数をｌ ＯＩ（１１２より一トげてゆくと、曲線
（９）は７８１１７゜以下で急激に５０ＯＫΩ以上とな
ツ′（電気的にアイソレイションを行うことができるよ
うにな〜またごとが判明した。
しかしこの周波数が４１１２以下では、この被加工物に
加えてＦ地の叶をもその中心部（ガウス分布のエネルギ
密度の最も高い領域）で損傷してしまった。このことに
より、叶」二のＣＴＦの１．ｓ（レーザスクライゾ）に
は（１１）に示す範囲が適していた。
加えてＦ地の叶をもその中心部（ガウス分布のエネルギ
密度の最も高い領域）で損傷してしまった。このことに
より、叶」二のＣＴＦの１．ｓ（レーザスクライゾ）に
は（１１）に示す範囲が適していた。
さらに、この下地のＯＦに損傷を与えるごとなく被加工
物のめを除去する範囲を調べたところ、第３ 図をｉ４
Ｉノこ。
物のめを除去する範囲を調べたところ、第３ 図をｉ４
Ｉノこ。
即も、ＳＳを０〜１２０ｃｍＺ分、平均出力ｏ〜３ｗ、
繰り返し周波数６旧１ｚ、焦点距離５０ｃｍ、レーザ光
の直径５０μのＹＡＧ レーデとすると、領域１５の範
囲は叶のｆｆ１傷がなく被膜−■−物のみを除去するこ
とができた。
繰り返し周波数６旧１ｚ、焦点距離５０ｃｍ、レーザ光
の直径５０μのＹＡＧ レーデとすると、領域１５の範
囲は叶のｆｆ１傷がなく被膜−■−物のみを除去するこ
とができた。
領域（１３）は被加工物すらも除去することができない
領域であり、領域（１２）はパルス光がＣＴｌ１上で連
続せず、破線のごとく不連続な開溝を形成させる領域で
ある。領域（１４）はＣＴＩ・のめならず下地のＯＦに
対しても損傷を与えてしまった領域であ っ ノこ。
領域であり、領域（１２）はパルス光がＣＴｌ１上で連
続せず、破線のごとく不連続な開溝を形成させる領域で
ある。領域（１４）はＣＴＩ・のめならず下地のＯＦに
対しても損傷を与えてしまった領域であ っ ノこ。
このことにより下地の叶に対して損傷を与えることなく
、被加工物のみを選択的に開溝として除去することので
きる領域〈工５）があることがわかった。領域（１６）
は、レーザパルス光繰り返し周波数を１５ＫＩｌｚとし
た場合である。この場合はＣＴＦのめに選択的にＬＳを
行う領域は（１５）より（１６）に移動している。
、被加工物のみを選択的に開溝として除去することので
きる領域〈工５）があることがわかった。領域（１６）
は、レーザパルス光繰り返し周波数を１５ＫＩｌｚとし
た場合である。この場合はＣＴＦのめに選択的にＬＳを
行う領域は（１５）より（１６）に移動している。
これらのことより、カブ１−ン、ポリイミド、エポキシ
等の樹脂のうし、実用的には叶が１５０〜３００℃また
はそれ以」二の温度での連続使用の可能なかつ熱伝導率
がＩ Ｘ ｌｏ−Ｂｃａｌ ／ ｓｅｃ ／ ｅｙｌ
／ ”ｃ ／ ｃｍの低い値を有する有機’Ｒ膜である
ことが好ましい。
等の樹脂のうし、実用的には叶が１５０〜３００℃また
はそれ以」二の温度での連続使用の可能なかつ熱伝導率
がＩ Ｘ ｌｏ−Ｂｃａｌ ／ ｓｅｃ ／ ｅｙｌ
／ ”ｃ ／ ｃｍの低い値を有する有機’Ｒ膜である
ことが好ましい。
また、ＣＴＩ＋は３００ 人〜１μの範囲またＳｉＯは
配向処理用であるため斜め蒸着がなされ、その平均厚さ
が３００人〜２μの範囲であることがレーザ加二にをし
やずかった。
配向処理用であるため斜め蒸着がなされ、その平均厚さ
が３００人〜２μの範囲であることがレーザ加二にをし
やずかった。
もちろん、この被膜」二物におけるＣＴＩ＋はミクロに
平面状であっても針状（テクスチャー）をしていても、
またＩＴＯ（酸化ススが１０重量％以下添加された酸化
インシュ〜ム）上に酸化ススが１００〜５００人の厚さ
に形成された２１ｉ１１ｔｌｌＱを用いてもよいことは
いうまでもない。
平面状であっても針状（テクスチャー）をしていても、
またＩＴＯ（酸化ススが１０重量％以下添加された酸化
インシュ〜ム）上に酸化ススが１００〜５００人の厚さ
に形成された２１ｉ１１ｔｌｌＱを用いてもよいことは
いうまでもない。
また昇華性の絶縁物もＳｉＯのみならず以下の表に示さ
れるごとき材料も同様に取り扱うことができる。
れるごとき材料も同様に取り扱うことができる。
さらに本発明に用いたＣＴＦであるＳｎＯ□も以下に示
す。
す。
温度（℃）
月利 融点 密度 蒸気圧（Ｐａ）
