JPS5999441A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、導電性支持体上に、キャリア発生相とキャリ
ア輸送層とを組合せて成る感光層ン設けた電子写真感光
体に関するものである。

現在までに、可視光ン吸収して荷電キャリア（以下単に
「キャリア」という。）ン発生するキャリア発生物質（
以下「ＣＧＭ」という。）を含有して成るキャリア発生
層（以下［ｃ　Ｇ　ＬＪという。）と、このＣＧＬにだ
いて発生した正又は負のキャリアの何れか一万又は両方
ぞ輸送するキャリア輸送物質（以下「ｃＴＭＪという。

）ン含有して成るキャリア輸送層（以下［ＣＴＬＪとい
う。）と乞組合せることによシ、電子写真感光体の感光
層を構成せしめることが提案されている。このように、
キャリアの発生と、その輸送という感光層に？いて必要
な２つの基礎的機能ン、別個の層に分担せしめることに
よシ、感光層の構成に用い得る物質の選択範囲が広範と
なる上、各機能ン最適に果す物質又は物質系ぞ独立に選
定することが可能となシ、又そうすることによシ、電子
写真グロセスにＲいて要求される諸物件、例えば帯電せ
しめたときの表面電位が高（、電荷保持能が大きく、光
感度が高く、又反復使用にどける安定性が大きい等の優
れた特性を有する電子写真感光体を構成、せしめること
が可能と九る。

従来このような感光層としては、例えば次のようなもの
が知られている。

（１）無定形セレン又は硫化カドミウムより成るＣＧＬ
と、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールよシ成るＣＴＬと馨
積層せしめた構成。

（２）無定形セレン又は硫化カドミウムよシ成るＣＧＬ
と、２，４．７−トリ、ニトロ−９−フルオレノ／ぞ含
有するＣＴＬとぞ積層せしめた構成。

（３）ペリレン誘導体よシ成るＣＧＬと、オキサジアゾ
ール誘導体ン含有するＣＴＬとン積層せしめた構成（米
国特許第３８７１８８２号明細書参照）。

（４）　　クロルダイヤンブルー又はメチルスカリリウ
ムより成るＣＧＬと、ピラゾリン誘導体ぞ含有するＣＴ
Ｌとを積層せしめた構成（特開昭５１−９０８２７号公
報参照）。

（５）無定形セレン又はその合金よシ成るＣＧＬと。

ポリアリ・−ルアルカン系芳香族アミノ化合物を含有す
るＣＴＬとン枳層せしめた構成（特願昭５２−１４７２
５１号明細書）。

（６）ペリレン誘導体馨含有するＣＧＬと、ポリアリー
ルアルカン系芳香族アミン化合物ン含有するＣＴＬとを
積層せしめた構成（特願昭５３−１９９０７号明細書）
。

このようにこの種の感光層としては多（のものが知られ
てはいるが、斯かる感光層ぞ有する従来の電子写真感光
体に？いては反復して電子写真プロセスに供したときの
感光層の電気的疲労が激しくて使用寿命が非常に短い欠
点馨有する。

例えば、繰シ返して電子写真プロセスに供したときに、
当該電子写真感光体の電位の履歴状態が安定に維持され
ず、安定した画像形成特性ン得ることができない。

また、特定のビスアゾ化合物ｉｃＧＭとして用いること
が例えば特開昭５５−１１７１５１号公報、特開昭５４
　１４５１４２号公報等に開示されているが、このＣＧ
Ｍと組合せ得るとされているＣＴＭとの組合せに２いて
も、な？上述の欠点が和尚に大きい。このことからも理
解されるように、ある特定のキャリア発生物質に対して
有効なキャリア輸送物質が、他のキャリア発生物質に対
して常に有効な訳ではなく、又特定のキャリア輸送物質
に対して有効なキャリア発生物質が、他のキャリア輸送
物質に対して常に有効であるとも言うことはできない。

両物質の組合せが不適当な場合には電子写真感度が低（
なるばかりでな（、特に低電界時の放電効率が悪いため
、所謂残留電位が人き（な９、最悪の場合には反復して
使用する度に電位が蓄積し、実用上電子写真の用途に供
し得な（なる。

このようにキャリア発生相の構成物質とキャリア輸送相
の構成物質との好適な組合せについては法則的な選択手
段はなく、多（の物質群の中から有利な組合せン実践的
に決定する必要がある。

本発明は、キャリア発生相とキャリア輸送相とン組合せ
て成る感光層ン具え、大きな感度ン有し、しかも繰勺返
して電子写真プロセスに供したときにも電位の履歴状態
が安定に維持され、常に良好な可視画像乞形成すること
のできる電子写真感元体ン提供すること乞目的とする。

以上の目的は、キャリア発生相とキャリア輸送相とン組
合せて成る感光層乞導電性支持体上に設けて成る電子写
真感光体にＺいて、前記キャリア発生相が下記一般式Ｃ
Ｉ）で示されるビスアゾ化合物ン含有し、前記キャリア
輸送相が下記一般式（ｎ）で示てれるヒドラゾン化合物
ン含有することを特徴とする電子写真感光体によって達
成をれる。

一般式ＣＩ） 〔式中、 Ａｒ１、Ａｒ２−Ｊ６よびＡｒ３：それぞれ置換、未置
換の炭素環式芳香族環基、 Ｒ１ｓよびＲ２：それぞれ電子吸引性基、−ＮＨ８０２
−Ｒ６、 Ｙ　：水素原子、ハロゲン原子、置換、未置換のアルキ
ル基、アルコキシ 基、カルボキシル基、スルホ基、 置換、未置換のカルバモイル基ま たは置換、未置換のスルファモイ ル基、（但し１ｍが２以上のとき は、互に異なる基であってもよい。） Ｚ　：置換、未置換の炭素環式芳香族環または置換、未
置換の複累環式芳 香族環を構成するに必要な原子群、 Ｒ３：水素原子、置換、未置換のアミノ基、置換、未置
換のカルバモイル 基、カルボキシル基またはそのエ ステル基、 Ａ′二置換、未置換のアリール基。

ｎ　：１または２の整数、 ｍ　：０〜４の整数ケ表わす。〕 一般式ＣＩ［） ７ 〔式中、 Ｒ７：ステル基、エチル基、２−ヒドロキシエチル基、
または２−クロル エテル基、 Ｒ８：メチル基、エチル基、べ／ジル基、またはフェニ
ル基を表わす。〕 前記一般式ＣＩ）で示されるビスアゾ化合物のうち、好
ましいものは次の一般式（Ｉａ）で示されるものである
。

一般式〔Ｉａ〕 〔式中、 Ａｒ１　、　Ａｒ２、Ａｒ、３ ２よび　Ａ　ニ一般式ＣＩ）に？いて定義されたものと
同じである。〕 更に好ましいものは、特に次の一般式（Ｉｂ）で示され
るものである。

一般式（Ｉｂ） 〔式中、 Ａ　ニ一般式ＣＩ）にＺいて定義式れたものと同じ、 Ａｒ４　、　Ａｒ５　？よびＡｒ６　’、置換、未置換
のフェニル基を表わし、置換基としては、 メチル基、エチル基などの アルキル基、メトキシ基、 エトキシ基などのアルコキ シ基、塩素原子、臭素原子 などのハロゲン原子、水酸 基３よびシアノ基から選択 されたものが好ましい。〕 即ち本発明に８いては、前記一般式ＣＩ）で示されるビ
スアゾ化合物ｙ５ＣＧＭとして用いると共に、前記一般
式〔■〕で示逼れるヒドラゾ゛ン化合物ンＣＴＭとして
用いてこれらを組合せることによ勺、キャリアの発生と
輸送と乞それぞれ別個の物質で行なういわゆる機能分離
型感光体の感光層ン構成する。そしてこのことによシ、
感度が太き（、しかも繰シ返し電子写真プロセスに供し
たときにも電位の履歴状態が安定に維持され従って常に
良好な可視画像ン形成し得る電子写真感元体ン提供する
ことができる。