（”Ｃ）（ｇ／ｃ艷） １０−’ １０叫 １０−２
１Ｓｉ０ １７７５ １．１ 昇華 昇華 ８７３−八
ＩＦＪ−２，９昇華 昇華 ９７３ １０３２八１Ｎ
〜 ３．３ 昇華 昇華 ２０２３ −ＢＮ ２５７３
２．３ 昇華 昇華 １８７３ −Ｖｏ、 ２２４Ｇ
４．４ 昇華 昇華 −−５ｎＯ１４００６，４昇華
昇華 ８１３ １８５０またこのレーザ光を照射してし
まった後、希弗酸（水で１０〜１００倍に希釈）または
アセトン、水、その他の洗ｉ／ＩＩ／８液にこの処理薄
膜をＹｄ漬し、超音波洗浄をしてず］着物を除去するこ
とは有効である。
１Ｓｉ０ １７７５ １．１ 昇華 昇華 ８７３−八
ＩＦＪ−２，９昇華 昇華 ９７３ １０３２八１Ｎ
〜 ３．３ 昇華 昇華 ２０２３ −ＢＮ ２５７３
２．３ 昇華 昇華 １８７３ −Ｖｏ、 ２２４Ｇ
４．４ 昇華 昇華 −−５ｎＯ１４００６，４昇華
昇華 ８１３ １８５０またこのレーザ光を照射してし
まった後、希弗酸（水で１０〜１００倍に希釈）または
アセトン、水、その他の洗ｉ／ＩＩ／８液にこの処理薄
膜をＹｄ漬し、超音波洗浄をしてず］着物を除去するこ
とは有効である。
以」二の説明より明らかなごとく、本発明は０１・十の
被加工物に対し、レーザ光を照！１４シてその被加工物
のみに開溝を形成して除去することが可能にな っ ノ
こ。
被加工物に対し、レーザ光を照！１４シてその被加工物
のみに開溝を形成して除去することが可能にな っ ノ
こ。
さらにこの被加工物に形成された開溝は線ではなく、レ
ーザ光または下地をＸＹ方向に移動し種々の形状を作製
することができる。しかし、その際、レーザ光が同一点
を何度（１０回以上）も照射するとこの領域での温度が
上昇し、ト地を１ｉ傷さ−Ｕてしまうため作動には注意
を９２する。
ーザ光または下地をＸＹ方向に移動し種々の形状を作製
することができる。しかし、その際、レーザ光が同一点
を何度（１０回以上）も照射するとこの領域での温度が
上昇し、ト地を１ｉ傷さ−Ｕてしまうため作動には注意
を９２する。
本発明の詳細な説明は連続した線状を自する１本の開講
を形成する場合を示した。しかしＳＳを一定とし、レー
ザ光の照射をｌＪｉ 続させることにより１つの孔まノ
こは破線のごとき複数の開孔または開溝を作ることがで
きることはいうまでもない。
を形成する場合を示した。しかしＳＳを一定とし、レー
ザ光の照射をｌＪｉ 続させることにより１つの孔まノ
こは破線のごとき複数の開孔または開溝を作ることがで
きることはいうまでもない。
本発明に：！、； い−Ｃ１（４’ｔＪｌ１４ｊＪ脂上
ニ１２００′ｃ Ｏ」：ｈ（ましくは１５００ ℃以」
二の融点を有する窒化珪素または炭化珪素を３００人〜
１μの厚さにコーティングさ−１ていてもよい。
ニ１２００′ｃ Ｏ」：ｈ（ましくは１５００ ℃以」
二の融点を有する窒化珪素または炭化珪素を３００人〜
１μの厚さにコーティングさ−１ていてもよい。
しかしそのコーチインク材は融点１０００℃以−トのソ
ーダガラス、リンガラス等はレーザ照射の際、溶融し、
この溶融ガラスと被加工物とが反応し、さらにこのガラ
スに熱衝撃により微妙なりラックが発生してしまうため
不適当であった。
ーダガラス、リンガラス等はレーザ照射の際、溶融し、
この溶融ガラスと被加工物とが反応し、さらにこのガラ
スに熱衝撃により微妙なりラックが発生してしまうため
不適当であった。
本発明においては、叶」二〇ＣＴＦと絶縁物とをともに
除去する方法を主として示した。しかしＣＴＦ上のＳｉ
Ｏのみを選択的に除去することも可能である。即ち、Ｃ
ＴＰをＩｎよＯｌまたはＩＴＯとすると、ＬＳの際Ｓｎ
Ｏよよりも昇華させに（（、ＳｉＯのみを選択的に示す
とと＜ ＣＴＦと絶縁物とをともに除去させやずか っ
〕こ。
除去する方法を主として示した。しかしＣＴＦ上のＳｉ
Ｏのみを選択的に除去することも可能である。即ち、Ｃ
ＴＰをＩｎよＯｌまたはＩＴＯとすると、ＬＳの際Ｓｎ
Ｏよよりも昇華させに（（、ＳｉＯのみを選択的に示す
とと＜ ＣＴＦと絶縁物とをともに除去させやずか っ
〕こ。
なお本発明の実施は大気中、大気圧とした。しかしＣＴ
Ｆの昇華を促すため、真空雰囲気または不活性気体が導
入された減圧雰囲気で行うことは￥ｊ効である。
Ｆの昇華を促すため、真空雰囲気または不活性気体が導
入された減圧雰囲気で行うことは￥ｊ効である。