また本発明電子写真感光体においては、特に波長６００
〜７００　ｎｍの長波長域にも大きな分光感度が得られ
、従って例えば波長６３２８λのヘリウムーネオンレー
ザン潜像形成用元源として用いることができ、更に低電
界時に？けるいわゆる電位の裾切れが良好で現像時に非
画像部の電位が零またはこれに近い状態となるので、大
きな実効バイアスを得ることのできないトナーのみよシ
成る一成分現像剤によっても良好な現像２行なうことが
できる。

前記一般式ＣＩ）で示されるビスアゾ化合物の具体例と
しては、例えば次の構造式’に！するものを挙げること
ができるが、これらに限定されるものではない。

例示化合物 ＋　　　　　　　　　　　　　　　１　　　　　　　　
　　　　　　１ト　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　■　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｃ１■
　　　　　　　　　　　　　　　　　ロ　　　　　　　
　　　　　　　　　　［Ｆ］ｌ　　　　　　　　　　　
　　ｌ　　　　　　　　　　　　　　ＩＩ＋＜　ｘ　”
ｍ （３７） トトト １　　　　　　　　　　　　１　　　　　　　　　　　
　１前記一般式（ＩＩ）で示されるヒドラゾン化合物の
具体例としては、例えば次の構造式ン有するものン挙げ
ることができるが、これらに限定されるものではない。

例示化合物 （ｎ−１） ■ Ｈ３ （ｎ−２） Ｈ５ （ｎ−４） （ｎ−５） ２Ｈ５ （ｎ−６） ２Ｈ５ （ｎ−７） （ｎ−ｓ） （■〜９　） Ｃ２，Ｈ４０Ｈ （ｎ−１０） ２Ｈ４０Ｈ （ｎ−１１） （ＩＩ−１２） （ｎ−１３） ■ ２Ｈ４Ｃｔ （ＩＩ−１４） ■ ２Ｈ４ＣＬ （ｎ−１６） 次に本発明電子写真ｇ光体の機械的構成について説明す
る。

本発明の一例に２いては、第１図に示すように、導電性
支持体１上に既述のビスアゾ化合物ン生成分として含有
して成るＣＧＬｚｙ形成し、このＣＧＬ　Ｚ上に既述の
ヒドラノン化合物を生成分として含有して成るＣＴＬ　
３ｗ積層して形成し、これらのＣＧＬ２とＣＴＬ３とに
ょシ感光層４馨構成する。

ここに前記導電性支持体ｌの材質としては、例えばアル
ミニウム、ニッケル、銅、亜鉛、パラジウム、銀、イン
ジウム、錫、白金、金、ステンレス鋼、真鍮等の金属の
シー）Ｙ用いることができる。しかしこれらに限定され
るものではな（、例えば第２図に示すように、絶縁性基
体ＩＡ上に導電層ＩＢを設けて導電性支持体１を構成せ
しめることもでき、この場合に？いて基体ＩＡとしては
紙、プラスチックシート等の町撓性乞有し、しかも曲け
、引張シ等の応力に対して十分な強度ン有するものが適
当である。又導電層ＩＢは金属ジ−トン２ミネートし或
いは金ｍｙｃ真空蒸着せしめることによシ、又はその他
の方法によって設けることができる。

前記ＣＧＬ　２は、既述のビスアゾ化合物単独により、
又はこれに適当なバインダー樹脂乞加えたものによシ、
或いは更に特定又は非特定の極性のキャリアに対する移
動度の大きい物質即ちＣＴＭン添加したものにより形成
することができる。

具体的な方法としては、前記支持体上に、既述のビスア
ゾ化合物ン適当１よ溶剤に単独で或いは適当なバインダ
ー樹脂と共に溶解若しくは分散せしめたものを塗布して
乾燥せしめる方法が好便に利用される。

この方法に３いて、溶媒或いは分散媒としては、例えば
ｎ−ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレンジアミ／
、イングロパノールアミン、モノエタノールアミン、ト
リエタノールアミン、トリエテレ／ジアミｙ、Ｎ、Ｎ−
ジメチルホルムアミド、アセトン、メチルエチルケトン
、シクロヘキザノン、ベンゼン、トルエン、キシン／、
クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、ジクロロメタ
ン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、メタノール、エ
タノール、イングロバノール、酢酸エチル、酢酸ブチル
、ジメチルスルホキシド、その他ン用いることができる
。

ｉ　ｆｃ、バインダー樹脂としては、例えばポリエステ
ル、ボリグロビレン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、
塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
ウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、ア
ルキッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコン樹脂、
メラミン樹脂等の付加重合型樹脂、重付加型樹脂、軍縮
金型樹脂、並びにこれらの樹脂の繰シ返し単位のうちの
２つ以上を含む共重合体樹脂、例えば塩化ビニル−酢酸
ビニル共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マ
レイン酸共重合体樹脂等の絶縁性樹脂の他、ポリ−Ｎ−
ビニルカルバゾール等の高分子有機半導体を挙げること
ができる。そして、このバインダー樹脂のビスアゾ化合
物に対する割合は、０〜１００重量％、特にＯ〜１０重
景％の範囲である。

前記ＣＧＬ　２には、必要に応じて適宜のＣＴＭン添加
してもよい。

以上のようにして形成される前記ＣＧＬ’２の厚さは、
好ましくは０．００５〜２０ミクロン、特に好ましくは
０．０５〜５ミクロンである。０．００５ミクロン未満
では充分な光感度が得られず、また２０ミクロンぞ越え
ると充分な電荷保持性が得られない。

４　ｋ　前記ＣＴ　Ｌ　３は、既述のヒドラゾン化合物
により、上述のＣＧＬ　２と同様にして、即ち単独で或
いはバインダー樹脂と共に形成することができる。そし
て、他のＣＴＭ−＞含有せしめてもよい。

このＣＴＬ　３の厚芒は２〜１００ミクロン、好ましく
は５〜３０ミクロンである。

本発明電子写真感光体は、他の機械的構成と１−ること
ができる。例えば第３図に示すように、導電性支持体１
上に適当な中間層５ン設け、これぞ介してＣＧＬ２ン形
成し、このＣＧＬ２上にＣＴＬ３ン形成するようにして
もよい。この中間層５には、感光層４の帯電時に３（・
て導電性支持体１上）ら感光層４にフリーキャリアが注
入されることン阻止する機能、或いは感光層４ヶ導電性
支持°体に対して一体的に接着、せしめる接着層として
の機能乞有せしめることかできる。斯かる中間層５の材
質としては、酸化アルミニウム、酸化インジウム等の金
属酸化物、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル
樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹
脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹
脂、ポリカーボネート樹脂、シリコン樹脂、メラミン樹
脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂、塩化ビニル
−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体樹脂等の高分子
物質ケルいることができる。

又第４図に示すよりに、導電性支持体１上に、前記中間
層５を介して又は介でずに、ＣＴＬ３Ｙ形成し、このＣ
ＴＬ　３上にＣＧＬ２ｘ形成して感光層４を構成せしめ
てもよい。

更に、既述のビスアゾ化合物を、既述のヒドラゾン化合
物が含有されたキャリア輸送相中に分散含有せしめてキ
ャリア発生相ン形成し、単一１Δ状の感光層馨形成する
ことも可能である。

なＲ１本発明に８ける感光層ン構成する層には、必要に
応じて種々の添加剤ン加えることができる。

以“下水発明の実施例について説明するが、これらによ
って本発明が限定されるものではない。

実施例１ アルミニウム乞蒸着した厚さ１００ミクロンのポリエチ
レンテレフタレートよシ成る導夷性支持体上に、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル−無水マレイン散共重合体「ニスノッ
クＭＦ−１０Ｊ（積水化学工　゛′業社製）よシ成る厚
さ約０．０５ミクロンの中間層を設け、例示化合物（Ｉ
−４３）で示したビスアゾ化合物Ｌ５　ｆｆ　ｘ　１．
２−ジクロルエタン１００ｄと共に８時間ボールミルに
よシ分散し、ここに得られた分散液ン前記中間層上にド
クターブレートン用いて塗布し、十分乾燥して厚さ約０
．５ミクロンのＣＧＬを形成した。

一方１例示化合物（ｌｌ−３）で示したヒドラゾン化合
物ＩＬ２５Ｐとポリカーボネート樹脂［パンライトＬ−
１２５０Ｊ（帝人イビ成社製）１５ｙ−とン１，２〜ジ
クロルエタン１００ＴｆＬｌに溶解し、得られた溶液χ
前記ＣＧＬ上にドクターブレードを用いて塗布し、十分
乾燥して厚さ１２ミクロンのＣＴＬ４形成し、以って本
発明電子写真感光体馨製造した。