このようなパクーニングを行うことにより、表示用ディ
スプレーへの応用が可能となった。
スプレーへの応用が可能となった。
第１図は有機薄膜上の透光性４電膜および昇華性絶縁物
の２層膜に開溝を形成した図面である。 第２図はレーザ光の繰り返し周波数と開溝の形成条件と
の関係を示す。 第３図はレーザ光のスキャンスピードおよび平均出力と
の関係を示す。 特許出願人 弔１■ イ９４文（／！ｌ実ｋ（ｋｌ−１２） Ｎｅｔの
の２層膜に開溝を形成した図面である。 第２図はレーザ光の繰り返し周波数と開溝の形成条件と
の関係を示す。 第３図はレーザ光のスキャンスピードおよび平均出力と
の関係を示す。 特許出願人 弔１■ イ９４文（／！ｌ実ｋ（ｋｌ−１２） Ｎｅｔの
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁表面を存する有機樹脂薄膜上に酸化インジュー
ムまたは酸化スズを主成分とする透光性導電膜と、該股
上に昇華性絶縁物とを形成し、前記導電膜および前記絶
縁物にパルスレーザ光の照射により開溝または開孔を形
成することを特徴とする有機イＬイ脂上被膜のレーザ加
工方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、レーザ光は有機樹
脂薄膜を損傷しない程度のスキャンスピードおよび平均
出力を有し、かつ透光性導電膜および昇華性絶縁物であ
る一酸化珪素を切断する程度の平均出力、繰り返し周波
数およびスキャンスピー ドを有することを特徴とする
を機樹脂」二液膜のレーザ加工方法。 ３、特許請求の範囲第１項において、レーザ光を照射し
た後アセトン、水、その他の洗浄溶液で洗浄することに
より、開溝またはその近傍の残存物を除去することを特
徴とする自機樹脂上被膜のレーザ加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58208652A JPH0713954B2 (ja) | 1983-11-07 | 1983-11-07 | 液晶表示装置作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58208652A JPH0713954B2 (ja) | 1983-11-07 | 1983-11-07 | 液晶表示装置作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60102289A true JPS60102289A (ja) | 1985-06-06 |
| JPH0713954B2 JPH0713954B2 (ja) | 1995-02-15 |
Family
ID=16559790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58208652A Expired - Lifetime JPH0713954B2 (ja) | 1983-11-07 | 1983-11-07 | 液晶表示装置作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0713954B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0332401A2 (en) * | 1988-03-07 | 1989-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Improvements in liquid crystal displays |
| JPH01250462A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-05 | Kyoto Kikai Kk | 布帛の染色装置 |
| JPH01283703A (ja) * | 1988-05-09 | 1989-11-15 | Stanley Electric Co Ltd | 車体色レンズの形成方法 |
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| JPH0713954B2 (ja) | 1995-02-15 |
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