これ？「試料１」とする。

実施例２〜５ ＣＧＬの形成に３いて、ビスアゾ化合物として例示化合
物（Ｉ−５）、（Ｉ−９）、（Ｉ−１６）及び（Ｉ−７
６）で示したものの各々を用いたほかは実施例１と全（
同様にして４種の本発明電子写真感光体ケ製造した。こ
れらをそれぞれ「試料２」〜「試料５」とする。

実施例６〜９ ＣＴＬの形成に３いて、ヒドラゾン化合物として例示化
合物（ｎ−２）、（ＩＩ−５）、（Ｉ［−６）及び（ｎ
−ｓ）で示したものの各々を用いたほかは実施例１と同
様にして４種の本発明電子写真感光体を製造した。これ
らンそれぞれ「試料６」〜「試料９」とする。

実施例１０ 実施例１におけると同様にして導電性支持体上に中間層
を設け、例示化合物（Ｉ−４３）で示１７たビスアゾ化
合物の１５％とポリカーボネート樹脂「パンライトＬ−
１２５０」の１５？とン１，２−ジクロルエタン１００
ｒＩＬｌに加えて１２時間ボールミルによシ分散ケ行い
、得られた分散液ン前記中間層上にドクターブレードに
より塗布し、十分乾燥させて厚さ約１ミクロンのＣＧＬ
７ａ′形成した。

このＣＧＬ上に、実施例１に８けると同様にしてＣＴＬ
を形成し、以って本発明電子写真感覚体ケ製造した。こ
れを「試料１０」とする。

比較例１ 実施例１のＣＴＬの形成にどいて、ヒト２シン化合物の
代シに次の構造式７有するピラゾリ／誘導体を用いたほ
かは、実施例１と同様にして比較用電子写真感光体を製
造した。これを［比較試料１」とする。

比較例２ 実施例１のＣＴＬの形成に？いて、ヒドラゾ／化合物の
代シに次の構造式７有する万キサジアゾール誘導体を用
いたほかは、実施例１と同様にして比較用電子写真感光
体ン製造した。これケ「比較試料２」とする。

以上のようにして得られた電子写真感光体、試料１〜試
料１０並びに比較試料１及び比較試料２の各々について
、「エレクトロメーター５Ｐ−４２８型」（川口電機製
作所製）ン用いて、その電子写真特性７調べた。即ち感
光体表面ン帯電電圧−６ＫＶで５秒間帯電させた時の受
容電位ＶＡ（Ｖ）と、５秒間暗減衰させた後の電位ＶＩ
（初期電位）を汐に減衰させるために必要な露光量Ｅ　
１／２　（ｔｕｘ・秒）、更に暗減衰率（ＶＡ　−ＶＩ
　）／ＶＡ　Ｘ　１００　（％）、！：’ｒＭへ７’ｃ
。

結果は第１表に示す通シである。

第　　１　　表 この第１表の結果よシ、本発明電子写真感光体は大きな
感度を有するものであることが明かである。

また試料１〜試料１０並びに比較試料１と比較試料２の
各々を乾式電子複写機［Ｕ−Ｂｉｘ　２０００ＲＪ（小
西六写真工業社製）に装着して連続複写を行ない、露光
絞り値ＬＯにおける黒紙電位ｖｂ（ｖ）及び白紙電位Ｖ
ｗ（Ｖ）Ｙｒエレクトロスタテックボルトメーター１４
４Ｄ−ＩＤ型」（モンローエレクトロニクスインコーＲ
レーテッ）”ｆｆ）’ａ＝’用い、現像する直前にだい
て測定した。結果は第２表に示す通シである。

尚ここでいう黒紙電位とは反射濃度Ｌ３の黒紙ン原稿と
し、上述の複写サイクルヶ実施したときの感光体の弐面
電位乞表わし、白紙電位とは白紙ン原稿としたときの感
光体の宍面電位を表わす。

第２表 （但し、表中ΔＶｂ（Ｖ）及びΔＶｗ（Ｖ）はそれぞれ
黒紙電位ｖｂ（ｖ）及び白紙電位Ｖｗ（Ｖ）の変動量を
示し、変動量の＋は増加を−は減少ケ表わす。）この第
２表の結果から明がなように、本発明電子写真感光体は
、繰シ返し電子写真プロセスに供したときにも電位の履
歴状態が安定に維持され、良好な画質の可視画像ン多数
安定に形成することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明電子写真感光体の構成の一例を示す説明
用断面図、第２図は本発明電子写真感光体の他の構成例
乞示す説明用断面図、第３図及び第４図はそれぞれ本発
明電子写真感光体の更に他の構成例？示す説明用Ｗｒ面
図である。 １・・・導電性支持体 ２・・・キャリア発生層（ＣＧＬ　） ３・・・キャリア輸送層（ＣＴＬ　） ４・・・感ｆｔ、層　　　　　５・・・中間層ＩＡ・・
・絶縁性基体　　　ＩＢ・・・導電層図面の浄ｒＦＦ（
ｌｌ）芥に変更をし２差　１図 ＃２図 差３図 学４履 手続補正書（方式） 昭和５３年４月２３日 特許庁長官　若杉和夫　殿 １　事件の表示 昭和５７年　　　　特許願第２Ｑ８５１１ち２、発明の
名称　　電子写真感光体 ３、　補正をする者 事件との関係　　　特許出願人 ７１ガス　　　東京老）新宿１にロゴ宿１丁目２６番２
号住　　１９ｆ 罠ｌｌｔ′老（名称）　（Ｌ２７）小西六写亥工業株式
会社４、代理人 ２）図面の浄書（内容に変更なし） 手続補正書（自発） 昭和５９年２月２９日 特許庁長官　　若　杉　和　夫　殿 １、事件の表示 昭和５７年特許願第２０８５１１号 ２、発明の名称　　　電子写真感光体 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住　所　　東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号名　称
　　（１２７）小西六写真工業株式会社４、代理人 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 １）明細書第５３頁の比較例１における構造式を下記の
ように訂正する。 ［

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）キャリア発生相とキャリア輸送用とぞ組合せて成る
   感元層ぞ導電性支持体上に設けて成る電子写真感光体に
   １６いて、前記キャリア発生相が下記一般式〔Ｉ〕で示
   されるビスアゾ化合物ン含有し、前記キャリア輸送用が
   下記一般式（ＩＩ）で示はれるヒドラゾン化合物を含有
   することケ特徴とする電子写真感光体。 一般式〔■〕 １Ｒ２ １ Ａ　−Ｎ＝Ｎ　−Ａｒ　−Ｃ＝ＣＨ−Ａｒ２−ＣＨ＝Ｃ
   −Ａｒ５−Ｎ＝Ｎ　−Ａ〔式中、 Ａｒ１、Ａｒ２ＸよびＡｒ３　：それぞれ置換、未置換
   の炭素環式芳香族環基、 Ｒ１４６よびＲ２：それぞれ電子吸引性基、Ａ　　： ３５１− −ＮＨ３０２−Ｒ６、 Ｙ　：水素原子、ハロゲン原子、置換、未置換のアルキ
   ル基、アルコキシ 基、カルボキシル基、スルホ基、 置換、未置換のカルバモイルｉま たは置換、未置換のスルファモイ ル基、（但し、ｍが２以上のとき は、互に異なる基であってもよい。） Ｚ　：置換、未置換の炭素環式芳香族環または置換、未
   置換の複累環式芳 香族環を構成するに必要な原子群、 Ｒ３：水素原子、置換、未置換のアミン基、置換、未置
   換のカルバモイル 基、力′ルボキシル基またはそのエ ステル基。 Ａ′：置換、未置換のアリール基５ ｎ　：ｌまたは２の整数、 ｍ　二〇〜４の整数ン表わす。〕 一般式〔■〕 ７ 〔式中、 Ｒ７：メチル基、エチル基、２−ヒドロキシエチル基、
   または２−クロル エチル基、 Ｒ８：メチル基、エチル基、ベンジル基、またはフェニ
   ル基乞表わす。〕